JPH01191425A - 半導体結晶装着ビームと薄切り方法 - Google Patents
半導体結晶装着ビームと薄切り方法Info
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- JPH01191425A JPH01191425A JP63299766A JP29976688A JPH01191425A JP H01191425 A JPH01191425 A JP H01191425A JP 63299766 A JP63299766 A JP 63299766A JP 29976688 A JP29976688 A JP 29976688A JP H01191425 A JPH01191425 A JP H01191425A
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- Japan
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- crystal
- dressing
- semiconductor crystal
- slicing
- mounting beam
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- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
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- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B27/00—Other grinding machines or devices
- B24B27/06—Grinders for cutting-off
- B24B27/0675—Grinders for cutting-off methods therefor
-
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- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
-
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- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
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-
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- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
- B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は一般に半導体結晶装着ビーム（ｂｅａｍ）に関
し、特に、結晶を薄切りする期間に使用する万能半導体
結晶装着ビームに関する。
し、特に、結晶を薄切りする期間に使用する万能半導体
結晶装着ビームに関する。
［従来の技術］
現在、半導体結晶を薄切りしてウェーハにしようとする
とき、結晶を装着ビームに取付けている。
とき、結晶を装着ビームに取付けている。
結晶はにかわ（ｇｌｕｅ）を使用して取付け、所定位置
に保持している。現行の装着ビームは取付けられる結晶
の半径と合致する半径を有する凹部を備えた設計になっ
ている。
に保持している。現行の装着ビームは取付けられる結晶
の半径と合致する半径を有する凹部を備えた設計になっ
ている。
［発明が解決しようとする課題］
現在の装着ビームに伴う現存する問題は各装着ビームが
１つの大きざの結晶にしか適合しないのに、結晶の直径
は数種ある（たとえば、２，３゜４．５および８インチ
）ということである。このため大ぎざの異なる複数の装
着ビームを保管しておく必要がある。加えて、ビームお
よび結晶の表面を合わせるため、結晶をビームに固定す
るのに使用するにかわに空隙が残る可能性がある。この
ような空隙は結晶を薄切りするとき空隙に隣接する結晶
内にかけらを生ずる。
１つの大きざの結晶にしか適合しないのに、結晶の直径
は数種ある（たとえば、２，３゜４．５および８インチ
）ということである。このため大ぎざの異なる複数の装
着ビームを保管しておく必要がある。加えて、ビームお
よび結晶の表面を合わせるため、結晶をビームに固定す
るのに使用するにかわに空隙が残る可能性がある。この
ような空隙は結晶を薄切りするとき空隙に隣接する結晶
内にかけらを生ずる。
結晶を薄切りにしてウェーハにするプロセスにおいて、
切削刃はにふくなるか中心ずれを生ずる。
切削刃はにふくなるか中心ずれを生ずる。
このため、定期的に結晶をのこぎりから外して刃をドレ
ッシングしなければならない。刃をドレッシングするプ
ロセスはのこぎりの刃をドレッシング・ステッキ（ｄｒ
ｅｓｓｉｎｇ ５ｔｉｃｋ）上で走らせることから成る
。ドレッシング・ステッキは酸化アルミニウムまたは炭
化ケイ素から作られ、この材料はのこぎりの刃より硬い
ので、刃が鋭くなる。次にドレッシング・ステッキを取
外して結晶を再び取付け、薄切りを続行する。このプロ
セスは非常に時間がかかり、処理の隘路となる。
ッシングしなければならない。刃をドレッシングするプ
ロセスはのこぎりの刃をドレッシング・ステッキ（ｄｒ
ｅｓｓｉｎｇ ５ｔｉｃｋ）上で走らせることから成る
。ドレッシング・ステッキは酸化アルミニウムまたは炭
化ケイ素から作られ、この材料はのこぎりの刃より硬い
ので、刃が鋭くなる。次にドレッシング・ステッキを取
外して結晶を再び取付け、薄切りを続行する。このプロ
セスは非常に時間がかかり、処理の隘路となる。
従って、上述の欠陥を克服する半導体結晶装着ビームと
薄切りの方法とを提供するのが本発明の目的である。
薄切りの方法とを提供するのが本発明の目的である。
本発明の他の目的は、取付けることができる結晶の大き
ざに関して万能の半導体結晶装着ビームを提供すること
である。
ざに関して万能の半導体結晶装着ビームを提供すること
である。
本発明の更に伯の目的は、処理時間を短縮する半導体結
晶装着ビームと薄切りの方法とを提供することである。
晶装着ビームと薄切りの方法とを提供することである。
本発明のなお他の目的は、薄切りのプロセス中にのこぎ
りの刃をドレッシングする半導体結晶装着ビームと薄切
りの方法とを提供することである。
りの刃をドレッシングする半導体結晶装着ビームと薄切
りの方法とを提供することである。
本発明の更に他の目的は、−層経済的に使用できる半導
体結晶装着ビームと薄切りの方法とを提供することであ
る。
体結晶装着ビームと薄切りの方法とを提供することであ
る。
本発明の別の目的は、結晶を装着ビームに空隙無しで取
付けることができる半導体結晶装着ビームを提供するこ
とである。
付けることができる半導体結晶装着ビームを提供するこ
とである。
［課題を解決するための手段］
本発明の上述の、および他の目的と利点とはここに述ぺ
る半導体結晶装着ビームと薄切りの方法とにより達成さ
れる。
る半導体結晶装着ビームと薄切りの方法とにより達成さ
れる。
本発明の特定の実施例は、半導体結晶の各薄切り期間中
に、のこぎりの刃を微小ドレッシングされる（ｍｉｃｒ
ｏ−ｄｒｅｓｓｅｄ）ように黒鉛と混合した酸化アルミ
ニウム材を有する半導体結晶装着ビームから構成されて
いる。
に、のこぎりの刃を微小ドレッシングされる（ｍｉｃｒ
ｏ−ｄｒｅｓｓｅｄ）ように黒鉛と混合した酸化アルミ
ニウム材を有する半導体結晶装着ビームから構成されて
いる。
本発明の第２の特定の実施例は、一定間隙に配設された
ドレッシング・ステッキを有し、ドレッシング・ステッ
キに触れると、刃がより大きくドレッシングされる（ｍ
ａｃ ｒｏ−ｄ ｒｅｓｓｅｄ ）ようにした半導体結
晶装着ビームから構成されている。
ドレッシング・ステッキを有し、ドレッシング・ステッ
キに触れると、刃がより大きくドレッシングされる（ｍ
ａｃ ｒｏ−ｄ ｒｅｓｓｅｄ ）ようにした半導体結
晶装着ビームから構成されている。
本発明の第３の特定の実施例は、各種直径の半導体結晶
を取付けることができるようにＶ形をした半導体結晶装
着ビームから構成される。ビームは更にビームの長さに
わたって走る複数の溝を備え、にかわを溝に流入させて
にかわの内部に空隙が発生しないようにしている。
を取付けることができるようにＶ形をした半導体結晶装
着ビームから構成される。ビームは更にビームの長さに
わたって走る複数の溝を備え、にかわを溝に流入させて
にかわの内部に空隙が発生しないようにしている。
［実施例］
まず第１図および第２図を参照すると、全般的に１０と
記した、従来の装着ビームが示されている。ビーム１０
は半導体結晶１２の半径と等しい半径を有する凹面１１
を備えている。結晶１２はにかわの層を用いてビーム１
０に取付けられる。
記した、従来の装着ビームが示されている。ビーム１０
は半導体結晶１２の半径と等しい半径を有する凹面１１
を備えている。結晶１２はにかわの層を用いてビーム１
０に取付けられる。
この設計から明らかなとおり、特定の直径の結晶に対し
て１種類のビーム１０しか使用することができない。そ
の他に、結晶１２とビーム１０とが緊密に合致している
ので、表面１１と結晶１２との間のにかわにエアポケッ
トが残る可能性がある。
て１種類のビーム１０しか使用することができない。そ
の他に、結晶１２とビーム１０とが緊密に合致している
ので、表面１１と結晶１２との間のにかわにエアポケッ
トが残る可能性がある。
これらのエアポケットはしばしば結晶あるいは結晶から
薄切りしたウェーハにかけらを生ずる。
薄切りしたウェーハにかけらを生ずる。
これらの問題を除くため第３図〜第５図の装着ビーム２
０が設計された。ビーム２０は一般にＶ形に設計される
表面２１を備えている。この形状にすれば各種直径の結
晶のどれでも取付けることができる。これを第４図およ
び第５図に示しである。図では４個の結晶２３〜２６が
ビーム２０のＶ形表面２１に設置されている。第３図に
は表面２１の複数の溝２２も示されている。溝２２はに
かわと存在する可能性のある気泡とを、結晶を表面２１
上に設置したとき、流れることができるようにする。こ
れによりにかわの中のエアポケットにより生ずる空隙か
ら発生する可能性のあるかけら（ｃｈｉｐｓ）が防止さ
れる。
０が設計された。ビーム２０は一般にＶ形に設計される
表面２１を備えている。この形状にすれば各種直径の結
晶のどれでも取付けることができる。これを第４図およ
び第５図に示しである。図では４個の結晶２３〜２６が
ビーム２０のＶ形表面２１に設置されている。第３図に
は表面２１の複数の溝２２も示されている。溝２２はに
かわと存在する可能性のある気泡とを、結晶を表面２１
上に設置したとき、流れることができるようにする。こ
れによりにかわの中のエアポケットにより生ずる空隙か
ら発生する可能性のあるかけら（ｃｈｉｐｓ）が防止さ
れる。
従来の薄切りプロセスにおいては、結晶１２はにかわを
使用してビーム１０に取付けられる。次に結晶は内径（
ＩＤ）刃３０（第６図）の穴３７に入れられる。第６図
に示すように、穴３７は薄切りを行う内径３５により画
定されている。刃３０の周辺には複数の取付は穴３６が
ある。これらは刃３０を切削装着に取付けるのに使用さ
れる。
使用してビーム１０に取付けられる。次に結晶は内径（
ＩＤ）刃３０（第６図）の穴３７に入れられる。第６図
に示すように、穴３７は薄切りを行う内径３５により画
定されている。刃３０の周辺には複数の取付は穴３６が
ある。これらは刃３０を切削装着に取付けるのに使用さ
れる。
ビーム１０と結晶１２とは静止のままになっているが、
刃３０は下って来てウェーハを結晶１２から薄く切取る
。刃３０は第２図の破線で示すように結晶１２を通して
ビーム１０に部分的に切込む。
刃３０は下って来てウェーハを結晶１２から薄く切取る
。刃３０は第２図の破線で示すように結晶１２を通して
ビーム１０に部分的に切込む。
次に刃３０を持上げ、結晶１２を前向きに進める。
刃３０の内径３５にはニッケル３１のビード（ｂｅａｄ
）が塗布されている（第７図）。ニッケル３１は実際に
切削を行うダイヤモンド３２の破片を含んでいる。第７
図でわかるように、ニッケルのビード３１は比較的対称
的でおる。何回か使用した後、ニッケル・ビード３１は
変形し始めるく第８図）。このとき薄切りプロセスを停
止し、結晶１２を装着から外ざなければならない。次に
ドレッシング・ステッキを使用して刃３０のニッケル３
１を所定の形状にドレッシングして戻す。
）が塗布されている（第７図）。ニッケル３１は実際に
切削を行うダイヤモンド３２の破片を含んでいる。第７
図でわかるように、ニッケルのビード３１は比較的対称
的でおる。何回か使用した後、ニッケル・ビード３１は
変形し始めるく第８図）。このとき薄切りプロセスを停
止し、結晶１２を装着から外ざなければならない。次に
ドレッシング・ステッキを使用して刃３０のニッケル３
１を所定の形状にドレッシングして戻す。
ドレッシング・ステッキはニッケル３１より硬い材料の
一般的に長方形の断片である。普通に使用される２つの
形式のドレッシング・ステッキは２２０と３２０の番号
で表わされる。番号２２０と３２０とはステッキの粗さ
に関係し、番号が小さい程粗い材料である。２２０は粗
い方の形式のドレッシング・ステッキで、炭化ケイ素（
ｓｉ ｌ １ｃｏｎｃａｒｂｉｄｅ）から作られている
。３２０のステッキは粗さが少なく、一般に酸化アルミ
ニウムから作られている。
一般的に長方形の断片である。普通に使用される２つの
形式のドレッシング・ステッキは２２０と３２０の番号
で表わされる。番号２２０と３２０とはステッキの粗さ
に関係し、番号が小さい程粗い材料である。２２０は粗
い方の形式のドレッシング・ステッキで、炭化ケイ素（
ｓｉ ｌ １ｃｏｎｃａｒｂｉｄｅ）から作られている
。３２０のステッキは粗さが少なく、一般に酸化アルミ
ニウムから作られている。
刃をドレッシングするには、ドレッシング・ステッキを
一端が穴３７の中に延びるように取付け、刃３０をステ
ッキ上に下ろす。いったん刃３０が整列状態に戻ると、
刃は持上げられ、ドレッシング・ステッキが除去される
。こうして結晶１２を再挿入して薄切りプロセスを再開
することができる。これでは結晶１２を取外し、刃をド
レッシングし、結晶１２を再挿入するのに英大な時間が
かかる。
一端が穴３７の中に延びるように取付け、刃３０をステ
ッキ上に下ろす。いったん刃３０が整列状態に戻ると、
刃は持上げられ、ドレッシング・ステッキが除去される
。こうして結晶１２を再挿入して薄切りプロセスを再開
することができる。これでは結晶１２を取外し、刃をド
レッシングし、結晶１２を再挿入するのに英大な時間が
かかる。
刃３０をドレッシングする際に生ずる遅れを除くため、
第９図で全般に４０と記しておる装着ビームを設計した
。装着ビーム４０は第４図のビーム２０を修正したもの
であり、同じ要素は同じ番号で示されている。ビーム４
０はＶ形表面２１を有する本体２０を備えている。本体
２０にはＶ膨面２１に隣接して溝２２が設けられている
。本体２０の基部には複数のドレッシング・ステッキ４
１と４２とがある。図示したように、ドレッシング・ス
テッキは本体２０を通じて周期的に設置されている。異
なる形式の２つのドレッシング・ステッキは３２０等級
（４１）と２２０等級（４２）とを表わしている。
第９図で全般に４０と記しておる装着ビームを設計した
。装着ビーム４０は第４図のビーム２０を修正したもの
であり、同じ要素は同じ番号で示されている。ビーム４
０はＶ形表面２１を有する本体２０を備えている。本体
２０にはＶ膨面２１に隣接して溝２２が設けられている
。本体２０の基部には複数のドレッシング・ステッキ４
１と４２とがある。図示したように、ドレッシング・ス
テッキは本体２０を通じて周期的に設置されている。異
なる形式の２つのドレッシング・ステッキは３２０等級
（４１）と２２０等級（４２）とを表わしている。
通常薄切りモードで動作しながら、刃３０は半導体結晶
を通し、ビーム４０の中に薄切りする。
を通し、ビーム４０の中に薄切りする。
ビーム４０を薄切りしながら刃３０は周期的にドレッシ
ング・ステッキ４１または４２に接触する。
ング・ステッキ４１または４２に接触する。
これによりビーム４０を取外す必要なく刃３０をドレス
することになり別のドレッシング・プロセスの必要が無
くなる。
することになり別のドレッシング・プロセスの必要が無
くなる。
上記のものの代案として、炭化ケイ素材を黒鉛に追加し
、これから装着ビームを製作する。これは装着ビーム全
体を１２００グリツド・ドレッシング・ステッキとする
。このようにして、刃３０は薄切りを行うごとに軽いド
レッシングを受ける。
、これから装着ビームを製作する。これは装着ビーム全
体を１２００グリツド・ドレッシング・ステッキとする
。このようにして、刃３０は薄切りを行うごとに軽いド
レッシングを受ける。
これにより装着ビーム２０に溝を加工してドレッシング
・ステッキ４１および４２を挿入する必要が無くなる。
・ステッキ４１および４２を挿入する必要が無くなる。
［発明の効果］
以上の説明で明らかなとおり、薄切りプロセス中にのこ
ぎりの刃をドレッシングし、処理時間を短縮して経済的
に使用される半導体結晶装着ビームと薄切りの方法とが
提供され、半導体生産に与える効果は大きい。
ぎりの刃をドレッシングし、処理時間を短縮して経済的
に使用される半導体結晶装着ビームと薄切りの方法とが
提供され、半導体生産に与える効果は大きい。
第１図は、従来の装着ビームの端面図である。
第２図は、半導体結晶を取付けた状態の、第１図の装着
ビームの端面図である。 第３図は、本発明の実施例の装着ビームの端面図である
。 第４図は、複数の半導体結晶を取付けた状態の、第３図
の装着ビームの端面図である。 第５図は、第４図の装着ビームと結晶との側面図でおる
。 第６図から第８図までは、半導体ウェーハを薄切りする
際に使用される従来の内径のこぎり刃の平面図である。 第９図は、本発明の第２の実施例の断面図である。 １０．２０．４０・・・装着ビーム、 １２．２３〜２６・・・半導体結晶、 ３０・・・刃、
３１・・・ビード、 ３２・・・ダイヤモンド片、４１
．４２・・・ドレッシング・ステッキ。
ビームの端面図である。 第３図は、本発明の実施例の装着ビームの端面図である
。 第４図は、複数の半導体結晶を取付けた状態の、第３図
の装着ビームの端面図である。 第５図は、第４図の装着ビームと結晶との側面図でおる
。 第６図から第８図までは、半導体ウェーハを薄切りする
際に使用される従来の内径のこぎり刃の平面図である。 第９図は、本発明の第２の実施例の断面図である。 １０．２０．４０・・・装着ビーム、 １２．２３〜２６・・・半導体結晶、 ３０・・・刃、
３１・・・ビード、 ３２・・・ダイヤモンド片、４１
．４２・・・ドレッシング・ステッキ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、装着ビームに取付けられた半導体結晶を、薄切り装
置の刃を用いて薄切りする方法であって、前記半導体結
晶を薄切りしながら前記装着ビームを薄切りすることに
より前記刃をドレッシングするステップを有することを
特徴とする薄切り方法。 ２、前記装着ビームは黒鉛と炭化珪素とから構成されて
いる特許請求の範囲第１項に記載の方法。 ３、Ｖ形の表面を有する第１の部分と、 該第１の部分と結合しており、かつ穴をその中に穴を画
定している第２の部分と 該第２の部分で画定された穴の中に配設された、前記刃
をドレッシングするドレッシング手段と、を具備する特
許請求の範囲第１項に記載の方法を実施するための半導
体結晶装着ビーム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/133,863 US4819387A (en) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | Method of slicing semiconductor crystal |
| US133,863 | 1987-12-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01191425A true JPH01191425A (ja) | 1989-08-01 |
Family
ID=22460649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63299766A Pending JPH01191425A (ja) | 1987-12-16 | 1988-11-29 | 半導体結晶装着ビームと薄切り方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4819387A (ja) |
| JP (1) | JPH01191425A (ja) |
| KR (1) | KR890011016A (ja) |
| DE (1) | DE3833151A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006272756A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Kyocera Corp | 半導体ブロックの保持装置 |
| JP2009545473A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-12-24 | ダウ ビーム．カンパニー リミテッド | シリコンインゴット切断用受け台 |
| JP2013531388A (ja) * | 2010-07-15 | 2013-08-01 | ゲブリューダー シュミット ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | シリコンブロックのための支持体、そのような支持体を備えた支持体装置、及びそのような支持体装置の製造方法 |
| JP2014024135A (ja) * | 2012-07-25 | 2014-02-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | ドレッシングボード及び切削方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH08290353A (ja) * | 1995-04-19 | 1996-11-05 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体単結晶インゴット切断治具 |
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| US6390889B1 (en) * | 1999-09-29 | 2002-05-21 | Virginia Semiconductor | Holding strip for a semiconductor ingot |
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| EP2520401A1 (en) | 2011-05-05 | 2012-11-07 | Meyer Burger AG | Method for fixing a single-crystal workpiece to be treated on a processing device |
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| DE102013200467A1 (de) | 2013-01-15 | 2014-07-17 | Siltronic Ag | Klemmbare Aufkittleiste für einen Drahtsägeprozess |
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| CN117601295A (zh) * | 2023-10-27 | 2024-02-27 | 浙江盾源聚芯半导体科技有限公司 | 一种石墨沟切治具 |
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