JPH01193665A - 半導体テスター - Google Patents

半導体テスター

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Publication number
JPH01193665A
JPH01193665A JP63017581A JP1758188A JPH01193665A JP H01193665 A JPH01193665 A JP H01193665A JP 63017581 A JP63017581 A JP 63017581A JP 1758188 A JP1758188 A JP 1758188A JP H01193665 A JPH01193665 A JP H01193665A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
clock pulses
timing
pulses
phase
Prior art date
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Pending
Application number
JP63017581A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Takenaka
竹中 幸一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Electronics Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority to JP63017581A priority Critical patent/JPH01193665A/ja
Publication of JPH01193665A publication Critical patent/JPH01193665A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分寿] この発明は、半導体テスターに関し、詳しくはLSIの
特性テスト等を行う場合にLSIの出力波形に対するレ
ベル判定処理を効率よく行い、特性測定におけるスルー
プットを向ヒさせることができるような半導体テスター
に関する。
[従来の技術] 第3図にこの種の半導体テスターの全体的な構成を示す
。同図において、10は、CPUであり、インタフェー
ス11を介してパターン発生器12にパターン発生に必
要なプログラムをセットし、タイミング発生回路13に
必要なタイミング発生のデータをセットする。これらパ
ターン発生器12、タイミング発生回路13からのデー
タがピンエレクトロニクス17に送出されて、ピンエレ
クトロニクス17のドライバ15から被検査デバイス(
DUT)18のピン対応にテスト波形パターン等が出力
される。
なお、14は、テスト電圧発生回路であって、CPUl
0からのデータによりDUTl8のバイアス電圧とか、
テスト波形パターン等のレベルを設定する設定電圧等を
発生して、DUTl8.ピンエレクトロニクス17にそ
れぞれ供給する。
パターン発生器12は、通常、ROMとRAMとから構
成されるインストラクシqンメモリ等を有するものやア
リツメティクパターン発生器であり、DUTl7に対す
るアドレスの発生と、パターンデータ、期待値データ等
のデータ(D)の発生、すらにDUTl 8に対するリ
ード/ライト制御信号等の発生をする。
一方、DUTl8から得られた出力波形は、ピンエレク
トロニクス17に内蔵されたレベル判定回路としてのコ
ンパレータ16により判定基準電圧と比較されて、その
結果データがフェイルピットメモリに一旦記憶されるか
、直接インタフェース11を介してCPUl0側に転送
され、CPU10側のメモリに記憶され、CPUl0に
よってそのデータ解析が杼われる。
・ 第4図(a)は、そのピンエレクトロニクス17に
おけるコンパレータ部分の説明図であり、同図(b)は
、その測定状態の説明図である。
出力レベル判定値として与えられる判定基準電圧VDは
、テスト電圧発生回路20から供給され、コンパレータ
16は、この電圧Vθを一方の入力として受けて、DU
Tl8からの出力電圧を他の入力とし、これらを比較し
て出力波形が比較基準電圧VDを越えているときの結果
信号(パス信号)、それを越えていないときの結果信号
(フェイル信号)を発生し、これを所定のタイミングで
タイミング判定回路であるEXOR回路leaによりサ
ンプリングし、パス信号或いはフェイル信号(ただし、
正論理ではEXOR回路leaの出力は反転した信号と
なる)としてCPUl0側へ転送している。
この場合、同図(b)の(イ)に示すように0UT18
からの出力波形1に対して、(ロ)に示す判定クロック
パルス(判定ストローブパルス)2をタイミング発生回
路13で発生して、その最初の判定ストローブパルス2
によりコンパレータ16の結果信号をEXOR回路18
aで得る。次に同様な条件で出力波形(イ)をDUTl
8から得て、このとき判定ストローブパルス2を遅延さ
せることで一定時間シフトさせておき、このシフトした
次の判定ストローブパルス2により同様な判定結果を採
取し、以下、同様にして判定ストローブパルス2を一定
時間順次シフトさせて、その都度判定結果を採取し、そ
の測定における1項目のテストが終Yすると、今度は、
前記比較比較型11E V 、とDUTl8の電源電圧
を変えて同様な測定をする。
[解決しようとする課題] ところで、半導体集積回路は、高集積化されるにつれて
その特性評価も時間がかかり、かつより細かい段階で評
価することが要求されるようになって来ている。そこで
、特性テストのテスト項目が多くなるとともにDUTか
らの出力波形の評価も異なる種々の段階でテストするこ
とが必要になって来ている。
しかし、前記のような判定ストローブパルスでは、出力
波形に対する判定位置(タイミング)を決定する機能し
かないため、DUTの電源電圧に対するアクセスの依存
性等の評価を行う場合には、各タイミング位置でその都
度比較結果(パス信号或いはフェイル信号)を確認しな
がら行うことになって、その特性評価に時間がかかると
いう問題点がある。
この発明は、このような従来技術の問題点を解決するも
のであって、特性テストを効率よく行うことができる)
11導体テスターを提供することを[j的とする。
[課題を解決するための手段] このような目的を達成するためのこの発明の半導体テス
ターにおける手段は、位相が相違するクロックパルスを
相違する複数の位相に対応してそれぞれ発生するタイミ
ングクロック発生器と、複数の各位相のクロックパルス
をそれぞれ受けてこれらそれぞれを一定時間遅延させる
遅延回路と、被測定デバイスから得られる出力波形を判
定基準レベルと比較して比較結果に対応した出力を発生
するレベル判定回路と、レベル比較回路の出力を抽出す
る各位相対応に設けられた複数の比較結果抽出回路とを
備えていて、遅延回路により各位相のクロックパルスを
一定時間だけ順次遅延させ、遅延させた各位相のクロッ
クパルスを比較結果抽出回路がそれぞれ受け、この遅延
した各位相のクロックパルスに対応したそれぞれのタイ
ミング位置で比較結果抽出回路から得られる複数のデー
タを判定データとして順次得るものである。
[作用] このように、複数の異なる位相で判定ストローブパルス
(判定クロックパルス)をタイミング発生器によりそれ
ぞれ発生して、パス信号或いはフェイル信号の情報を所
定のクロックパルスで抽出する回路を、これら判定用ク
ロックパルスに対応して複数設けて多チャンネル化し、
−度のl) U Tの出力波形に対して複数のタイミン
グ位置でデータを採取することにより、同時に複数の判
定結果を得ることができる。
その結果、測定時間がチャンネル数に対応して短縮され
、かつ1回の測定結果データをパラレルにCPU側に転
送することができ、半導体テスターの特性測定等におけ
るスループットを向−ヒさせることができる。
[実施例] 以下、この発明の一実施例について図面を用いて詳細に
説明する。
第1図は、この発明の半導体テスターを適用した一実施
例の判定回路部分を中心としたブロック図、第2図は、
その動作を説明するためのタイミングチャートである。
なお、第3図及び第4図における構成要素と同等のもの
は同一の符号で示す。
図において、3,4,5.6は、それぞれ2人力EXO
R回路であって、4チヤンネル構成のタイミング判定回
路となっている。これらは、それぞれコンパレータ16
の出力を一方の入力端に受ける。
タイミング発生回路7は、第2図の(イ)に示すように
、4つのチャンネルに対応する、一定間隔をおいて位相
の相違するACLK 、 BCLK 、 CCLK、D
CLにの4つの判定ストローブパルスをそれぞれ発生す
るものであって、第3図のタイミング発生回路13に対
応している。そして、その内部に前記の各判定ストロー
ブパルスに対応するそれぞれの位相のクロックパルスを
発生するクロックパルス発生回路8と、このクロックパ
ルス発生回路8からの各位相のクロックパルスをそれぞ
れ受ける遅延回路9とを有している。
このタイミング発生回路7は、CPUl0からの制御信
号に応じて、制御され、そのクロックパルス発生回路8
は、この制御に応じてそのクロックパルスの位相を決定
し、′ii延回路9は、この制御に応じて遅延時間が選
択され、かつ判定1回ごとに判定ストローブパルスを一
定時間だけ遅延させてシフトさせる。その結果、(イ)
に示すような各位相の判定ストローブパルスが順次シフ
トされて、同図(ロ)に示すような判定ストローブパル
スが発生する。
タイミング発生回路7から発生する各判定ストローブパ
ルスのうちA CLKは、EXOR回路3の他方の入力
側に入力され、BCLKは、EXOR回路4の他方の入
力側に入力される。また、CCLKは、EXOR回路5
の他方の入力端に入力され、D CLKは、EXOR回
路6の他方の入力側に入力される。
これら各EXOR回路3,4,5.6の出力は、インタ
フェース11に送出されて、インタフェース11を介し
てCPUl0に転送される。その結果、同図(ハ)に見
るように、1回のテストにより得られるI)UT18か
らの出力波形1に対し、同時に、4つのタイミング位置
での判定結果が得られ、これら判定結果は、同時にパラ
レルなデー夕としてCPUl0側に転送される。
このようにすれば、同図(ニ)に見るように、各判定ス
トローブパルスの位相間隔(タイミング判定時間幅)の
間を均等分割してそれぞれのストローブパルスを遅延回
路9により同時に順次シフトすれば、その4倍の範囲の
測定データを1/4の測定時間で得られる。したがって
、第2図に見るように、DUT18の出力波形の立上が
り特性についての1テストサイクル測定時間がチャンネ
ル数に対応して短縮できる。
そして、このことは立上がり特性の測定に限らず、出力
波形の立下がり特性についての1テストサイクル、さら
に、第4図(b)に対応する出力波形全体の特性につい
ての1テスト項目についても同様である。
以−ヒは、説明の都合−ヒ、EXOR回路をパラレルに
4つ配置しているが、実際は、さらに多くのEXOR回
路を配置して、タイミング判定時間幅をCPUl0から
の指令により立上がり特性とか立下がり特性、さらに出
力波形全体の特性等の測定内容に応じて設定するように
、かつそのときパラレルに使用するEXOR回路の数(
チャンネル数)を選択するようにしておけば、種々の形
態でパス/フェイル情報を得ることができる。なお、こ
のとき同時に、タイミング判定時間幅におけるストロー
ブパルスの数も設定できるようにして、前記のシフト時
間を選択できるようにしてもよい。
ところで、以ヒのようにして得られたパス/フェイル情
報は、−旦、CPUl0側のメモリに記憶され、1テス
トで同時に得られたパス/フェイル情報がACLK 、
 BCLK 、 CCLK 、 DCLKの各クロック
パルスの位相に応じたタイミングの測定情報に展開され
て、かつ、比較基準電圧■oとの関係でのX、Yの平面
座標データに変換され、グラフィック処理されて、デイ
スプレィ上に表示される。
以」−説明してきたが、実施例では、EXOR回路を使
用しているが、これは、そのほかの論理回路であっても
よく、コンパレータの比較出力を抽出できる回路ならば
どのようなものでもよい。
また、実施例では、直接CPU側に測定結果を送ってい
るが、測定結果は、フヱイルビットメモリとか、レジス
タ等に記憶されて、その後、−括してCPU側に転送さ
れてもよい。
さらに、実施例のACLK 、 BCLK 、 (、C
Lに、DCLKの各クロックパルスの発生タイミングを
被測定デバイスの評価グレードに合わせた立上がり位置
に設定して、各立」二かり位置での特性測定を行い、グ
レード評価データを各クロックパルス対応に同時に得る
ように利用することができる。
なお、クロックパルスの数は複数あればよく、4つに限
定されるものではない。
[発明の効果] 以Hの説明から理解できるよに、この発明にあっては、
複数の異なる位相で判定ストローブパルスをタイミング
発生器によりそれぞれ発生して、パス信号或いはフェイ
ル信号の情報を所定のクロックパルスで抽出する回路を
、これら判定用クロックパルスに対応して複数設けて多
チャンネル化し、−度のDUTの出力波形に対して複数
のタイミング位置でデータを採取することにより、同時
に複数の判定結果を得ることができる。
その結果、測定時間がチャンネル数に対応して短縮され
、かつ1回の測定結果データをパラレルにCPU側に転
送することができ、半導体テスターの特性測定等におけ
るスループットを向ヒさせることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の半導体テスターを適用して−・実
施例の判定回路部分を中心としたブロック図、第2図は
、その動作を説明するためのタイミングチャート、第3
図は、従来の半導体テスターのパターン発生器部分を中
心とする全体的な構成を示すブロック図、第4図(a)
は、そのピンエレクトロニクスにおけるコンパレータ部
分の説明図、第4図(b)は、その測定状態の説明図で
ある。 1・・・CUTからの出力波形、 2・・・判定ストローブパルス、 3.4,5.6.tea−・・EXOR回路、7.13
・・・タイミング発生回路、 8・・・クロックパルス発生回路、9・・・遅延回路、
10・・・CPU111・・・インタフェース、12・
・・パターン発生器、14・・・テスト電圧発生回路、
12・・・パターン発生器、15・・・ドライバ、16
・・・コンパレータ。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)位相が相違するクロックパルスを前記相違する複
    数の位相に対応してそれぞれ発生するタイミングクロッ
    ク発生器と、前記複数の各位相のクロックパルスをそれ
    ぞれ受けてこれらそれぞれを一定時間遅延させる遅延回
    路と、被測定デバイスから得られる出力波形を判定基準
    レベルと比較して比較結果に対応した出力を発生するレ
    ベル判定回路と、前記レベル比較回路の出力を抽出する
    前記各位相対応に設けられた複数の比較結果抽出回路と
    を備え、前記遅延回路により前記各位相のクロックパル
    スを前記一定時間だけ順次遅延させ、遅延させた各位相
    のクロックパルスを前記比較結果抽出回路がそれぞれ受
    け、この遅延した各位相のクロックパルスに対応したそ
    れぞれのタイミング位置で前記比較結果抽出回路から得
    られる複数のデータを判定データとして順次得ることを
    特徴とする半導体テスター。
  2. (2)各位相のクロックパルスは相互に等しい間隔とな
    るような位相で発生し前記クロックパルスを遅延する一
    定時間は、前記等しい位相間隔を均等分割した場合の1
    つの時間間隔分に相当し、コンパレータの判定基準レベ
    ルが所定のテストサイクル終了に応じて順次増加方向又
    は減少方向に設定されることを特徴とする請求項1記載
    の半導体テスター。
JP63017581A 1988-01-28 1988-01-28 半導体テスター Pending JPH01193665A (ja)

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JP63017581A JPH01193665A (ja) 1988-01-28 1988-01-28 半導体テスター

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005114598A (ja) * 2003-10-09 2005-04-28 Oki Electric Ind Co Ltd ストローブタイミングの調整方法及び半導体装置のファンクションテスト装置
US8306227B2 (en) * 2002-09-26 2012-11-06 Nec Corporation Data encryption system and method

Cited By (2)

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US8306227B2 (en) * 2002-09-26 2012-11-06 Nec Corporation Data encryption system and method
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