JPH01195221A - 鉱石の予備還元方法 - Google Patents
鉱石の予備還元方法Info
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- JPH01195221A JPH01195221A JP1987588A JP1987588A JPH01195221A JP H01195221 A JPH01195221 A JP H01195221A JP 1987588 A JP1987588 A JP 1987588A JP 1987588 A JP1987588 A JP 1987588A JP H01195221 A JPH01195221 A JP H01195221A
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- ore
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- furnace
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- reducing
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
- G02F1/133788—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation by light irradiation, e.g. linearly polarised light photo-polymerisation
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- Manufacture Of Iron (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は溶融還元において、排ガスを利用して還元炉に
供給する微粒鉱石の予備還元をおこなう鉱石の予備還元
方法に関する。
供給する微粒鉱石の予備還元をおこなう鉱石の予備還元
方法に関する。
溶融還元炉においては、炉内に鉱石９石炭１石灰等の原
料を装入し、酸素ガスを吹込みながら石炭を燃焼させ、
さらに炉内を撹拌させつつ還元反応をさせて溶銑を得る
ものである。
料を装入し、酸素ガスを吹込みながら石炭を燃焼させ、
さらに炉内を撹拌させつつ還元反応をさせて溶銑を得る
ものである。
この場合炉内では溶融還元によって高温のガスが発生し
て、この発生ガスは炉上部に設けた排ガスダクトにより
炉外に排出される。しかしこの発生ガスは大量のＣｏ、
Ｈ，を含んでおり、還元性が高いので、従来からこの発
生ガスの利用については種々提案されている。
て、この発生ガスは炉上部に設けた排ガスダクトにより
炉外に排出される。しかしこの発生ガスは大量のＣｏ、
Ｈ，を含んでおり、還元性が高いので、従来からこの発
生ガスの利用については種々提案されている。
例えば特開昭６１−２３８９０７号公報に開示されたよ
うに、炉上部に設けた排気ダクト中に予め細粒状化した
原料を導入してダクト中において流動層を形成しながら
滞留させ、加熱還元を進行させたのち炉内に落下投入す
る精練炉への金属酸化物添加方法などがある。
うに、炉上部に設けた排気ダクト中に予め細粒状化した
原料を導入してダクト中において流動層を形成しながら
滞留させ、加熱還元を進行させたのち炉内に落下投入す
る精練炉への金属酸化物添加方法などがある。
ところでこの添加方法においては次の如き問題点がある
。
。
（イ）排ガスダクト中にて原料を排ガスによって滞留さ
せるために、炉内への落下投入に際しては、排ガスの発
生を抑止する必要があるので、炉内への酸素の供給すな
わち操業を中断しなければならない。
せるために、炉内への落下投入に際しては、排ガスの発
生を抑止する必要があるので、炉内への酸素の供給すな
わち操業を中断しなければならない。
（０）流動層を形成させる必要があるので、原料粒度の
選別と排ガス流量制御が困難であり、この制御を誤ると
原料が排ガスによって吸引されて歩留りが悪くなり、ま
た未還元の原料が炉内に落下する。
選別と排ガス流量制御が困難であり、この制御を誤ると
原料が排ガスによって吸引されて歩留りが悪くなり、ま
た未還元の原料が炉内に落下する。
本発明は上記問題点を解消し、高温排ガスを有効に利用
して予備還元をおこなう鉱石の予備還元方法を提供する
。
して予備還元をおこなう鉱石の予備還元方法を提供する
。
本発明は、溶融還元時に発生する排ガスを誘導するダク
ト内に、前記排ガスの流動によって浮遊する粒径の鉱石
を装入し、ダクト内にて鉱石を前記排ガスにより浮遊搬
送させながら加熱還元をおこない、しかるのち鉱石を回
収して溶融還元炉に装入することを特徴とする鉱石の予
備還元方法である。
ト内に、前記排ガスの流動によって浮遊する粒径の鉱石
を装入し、ダクト内にて鉱石を前記排ガスにより浮遊搬
送させながら加熱還元をおこない、しかるのち鉱石を回
収して溶融還元炉に装入することを特徴とする鉱石の予
備還元方法である。
以下本発明をその作用とともに詳述する。
第１図は本発明を実施する予備還元装置の一例を示す略
側面図である。ｌは溶融還元炉、２は送酸用のランスで
あり、還元炉内で発生したＣ０１Ｈ２を含む高温の還元
性排ガスは、図示した矢印ａに示すごとく排気ダクト３
および捕集器５を経て清浄化され、吸引用ブロワ−１０
により糸外へ排出される。
側面図である。ｌは溶融還元炉、２は送酸用のランスで
あり、還元炉内で発生したＣ０１Ｈ２を含む高温の還元
性排ガスは、図示した矢印ａに示すごとく排気ダクト３
および捕集器５を経て清浄化され、吸引用ブロワ−１０
により糸外へ排出される。
排気ダクト３の上流部には、排ガスの流動によって浮遊
、搬送されるように細流化された鉱石を供給バンカー６
から排気ダクト３内に導入する供給孔４が設けられてい
る。供給孔４から装入された鉱石７は、ダクト内を高温
の還元性排ガスに搬送されながら加熱・還元される。還
元された鉱石は捕集器５によって回収される。このよう
にして還元され回収された鉱石７は、搬送装置８によっ
て溶融還元炉１に送られ、底吹きまたは炉上から炉内に
装入される。
、搬送されるように細流化された鉱石を供給バンカー６
から排気ダクト３内に導入する供給孔４が設けられてい
る。供給孔４から装入された鉱石７は、ダクト内を高温
の還元性排ガスに搬送されながら加熱・還元される。還
元された鉱石は捕集器５によって回収される。このよう
にして還元され回収された鉱石７は、搬送装置８によっ
て溶融還元炉１に送られ、底吹きまたは炉上から炉内に
装入される。
ここで、排気ダクト３の下流部に設置される捕集器５は
、回収された鉱石を溶融還元炉１へ高温で供給するため
と、水分の乾燥設備を必要としないために、乾式捕集法
であることが望ましく、乾式捕集法としてはバグフィル
タ−法、サイクロン法などがあるが、いずれの方法でも
よい。
、回収された鉱石を溶融還元炉１へ高温で供給するため
と、水分の乾燥設備を必要としないために、乾式捕集法
であることが望ましく、乾式捕集法としてはバグフィル
タ−法、サイクロン法などがあるが、いずれの方法でも
よい。
また供給する細粒鉱石の粒径ｄは次式により求めること
ができる。
ができる。
ｄ＜Ａ−ｕ ・・・ （１）
ただしＵ：ダクト内の排ガス流速、Ａは係数であって流
体中の粉粒体の運動方程式から導かれ、次式によって示
される。
体中の粉粒体の運動方程式から導かれ、次式によって示
される。
ただしμ、は排ガス粘度、ρ９は排ガス密度、ρ５は鉱
石密度、ｇｃは重力換算係数（一定値）である。
石密度、ｇｃは重力換算係数（一定値）である。
この（１）式においてｄ＝Ａ−ｕとなれば、これは排気
ダクト内での静止流動化すなわち、流動層の形成される
状態を表わしており、排気ダクト内で流動層を形成する
ためには、鉱石の粒径と排ガス流速との間に等式の関係
が成り立たなければならないという非常に狭い範囲に制
御する必要があり、この制御が困難であることは明らか
である。
ダクト内での静止流動化すなわち、流動層の形成される
状態を表わしており、排気ダクト内で流動層を形成する
ためには、鉱石の粒径と排ガス流速との間に等式の関係
が成り立たなければならないという非常に狭い範囲に制
御する必要があり、この制御が困難であることは明らか
である。
しかしなか、本発明においては、（１）式の右辺の値よ
りも小さい粒径の鉱石を使用すれば、多少の排ガス変動
が生じたとしても安定して鉱石を浮遊搬送でき、排気ダ
クト内に鉱石が堆積することもなく、安定して予備還元
を行うことが可能である。
りも小さい粒径の鉱石を使用すれば、多少の排ガス変動
が生じたとしても安定して鉱石を浮遊搬送でき、排気ダ
クト内に鉱石が堆積することもなく、安定して予備還元
を行うことが可能である。
前記第１図に示す予備還元装置において、排気ダクト３
下流部にサイクロン型捕集器５を使用し、鉱石の予備還
元を行った。供給した鉱石は粒度０．１〜０．３閣のも
のであり、供給速度としては１５あれば、排ガス中に浮
遊、搬送されることになる。
下流部にサイクロン型捕集器５を使用し、鉱石の予備還
元を行った。供給した鉱石は粒度０．１〜０．３閣のも
のであり、供給速度としては１５あれば、排ガス中に浮
遊、搬送されることになる。
０．１〜０．３ 、ｍｍの粒度で行った本実施例におい
ては、鉱石が排ガスによって良好に搬送されており、排
気ダクト３内に鉱石が堆積するような現象は見られなか
った。
ては、鉱石が排ガスによって良好に搬送されており、排
気ダクト３内に鉱石が堆積するような現象は見られなか
った。
捕集器５の出口部に温度計９ｊ３よび、ガスサンプリン
グ装置１９を設置し、予備還元による排ガス温度、成分
の変化を調査した結果を次表に示す。
グ装置１９を設置し、予備還元による排ガス温度、成分
の変化を調査した結果を次表に示す。
Ｃａ５ｅ １は、排気ダクト３内に予備還元用の鉱石を
投入していないいわゆる通常の溶融還元操業時のデータ
である。Ｃａ５ｅ ２は、操業はＣａ５ｅ １と全く同
様の状態で、排気ダクト３内の鉱石供給孔４より前記サ
イズの鉱石を供給し、安定的に予備還元が行われている
状況下での排ガス温度、成分データである。計測したガ
ス温度によると、通常操業時の８２４°Ｃから、６５１
°Ｃと約１７０℃の温度低下が見られ、排ガス成分もＣ
ｏ、Ｈ２の低下が見られるなど良好に予備還元が進行し
ていることが確認された。
投入していないいわゆる通常の溶融還元操業時のデータ
である。Ｃａ５ｅ ２は、操業はＣａ５ｅ １と全く同
様の状態で、排気ダクト３内の鉱石供給孔４より前記サ
イズの鉱石を供給し、安定的に予備還元が行われている
状況下での排ガス温度、成分データである。計測したガ
ス温度によると、通常操業時の８２４°Ｃから、６５１
°Ｃと約１７０℃の温度低下が見られ、排ガス成分もＣ
ｏ、Ｈ２の低下が見られるなど良好に予備還元が進行し
ていることが確認された。
捕集器５に回収された鉱石の成分を調査すると、還元率
は平均１１％であった。
は平均１１％であった。
以上説明したごとく本発明においては、排ガスの流動を
中断することなく、必要に応じて鉱石の予ＷＩ還元をお
こない、これを還元炉に供給できるので、生産性を損な
うことはなく排ガスを利用できるものであり、また排ガ
スの顕熱を有効に利用出来るので、炭材、酸素の原単位
を減少できるとともに排ガス処理設備などの熱負荷を軽
減することも可能となる。
中断することなく、必要に応じて鉱石の予ＷＩ還元をお
こない、これを還元炉に供給できるので、生産性を損な
うことはなく排ガスを利用できるものであり、また排ガ
スの顕熱を有効に利用出来るので、炭材、酸素の原単位
を減少できるとともに排ガス処理設備などの熱負荷を軽
減することも可能となる。
第１図は本発明を実施する予備還元装置の一例を示す略
側面図である。 ■・・・溶融還元炉、２・・・ランス、３・・・排気ダ
クト、４・・・鉱石の供給孔、５・・・捕集器、６・・
・鉱石の供給バンカー、７・・・鉱石、８・・・搬送装
置、１０・・・吸引用ブロワ−０ 代理人 弁理士 秋 沢 政 光 他１名
側面図である。 ■・・・溶融還元炉、２・・・ランス、３・・・排気ダ
クト、４・・・鉱石の供給孔、５・・・捕集器、６・・
・鉱石の供給バンカー、７・・・鉱石、８・・・搬送装
置、１０・・・吸引用ブロワ−０ 代理人 弁理士 秋 沢 政 光 他１名
Claims (1)
- 溶融還元時に発生する排ガスを誘導するダクト内に、
前記排ガスの流動によって浮遊する粒径の鉱石を装入し
、ダクト内にて鉱石を前記排ガスにより浮遊搬送させな
がら加熱還元をおこない、しかるのち鉱石を回収して溶
融還元炉に装入することを特徴とする鉱石の予備還元方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987588A JPH01195221A (ja) | 1988-01-30 | 1988-01-30 | 鉱石の予備還元方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987588A JPH01195221A (ja) | 1988-01-30 | 1988-01-30 | 鉱石の予備還元方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01195221A true JPH01195221A (ja) | 1989-08-07 |
Family
ID=12011382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987588A Pending JPH01195221A (ja) | 1988-01-30 | 1988-01-30 | 鉱石の予備還元方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01195221A (ja) |
-
1988
- 1988-01-30 JP JP1987588A patent/JPH01195221A/ja active Pending
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