JPH01194352A - 受光素子及び集積化受信器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 長波長帯の光を受光して光電変換する受光素子及びその
受光素子と増幅素子とが同一基板に形成された集積化受
信器に関し、 長波長帯の入射光に対してよりＷ電流の少ない充電変換
信号を得ることを目的とし、 受光素子は半絶縁性化合物半導体基板の上方に形成され
たＩ　ｎＧａＡＳによる光吸収層と、１ｎＧａＡｓと格
子整合のある材質により、該光吸収層の両側に夫々成長
された第１及び第２のグレーデッド層と、該光吸収層に
対して光入射側に位置する該第２のグレーデッド層上に
形成されたＡｅ　ｌ　ｎＡｓＩ！Ｉｆと、該Ａ［Ｉ　ｎ
Ａｓ１ｉ！上に形成された電極とより構成し、集積化受
信器は半絶縁性化合物半導体基板上に形成されており、
第１のグレーデッド層と同一組成の第３のグレーデッド
層と、該第３のグレーデッド層上に形成されたＩ　ｎＧ
ａＡｓ１ｉＷと、該ＩｎＧａＡｓ１上に形成されたＡｌ
１ＩｎＡｓ層と、該ＡｌｎＡｓ１ｌ上に形成された電極
とよりなるトランジスタが、該半絶縁性化合物半導体基
板上に前記受光素子と共に、かつ、互いに分離して形成
するよう構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は受光素子及び集積化受信器に係り、特に長波長
帯の光を受光して光電変換する受光素子及びその受光素
子と増幅素子とが同一基板に形成された集積化受信器に
関する。

〔従来の技術〕

受光素子として従来より第７図に示す如き断面構造のｐ
ｉｎフォトダイオード（ＰＤ）が知られている。このも
のは、電極１上にｎ＋層２，１層３゜Ｐ”　ｆｆ１４及
び電極５が順次に形成された構造であり、ｉｌｉ！３が
光吸収層を構成している。

Ｐ＋層４に入射された光はｉＷ３により吸収され、ここ
でキャリア（正孔と電子）を発生し、電極１．５間に光
電流を流す。従って、１層３のルさｄ＋が小なる程キャ
リア走行時間が短くなるので、高速動作が可能となる。

ところが、１ｆｆ１３による光の吸収は厚さｄｌが大な
る程よく、効率の点からみるとｄｌは大なる程よい。従
って、ｉｌＥ！３の厚さｄ、は効率と速度の兼ね合いか
ら成る値に制限され、しかも、ＣＲ積による速度劣化を
防ぐためにはＰ”　１２４の径を小さくしなければなら
ず、その製迄が困難であることもあり、＾連化は困難で
あった。

そこで、従来より高速動作可能な受光素子として、第８
図に示す如き構造のＭＳＭ　（ｍｅｔａｌ　ｓｅｍ−ｉ
ＣＯｎｄｕＣｔＯｒ　ｍｅｔａｌ）フォトダイオード（
ＰＤ）が知られている。このものは、半絶縁性と化ガリ
ウム（Ｓ、Ｉ−ＧａＡｓ）基板６上に光吸収層としてノ
ンドーブヒ化ガリウム（ｉ−ＧａＡｓ）１７を形成し、
更にその上にアルミニウム（Ａｎによる電極８及び９を
形成した構造である。

このＭＳＭフォトダイオードは、入射光により発生され
るキャリアはｒ　−ｃａＡｓ層７の電極８と９との間で
走行するので、信号伝送速度は１−ＧａＡＳＩ７の厚さ
ｄｌに依存せず、電極８及び９の間隔に依存する。この
ため、厚さｄｌを厚くすることができる。

また、ＭＳＭフォトダイオードはブレーナ型のため、電
極８．９の面積やｐｎ接合の面積を小さくできるので、
受光面も広くできると共に容量も小さくできる。以上の
ことから、ＭＳＭフォトダイオードは萌記ｐｉｎフォト
ダイオードに比し、はるかに高速で動作することができ
る。

しかし、このＭＳＭフォトダイオードは、０．８μ鋤程
度の短波長帯の光に対しては有効であるが、光ファイバ
の減衰が最も少ないといわれる１、６μ−程度までの長
波長帯の光を受光することはできなかった。

そこで、本出願人は先に特願昭６２−２４３６２０号に
て第９図に示す如き構造の長波長用受光素子を提案した
。すなわら、半絶縁性１ｎＰ（５，１，−ＩｎＰ）Ｗ板
１１上に１−ｉｎ　　　　ＧａＯ，４７０，５３ ＡＳＭ１１２，１−１ｎｖＧａ＋　−ｖＡｓｌｆＭ１３
（ただし、０≦Ｙ≦０．４７　）及びｉ　−ＧａＡｓＦ
ｒ４１４を順次積層し、更に１−ＧａＡｓ層１４上にア
ルミニウム（Ａ４　）電極１５及び１６を形成した受光
素子で、光吸収層にＩｎＧａＡｓを使用することで長波
長帯の光を光電変換する構成としたものである。

この本出願人の受光素子によれば、そのエネルギーバン
ド図は第１０図に示す如くになり、ノンドープのＧａＡ
ｓ層１４によりショットキー障壁の高さφＢとしてＩ　
ｎＧａＡｓのそれの約０．２ｅｖに比しかなり人なる０
、８ｅＶを得ることができるので、暗電流が小さくでき
るという特長がある。

また、本出願人は先に特願昭６２−２４３６１９号にて
例えば第１１図に示す如き構造の長波長用集積化受信器
を提案した。同図中、第９図と同一構成部分には同一符
号を付し、その説明を省略する。

第１１図に示す集積化受信器は、第９図に示した構造の
ＭＳＭ−ＰＤＩ　７と同一の３．１−１ｎＰ基板１１上
方の１−ＧａＡＳｌｉｉ１４上に、更にｎ−ＧａＡＳ層
１８層形８し、その上に電極１９゜２０及び２１を形成
することにより、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２２
を構成したものである。

このＦＥＴ２２はＭＳＭ−ＰＤｌ７により長波長光を光
電変換して得られた電気信号を増幅して出力するための
ものである。

この集積化受信器によれば、ＦＥＴ２２の大部分の層構
造がＭＳＭ−ＰＤｌ７のぞれと同じなので、製造が容易
であり、またＦＥＴ２２にＧａＡｓを用いているので高
速である等の特長がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかるに、上記の第９図、第１１図に夫々示した本出願
人の提案になる受光素子及び集積化受信器によれば、光
吸収層として用いられているＩｎＧａＡｓ層１２．１３
上にｒ−ＧａＡｓｍ１４を設けているが、両者は格子不
整合であるため、ＭＳＭ−ＰＤｌ　７における＠電流の
低減効果が不十分であるという問題点があった。また、
上記の本出願人の提案では、ｉ　−ＧａＡｓ層１４の代
りにｉ　−ＡＪ！ｘ　Ｇａ＋　−ｘ　Ａｓ層を設けたも
のも開示しているが、これも同様にＩｎＧａＡｓ層と格
子不整合の関係にあった。

本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、長波長帯の
入射光に対してより暗電流の少ない光電変換信号を得る
ことができる受光素子及び集積化受信器を提供すること
を目的とする。

（問題点を解決するための手段） 第１Ａ図は本発明になる受光素子の原理構造図を示す。

同図中、２５は半絶縁性化合物半導体基板、２６は第１
のグレーデッド層、２７は光吸収層、２８は第２のグレ
ーデッド層、２９はＡｌ１ｎＡｓ層、３０は電極である
。

光吸収層２７はＩｎＧａＡｓよりなり、その両側に第１
のグレーデッド層２６と第２のグレーデッド層２８とが
形成されている。電極３０はＡＩ！、ＩｎＡｓ１ｍ２９
上に形成されている。

また、第１Ｂ図は本発明になる集積化量４ｎ器の原理構
造図を示す。同図中、第１Ａ図と同一構成部分には同一
符号を付し、その説明を省略する。

第１Ｂ図において、３１は第３のグレーデッド層、３２
はＩｎＧａＡｓ層、３３はＡ［Ｉ　ｎＡｓ層、３Ｃ３５
及び３６は夫々電極であり、これらはトランジスタを構
成し、前記受光素子と同一の半絶縁性化合物半導体基板
２５上に、受光素子と分離して形成されている。

なお、少なくとも第２のグレーデッド層２８はＡｌＧａ
　Ｉ　ｎＡｓ中のＡｔの組成の割合が光吸収層２７方向
に近付くにつれて漸次小となり、かつ、Ｇａの組成の割
合が漸次大となるようにされた、多段階の組成変化構造
である。

（作用） 受光素子の光吸収層２７は長波長帯材料であるるＩ　ｎ
ＧａＡｓが用いられる。しかし、この１ｎＧａＡｓはシ
ョットキー障壁の高さφＢが約０．２ｅｖと低く暗電流
が問題となるので、ショットキー障壁の高さφＢを高く
し、かつ、Ｉ　ｎＧａＡｓと格子整合性を確保するため
にφＢが約０．６ｅ　Ｖ〜０．８ｅｖ程度のＡｔ１　ｎ
Ａｓによる層を光吸収層（ＩｎＧａＡｓ）２７上に形成
する。

ただし、ＩｎＧａＡｓ光吸収層上に直接ＡｆｌＩｎＡｓ
層を設けた場合は、第１２図のエネルギーバンド図に示
すように、２つの層の電子親和りの差から伝導帯の底の
ポテンシャルＥＣと価電子帯の頂上のポテンシャルＥｖ
に夫々ポテンシャルの不連続へＥＣ，へＥＶが夫々生ず
るので、■フォトキャリア（光励起キャリア）のパイル
・アップ効果のため、速度劣化を生じ、かつ、■２次元
キャリアがＡｌ１ＩｎＡｓ層と１ｎＧａＡｓ光吸収層と
の界面で生じる。

すなわち、第１２図に示すように、フォトキャリアは小
エネルギーのものがΔＥＣ，ΔＥＶにより走行が遮ぎら
れるので、速度劣化を生じ、また界面にキャリアの一部
が蓄憤される。

上記の■の現象は受光素子では入射光が無くてもキャリ
アの走行をもたらし、暗電流の増加という問題を生じさ
せてしまう。

そこで、本発明になる受光素子は前記本出願人の問題点
を解決すると共に、上記■及び■の問題も除去するため
に、光吸収１！２７の両側に光吸収１１２７と格子整合
のある材質で第１及び第２のグレーデッド！２６及び２
８を設けたものである。

第２のグレーデッド層２８によりＥＣ，ＥＶが光吸収層
２７よりＡｌ１１　ｎＡｓｇ！２９にかけて漸次変化す
るので、光吸収層２７とＡ乏１ｎＡｓ層２９との界面の
八ＥＣ，ΔＥＶは実効的に無視される。また、第１及び
第２のグレーデッド層２６及び２８により、２次元キャ
リアが光吸収層２６の基板２５側との界面に形成される
現象を実質上無くすことができる。

また、本発明の集積化受信器は本発明になる受光素子と
同様の構造のトランジスタを、受光素子と組み合わせて
集積化したものであり、受光素子とトランジスタとの秦
子表面間の段差は極めて小にできる。

（実施例） 第２図は本発明になる受光素子の一実施例の構造断面図
を示す。同図中、４０は半絶縁細化合物半導体基板２５
の一例としてのＳ、ｌ−１ｎＰ基板、４１はＡｌ１ｎＡ
ＳＩ！、４２は八ｅＧａ　［ｎＡＳの組成変化によるグ
レーデッド層、４３は光吸収層２７に相当するＩｎＧａ
ＡｓＷＪ、４４は第２のグレーデッド層２８に相当する
グレーデッド層で、グレーデッド１ｉ４２と同一構造と
されている。更に、４５はＡｌ１ＩｎＡ５ｌ！６２９に
相当するＡｌ１ｎＡｓｌｉ、４６及び４７は夫々電極で
ある。

Ａｌ１Ｉ　ｎＡｓ層４１とグレーデッド層４２により前
記第１のグレーデッド１！２６が構成されている。

Ｓ、ｌ−１ｎＰＩ板４０上に分子線エピタキシャル成長
（Ｍ　３　Ｅ　：　ａ＋ｏｌｅｃｕｌａｒ　ｂｅａａｉ
　Ｈｉｔａｘｉａｌｇｒｏｗｔｈ）法により、バッファ
の役目のＡｌｎＡＳ層４１を約４１１μｍの護りに成長
させた侵、その上にＡｌＧａ　Ｉ　ｎＡｓの組成比が深
さ方向に漸次異なる第１のグレーデッド層４２を例えば
２０００人の厚さに形成する。なお、Ａｔ　Ｉ　ｎＡＳ
層４１の代りに、ＩｎＰｌｉＷを用いてもよい。

次にグレーデッド層４２上にＩｎＧａＡｓＪｉ？ｉ４３
を形成する。このｌ　ｎＧａＡｓ層４３の膜厚は効率を
上げるため、例えば１．５μ量と厚くする（吸収係数は
約ｌＸ１０’１：ＩＩ−’）。

次に、ＭＢＥ法によりグレーデッドＦＷ４２と同一構造
のグレーデッドｆｆ４４を２０００人の膜厚で成長させ
た後、Ａｅ　Ｉ　ｎＡｓＦｇｆ４５を７００人のｇｌ厚
で形成する。以上の各層４１〜４５はすべてアンドープ
等によって低キャリアｌａ度（〜１０　Ｉ５ａｍ−３以
下）とされている。

最後にＡｌ電極４６及び４７を夫々Ａｔ１ｎＡｓ層４５
上に３０００人の厚さで蒸着する。このＡｌ電極４６及
び４７は第３図の平面図に示す如く、櫛歯状の電極部を
有し、かつ、それらが互い違いになるように配置されて
いる。第３図に示す電極部の良さＬは一例として１００
μｍ、電極の幅之と電極間隔Ｓは夫々２μ■である。光
遮蔽を防ぐためには乏を小（例えば０，５μｍ）、Ｓを
大（例えば２μｓ）とすればよい。なお、第３図中、■
−■線に沿う断面図が第２図である。

次に本発明実施例の要部をなすグレーデッド層４２及び
４４について更に耳組に説明する。グレーデッドＸ１４
４は第２図及び第４図（Ｂ）に示す如＜ＡｅｌｎＡｓｌ
ｉ４５とｌ　ｎＧａ八Ｓへ；！Ｎ３との間に形成されて
いるが、エネルギーギャップＥＱ　（＝Ｅｃ−Ｅｖ）は
第４図（ＡＲＭ示す如くＡ［Ｉ　ｎＡｓ１４５で大きく
、ｌ　ｎＧａＡｓｆｆ４３で小となっている。

そこで、グレーデッド層４４はｌ　ｎＧａＡｓと格子整
合性のあるＡｅＧａ　Ｉ　ｎＡＳを用い、かつ、その中
のＡｅの組成比がＡｅ　Ｉ　ｎＡｓＦｔｉ４５からＩ　
ｎＧａＡｓｍ４３方向へ進むにつれて小となり、かつ、
Ｇａの組成比が順次大となるように段階的に変化せしめ
られ、エネルギーギャップＥｇを第４図（Ａ）に示す如
く段階的に変化させる。この段階の数は、各段階におけ
るΔＥＣ（＞△ＥＶ）が０．１ｅＶ以下となるようにす
るため、７段階以上とされている。なお、グレーデッド
層４２゜４４は実際には夫々Ａ４　Ｉ　ｎＡｓ／Ｇａ　
Ｉ　ｎＡｓ超格子層である。

上記のＡｌ１Ｇａ　Ｉ　ｎＡＳ中のＡ４及びＧａの組成
の割合を変化させるには、ＭＢＥ装置のＡｅ。

Ｇａ、Ｉｎ、Ａｓが別々に入っている各るつぼの前面に
配置された機械的シャッタの開閉の割合を夫々適宜可変
することなどにより可能である。

上記のグレーデッドＦＪ４４により、本実施例の要部の
エネルギーバンド図は第５図に示す如くになる。第５図
かられかるように、グレーデッド層４４におけるエネル
ギーギャップＥａはＡｌ２ＩｎＡｓ層４５からＩｎＧａ
Ａｓ層４３に至るにつれて漸次小となり、実質的にΔＥ
Ｖ、八ＥＣへ無視できるようになる。

従って、ＩｎＧａＡｓ層４３に発生したフオｉ・キャリ
アは速度劣化が殆ど生ぜす、ＡｌＩｎＡＳ層４５との界
面に２次元キアリアが殆ど形成されないようにすること
ができる。しかも、グレーデッド層４４及び４２はｌ　
ｎＧａＡｓとの格子整合がとれていることとも相まって
、本実施例によれば、暗電流が極めて少ないフオトダイ
オードを（７ることができる。

一例として、本出願人の試作実験結束によれば、Ａ４ｍ
極線幅１μｍ、間隔１．５μｍ　、受光′？ｒＪｂＡｌ
０μＩ角のフォトダイオードにおいて、印加電圧５■で
暗電流は数ｎＡが得られ、また容Ｍは６５ｆＦが得られ
、更に波長１．３μｍの入射光に対して数十ＧＨｚの高
周波数まで平坦な充電流特性が得られた。

次に本発明になる集積化受信器の一実施例について第６
図と共に説明する。同図中、第２図と同一構成部分には
同一符号を付し、その説明は省略する。

第６図中、４８及び５０は夫々Ａ［ＩｎＡｓ層、４９は
グレーデッド層、５１は前記第１Ｂ図のＡｅｌｎＡｓ層
３３に相当するＡｅ　Ｉ　ｎＡｓ層、５２及び５４は夫
々前記電極３４及び３６に相当するオーミック電極、５
３は前記電極３５に相当するショットキー電極である。

Ａｌ１　ｎＡｓ層４８とグレーデッドＷＪ４９が前記第
３のグレーデッド層３１に相当する。また、オーミック
電極５２及び５４は例えばＡＵＧｅＮｉからなり、ショ
ットキー電極５３は例えばＡｅからなる。

上記の集積化受信器は、まず、Ｓ、ｌ−１ｎＰ基板４０
上全面に亘って第２図に示した構成のフォトダイオード
（受光素子）を前記した方法で形成した後（ただし、こ
のとぎはまだ電極４６及び４７は形成されていない）、
トランジスタを形成すべき領域のフォトダイオード部分
を基板４０を残してエツチング除去する。

次にフォトダイオードとなるべき残った部分にＳ！３Ｎ
４１１１などを保護膜として被覆形成した後、　　　・
基板４０上にＭＢＥによりフォトダイオードと同様構造
となるようＡｅＩｎＡｓ層４８、グレーデッド層４９、
ｌ　ｎＧａＡｓ層５０を順次エピタキシャル成長する。

次に、ＭＢＥでＩｎＧａＡｓ１ｉ５０上にＡｌＩｎＡＳ
層５１を１００人の膜厚でエピタキシャル成長する。Ａ
乏ＩｎＡＳ層５１はシリコン（Ｓ　ｉ　）などのｎ形ド
ーパントが１　ｘ　１０１８ａｎ’　ｆｆ１度の濃度に
ドーピングされる。

最後に、前記フォトダイオード上の保護膜を除去した後
、電極４６．４７．５３を蓄積形成し、また電極５２．
５４を周知の合金化法で形成する。

上記の各層４８〜５１と電極５２〜５４はＡｌ１ｎＡｓ
層５１とＩ　ｎＧａＡｓ１５０とのへテロ接合界面に形
成される２次元電子ガス（２ＤＥＧ）層をチャネル層に
使用する高電子移動度トランジスタ（１−Ｉ　Ｅ　Ｍ　
Ｔ　）であり、電極５２，５３．５４は夫々ドレイン、
ゲート、ソースの各電極として使用される。

このように、Ｓ、ｌ−１ｎＰ基板４０上に集積化された
ＭＳＭ−ＰＤとｌ−（ＥＭＴよりなる集積化受信器は、
ＭＳＭ−ＰＤに入射された長波長帯の光を光電変換した
後、ＨＥＭＴにより増幅して出力するよう動作し、信号
伝送速度数Ｇｂ／ｓ以上で超高速動作する。

本実施例の１！１化受信器は、素子はブレーナ型で、か
つ、画素子表面間の段差は極めて小さい（約３０００人
）ので、配線パターニングされるレジストの膜厚を薄く
することができ、よってこのレジス１−をマスクどして
形成される電極４６．４７゜５２〜５４の幅を夫々細く
でき、また製作が容易である。

なお、本発明は上記の実施例に限定されるものではなく
、その他種々の変形例を包含するものである。例えば、
第１のグレーデッド層２６としてはＩ　ｎＧａＡＳＰの
組成を変化させたグレーデッド構造としてもよく、また
集積化受信器中のトランジスタはＨＥＭＴ以外の構造の
ＦＥＴでもよい。

また、受光素子や集積化受信器の製造に際しては有機金
１ＫｃＶＤ　（ＭＯＣＶＤ　：　ｍｅｔａｌ　ｏｒｇａ
ｎｉｃｃｈｅｌｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ　）法を適用することもできる。

〔発明の効果〕

上述の如く、本発明によれば、長波長帯材料を用、いた
光吸収層の両側に光吸収層と格子整合性のある材質で第
１及び第２のグレーデッド層を形成するようにしたので
、暗電流が極めて小さい（１μＡ以下）良好な特性を得
ることができ、またΔＥＶ、ΔＥｃの影響が実質上無視
できるので光励起キャリアのトラップが防止されて超高
速応答（１０ＧＨｚ以上）特性を得ることができ、更に
低容量で、受光領域を大にすることが可能であり、また
更に集積化受信器は受光素子部と増幅素子部との表面の
段差が極めて小さく製作が容易で、電極幅も小にするこ
とができる等の特長を有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図は本発明受光素子の原理構造図、第１Ｂ図は本
発明集積化受信器の原理＃Ｉ構造図第２図は本発明受光
素子の一実施例の構造断面図、 第３図は第２図中の電極の一例の平面図、第４図は第２
図の要部の構成説明図、 第５図は本発明の一実施例のエネルギーバンド図、 第６図は本発明の集積化受信器の一実施例の構造断面図
、 第７図はｐ１ｎフォトダイオードの一例の断面構造図、 第８図はＭＳＭフォｌ〜ダイオードの一例の構造断面図
、 第９図は本出願人が先に提案した受光系子の一例の構造
断面図、 第１０図は第９図のエネルギーバンド図、第１１図は本
出願人が先に提案した集積化受信器の一例の構造断面図
、 第１２図はｌ　ｎＧａＡｓ層上にＡｆｌｌｎＡｓ層を設
けた場合の受光素子のエネルギーバンド図である。 図において、 ２５は半絶縁性化合物半導体基板、 ２６は第１のグレーデッド層、 ２７はＩ　ｎＧａＡｓ光吸収層、 ２８は第２のグレーデッド層 ２９．３３はＡ［Ｉ　ｎＡｓＬ？ｆ ３０．３４〜３Ｇは電極、 ３１は第３のグレーデッド層、 ３２は１ｎＧａΔｓ１５． ４０は半絶縁性ｒｎｐＭ板、 ４２．４４．４９はＡＪ！Ｇａ１ｎＡｓによるグレーデ
ッド層 を示す。 本発明受光素子の原理構造図 第１Ａ図 本発明集積化受信器の原理構造図 第１８図 本発明受光素子の一実施例の構造断面図第２図 第２図の要部の構成説明図 本発明の一実施例のエネルプーバンド図第５図 本発明の集積化受信器の一実施例の構造断面図第６図 第７図　　　　第８図 ΔＩ 本出願人が先に提案した受光素子の 一例の構造断面図 第９図 第９図のエネルイーバンド図 第１０図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）半絶縁性化合物半導体基板（２５）の上方に形成
   されたＩｎＧａＡｓによる光吸収層（２７）と、 ＩｎＧａＡｓと格子整合のある材質により、該光吸収層
   （２７）の両側に夫々成長された第１及び第２のグレー
   デッド層（２６、２８）と、該光吸収層（２７）に対し
   て光入射側に位置する該第２のグレーデッド層（２８）
   上に形成されたＡｌＩｎＡｓ層（２９）と、 該ＡｌＩｎＡｓ層（２９）上に形成された電極（３０）
   とよりなることを特徴とする受光素子。
2. （２）少なくとも該第２のグレーデッド層（２８）は、
   ＡｌＧａＩｎＡｓ中のＡｌ及びＧａのうちＡｌの組成の
   割合が該光吸収層（２７）方向に近付くにつれて漸次小
   となり、かつ、Ｇａの組成の割合が漸次大となる、多段
   階の組成変化構造であることを特徴とする請求項１記載
   の受光素子。
3. （３）半絶縁性化合物半導体基板（２５）上に形成され
   ており、前記第１のグレーデッド層（２６）と同一組成
   の第３のグレーデッド層（３１）と、該第３のグレーデ
   ッド層（３１）上に形成されたＩｎＧａＡｓ層（３２）
   と、 該ＩｎＧａＡｓ層（３２）上に形成された ＡｅＩｎＡｓ層（３３）と、 該ＡｌＩｎＡｓ層（３３）上に形成された電極（３４、
   ３５、３６）とよりなるトランジスタが、該半絶縁性化
   合物半導体基板（２５）上に請求項１記載の受光素子と
   共に、かつ、互いに分離して形成されてなることを特徴
   とする集積化受信器。