JPH01192728A - 高純度フルオロタンタル酸カリウムの製造方法 - Google Patents
高純度フルオロタンタル酸カリウムの製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G35/00—Compounds of tantalum
- C01G35/006—Compounds containing tantalum, with or without oxygen or hydrogen, and containing two or more other elements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子材料特に高密度ＬＳＩ用の電極配線、キ
ャパシタ等に使用するメンタルメタル用材料に係る高純
度フルオロタンタル酸カリウムの製造方法に関し、特に
Ｗ 、 Ｍｏ等高融点金属が殆んど完全に除去されると
ともに超ＬＳＩに悪影響を及ｔよすＵ等の放射性元素が
ＰＰｂ以下のレベルまで低下せしめられて工業的スケー
ルで実施可能なフルオロタンタル酸カリウムの製造方法
に関する。
ャパシタ等に使用するメンタルメタル用材料に係る高純
度フルオロタンタル酸カリウムの製造方法に関し、特に
Ｗ 、 Ｍｏ等高融点金属が殆んど完全に除去されると
ともに超ＬＳＩに悪影響を及ｔよすＵ等の放射性元素が
ＰＰｂ以下のレベルまで低下せしめられて工業的スケー
ルで実施可能なフルオロタンタル酸カリウムの製造方法
に関する。
ＭＯＳメモリーの高缶展化に伴って、該メモリーの耐融
材料としてタンタルの！要件は益々大となりている。こ
れまで、Ｗ 、 Ｍｏ及びこれらのシリサイド等も実用
化されてはいるが、タンタルは配線羽科に好適である許
９でな（ＩＣ関係のキャパシターとして、従来のＳｉＯ
□等と比較して５〜６倍の肪を第ｔ−有するため素子の
微小化と特性向上に大きく寄与しうるものである。
材料としてタンタルの！要件は益々大となりている。こ
れまで、Ｗ 、 Ｍｏ及びこれらのシリサイド等も実用
化されてはいるが、タンタルは配線羽科に好適である許
９でな（ＩＣ関係のキャパシターとして、従来のＳｉＯ
□等と比較して５〜６倍の肪を第ｔ−有するため素子の
微小化と特性向上に大きく寄与しうるものである。
しかして、従来工業的スケールにおけるＴａの高純度化
は、殆んど溶媒抽出法に依存しているが、この方法で製
造されるＴａ化合物の純度には限界があり、例えばＥＢ
による精製を行ったものであっても不純物によるり−ク
電流が常に存在する等上記の電子材料としては禾だ十分
なものではなかった。
は、殆んど溶媒抽出法に依存しているが、この方法で製
造されるＴａ化合物の純度には限界があり、例えばＥＢ
による精製を行ったものであっても不純物によるり−ク
電流が常に存在する等上記の電子材料としては禾だ十分
なものではなかった。
かかる事情から、含有される不純物の化学的除去につい
てさらに検討を喪すべき多くの問題があり、就中、高融
照会−や放射性元素の完全な化学的除去に関する対策の
出現が強く要望されていたものである。
てさらに検討を喪すべき多くの問題があり、就中、高融
照会−や放射性元素の完全な化学的除去に関する対策の
出現が強く要望されていたものである。
本発明は斜上の実状に麺みてなされたもので、各株不細
物を殆んど完全に除去して高純度のＴａ化合物を得る目
的を十分に達成するとともに、使用する原料の純度レベ
ルに変動があった場合でも、最終製品が安定し九純匿で
確保できるような工業的スケールにおけるｆＲ造法全提
供することをその目的とするものである。
物を殆んど完全に除去して高純度のＴａ化合物を得る目
的を十分に達成するとともに、使用する原料の純度レベ
ルに変動があった場合でも、最終製品が安定し九純匿で
確保できるような工業的スケールにおけるｆＲ造法全提
供することをその目的とするものである。
本発明は、上記の問題点を解決するために、順序を経て
実施する下記の６工程によって構成されている。
実施する下記の６工程によって構成されている。
（１）まず、第１工程は、Ｔａを含む原料のＨＦ−ＨＣ
１溶液を陽イオン交換樹脂に通じて、ＨＦによシコンプ
レックスを生成しにくいＵ−ム、Ｆ・、 Ｃｏ 。
１溶液を陽イオン交換樹脂に通じて、ＨＦによシコンプ
レックスを生成しにくいＵ−ム、Ｆ・、 Ｃｏ 。
Ｚｕ ＋ Ｃｒ ＃ 尼＋ Ｐ ｂ等の金属イオンの大
部分を除去するものである。
部分を除去するものである。
０１）また、第２工程では、ｌ金属、Ｕ等の大部分を除
去後のＴａ ）ＩＦ−ＨＣｔ浴ｇを陰イオン交換樹脂に
通じて該樹脂に溶液中のＴａｔ＠着せしめるものである
。さらに、第３工程は、隘イオン樹脂にＴａとともに吸
着された不純物ｔ−数次段階で洗浄する工程である。
去後のＴａ ）ＩＦ−ＨＣｔ浴ｇを陰イオン交換樹脂に
通じて該樹脂に溶液中のＴａｔ＠着せしめるものである
。さらに、第３工程は、隘イオン樹脂にＴａとともに吸
着された不純物ｔ−数次段階で洗浄する工程である。
洗＃液は、まず、電子材料として最も紋館的となるＵｉ
主として除去するためＨＦ （０，１〜０．５Ｎ）とＩ
Ｃ２（０，１〜ＩＮ）の混合液が使用される。この混合
敵の上記範囲の組成によれは、ＵのＫＤ（吸着係数）が
０〜１５の範囲で最適組成の洗浄液を遺足し吸着された
Ｕの大部分を流去せしめることができる。
主として除去するためＨＦ （０，１〜０．５Ｎ）とＩ
Ｃ２（０，１〜ＩＮ）の混合液が使用される。この混合
敵の上記範囲の組成によれは、ＵのＫＤ（吸着係数）が
０〜１５の範囲で最適組成の洗浄液を遺足し吸着された
Ｕの大部分を流去せしめることができる。
次に、Ｔｍと性質が類似し、かつ、含有型の比較的多い
Ｎｂの流出は、３Ｎ ＨＣｌと１．ＩＮ）ＩＦとの混合
液が使用される。しかも、この混合液によれば、Ｎｂの
ほか、ＴＩ 、Ｚｒ、Ｈｆ 、Ｕ、Ｃｏ 、Ｃｒ、ＡＬ
、Ｓｔ等も同時に除去できる。さらに、０．５Ｎ ＨＮ
Ｏ３と１．０ＮＨＦとの混合液によって、比較的溶去が
困難とされているＳｎも除去され、また、Ｚｒ ＊Ｎｉ
５ＡＪＬｓＩＬ’Ｏｓ Ｂｉ ｓＷ、Ｈｆ等も治山さ
れる。
Ｎｂの流出は、３Ｎ ＨＣｌと１．ＩＮ）ＩＦとの混合
液が使用される。しかも、この混合液によれば、Ｎｂの
ほか、ＴＩ 、Ｚｒ、Ｈｆ 、Ｕ、Ｃｏ 、Ｃｒ、ＡＬ
、Ｓｔ等も同時に除去できる。さらに、０．５Ｎ ＨＮ
Ｏ３と１．０ＮＨＦとの混合液によって、比較的溶去が
困難とされているＳｎも除去され、また、Ｚｒ ＊Ｎｉ
５ＡＪＬｓＩＬ’Ｏｓ Ｂｉ ｓＷ、Ｈｆ等も治山さ
れる。
また、主としてＦ＠１ｒ：＃ｒ出させるために、比較的
低１１１度の０．１〜０．３ Ｎ ＩＣ２が使用される
。この洗浄は、低−度ＨＣ１によりコンプレックスを作
らない金属の溶出に都合がよい。Ｆｅのｔ′よかＣｏ
、 Ｚｎ 、 Ｃｄ。
低１１１度の０．１〜０．３ Ｎ ＩＣ２が使用される
。この洗浄は、低−度ＨＣ１によりコンプレックスを作
らない金属の溶出に都合がよい。Ｆｅのｔ′よかＣｏ
、 Ｚｎ 、 Ｃｄ。
Ａｊ、Ｃｒ等も同時に浴出する。
さらに、ＥＤＴＡによる各金属類の溶出がある。これは
、流出液の声が３近くなるまでＨ２Ｏで陰イオン交換樹
脂を洗浄したのち、同−声のＥＤＴＡの０．０５Ｍ溶液
を使用して当該−でＥＤＴＡとのキレート化合物を生成
するＦ・、 Ｈｇ 、 Ｐｂ 、 Ｎｉ等釡属を溶出せ
しめるものである。但し、必要のない場合、この洗浄を
省略しても目的となるＴａＯ高純度化には実質的な影智
が生じないことが多い。
、流出液の声が３近くなるまでＨ２Ｏで陰イオン交換樹
脂を洗浄したのち、同−声のＥＤＴＡの０．０５Ｍ溶液
を使用して当該−でＥＤＴＡとのキレート化合物を生成
するＦ・、 Ｈｇ 、 Ｐｂ 、 Ｎｉ等釡属を溶出せ
しめるものである。但し、必要のない場合、この洗浄を
省略しても目的となるＴａＯ高純度化には実質的な影智
が生じないことが多い。
以上のとおシネ細物となる各撞金楓知の浴出除去のため
に数次の洗浄手段があるが、Ｔａ原料中に含有される不
純物の１類と童とによってこれらを適宜変更、省略する
等の手段がとられうることはいうまでもない。
に数次の洗浄手段があるが、Ｔａ原料中に含有される不
純物の１類と童とによってこれらを適宜変更、省略する
等の手段がとられうることはいうまでもない。
次に、このような洗浄を経た隘イオン交換樹脂にＮＨ４
Ｎｏ、及びＮＨ４Ｆの混合″／ｆ！Ｌを通したのち溶離
液のトップ・フラクションを除去する第４工程と、該ト
ップ・フラクションを除去した残余の溶離液にＮＨ３’
ｉ吹込みｐｉ”ｌ’ｔ６．８に１１整してタンタルオキ
シフルオライド全沈殿させ、同時に不純物を溶離液中に
残存させる第５工程とについて説明する。
Ｎｏ、及びＮＨ４Ｆの混合″／ｆ！Ｌを通したのち溶離
液のトップ・フラクションを除去する第４工程と、該ト
ップ・フラクションを除去した残余の溶離液にＮＨ３’
ｉ吹込みｐｉ”ｌ’ｔ６．８に１１整してタンタルオキ
シフルオライド全沈殿させ、同時に不純物を溶離液中に
残存させる第５工程とについて説明する。
まず、第４工程では、イオン交換樹脂では除去が必ずし
も完全に行われない微量の高融点不純物が含まれるトッ
プ・フジクシ、ンを分離し、また、第５工程では、残り
の溶離液を中和してＴａのオキシフルオライドをうるも
のであるが、これに使用する溶離液に対して例えは３Ｍ
のＮＨ４ＮＯ３とＩＭのＮＨ４Ｆとの混合液が−３〜３
．５になるように使用される。この場合ＮＨ２Ｃｌ等を
使用する方法もあるが、Ｃｔは微量であっても、その除
去が比較市困難であるから電子材料用には好ましくない
ので避けるほうがよい。この工程で重要な手段は溶離液
のトップ・フラクションが分離されることである。
も完全に行われない微量の高融点不純物が含まれるトッ
プ・フジクシ、ンを分離し、また、第５工程では、残り
の溶離液を中和してＴａのオキシフルオライドをうるも
のであるが、これに使用する溶離液に対して例えは３Ｍ
のＮＨ４ＮＯ３とＩＭのＮＨ４Ｆとの混合液が−３〜３
．５になるように使用される。この場合ＮＨ２Ｃｌ等を
使用する方法もあるが、Ｃｔは微量であっても、その除
去が比較市困難であるから電子材料用には好ましくない
ので避けるほうがよい。この工程で重要な手段は溶離液
のトップ・フラクションが分離されることである。
＃離液の１〜丁のトップ・フラクションが分離されるこ
とＶｃより、特にＷ 、 Ｍｏ等の１金鵜が除去される
こととなりＴａＯ高Ｍ度化が進み、鞘装効果を格段に高
めることとなる。
とＶｃより、特にＷ 、 Ｍｏ等の１金鵜が除去される
こととなりＴａＯ高Ｍ度化が進み、鞘装効果を格段に高
めることとなる。
次の第５工程は、上述のトップ・フラクションを除去し
た残余の溶離液からタンタル金オキシフルオライドのか
たちで沈殿せしめようとするもので、これがため、トッ
プ・フラクション全除去した残余の溶離液にＮＨ３を通
じ、−６，８に一部する。
た残余の溶離液からタンタル金オキシフルオライドのか
たちで沈殿せしめようとするもので、これがため、トッ
プ・フラクション全除去した残余の溶離液にＮＨ３を通
じ、−６，８に一部する。
この−の厳密な調整によって一部不純物がオキシフルオ
ライド沈殿に混入することを防止する顕著な効果を奏し
うる。
ライド沈殿に混入することを防止する顕著な効果を奏し
うる。
さらに、次の第６工程では、第５工程で生成し〕克
たメンタルオキシフルオライドのｆｙ−ＪＥ物をＰ’Ｓ
洗浄後未乾燥のま′！高純度のＨＦで浴解し該浴液にＮ
Ｈ，を通じてＴ１の一部と共沈によシネ細物も同時に沈
殿（吸ｙ＃）せしめて高純度化を増進したのち濾過しそ
のＦ液に酸性ＫＮＯ、を反応喝せてに２ＴａＦ。
洗浄後未乾燥のま′！高純度のＨＦで浴解し該浴液にＮ
Ｈ，を通じてＴ１の一部と共沈によシネ細物も同時に沈
殿（吸ｙ＃）せしめて高純度化を増進したのち濾過しそ
のＦ液に酸性ＫＮＯ、を反応喝せてに２ＴａＦ。
の結晶を得る。さらにこれを濾過、洗浄、乾燥してな終
製品とするものである。
製品とするものである。
なお、オキシフルオライドを分離した溶離液部ち母液中
には未反応のＴａが残存するが、同時にＳｌ。
には未反応のＴａが残存するが、同時にＳｌ。
Ｆ等も溶存しているので、これにＨＮＯ，を加えて酸性
にしたのちＮＨ，全通じて一９以上とし、Ｔ ａ （Ｏ
Ｈ）ｓ全生成させると、液中の不純物は該Ｔａ （ＯＨ
） ｓに完全に収着される。このものは／Ｆｉ足の組成
に調整されたのち純度の商い第５工根の溶離液として再
利用できるので紅隣的である。ま几、最終の第６１程で
使用される高純度のＫＮＯ、は、下記の方法で得られる
。部ち、ＫＮＯの結晶又はＫＯＨとＨＮＯ、と金反応さ
せて得られるＫＮＯ３の浴液に、酸性の状態で１〜２％
のＴａのＨＦ浴液を加え、ＫＯＨ浴液で中和し−１を９
以上にするとＴ ａ （ＯＨ） ｓが生成する。Ｔａ（
Ｏ均。
にしたのちＮＨ，全通じて一９以上とし、Ｔ ａ （Ｏ
Ｈ）ｓ全生成させると、液中の不純物は該Ｔａ （ＯＨ
） ｓに完全に収着される。このものは／Ｆｉ足の組成
に調整されたのち純度の商い第５工根の溶離液として再
利用できるので紅隣的である。ま几、最終の第６１程で
使用される高純度のＫＮＯ、は、下記の方法で得られる
。部ち、ＫＮＯの結晶又はＫＯＨとＨＮＯ、と金反応さ
せて得られるＫＮＯ３の浴液に、酸性の状態で１〜２％
のＴａのＨＦ浴液を加え、ＫＯＨ浴液で中和し−１を９
以上にするとＴ ａ （ＯＨ） ｓが生成する。Ｔａ（
Ｏ均。
を戸去したＦ液を）（ＮＯ３で敵性にしたものを反応に
供する。Ｔａ （ＯＨ） ｓは強力な不純物吸着力を有
するので高純度の藷０ ＃液が得られる。ＫＮＯ，溶液
の磯度は１５％程度が適当である。
供する。Ｔａ （ＯＨ） ｓは強力な不純物吸着力を有
するので高純度の藷０ ＃液が得られる。ＫＮＯ，溶液
の磯度は１５％程度が適当である。
第１図は、以上の第１〜第６工程金示す工程図である。
以下、実施例に基ついて本発明を説明する。
原料として、Ｍｎが７〜ｉ ｏｈｍ％のはか各種不純物
が含有されるメンタルコンデンサスクラップが使用され
た。このスクシンｆは王水処理でＭｎｌを百程度に減少
できる。このスクラップにＨＦとＨＣｌとの混合ｆＬを
作用させるとＭｎの触媒作用により小振の）（ＮＯ６で
激しく反応しＴａｉ含む原料のＨＦ−ＨＣ１洛液が生成
する。
が含有されるメンタルコンデンサスクラップが使用され
た。このスクシンｆは王水処理でＭｎｌを百程度に減少
できる。このスクラップにＨＦとＨＣｌとの混合ｆＬを
作用させるとＭｎの触媒作用により小振の）（ＮＯ６で
激しく反応しＴａｉ含む原料のＨＦ−ＨＣ１洛液が生成
する。
夫々５０１の陽イオン交換樹脂會光填した交換塔２本を
セットで使用して、上記スクシンｆ５０ｋｇ分のＨＦ
−ＨＣ１混酸組成を調整した溶液の鞘製が行われた。
セットで使用して、上記スクシンｆ５０ｋｇ分のＨＦ
−ＨＣ１混酸組成を調整した溶液の鞘製が行われた。
ついで、夫々１５０１の陰イオン交換樹脂を充填した交
換塔２本を使用し、その第１塔でＴａを吸着し、第２塔
でなす溶液中に残存する微量のＴａを捕集する。第１塔
には、メタルとして約２５ゆのＴａが吸着された。
換塔２本を使用し、その第１塔でＴａを吸着し、第２塔
でなす溶液中に残存する微量のＴａを捕集する。第１塔
には、メタルとして約２５ゆのＴａが吸着された。
０．３ Ｎ ＨＦ −０，５Ｎ ＨＣ１混台液、１．Ｉ
ＮＨＦ −３ＮＨＣ６混合液、１．０ＮＨＦ−・０．
５ Ｎ ＨＮＯ，混合液、０．２ Ｎ ＨＣｔ溶液、０
．０５ Ｍ ＥＤＴＡの各種洗浄液を順次夫々樹脂量の
３〜５倍使用して不純物ｔ−浴離させる。各洗浄液中に
は平均１００〜１５０ ｐｐｍ前徴のＴａが溶出するが
、これらは第２塔で捕集する。
ＮＨＦ −３ＮＨＣ６混合液、１．０ＮＨＦ−・０．
５ Ｎ ＨＮＯ，混合液、０．２ Ｎ ＨＣｔ溶液、０
．０５ Ｍ ＥＤＴＡの各種洗浄液を順次夫々樹脂量の
３〜５倍使用して不純物ｔ−浴離させる。各洗浄液中に
は平均１００〜１５０ ｐｐｍ前徴のＴａが溶出するが
、これらは第２塔で捕集する。
最終製品のＴ１の分析結果は下表のとおシである。
本発明は以上の構成に基づき、第１工程〜第６工程の７
１次の実施によって高純度フルオロタンタル酸カリウム
をｎｆＪ４する方法であって、特に、第１工程に陽イオ
ン交換樹脂を使用して行う各種金属イオンの除去は中量
生産規模においてＴａ ｔ−製造する場合最も効率がよ
い手段であシ、従来性われていた陰イオン交換樹脂のみ
によるＴａ成分の吸着手段では安定した純度の確保に十
分適切でなかった点を補完しうるものとして極めて好ま
しい工程であり、また、第４工程において、浴取液のト
ップ・フラクションを分離することにより、重金属イオ
ンが分離除去されたＴａの一層の純度化を進めることと
なシ、さらに、オキシフロオライドを沈殿せしめる第５
工程において、トップ・フラクションを分離した残余の
浴隘液にのけるｐｔｉ６．８の調整により一部不純物が
オキジグオライド沈＊に混入することを防止し得るもの
であり、また、第６工程でオキシフルロライド沈殿のＨ
Ｆ浴液にＮＨ５’ｉ通じて共沈せしめ不純物を可及的除
去する工夫を施している等、生産スケールで稍Ｈを進め
る一層、高純度化の同上Ｖこついて数多くの配慮がなさ
れた製造方法であって、結果的に不純物を殆んど官有し
ない高純度のフルオロタンタル酸カリウムが効率よく得
られるものであり、極めて有用な発明である。
１次の実施によって高純度フルオロタンタル酸カリウム
をｎｆＪ４する方法であって、特に、第１工程に陽イオ
ン交換樹脂を使用して行う各種金属イオンの除去は中量
生産規模においてＴａ ｔ−製造する場合最も効率がよ
い手段であシ、従来性われていた陰イオン交換樹脂のみ
によるＴａ成分の吸着手段では安定した純度の確保に十
分適切でなかった点を補完しうるものとして極めて好ま
しい工程であり、また、第４工程において、浴取液のト
ップ・フラクションを分離することにより、重金属イオ
ンが分離除去されたＴａの一層の純度化を進めることと
なシ、さらに、オキシフロオライドを沈殿せしめる第５
工程において、トップ・フラクションを分離した残余の
浴隘液にのけるｐｔｉ６．８の調整により一部不純物が
オキジグオライド沈＊に混入することを防止し得るもの
であり、また、第６工程でオキシフルロライド沈殿のＨ
Ｆ浴液にＮＨ５’ｉ通じて共沈せしめ不純物を可及的除
去する工夫を施している等、生産スケールで稍Ｈを進め
る一層、高純度化の同上Ｖこついて数多くの配慮がなさ
れた製造方法であって、結果的に不純物を殆んど官有し
ない高純度のフルオロタンタル酸カリウムが効率よく得
られるものであり、極めて有用な発明である。
第１図は本発明に係る製造方法の工程を示す工程図であ
る。
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｔａを含む原料のＨＦ−ＨＣｌ溶液を陽イオン交換
樹脂に通じてＦｅ、Ｍｎ、Ｎｉ等各種不純物を除去する
第１工程と、 上記不純物を除去した前記溶液を陰イオン交換樹脂に通
じて該溶液中のＴａ成分を吸着せしめる第２工程と、 該陰イオン樹脂にＴａ成分とともに吸着されている不純
物を数次段階で洗浄する第３工程と、Ｔａ成分を吸着し
た前記陰イオン交換樹脂をＮＨ＿４ＮＯ＿３及びＮＨ＿
４Ｆの混合液で溶離し、該溶離液のトップ・フラクショ
ンを分離する第４工程と、 上記トップ・フラクションを除去した残りのＴａ溶離液
にＮＨ＿３を通じてｐＨを６．８に調整しタンタルオキ
シフルオライドを沈殿せしめるとともに不純物を該溶離
液中に残存せしめる第５工程と、上記タンタルオキシフ
ルオラドの沈殿を濾過、洗浄しＨＦで溶解せしめてなる
溶液にＮＨ＿３を通じてＴａの一部共沈せしめたるのち
濾過し、濾液に酸性ＫＮＯ＿３を反応させてＫ＿２Ｔａ
Ｆ＿７の結晶を得てこれを濾過、洗浄、乾燥して最終製
品とする第６工程と、から構成されることを特徴とする
高純度フルオロタンタル酸カリウムの製造方法。 ２、第６工程においてタンタルオキシフルオライドを濾
過した母液にＨＮＯ＿３を加えＮＨ＿３ガスを通じてｐ
Ｈ９以上としＴａ（ＯＨ）＿５を生成させて不純物を吸
着せしめ溶離液を所定の組成に調整して再び第６工程で
使用する請求項１記載の高純度フルオロタンタル酸カリ
ウムの製造方法。 ３、第６工程において使用するＫＮＯ＿３が、ＫＮＯ＿
３にフッ化タンタル酸溶液を少量添加後ＫＯＨでアルカ
リ性とするとき生成するＴａ（ＯＨ）＿５により含有不
純物を吸着除去してなる請求項１記載の高純度フルオロ
タンタル酸カリウムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1363088A JPH01192728A (ja) | 1988-01-26 | 1988-01-26 | 高純度フルオロタンタル酸カリウムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1363088A JPH01192728A (ja) | 1988-01-26 | 1988-01-26 | 高純度フルオロタンタル酸カリウムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01192728A true JPH01192728A (ja) | 1989-08-02 |
Family
ID=11838556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1363088A Pending JPH01192728A (ja) | 1988-01-26 | 1988-01-26 | 高純度フルオロタンタル酸カリウムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01192728A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001047813A1 (fr) * | 1999-12-28 | 2001-07-05 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Procede pour produire un cristal de tantalate de potassium fluore et cristal de tantalate de potassium fluore |
| WO2002083568A1 (en) * | 2001-04-06 | 2002-10-24 | Mitsui Mining & Smelting Co.,Ltd. | Method for producing high purity potassium fluorotantalate crystal or high purity potassium fluoroniobate crystal and recrystallization vessel for use in the method for production, and potassium fluorotantalate crystal or high purity potassium fluoroniobate crystal produced by the method for production |
| KR100425795B1 (ko) * | 2001-06-02 | 2004-04-03 | 태원필 | 탄탈륨산칼륨 나노 졸-입자의 제조방법 |
| RU2623522C1 (ru) * | 2016-04-21 | 2017-06-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственная компания "Русредмет" (ООО "НПК "Русредмет") | Способ получения фтортанталата калия из танталсодержащих растворов |
-
1988
- 1988-01-26 JP JP1363088A patent/JPH01192728A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001047813A1 (fr) * | 1999-12-28 | 2001-07-05 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Procede pour produire un cristal de tantalate de potassium fluore et cristal de tantalate de potassium fluore |
| US6764669B2 (en) | 1999-12-28 | 2004-07-20 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Method for producing fluorinated potassium tantalate crystal |
| WO2002083568A1 (en) * | 2001-04-06 | 2002-10-24 | Mitsui Mining & Smelting Co.,Ltd. | Method for producing high purity potassium fluorotantalate crystal or high purity potassium fluoroniobate crystal and recrystallization vessel for use in the method for production, and potassium fluorotantalate crystal or high purity potassium fluoroniobate crystal produced by the method for production |
| US6860941B2 (en) | 2001-04-06 | 2005-03-01 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Method for manufacturing high-purity potassium fluoroniobate crystal, recrystallization bath used in manufacturing method thereof and high-purity potassium fluorotantalate crystal or high-purity potassium fluoroniobate crystal obtained by manufacturing method thereof |
| KR100425795B1 (ko) * | 2001-06-02 | 2004-04-03 | 태원필 | 탄탈륨산칼륨 나노 졸-입자의 제조방법 |
| RU2623522C1 (ru) * | 2016-04-21 | 2017-06-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственная компания "Русредмет" (ООО "НПК "Русредмет") | Способ получения фтортанталата калия из танталсодержащих растворов |
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