JPH01193743A - レチクルマスク - Google Patents
レチクルマスクInfo
- Publication number
- JPH01193743A JPH01193743A JP63018703A JP1870388A JPH01193743A JP H01193743 A JPH01193743 A JP H01193743A JP 63018703 A JP63018703 A JP 63018703A JP 1870388 A JP1870388 A JP 1870388A JP H01193743 A JPH01193743 A JP H01193743A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- patterns
- pattern
- deviation
- reticle mask
- reticle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 abstract description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 2
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- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は縮小投影型露光装置でウェハー上へのパターン
焼きつけに使用するレチクルマスクに関し、特に第１フ
オトリソグラフイエ程（１’ｓｔ工程）で使用するレチ
クルマスクに関するものである。
焼きつけに使用するレチクルマスクに関し、特に第１フ
オトリソグラフイエ程（１’ｓｔ工程）で使用するレチ
クルマスクに関するものである。
従来、この種のレチクルマスクは、所望の半導体素子パ
ターンと、後工程で位置合せ精度をチェックするための
パターンと、後工程で目合せする時の目合せ用パターン
で主に構成されていた。
ターンと、後工程で位置合せ精度をチェックするための
パターンと、後工程で目合せする時の目合せ用パターン
で主に構成されていた。
縮小投影型露光装置は、レチクルマスク上のパターンを
１１５あるいは１／１０に縮小し、それを１シヨツトと
してウェハー上にステップアンドリピートして規則正し
く焼きつけていくわけであるが、上述した従来の１’
ｓｔ工程用レチクルマスクでは、ショットの回転ズレを
チェックすることが困難であるという欠点があった。ウ
ェハー上に既に何らかのパターンが形成された後に、そ
のパターンに重ね合わせて露光する工程ならば、下地パ
ターンとの相対的な比較によって回転ズレ。
１１５あるいは１／１０に縮小し、それを１シヨツトと
してウェハー上にステップアンドリピートして規則正し
く焼きつけていくわけであるが、上述した従来の１’
ｓｔ工程用レチクルマスクでは、ショットの回転ズレを
チェックすることが困難であるという欠点があった。ウ
ェハー上に既に何らかのパターンが形成された後に、そ
のパターンに重ね合わせて露光する工程ならば、下地パ
ターンとの相対的な比較によって回転ズレ。
左右、上下のズレをチェックできるが、上述した１’
ｓｔ工程では、下地に何もパターンが無いため回転ズレ
をチェックできないという欠点があった。１’ ｓｔ工
程で回転ズレしたままであると、後工程での重ね合せが
困難となり、著しい生産性の低下と歩留りの低下を招く
ことになる。
ｓｔ工程では、下地に何もパターンが無いため回転ズレ
をチェックできないという欠点があった。１’ ｓｔ工
程で回転ズレしたままであると、後工程での重ね合せが
困難となり、著しい生産性の低下と歩留りの低下を招く
ことになる。
本発明の１’ ｓｔ工程用レチクルマスクは、ウェハー
上にパターン焼き付けした場合に、そのショット単位で
の回転のズレをチェックするための専用のチェックパタ
ーンをレチクルマスク外周部に有している。さらにこの
パターンは、ズレ量を定量的に読み取ることができるよ
うに、ノギス形式のものとなっており、０．０５μのオ
ーダーまで読みとれる。
上にパターン焼き付けした場合に、そのショット単位で
の回転のズレをチェックするための専用のチェックパタ
ーンをレチクルマスク外周部に有している。さらにこの
パターンは、ズレ量を定量的に読み取ることができるよ
うに、ノギス形式のものとなっており、０．０５μのオ
ーダーまで読みとれる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は、本発明の一実施例のレチクルマスクの平面図である
。１はレチクルマスクで４チツプから構成された例を示
している。レチクルマスク１の上部と下部にウェハー上
に焼きつけた際の回転ズレをチェックするパターン２と
３が設けられている。第２図は、第１図のチェックパタ
ーン２を拡大した図であり、第３図は第１図のチェック
パターン３を拡大した図である。
は、本発明の一実施例のレチクルマスクの平面図である
。１はレチクルマスクで４チツプから構成された例を示
している。レチクルマスク１の上部と下部にウェハー上
に焼きつけた際の回転ズレをチェックするパターン２と
３が設けられている。第２図は、第１図のチェックパタ
ーン２を拡大した図であり、第３図は第１図のチェック
パターン３を拡大した図である。
第４図は本実施例にレチクルパターンを用いて実際にウ
ェハー上にステップアンドリピートして焼きつけられた
様子を示す図である。図中の４および４′の部分が、第
２図、第３図で示したチェックパターン２および３が、
ちょうど重なり合う部分で、その様子を拡大して示しな
のが第５図である。
ェハー上にステップアンドリピートして焼きつけられた
様子を示す図である。図中の４および４′の部分が、第
２図、第３図で示したチェックパターン２および３が、
ちょうど重なり合う部分で、その様子を拡大して示しな
のが第５図である。
このようにして第４図に示した４、４′の二箇所で、チ
ェックパターンの重なり具合をチェックすることで、回
転のズレを容易に調べることができると同時に、このパ
ターンがノギス形式になっているためズレ量を０．０５
μのオーダーで読みとることができる。
ェックパターンの重なり具合をチェックすることで、回
転のズレを容易に調べることができると同時に、このパ
ターンがノギス形式になっているためズレ量を０．０５
μのオーダーで読みとることができる。
以上説明したように、本発明のレチクルパターンは、１
’ ｓｔ工程でのショット単位の回転ズレをチェックす
るための専用パターンを有しているので、１’ ｓｔ工
程での回転ズレを容易に発見し、不良が発生した場合に
は再リソグラフィすることで後工程への悪影響・歩留低
下を防止できる効果がある。
’ ｓｔ工程でのショット単位の回転ズレをチェックす
るための専用パターンを有しているので、１’ ｓｔ工
程での回転ズレを容易に発見し、不良が発生した場合に
は再リソグラフィすることで後工程への悪影響・歩留低
下を防止できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図および第３
図は第１図のチェックパターンの拡大図、第４図は本発
明のレチクルマスクを用いてウェハーに焼きつけた状態
を示す平面図、第５図は２つのチェックパターンが重な
った様子を示す図である。 １・・・レチクルマスク、２．３・・・チェックパター
ン、４，４′・・・チェックパターンの重なり合う部分
。
図は第１図のチェックパターンの拡大図、第４図は本発
明のレチクルマスクを用いてウェハーに焼きつけた状態
を示す平面図、第５図は２つのチェックパターンが重な
った様子を示す図である。 １・・・レチクルマスク、２．３・・・チェックパター
ン、４，４′・・・チェックパターンの重なり合う部分
。
Claims (1)
- 縮小投影型露光装置でウェハー上へのパターンの焼き
つけに使用するレチクルマスクにおいて、ステップアン
ドリピートされて焼きつけられたレチクルパターンの回
転のズレをチェックするためのチェックパターンを有す
ることを特徴とするレチクルマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63018703A JPH01193743A (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | レチクルマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63018703A JPH01193743A (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | レチクルマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01193743A true JPH01193743A (ja) | 1989-08-03 |
Family
ID=11979003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63018703A Pending JPH01193743A (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | レチクルマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01193743A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5262258A (en) * | 1990-06-12 | 1993-11-16 | Nec Corporation | Process of manufacturing semiconductor devices |
| JPH09166866A (ja) * | 1995-12-18 | 1997-06-24 | Nec Corp | フォトマスクの目合わせマーク及び半導体装置 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49119584A (ja) * | 1973-03-15 | 1974-11-15 | ||
| JPS5147028A (ja) * | 1974-10-21 | 1976-04-22 | Fukuda Metal Foil Powder | Dodenseitoryo |
| JPS5463680A (en) * | 1977-10-29 | 1979-05-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | Production of mask for integrated circuit |
| JPS5724942A (en) * | 1980-07-23 | 1982-02-09 | Hitachi Ltd | Original plate for step-and-repeat camera |
| JPS5858807A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-07 | 松下電工株式会社 | 電源引込装置 |
| JPS60179745A (ja) * | 1984-02-28 | 1985-09-13 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | パターン転写方法、及び転写装置 |
| JPS62115165A (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | レチクル |
-
1988
- 1988-01-28 JP JP63018703A patent/JPH01193743A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49119584A (ja) * | 1973-03-15 | 1974-11-15 | ||
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
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| JPH09166866A (ja) * | 1995-12-18 | 1997-06-24 | Nec Corp | フォトマスクの目合わせマーク及び半導体装置 |
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