JPH01198280A - 3点インバータ - Google Patents
3点インバータInfo
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- JPH01198280A JPH01198280A JP63318369A JP31836988A JPH01198280A JP H01198280 A JPH01198280 A JP H01198280A JP 63318369 A JP63318369 A JP 63318369A JP 31836988 A JP31836988 A JP 31836988A JP H01198280 A JPH01198280 A JP H01198280A
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of AC power input into DC power output; Conversion of DC power input into AC power output
- H02M7/42—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/483—Converters with outputs that each can have more than two voltages levels
- H02M7/487—Neutral point clamped inverters
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- H02M1/32—Means for protecting converters other than automatic disconnection
- H02M1/34—Snubber circuits
-
- H—ELECTRICITY
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- H02M1/348—Passive dissipative snubbers
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
- Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
C産業上の利用分野〕
この発明は、3点インバータに関する。
″3点インバータ”の電力部分はたとえば“米国電気電
子学会論文集産業応用W(IEEE Transact
tons On Industry Applicat
ions)” 、第1A−17巻、第5号、1981年
9/10月、第518〜521頁の「新しい中性点クラ
ンプPWNインバータ(^new neutral−p
aint−cla+wped PWN 1nverte
r)」、特にそこの第1図に示されている回路から公知
である。
子学会論文集産業応用W(IEEE Transact
tons On Industry Applicat
ions)” 、第1A−17巻、第5号、1981年
9/10月、第518〜521頁の「新しい中性点クラ
ンプPWNインバータ(^new neutral−p
aint−cla+wped PWN 1nverte
r)」、特にそこの第1図に示されている回路から公知
である。
さらにドイツ連邦共和国特許出願公開第3244623
号明細書、特にそこの第5図または第6図の配線により
、ブリッジインバータの1つの相のなかの電力部分を形
成する両逆並列回路として各1つの半導体スイッチング
要素のそれに付属のフリーホイーリングダイオードから
成る逆並列回路は公知である。これらは好ましくは、ス
イッチオフ過程の間に回復する正の順方向電圧の上昇速
度が制限され、またこうしてそれぞれ半導体スイッチン
グ要素の許容し得ない高い損失エネルギーの生起が回避
されることによって、半導体スイッチング要素のスイッ
チオフ負担軽減の役割をする。この公知の配線の1つの
実施例では、ブリッジインバータの1つの相のなかの両
逆並列回路の1つに、第1のスイッチオフ負担軽減ダイ
オードおよび1つのスイッチオフ負担軽減コンデンサか
ら成る1つの直列回路が並列に接続されている。これら
の両開線要素の接続点は第2のスイッチオフ負担軽減ダ
イオードを介して第2の直列回路の要素の間の接続点と
電気的に接続されている。この第2の直列回路は1つの
直流負荷および1つの蓄積コンデンサから成っており、
また給電する直流電圧源に並列に接続されている。
号明細書、特にそこの第5図または第6図の配線により
、ブリッジインバータの1つの相のなかの電力部分を形
成する両逆並列回路として各1つの半導体スイッチング
要素のそれに付属のフリーホイーリングダイオードから
成る逆並列回路は公知である。これらは好ましくは、ス
イッチオフ過程の間に回復する正の順方向電圧の上昇速
度が制限され、またこうしてそれぞれ半導体スイッチン
グ要素の許容し得ない高い損失エネルギーの生起が回避
されることによって、半導体スイッチング要素のスイッ
チオフ負担軽減の役割をする。この公知の配線の1つの
実施例では、ブリッジインバータの1つの相のなかの両
逆並列回路の1つに、第1のスイッチオフ負担軽減ダイ
オードおよび1つのスイッチオフ負担軽減コンデンサか
ら成る1つの直列回路が並列に接続されている。これら
の両開線要素の接続点は第2のスイッチオフ負担軽減ダ
イオードを介して第2の直列回路の要素の間の接続点と
電気的に接続されている。この第2の直列回路は1つの
直流負荷および1つの蓄積コンデンサから成っており、
また給電する直流電圧源に並列に接続されている。
半導体スイッチング要素の1つのスイッチオンの際の負
荷電流の上昇速度を制限する役割を1つの追加的なスイ
ッチオン負担軽減リアクトルがすることは好ましい。こ
の追加的なスイッチオン負担軽減リアクトルは、前記の
配線を設けられている同じ逆並列回路の、直流電圧源の
それぞれの電位との接続のために設けられている接続点
の前に接続されている。具体的な回路構成に関係して、
このスイッチオン負担軽減リアクトルは供給線の不可避
の寄生的な漏れインダクタンスによっても形成され得る
。このスイッチオン負担軽減リアクトルは同時に、イン
バータの半導体スイッチング要素の1つのスイッチオン
の際に特にスイッチオフ負担軽減コンデンサを、これが
半導体スイッチング要素の1つの続くスイッチオフの際
に負担軽減され得るような充電状態にもたらすため、い
わゆる“リングアラウンドリアクトル”としての役割も
する。
荷電流の上昇速度を制限する役割を1つの追加的なスイ
ッチオン負担軽減リアクトルがすることは好ましい。こ
の追加的なスイッチオン負担軽減リアクトルは、前記の
配線を設けられている同じ逆並列回路の、直流電圧源の
それぞれの電位との接続のために設けられている接続点
の前に接続されている。具体的な回路構成に関係して、
このスイッチオン負担軽減リアクトルは供給線の不可避
の寄生的な漏れインダクタンスによっても形成され得る
。このスイッチオン負担軽減リアクトルは同時に、イン
バータの半導体スイッチング要素の1つのスイッチオン
の際に特にスイッチオフ負担軽減コンデンサを、これが
半導体スイッチング要素の1つの続くスイッチオフの際
に負担軽減され得るような充電状態にもたらすため、い
わゆる“リングアラウンドリアクトル”としての役割も
する。
1つのこのようなスイッチオフ過程では、スイッチオン
負担軽減リアクトルにより駆動される負荷電流が第1の
スイッチオフ負担軽減ダイオードを介して先ずスイッチ
オフ負担軽減コンデンサへ転向させられる。こうして一
方では電流がスイッチオフすべき半導体スイッチング要
素を通ってほぼ突変的に遮断され、他方では回復する正
の阻止電圧の上昇速度が順方向にスイッチオフ負担軽減
コンデンサの有限の切換充電速度に基づいて制限される
。スイッチオフ負担軽減コンデンサが供給直流電圧の値
に充電した後に、スイッチオン負担軽減リアクトルの電
流はその完全な減衰まで、スイッチオフ負担軽減コンデ
ンサおよび蓄積コンデンサから成るいま有効な並列回路
のひき続いての充電に通ずる。しかしながら、これによ
り両コンデンサはわずかじか過充電されないので、スイ
ッチオフすべき半導体スイッチング要素の過電圧負荷は
わずかにとどまる。配線のこの特性はさらに、蓄積コン
デンサがスイッチオフ負担軽減コンデンサに比較して著
しく大きいキャパシタンスを有することにより助長され
得る。こうして蓄積コンデンサは、スイッチオン負担軽
減の役割をするスイッチオン負担軽減リアクトルおよび
スイッチオフ負担軽減の役割をするスイッチオフ負担軽
減リアクトルのエネルギーを一時的に中間蓄積する課題
を有する。蓄積コンデンサがこれを各スイッチングサイ
クル中に同じ仕方で行い得ることによって、蓄積コ、ン
デンサは直列に接続されている直流負荷を介して周期的
に放電される。直流負荷としては1つのオーム抵抗が使
用され得る。しかし、1つの他の実施例では、それぞれ
のインバータ相の半導体スイッチング要素のスイッチン
グ負担軽減の際に生ずる損失エネルギーを無にするので
はなく1つの逆供給回路により供給直流電圧源に戻すの
が有利である。
負担軽減リアクトルにより駆動される負荷電流が第1の
スイッチオフ負担軽減ダイオードを介して先ずスイッチ
オフ負担軽減コンデンサへ転向させられる。こうして一
方では電流がスイッチオフすべき半導体スイッチング要
素を通ってほぼ突変的に遮断され、他方では回復する正
の阻止電圧の上昇速度が順方向にスイッチオフ負担軽減
コンデンサの有限の切換充電速度に基づいて制限される
。スイッチオフ負担軽減コンデンサが供給直流電圧の値
に充電した後に、スイッチオン負担軽減リアクトルの電
流はその完全な減衰まで、スイッチオフ負担軽減コンデ
ンサおよび蓄積コンデンサから成るいま有効な並列回路
のひき続いての充電に通ずる。しかしながら、これによ
り両コンデンサはわずかじか過充電されないので、スイ
ッチオフすべき半導体スイッチング要素の過電圧負荷は
わずかにとどまる。配線のこの特性はさらに、蓄積コン
デンサがスイッチオフ負担軽減コンデンサに比較して著
しく大きいキャパシタンスを有することにより助長され
得る。こうして蓄積コンデンサは、スイッチオン負担軽
減の役割をするスイッチオン負担軽減リアクトルおよび
スイッチオフ負担軽減の役割をするスイッチオフ負担軽
減リアクトルのエネルギーを一時的に中間蓄積する課題
を有する。蓄積コンデンサがこれを各スイッチングサイ
クル中に同じ仕方で行い得ることによって、蓄積コ、ン
デンサは直列に接続されている直流負荷を介して周期的
に放電される。直流負荷としては1つのオーム抵抗が使
用され得る。しかし、1つの他の実施例では、それぞれ
のインバータ相の半導体スイッチング要素のスイッチン
グ負担軽減の際に生ずる損失エネルギーを無にするので
はなく1つの逆供給回路により供給直流電圧源に戻すの
が有利である。
1つの相の一方の半導体スイッチング要素のスイッチオ
フの際には第1のスイッチオフ負担軽減ダイオードおよ
びスイッチオフ負担軽減コンデンサから成る直列回路が
、しかし相の他方の半導体スイッチング要素のスイッチ
オフの際にはスイッチオフ負担軽減コンデンサ、第2の
スイッチオフ負担軽減ダイオードおよび蓄積コンデンサ
から成る直列回路が、転流すべき負荷電流に対する“負
担軽減経路”を形成するので、この回路は軽度の“非対
称性”を有する。これは他方の半導体スイッチング要素
に対する負担軽減の際のわずかに大きい寄生的な漏れイ
ンダクタンスとして、またそれによってこの半導体スイ
ッチング要素のスイッチオフの間のわずかに大きい電圧
負荷として現れる。
フの際には第1のスイッチオフ負担軽減ダイオードおよ
びスイッチオフ負担軽減コンデンサから成る直列回路が
、しかし相の他方の半導体スイッチング要素のスイッチ
オフの際にはスイッチオフ負担軽減コンデンサ、第2の
スイッチオフ負担軽減ダイオードおよび蓄積コンデンサ
から成る直列回路が、転流すべき負荷電流に対する“負
担軽減経路”を形成するので、この回路は軽度の“非対
称性”を有する。これは他方の半導体スイッチング要素
に対する負担軽減の際のわずかに大きい寄生的な漏れイ
ンダクタンスとして、またそれによってこの半導体スイ
ッチング要素のスイッチオフの間のわずかに大きい電圧
負荷として現れる。
以下、図面により従来の技術および本発明を一層詳細に
説明する。
説明する。
第1図に示されている回路により3点インバータの公知
の電力部分を1つの相を例として一層詳細に説明する。
の電力部分を1つの相を例として一層詳細に説明する。
これは各1つの半導体スイッチング要素および1つのフ
リーホイーリングダイオードから成る4つの逆並列回路
の直列装置を含んでいる。半導体スイッチング要素とし
ては、好ましくは、電力用MO3電界効果トランジスタ
、バイポーラ電力用トランジスタまたはゲートターンオ
フサイリスク(GTOサイリスク)が使用され得る。電
力用電界効果トランジスタを使用する際には、それぞれ
の逆並列フリーホイーリングダイオードはしばしば既に
デバイス内に存在する“インバースダイオード”に基づ
いて省略され得る。第1図に示されている相ではたとえ
ば4つのGTOサイリスタT1、T2、T3、T4にそ
れぞれフリーホイーリングダイオードD1、D2、D3
、D4が逆並列に接続されている。その際にT1、Dl
またはT3、D3から成る第1または第3の逆並列回路
およびT2、D2またはT4、D4から成る第2または
第4の逆並列回路は図示されているインバータ相の各1
つの部分を成している。
リーホイーリングダイオードから成る4つの逆並列回路
の直列装置を含んでいる。半導体スイッチング要素とし
ては、好ましくは、電力用MO3電界効果トランジスタ
、バイポーラ電力用トランジスタまたはゲートターンオ
フサイリスク(GTOサイリスク)が使用され得る。電
力用電界効果トランジスタを使用する際には、それぞれ
の逆並列フリーホイーリングダイオードはしばしば既に
デバイス内に存在する“インバースダイオード”に基づ
いて省略され得る。第1図に示されている相ではたとえ
ば4つのGTOサイリスタT1、T2、T3、T4にそ
れぞれフリーホイーリングダイオードD1、D2、D3
、D4が逆並列に接続されている。その際にT1、Dl
またはT3、D3から成る第1または第3の逆並列回路
およびT2、D2またはT4、D4から成る第2または
第4の逆並列回路は図示されているインバータ相の各1
つの部分を成している。
4つの逆並列回路から成るこの直列装置は4つの接続点
を介して1つの直流電圧源UDから給電される。一方で
は直列装置の端は各1つのスイッチオン負担軽減リアク
トルL1およびL2を介して直流電圧源の正または負の
電位に接続されている、2つの他の接続点は第1の逆並
列回路と第2の逆並列回路との接続点または第3の逆並
列回路と第4の逆並列回路との接続点に相当する。これ
らは各1つの第1または第20減結合ダイオードD5ま
たはD6を介して、直流電圧源Uっから給電される2つ
の分圧器コンデンサC1およびC2の接続点M(″仮想
中点°°)に接続されている。最後に、第2の逆並列回
路と第3の逆並列回路との間の接続点はインバータ相の
出力端Aとしての役割をする。スイッチオン負担軽減リ
アクトルL1およびL2を具体的な構成要素として設け
ることは、どの場合にも必要なわけではない。それどこ
ろか具体的な回路構成に関係して、しばしば存在する寄
生的な線インダクタンスもインバータ相の供給線のなか
の電流上昇制限のために十分であり得る。
を介して1つの直流電圧源UDから給電される。一方で
は直列装置の端は各1つのスイッチオン負担軽減リアク
トルL1およびL2を介して直流電圧源の正または負の
電位に接続されている、2つの他の接続点は第1の逆並
列回路と第2の逆並列回路との接続点または第3の逆並
列回路と第4の逆並列回路との接続点に相当する。これ
らは各1つの第1または第20減結合ダイオードD5ま
たはD6を介して、直流電圧源Uっから給電される2つ
の分圧器コンデンサC1およびC2の接続点M(″仮想
中点°°)に接続されている。最後に、第2の逆並列回
路と第3の逆並列回路との間の接続点はインバータ相の
出力端Aとしての役割をする。スイッチオン負担軽減リ
アクトルL1およびL2を具体的な構成要素として設け
ることは、どの場合にも必要なわけではない。それどこ
ろか具体的な回路構成に関係して、しばしば存在する寄
生的な線インダクタンスもインバータ相の供給線のなか
の電流上昇制限のために十分であり得る。
1つのこのような回路では、電力用半導体に対するスイ
ッチング負担軽減を講することが必要である。そのため
にGTOサイリスクT1、T2、T3、T4および減結
合ダイオードD5、D6はそれぞれたとえば1つのRC
D負担軽減回路網を設けられ得る。しかし、このような
配線は、必要なスイッチング負担軽減の達成のために多
数のデバイスが必要であるという欠点を有する。
ッチング負担軽減を講することが必要である。そのため
にGTOサイリスクT1、T2、T3、T4および減結
合ダイオードD5、D6はそれぞれたとえば1つのRC
D負担軽減回路網を設けられ得る。しかし、このような
配線は、必要なスイッチング負担軽減の達成のために多
数のデバイスが必要であるという欠点を有する。
さらにヨーロッパ特許出願第88110741.1号明
細書には“3点インバータの半導体スイッチング要素の
低損失の配線のための装W″が示されている。
細書には“3点インバータの半導体スイッチング要素の
低損失の配線のための装W″が示されている。
しかしながら、そこに示されている配線は、所望のスイ
ッチング負担軽減効果の達成のために多数のデバイスが
必要であるという欠点を存する。さらに、配線の機能可
能性のために、特に固有の電力部分のなかに追加的なス
イッチオン負担軽減リアクトルを使用することにより3
点インバータの“基本回路”に変更を行うことが有利で
ある。これにより回路費用はさらに高められる。
ッチング負担軽減効果の達成のために多数のデバイスが
必要であるという欠点を存する。さらに、配線の機能可
能性のために、特に固有の電力部分のなかに追加的なス
イッチオン負担軽減リアクトルを使用することにより3
点インバータの“基本回路”に変更を行うことが有利で
ある。これにより回路費用はさらに高められる。
本発明の課題は、3点インバータの相のなかの半導体ス
イッチング要素のできるかぎり均等なスイッチオンおよ
びスイッチオフ負担軽減のための配線であって、できる
かぎり少数の構成要素でずませられる配線を提供するこ
とである。
イッチング要素のできるかぎり均等なスイッチオンおよ
びスイッチオフ負担軽減のための配線であって、できる
かぎり少数の構成要素でずませられる配線を提供するこ
とである。
この課題は、本発明によれば、1つのインバータ相が各
1つの半導体スイッチング要素および1つのフリーホイ
ーリングダイオードから成る4つの逆並列回路の1つの
直列装置を含んでおり、第2の逆並列回路と第3の逆並
列回路との接続点が相出力端としての役割をし、相が1
つの直流電圧源から給電され、直列装置の端が第1また
は第2のスイッチオン負担軽減リアクトルを介して直流
電圧源の正または負の電位と接続されており、また第1
の逆並列回路と第2の逆並列回路との間または第3の逆
並列回路と第4の逆並列回路との間の接続点が第1また
は第2め減結合ダイオードを介して、直流電圧源から給
電される第1の分圧器コンデンサと第2の分圧器コンデ
ンサとの間の接続点に接続されている3点インバータに
おいて、半導体スイッチング要素の負担軽減のために、
特にスイッチオフ過程の間に、第1または第4の逆並列
回路に第1または第2の配線ダイオードおよび第1また
は第2のスイッチオフ負担軽減コンデンサから成る第1
または第2の直列回路が並列に接続されており、その際
に第1または第2の直列回路の要素の間の接続点が第3
または第4の配線ダイオードを介して、第1または第2
の蓄積コンデンサおよび第1または第2の直流負荷から
成り第1または第2の分圧器コンデンサに並列に接続さ
れている第3または第4の直列回路の要素の間の接続点
と接続されていることにより解決される。
1つの半導体スイッチング要素および1つのフリーホイ
ーリングダイオードから成る4つの逆並列回路の1つの
直列装置を含んでおり、第2の逆並列回路と第3の逆並
列回路との接続点が相出力端としての役割をし、相が1
つの直流電圧源から給電され、直列装置の端が第1また
は第2のスイッチオン負担軽減リアクトルを介して直流
電圧源の正または負の電位と接続されており、また第1
の逆並列回路と第2の逆並列回路との間または第3の逆
並列回路と第4の逆並列回路との間の接続点が第1また
は第2め減結合ダイオードを介して、直流電圧源から給
電される第1の分圧器コンデンサと第2の分圧器コンデ
ンサとの間の接続点に接続されている3点インバータに
おいて、半導体スイッチング要素の負担軽減のために、
特にスイッチオフ過程の間に、第1または第4の逆並列
回路に第1または第2の配線ダイオードおよび第1また
は第2のスイッチオフ負担軽減コンデンサから成る第1
または第2の直列回路が並列に接続されており、その際
に第1または第2の直列回路の要素の間の接続点が第3
または第4の配線ダイオードを介して、第1または第2
の蓄積コンデンサおよび第1または第2の直流負荷から
成り第1または第2の分圧器コンデンサに並列に接続さ
れている第3または第4の直列回路の要素の間の接続点
と接続されていることにより解決される。
また本発明によれば、1つのインバータ相が各1つの半
導体スイッチング要素および1つのフリーホイーリング
ダイオードから成るfつの逆並列回路の1つの直列装置
を含んでおり、第2の逆並列回路と第3の逆並列回路と
の接続点が相出力端としての役割をし、相が1つの直流
電圧源から給電され、直列装置の端が第1または第2の
スイッチオン負担軽減リアクトルを介して直流電圧源の
正または負の電位と接続されており、また第1の逆並列
回路と第2の逆並列回路との間または第3の逆並列回路
と第4の逆並列回路との間の接続点が第1または第20
減結合ダイオードを介して、直流電圧源から給電される
第1の分圧器コンデンサと第2の分圧器コンデンサとの
間の接続点に接続されている3点インバータにおいて、
半導体スイッチング要素の負担軽減のために、特にスイ
ッチオフ過程の間に、第1または第2の減結合ダイオー
ドに第1または第2の配線ダイオードおよび第1または
第2のスイッチオフ負担軽減コンデンサから成る第1ま
たは第2の直列回路が並列に接続されており、その際に
第1または第2の直列回路の要素の間の接続点が第3ま
たは第4の配線ダイオードを介して、第1または第2の
蓄積コンデンサおよび第1または第2の直流負荷から成
り第1または第2のスイッチオン負担軽減リアクトルお
よび第1または第2の分圧器コンデンサから成る直列回
路に並列に接続されている第3または第4の直列回路の
要素の間の接続点と接続されていることにより解決され
る。
導体スイッチング要素および1つのフリーホイーリング
ダイオードから成るfつの逆並列回路の1つの直列装置
を含んでおり、第2の逆並列回路と第3の逆並列回路と
の接続点が相出力端としての役割をし、相が1つの直流
電圧源から給電され、直列装置の端が第1または第2の
スイッチオン負担軽減リアクトルを介して直流電圧源の
正または負の電位と接続されており、また第1の逆並列
回路と第2の逆並列回路との間または第3の逆並列回路
と第4の逆並列回路との間の接続点が第1または第20
減結合ダイオードを介して、直流電圧源から給電される
第1の分圧器コンデンサと第2の分圧器コンデンサとの
間の接続点に接続されている3点インバータにおいて、
半導体スイッチング要素の負担軽減のために、特にスイ
ッチオフ過程の間に、第1または第2の減結合ダイオー
ドに第1または第2の配線ダイオードおよび第1または
第2のスイッチオフ負担軽減コンデンサから成る第1ま
たは第2の直列回路が並列に接続されており、その際に
第1または第2の直列回路の要素の間の接続点が第3ま
たは第4の配線ダイオードを介して、第1または第2の
蓄積コンデンサおよび第1または第2の直流負荷から成
り第1または第2のスイッチオン負担軽減リアクトルお
よび第1または第2の分圧器コンデンサから成る直列回
路に並列に接続されている第3または第4の直列回路の
要素の間の接続点と接続されていることにより解決され
る。
有利な構成は従属請求項にあげられている。
本発明の特別な利点は、ブリッジ接続の1つのインバー
タの相のなかの半導体スイッチング要素に対するドイツ
連邦共和国特許出願公開第3244623号明細書から
公知の配線が原理的に1つのいわゆる“3点インバータ
”の相のなかの半導体スイッチング要素に対しても使用
され得ることである。
タの相のなかの半導体スイッチング要素に対するドイツ
連邦共和国特許出願公開第3244623号明細書から
公知の配線が原理的に1つのいわゆる“3点インバータ
”の相のなかの半導体スイッチング要素に対しても使用
され得ることである。
この公知の配線を3点インバータに応用するため、その
電力部分におけるマツチングは全く必要でない、さらに
、公知の配線が本発明の第1の実施例で回路技術的に内
部を全く変更せずに使用され得ることは特にを利である
ことが判明している。必要な場合に追加的に他の同じく
スイッチング負担軽減の作用をする配線、特に“RCD
″配線が、本発明による配線が機能可能性を損なわれる
ことなく、追加接続され得ることは本発明の1つの他の
利点である。
電力部分におけるマツチングは全く必要でない、さらに
、公知の配線が本発明の第1の実施例で回路技術的に内
部を全く変更せずに使用され得ることは特にを利である
ことが判明している。必要な場合に追加的に他の同じく
スイッチング負担軽減の作用をする配線、特に“RCD
″配線が、本発明による配線が機能可能性を損なわれる
ことなく、追加接続され得ることは本発明の1つの他の
利点である。
第1図ないし第8図により本発明を一層詳細に説明する
。
。
本発明によれば、第1図に示されておりまた3点インバ
ータの1つの相の要素T1、D1、T3、D3またはT
2、D2、T4、D4から成る電力部分は、要素D11
、C81、DI2、CSP1、R1またはD21、CS
2、D22、CSP2、R2から成る各1つの配線を設
けられている。その際に半導体スイッチング要素TIお
よびフリーホイーリングダイオードD1から成る第1の
逆並列回路には第1の配線ダイオードD11および第1
のスイッチオフ負担軽減コンデンサCSIから成る1つ
の直列回路が並列に接続されている。これらの両要素の
接続点は第3の配線ダイオードD12を介して2つの要
素の1つの別の直列回路の接続点と接続されている。
ータの1つの相の要素T1、D1、T3、D3またはT
2、D2、T4、D4から成る電力部分は、要素D11
、C81、DI2、CSP1、R1またはD21、CS
2、D22、CSP2、R2から成る各1つの配線を設
けられている。その際に半導体スイッチング要素TIお
よびフリーホイーリングダイオードD1から成る第1の
逆並列回路には第1の配線ダイオードD11および第1
のスイッチオフ負担軽減コンデンサCSIから成る1つ
の直列回路が並列に接続されている。これらの両要素の
接続点は第3の配線ダイオードD12を介して2つの要
素の1つの別の直列回路の接続点と接続されている。
この直列回路は第1の蓄積コンデンサC’S P 1お
よび好ましくは直流負荷としての第1の放電抵抗R1か
ら成っており、また入力直流電圧U、に対する第1の分
圧器コンデンサC1に並列に接続されている。同じ仕方
で半導体スイッチング要素T4およびフリーホイーリン
グダイオードD4から成る第4の逆並列回路に第2の配
線ダイオードD21および第2のスイッチオフ負担軽減
コンデンサCS2から成る1つの直列回路が並列に接続
されている。これらの両要素の接続点も第4の配線ダイ
オードD22を介して別の直列回路の両要素の接続点と
接続されている。これは第2の蓄積コンデンサCSP2
および好ましくは直流負荷としての第2の放電抵抗R2
から成っており、また入力直流電圧U8に対する第2の
分圧器コンデンサC2に並列に接続されている。
よび好ましくは直流負荷としての第1の放電抵抗R1か
ら成っており、また入力直流電圧U、に対する第1の分
圧器コンデンサC1に並列に接続されている。同じ仕方
で半導体スイッチング要素T4およびフリーホイーリン
グダイオードD4から成る第4の逆並列回路に第2の配
線ダイオードD21および第2のスイッチオフ負担軽減
コンデンサCS2から成る1つの直列回路が並列に接続
されている。これらの両要素の接続点も第4の配線ダイ
オードD22を介して別の直列回路の両要素の接続点と
接続されている。これは第2の蓄積コンデンサCSP2
および好ましくは直流負荷としての第2の放電抵抗R2
から成っており、また入力直流電圧U8に対する第2の
分圧器コンデンサC2に並列に接続されている。
3点インバータの第1図に示されている相の出力端Aに
おける1つの正電圧を発生するため、導通している半導
体スイッチング要素T2および遮断されている半導体ス
イッチング要素T4において好ましくは半導体スイッチ
ング要素T1およびT3が交互に相次いでスイッチオン
およびスイッチオフされる。1つのこのような場合にた
とえば通電している半導体スイッチング要素T1がスイ
ッチオフされると、そのスイッチオフ負担軽減の役割を
、第1の配線ダイオードD11および“負担軽減経路”
としての第1のスイッチオフ負担軽減コンデンサCSI
から成る直列回路がする。入力直流電圧U、の半分の値
へのコンデンサCSIの充電の後にスイッチオン負担軽
減リアクトルL1を経てなお流れる電流に対しては、そ
の完全な減衰まで、第1のスイッチオフ負担軽減コンデ
ンサCSIと第3の配線ダイオードD12および第1の
蓄積コンデンサCSPIから成る直列回路とから成る並
列回路が有効である。好ましくは第1の放電抵抗R1と
して構成された直流負荷は、ごくわずかにU、の値を越
えて充電されるコンデンサCSIおよびCSPIを入力
直流電圧U、の値に逆供給するための役割をする。
おける1つの正電圧を発生するため、導通している半導
体スイッチング要素T2および遮断されている半導体ス
イッチング要素T4において好ましくは半導体スイッチ
ング要素T1およびT3が交互に相次いでスイッチオン
およびスイッチオフされる。1つのこのような場合にた
とえば通電している半導体スイッチング要素T1がスイ
ッチオフされると、そのスイッチオフ負担軽減の役割を
、第1の配線ダイオードD11および“負担軽減経路”
としての第1のスイッチオフ負担軽減コンデンサCSI
から成る直列回路がする。入力直流電圧U、の半分の値
へのコンデンサCSIの充電の後にスイッチオン負担軽
減リアクトルL1を経てなお流れる電流に対しては、そ
の完全な減衰まで、第1のスイッチオフ負担軽減コンデ
ンサCSIと第3の配線ダイオードD12および第1の
蓄積コンデンサCSPIから成る直列回路とから成る並
列回路が有効である。好ましくは第1の放電抵抗R1と
して構成された直流負荷は、ごくわずかにU、の値を越
えて充電されるコンデンサCSIおよびCSPIを入力
直流電圧U、の値に逆供給するための役割をする。
T1のスイッチオンの際には減結合ダイオードD5から
半導体スイッチング要素T1への負荷電流の移行後にス
イッチオフ負担軽減コンデンサCSlが要素D12、C
SP1、C1、LlおよびT1を介して放電される。コ
ンデンサCSIの放電の後に、スイッチオン負担軽減リ
アクトルL1に負荷電流の値を越えて蓄積された電流は
要素D11、DI2、CSP1、C1を経て減衰し、ま
た蓄積コンデンサCSPIの充電に通ずる。これにより
再びわずかに入力直流電圧U、の値を越えて充電された
蓄積コンデンサCSPIは最後に第1の放電抵抗R1を
経てU、の値まで放電する。
半導体スイッチング要素T1への負荷電流の移行後にス
イッチオフ負担軽減コンデンサCSlが要素D12、C
SP1、C1、LlおよびT1を介して放電される。コ
ンデンサCSIの放電の後に、スイッチオン負担軽減リ
アクトルL1に負荷電流の値を越えて蓄積された電流は
要素D11、DI2、CSP1、C1を経て減衰し、ま
た蓄積コンデンサCSPIの充電に通ずる。これにより
再びわずかに入力直流電圧U、の値を越えて充電された
蓄積コンデンサCSPIは最後に第1の放電抵抗R1を
経てU、の値まで放電する。
いま配線はその“出7発状態”に再び達しており、また
新たにスイッチオフ負担軽減の作用をし得る。
新たにスイッチオフ負担軽減の作用をし得る。
要素D11、CS1、DI2、csp1、R1から成る
この“上側”配線部分は通電中の半導体スイッチング要
素T3のスイッチオフの際に同じく負担軽減の作用をす
る。この場合、特に有利に、半導体スイッチング要素T
3および第2の減結合ダイオードD6から成る直列回路
のスイッチング負担軽減の役割を、フリーホイーリング
ダイオードD2、第1のスイッチオフ負担軽減コンデン
サCS1、第3の配線ダイオードD12および第1の蓄
積コンデンサCSP 1から成る並列に接続されている
直列回路がする。半導体スイッチング要素T3のスイッ
チオフの際に有効な回路を通る“負担軽減経路”が、第
1の配線ダイオードD11および第1の蓄積コンデンサ
CSIから成り直接に並列に接続されている直列回路が
負担軽減を行う半導体スイッチング要素TIのスイッチ
オフの際よりも“長い”ことがわかる、こうしてスイッ
チング要素T3のスイッチオフの際に有効な負担軽減経
路はわずかに大きい寄生的漏れインダクタンスを有し、
またこの理由からスイッチオフすべき半導体スイッチン
グ要素T3のわずかにより大きい電圧ストレスが生ずる
ことを考慮に入れる必要がある。さらに、この“より長
い”負担軽減経路の漏れは、いま4つの構成要素D2、
CS1、D12およびCSPIが要素T3の負担軽減に
関与していることにより、わずかにさらに高められ、他
方においてこれは要素T1の負担軽減の際には単に構成
要素D11および’C8Iである。特に、ダイオードに
おいて通電の開始時に生ずる“スイッチオン過電圧”
(“スパイク”電圧)により、この場合、要素T3の負
担軽減の“質”が損なわれ得る。1つの正の出力電圧を
発生するために必要とされる両生導体スイッチング要素
T1およびT3に対して達成すべき負担軽減作用のこの
回路的に条件付けられる“非対称性゛は実際には特に注
意深い回路技術的構成により、またスイッチオフ負担軽
減コンデンサに比較して大きいキャパシタンスを有する
蓄積コンデンサの使用により十分に″調和”され得る。
この“上側”配線部分は通電中の半導体スイッチング要
素T3のスイッチオフの際に同じく負担軽減の作用をす
る。この場合、特に有利に、半導体スイッチング要素T
3および第2の減結合ダイオードD6から成る直列回路
のスイッチング負担軽減の役割を、フリーホイーリング
ダイオードD2、第1のスイッチオフ負担軽減コンデン
サCS1、第3の配線ダイオードD12および第1の蓄
積コンデンサCSP 1から成る並列に接続されている
直列回路がする。半導体スイッチング要素T3のスイッ
チオフの際に有効な回路を通る“負担軽減経路”が、第
1の配線ダイオードD11および第1の蓄積コンデンサ
CSIから成り直接に並列に接続されている直列回路が
負担軽減を行う半導体スイッチング要素TIのスイッチ
オフの際よりも“長い”ことがわかる、こうしてスイッ
チング要素T3のスイッチオフの際に有効な負担軽減経
路はわずかに大きい寄生的漏れインダクタンスを有し、
またこの理由からスイッチオフすべき半導体スイッチン
グ要素T3のわずかにより大きい電圧ストレスが生ずる
ことを考慮に入れる必要がある。さらに、この“より長
い”負担軽減経路の漏れは、いま4つの構成要素D2、
CS1、D12およびCSPIが要素T3の負担軽減に
関与していることにより、わずかにさらに高められ、他
方においてこれは要素T1の負担軽減の際には単に構成
要素D11および’C8Iである。特に、ダイオードに
おいて通電の開始時に生ずる“スイッチオン過電圧”
(“スパイク”電圧)により、この場合、要素T3の負
担軽減の“質”が損なわれ得る。1つの正の出力電圧を
発生するために必要とされる両生導体スイッチング要素
T1およびT3に対して達成すべき負担軽減作用のこの
回路的に条件付けられる“非対称性゛は実際には特に注
意深い回路技術的構成により、またスイッチオフ負担軽
減コンデンサに比較して大きいキャパシタンスを有する
蓄積コンデンサの使用により十分に″調和”され得る。
第1図に示されている相の出力端Aに負の電圧を発生す
るためには、導通している半導体スイッチング要素T1
および遮断されている半導体スイッチング要素T3にお
いて両生導体スイッチング要素T2およびT4が交互に
パルス状にスイッチオンおよびスイッチオフされる。こ
の場合、配線の要素D21.CS2、D22、CSP2
およびR2から成る下側部分は配線の上側部分の上記の
過程と比較可能に半導体スイッチング要素T4と半導体
スイッチング要素T2および減結合ダイオードD5から
成る直列回路とに対してスイッチング負担軽減の作用を
する。
るためには、導通している半導体スイッチング要素T1
および遮断されている半導体スイッチング要素T3にお
いて両生導体スイッチング要素T2およびT4が交互に
パルス状にスイッチオンおよびスイッチオフされる。こ
の場合、配線の要素D21.CS2、D22、CSP2
およびR2から成る下側部分は配線の上側部分の上記の
過程と比較可能に半導体スイッチング要素T4と半導体
スイッチング要素T2および減結合ダイオードD5から
成る直列回路とに対してスイッチング負担軽減の作用を
する。
3点インバータの電力部分の一時的に全負荷電流が流れ
る減結合ダイオードD5、D6が本発明によるスイッチ
ング負担軽減により一緒にとらえられることは、この本
発明による配線の1つの特別な利点である。こうして減
結合ダイオードD5、D6に対する分離したスイッチン
グ負担軽減は必要でない。
る減結合ダイオードD5、D6が本発明によるスイッチ
ング負担軽減により一緒にとらえられることは、この本
発明による配線の1つの特別な利点である。こうして減
結合ダイオードD5、D6に対する分離したスイッチン
グ負担軽減は必要でない。
半導体スイッチング要素TIないしT4の1つの負担軽
減のために必要な“負担軽減経路”が分圧器コンデンサ
C1またはC2の1つを介して閉じていないことは、本
発明による配線の1つの特別な利点である。従って、個
々の負担軽減経路の期待すべき寄生的な漏れは比較的わ
ずかであるので、通常半導体スイッチング要素の1つの
スイッチオフ過程の際の許容し得ない高い電圧ストレス
は考慮に入れる必要がない、この理由から、第1図によ
る本発明による配線によれば、たとえば負荷側の故障の
場合の3点インバータの停止のための作動形式“パルス
消去゛で、それぞれ点弧された半導体スイッチング要素
を負荷電流の現在値を顧慮せずにスイッチオフすること
も可能である。
減のために必要な“負担軽減経路”が分圧器コンデンサ
C1またはC2の1つを介して閉じていないことは、本
発明による配線の1つの特別な利点である。従って、個
々の負担軽減経路の期待すべき寄生的な漏れは比較的わ
ずかであるので、通常半導体スイッチング要素の1つの
スイッチオフ過程の際の許容し得ない高い電圧ストレス
は考慮に入れる必要がない、この理由から、第1図によ
る本発明による配線によれば、たとえば負荷側の故障の
場合の3点インバータの停止のための作動形式“パルス
消去゛で、それぞれ点弧された半導体スイッチング要素
を負荷電流の現在値を顧慮せずにスイッチオフすること
も可能である。
それに対して、もし負担軽減経路の1つが中間回路を介
して閉じているならば、事情によっては当該の半導体ス
イッチング要素の負荷電流に無関係なスイッチオフが可
能でない、それどころかこの場合には事情によっては先
ず、そのつどの半導体スイッチング要素の無損傷のスイ
ッチオフが可能であるまで、負荷電流の自然減衰が待た
れなければならない。
して閉じているならば、事情によっては当該の半導体ス
イッチング要素の負荷電流に無関係なスイッチオフが可
能でない、それどころかこの場合には事情によっては先
ず、そのつどの半導体スイッチング要素の無損傷のスイ
ッチオフが可能であるまで、負荷電流の自然減衰が待た
れなければならない。
第2図には、本発明により配線された3点インバータの
1つの相の1つの別の実施例が示されている。半導体ス
イッチング要素T2およびフリーホイーリングダイオー
ドD2または半導体スイッチング要素T3およびフリー
ホイーリングダイオードD3から成る両“内部”逆並列
回路の各々は、この場合、1つの追加的な公知の“RC
D″配線回路網を設けられている。その際に第2の逆並
列回路の第1の追加配線コンデンサCl01第1の。
1つの相の1つの別の実施例が示されている。半導体ス
イッチング要素T2およびフリーホイーリングダイオー
ドD2または半導体スイッチング要素T3およびフリー
ホイーリングダイオードD3から成る両“内部”逆並列
回路の各々は、この場合、1つの追加的な公知の“RC
D″配線回路網を設けられている。その際に第2の逆並
列回路の第1の追加配線コンデンサCl01第1の。
追加配線ダイオードD10および第1の追加配線抵抗R
10または第3の逆並列回路の第2の追加配線コンデン
サC20、第2の追加配線ダイオードD20および第2
の追加配線抵抗R20が対応付けられている。追加配線
コンデンサC10およびC20のキャパシタンスは要素
CS1、CS2、CSPIまたはCSP2に比較して好
ましくは著しく小さく選定される。なぜならば、これら
は特にフリーホイーリングダイオードD2またはD3の
“スパイク”電圧のみを減衰させればよいからである0
本発明のこの実施例は、実際の回路構成の理由から、ま
たは“内部”半導体スイッチング要素T2およびT4に
対する“負担軽減経路”の使用される半導体スイッチン
グ要素TIないしT4の特殊な定数に基づいて、許容し
得ない高い寄生的漏れインダクタンスを有するべきであ
る場合に特に有利である。第1図による本発明による配
線が機能の仕方を損なうことなしに、他の公知の配線、
たとえば第2図の実施例による“RCD“スイッチオフ
負担軽減と組合わせ可能であることは、本発明の1つの
特別な利点である。
10または第3の逆並列回路の第2の追加配線コンデン
サC20、第2の追加配線ダイオードD20および第2
の追加配線抵抗R20が対応付けられている。追加配線
コンデンサC10およびC20のキャパシタンスは要素
CS1、CS2、CSPIまたはCSP2に比較して好
ましくは著しく小さく選定される。なぜならば、これら
は特にフリーホイーリングダイオードD2またはD3の
“スパイク”電圧のみを減衰させればよいからである0
本発明のこの実施例は、実際の回路構成の理由から、ま
たは“内部”半導体スイッチング要素T2およびT4に
対する“負担軽減経路”の使用される半導体スイッチン
グ要素TIないしT4の特殊な定数に基づいて、許容し
得ない高い寄生的漏れインダクタンスを有するべきであ
る場合に特に有利である。第1図による本発明による配
線が機能の仕方を損なうことなしに、他の公知の配線、
たとえば第2図の実施例による“RCD“スイッチオフ
負担軽減と組合わせ可能であることは、本発明の1つの
特別な利点である。
第3図には本発明の1つの別の有利な実施例が示されて
いる。その際に一方では、第2または第3の逆並列回路
に対する追加配線に対応付けられている2つの分離した
抵抗R10およびR20の代わりに1つの共通の等価抵
抗R12が使用されており、また要素C10と010と
の間またはC20とD20との間の接続点に接続されて
いる。
いる。その際に一方では、第2または第3の逆並列回路
に対する追加配線に対応付けられている2つの分離した
抵抗R10およびR20の代わりに1つの共通の等価抵
抗R12が使用されており、また要素C10と010と
の間またはC20とD20との間の接続点に接続されて
いる。
他方では、第1図または第2図の実施例で好ましくは直
流負荷として使用された放電抵抗R1またはR2の代わ
りにエネルギー逆供給回路が設けられている。これらは
個々の半導体スイッチング要素のスイッチオフの際に生
じ蓄積コンデンサCSP1またはCSP2のなかに中間
蓄積されたスイッチオフ損失エネルギーの逆供給を可能
にする。
流負荷として使用された放電抵抗R1またはR2の代わ
りにエネルギー逆供給回路が設けられている。これらは
個々の半導体スイッチング要素のスイッチオフの際に生
じ蓄積コンデンサCSP1またはCSP2のなかに中間
蓄積されたスイッチオフ損失エネルギーの逆供給を可能
にする。
これらのエネルギー逆供給回路の各々は各1つのスイッ
チング要素slまたはS2.1つの蓄積インダクタンス
L3またはL4および1つの結合ダイオードD13また
はD23から成っている。その際に配線のなかにそのつ
どの放電抵抗の代わりにスイッチング要素の1つおよび
それに付属の蓄積インダクタンスから成る直列回路が使
用されている。要素SlとL3との間またはS2とL4
との間の接続点はそれぞれ再結合ダイオードD13また
はD23の1つを介して両分圧器コンデンサC1および
C2,の接続点Mと接続されている。
チング要素slまたはS2.1つの蓄積インダクタンス
L3またはL4および1つの結合ダイオードD13また
はD23から成っている。その際に配線のなかにそのつ
どの放電抵抗の代わりにスイッチング要素の1つおよび
それに付属の蓄積インダクタンスから成る直列回路が使
用されている。要素SlとL3との間またはS2とL4
との間の接続点はそれぞれ再結合ダイオードD13また
はD23の1つを介して両分圧器コンデンサC1および
C2,の接続点Mと接続されている。
たとえば蓄積コンデンサCSPIのなかに含まれている
過充電エネルギーの逆供給のためには第1のスイッチS
1が1つの高い周波数によりクロックされる。その際に
スイッチSlの閉じられた状態ではコンデンサエネルギ
ーの一部分が蓄積インダクタンスL3に伝達される。そ
れに続くスイッチS1の開放の際にインダクタンスL3
を通る電流の流れは突変的に遮断され得ないので、こう
してエネルギーがインダクタンスL3を介して直流電圧
源UDに逆供給される。その際に結合ダイオードD13
は、振動回路に非常に頻偵して要素L3、C1、D13
から形成されたメツシュにおいて結合ダイオードD13
の不存在の際に生ずるような直流電圧源からのエネルギ
ーの新たな“逆振動”を阻止する。このようなエネルギ
ー逆供給回路は“チッッパ回路”とも呼ばれる。
過充電エネルギーの逆供給のためには第1のスイッチS
1が1つの高い周波数によりクロックされる。その際に
スイッチSlの閉じられた状態ではコンデンサエネルギ
ーの一部分が蓄積インダクタンスL3に伝達される。そ
れに続くスイッチS1の開放の際にインダクタンスL3
を通る電流の流れは突変的に遮断され得ないので、こう
してエネルギーがインダクタンスL3を介して直流電圧
源UDに逆供給される。その際に結合ダイオードD13
は、振動回路に非常に頻偵して要素L3、C1、D13
から形成されたメツシュにおいて結合ダイオードD13
の不存在の際に生ずるような直流電圧源からのエネルギ
ーの新たな“逆振動”を阻止する。このようなエネルギ
ー逆供給回路は“チッッパ回路”とも呼ばれる。
第4図には本発明による配線の1つの別の有利な実施例
が示されている。その際に、第3図の回路による共通の
追加配線抵抗R12の代わりに、逆並列回路T2、D2
またはT3、D3に対応付けられている要素Cl01D
10またはC20,020から成る追加配線のなかに中
間蓄積される損失エネルギーに対する1つの別のエネル
ギー逆供給装置が設けられている。この逆供給装置は特
に1つの絶縁変圧器TRから成っており、その一次巻線
w1はダンピング抵抗R13を介して要素C10、D1
0またはC20,020の接続点と接続されている。絶
縁変圧器の二次巻線W2は1つの別の結合ダイオードD
14を介して入力直流電圧U、の正または負の電位と接
続されている。
が示されている。その際に、第3図の回路による共通の
追加配線抵抗R12の代わりに、逆並列回路T2、D2
またはT3、D3に対応付けられている要素Cl01D
10またはC20,020から成る追加配線のなかに中
間蓄積される損失エネルギーに対する1つの別のエネル
ギー逆供給装置が設けられている。この逆供給装置は特
に1つの絶縁変圧器TRから成っており、その一次巻線
w1はダンピング抵抗R13を介して要素C10、D1
0またはC20,020の接続点と接続されている。絶
縁変圧器の二次巻線W2は1つの別の結合ダイオードD
14を介して入力直流電圧U、の正または負の電位と接
続されている。
二次巻線W2が一次巻線W1よりも大きい巻回数を有す
ることは特に有利である。巻回数比W2:W1はたとえ
ば4:lであってよい、この実施例は3点インバータに
対する高効率で同時にほぼ完全に無損失のスイッチング
負担軽減に特に有利である。
ることは特に有利である。巻回数比W2:W1はたとえ
ば4:lであってよい、この実施例は3点インバータに
対する高効率で同時にほぼ完全に無損失のスイッチング
負担軽減に特に有利である。
最後に第5図には本発明が、出力端AIないしA3を有
する三相3点インバータを例として示されている。そこ
に既に示されているように、第1の蓄積コンデンサCS
PIおよび第1の放電抵抗R1から成る直列回路または
第2の蓄積コンデンサCSP2および第2の放電抵抗R
2から成る直列回路がそれぞれ一重にしか必要とされな
いことは本発明の1つの別の利点である。すべてのイン
バータ相の上側または下側の半部はこれらの要素の接続
点にそのつどの配線ダイオードD121、D11l;D
122.0112・・・またはD221、D211;D
222、D212を介して共通に接続されている。
する三相3点インバータを例として示されている。そこ
に既に示されているように、第1の蓄積コンデンサCS
PIおよび第1の放電抵抗R1から成る直列回路または
第2の蓄積コンデンサCSP2および第2の放電抵抗R
2から成る直列回路がそれぞれ一重にしか必要とされな
いことは本発明の1つの別の利点である。すべてのイン
バータ相の上側または下側の半部はこれらの要素の接続
点にそのつどの配線ダイオードD121、D11l;D
122.0112・・・またはD221、D211;D
222、D212を介して共通に接続されている。
本発明の1つの別の特に有利な実施例が第6図に、第1
図の回路のいわゆる“反転”配置の形態で示されている
。こうして第1図の配線の要素の各々は第6図の回路に
も存在している。すなわち、第1の半導体スイッチング
要素T1と半導体スイッチング要素T3および減結合ダ
イオードD6から成る直列回路とのスイッチング負担軽
減のために、同じく第1の配線ダイオードD11、第1
のスイッチオフ負担軽減コンデンサCS1、第3の配線
ダイオードDI2、第1の蓄積コンデンサCSPIおよ
び好ましくは第1の放電抵抗R1を存する1つの配線が
用いられる。その際に第1の配線ダイオードD11およ
び第1のスイッチオフ負担軽減コンデンサC8lから成
る直列回路は第1の減結合ダイオードD5に並列に接続
されている。
図の回路のいわゆる“反転”配置の形態で示されている
。こうして第1図の配線の要素の各々は第6図の回路に
も存在している。すなわち、第1の半導体スイッチング
要素T1と半導体スイッチング要素T3および減結合ダ
イオードD6から成る直列回路とのスイッチング負担軽
減のために、同じく第1の配線ダイオードD11、第1
のスイッチオフ負担軽減コンデンサCS1、第3の配線
ダイオードDI2、第1の蓄積コンデンサCSPIおよ
び好ましくは第1の放電抵抗R1を存する1つの配線が
用いられる。その際に第1の配線ダイオードD11およ
び第1のスイッチオフ負担軽減コンデンサC8lから成
る直列回路は第1の減結合ダイオードD5に並列に接続
されている。
さらにその際に第1の蓄積コンデンサCSPIおよび第
1の放電抵抗R1から成る直列回路は第1のスイッチオ
ン負担軽減リアクトルL1および第1の分圧器コンデン
サC1から成る直列回路に並列に接続されている。要素
D11、C81およびCSP1、R1の間の接続点はこ
こでも第3の配線ダイオードDI2を介して接続されて
いる。同じ仕方で半導体スイッチング要素T4に、また
は半導体スイッチング要素T2および減結合ダイオード
D5から成る直列回路に、公知の要素D21、CS2、
D22、CSP2およびR2から成る1つの配線が対応
付けられている。
1の放電抵抗R1から成る直列回路は第1のスイッチオ
ン負担軽減リアクトルL1および第1の分圧器コンデン
サC1から成る直列回路に並列に接続されている。要素
D11、C81およびCSP1、R1の間の接続点はこ
こでも第3の配線ダイオードDI2を介して接続されて
いる。同じ仕方で半導体スイッチング要素T4に、また
は半導体スイッチング要素T2および減結合ダイオード
D5から成る直列回路に、公知の要素D21、CS2、
D22、CSP2およびR2から成る1つの配線が対応
付けられている。
第1図の回路に比較して゛反転°゛されている公知の配
線要素の配置に基づいて、個々の半導体スイッチング要
素のスイッチオフの際に変更された“負担軽減経路“が
生ずる。これについて要素CSP1、DI2、CS1、
D11およびR1から成る配線の上側部分に対する半導
体スイッチング要素T1およびT3を例として説明する
。たとえば半導体スイッチング要素T1のスイッチオフ
の際には、第1の蓄積コンデンサCSP1、第3の配線
ダイオードDI2および第1のスイッチオフ負担軽減コ
ンデンサC81から成る並列に接続されている直列装置
が負担軽減の作用をする。さらに、第2の減結合ダイオ
ードD6を有する半導体スイッチング要素T3から成る
直列装置に対して要素T3のスイッチオフの際にはフリ
ーホイーリングダイオードD2、第1のスイッチオフ負
担軽減コンデンサCSIおよび第1の配線ダイオードD
11を経由する“負担軽減経路”が閉じる。この場合に
も特に第1の負担軽減抵抗R1が特に蓄積コンデンサC
SPIの充電状態を、これが半導体スイッチング要素の
1つの後続のスイッチオフの際に生ずる損失エネルギー
を新たに中間蓄積し得る1つの状態に逆供給するための
直流負荷としての役割をする。
線要素の配置に基づいて、個々の半導体スイッチング要
素のスイッチオフの際に変更された“負担軽減経路“が
生ずる。これについて要素CSP1、DI2、CS1、
D11およびR1から成る配線の上側部分に対する半導
体スイッチング要素T1およびT3を例として説明する
。たとえば半導体スイッチング要素T1のスイッチオフ
の際には、第1の蓄積コンデンサCSP1、第3の配線
ダイオードDI2および第1のスイッチオフ負担軽減コ
ンデンサC81から成る並列に接続されている直列装置
が負担軽減の作用をする。さらに、第2の減結合ダイオ
ードD6を有する半導体スイッチング要素T3から成る
直列装置に対して要素T3のスイッチオフの際にはフリ
ーホイーリングダイオードD2、第1のスイッチオフ負
担軽減コンデンサCSIおよび第1の配線ダイオードD
11を経由する“負担軽減経路”が閉じる。この場合に
も特に第1の負担軽減抵抗R1が特に蓄積コンデンサC
SPIの充電状態を、これが半導体スイッチング要素の
1つの後続のスイッチオフの際に生ずる損失エネルギー
を新たに中間蓄積し得る1つの状態に逆供給するための
直流負荷としての役割をする。
こうして第6図による公知の要素のいわゆる“反転”配
置の機能の仕方は原理的に第1図の回路と同一である。
置の機能の仕方は原理的に第1図の回路と同一である。
しかしながら第6図による実施例はそれにくらべて、半
導体スイッチング要素T1およびT3またはT4および
T2に対する期待すべき負担軽減作用の、第1図の例で
既に説明した回路により条件付けられる非対称性が既に
回路技術的にほぼ等化されているという顕著な利点を有
する。すなわち、第6図の実施例ではたとえば要素TI
に対する負担軽減経路は確かに要素CSP1、DI2お
よびCSIを経て閉じ、またこうして第1図の例におけ
る負担軽減経路よりも“長い”′、しかし、それに対し
て、要素T3に対する負担軽減経路は要素D2、CSI
およびD11を経て閉じ、したがって第1図の例におけ
る負担軽減経路よりも“短い”。この理由から、両負担
軽減経路の期待すべき寄生的漏れインダクタンスはほぼ
等大であり、また具体的な回路構成に無関係である。す
なわち、第6図による本発明の実施例では、゛内部゛半
導体スイッチング要素T2およびT3の1つの可能な追
加配線は特に第2図ないし第4図に示されている実施例
に相応して省略され得る。
導体スイッチング要素T1およびT3またはT4および
T2に対する期待すべき負担軽減作用の、第1図の例で
既に説明した回路により条件付けられる非対称性が既に
回路技術的にほぼ等化されているという顕著な利点を有
する。すなわち、第6図の実施例ではたとえば要素TI
に対する負担軽減経路は確かに要素CSP1、DI2お
よびCSIを経て閉じ、またこうして第1図の例におけ
る負担軽減経路よりも“長い”′、しかし、それに対し
て、要素T3に対する負担軽減経路は要素D2、CSI
およびD11を経て閉じ、したがって第1図の例におけ
る負担軽減経路よりも“短い”。この理由から、両負担
軽減経路の期待すべき寄生的漏れインダクタンスはほぼ
等大であり、また具体的な回路構成に無関係である。す
なわち、第6図による本発明の実施例では、゛内部゛半
導体スイッチング要素T2およびT3の1つの可能な追
加配線は特に第2図ないし第4図に示されている実施例
に相応して省略され得る。
第3図および第4図に示されている実施例の場合と同じ
仕方で第6図による実施例の場合にも、放電抵抗R1お
よびR2は有利にエネルギー逆供給回路により置換され
得る。要素S1、L3、D13およびS2、L4、D2
3から成る既に説明された“チロ7バ回路”が第7図に
示されている。
仕方で第6図による実施例の場合にも、放電抵抗R1お
よびR2は有利にエネルギー逆供給回路により置換され
得る。要素S1、L3、D13およびS2、L4、D2
3から成る既に説明された“チロ7バ回路”が第7図に
示されている。
最後に第8図には、第6図による本発明の実施例の第5
図と比較可能な1つの三相装置が示されている。この場
合にも、要素R1、CSP 1およびR2、CSP2か
ら成る直列回路は3点インバータのすべての相に対して
一重にしか必要とされない。
図と比較可能な1つの三相装置が示されている。この場
合にも、要素R1、CSP 1およびR2、CSP2か
ら成る直列回路は3点インバータのすべての相に対して
一重にしか必要とされない。
第1図は本発明による1つの配線を有する3点インバー
タの1つの相を示す図、第2図は3点インバータ相の“
内部”半導体スイッチング要素に対する追加的配線を有
する第1図による回路を示す図、第3図は本発明による
配線に対する追加的なエネルギー逆供給装置と“内部”
半導体スイッチング要素に対する1つの変更された追加
配線とを有する第2図による回路を示す図、第4図は“
内部”半導体スイッチング要素に対する別のエネルギー
逆供給装置を有する第3図による回路を示す図、第5図
は第1図による本発明による配線を有する三相3点イン
バータを示す図、第6図は第1図による本発明による配
線の別の実施例を有する3点インバータの1つの相を示
す図、第7図は本発明による配線に対する追加的なエネ
ルギー逆供給装置を有する第6図による回路を示す図、
第8図は第6図による本発明による配線の実施例を有す
る三相3点インバータを示す図である。 A・・・相出力端 CL C2・・・分圧器コンデンサ CS1、CS2・・・スイッチオフ負担軽減コンデンサ CSP1、CSP2・・・蓄積コンデンサDi〜D4・
・・フリーホイーリングダイオードD5、D6・・・減
結合ダイオード DIl〜D222・・・配線ダイオードL1、L2・・
・スイッチオン負担軽減リアクトルL3、L4・・・蓄
積インダクタンス R1〜R20・・・放電抵抗 S1、S2・・・スイッチング要素 T1〜T4・・・半導体スイッチング要素TR・・・絶
縁変圧器 U、・・・直流電圧源 IG 1 FIo 4 FIG 6
タの1つの相を示す図、第2図は3点インバータ相の“
内部”半導体スイッチング要素に対する追加的配線を有
する第1図による回路を示す図、第3図は本発明による
配線に対する追加的なエネルギー逆供給装置と“内部”
半導体スイッチング要素に対する1つの変更された追加
配線とを有する第2図による回路を示す図、第4図は“
内部”半導体スイッチング要素に対する別のエネルギー
逆供給装置を有する第3図による回路を示す図、第5図
は第1図による本発明による配線を有する三相3点イン
バータを示す図、第6図は第1図による本発明による配
線の別の実施例を有する3点インバータの1つの相を示
す図、第7図は本発明による配線に対する追加的なエネ
ルギー逆供給装置を有する第6図による回路を示す図、
第8図は第6図による本発明による配線の実施例を有す
る三相3点インバータを示す図である。 A・・・相出力端 CL C2・・・分圧器コンデンサ CS1、CS2・・・スイッチオフ負担軽減コンデンサ CSP1、CSP2・・・蓄積コンデンサDi〜D4・
・・フリーホイーリングダイオードD5、D6・・・減
結合ダイオード DIl〜D222・・・配線ダイオードL1、L2・・
・スイッチオン負担軽減リアクトルL3、L4・・・蓄
積インダクタンス R1〜R20・・・放電抵抗 S1、S2・・・スイッチング要素 T1〜T4・・・半導体スイッチング要素TR・・・絶
縁変圧器 U、・・・直流電圧源 IG 1 FIo 4 FIG 6
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)1つのインバータ相が各1つの半導体スイッチング
要素(T1、T2、T3、T4)および1つのフリーホ
ィーリングダイオード(D1、D2、D3、D4)から
成る4つの逆並列回路の1つの直列装置を含んでおり、
第2の逆並列回路と第3の逆並列回路との接続点が相出
力端(A)としての役割をし、相が1つの直流電圧源(
U_D)から給電され、直列装置の端が第1または第2
のスイッチオン負担軽減リアクトル(L1、L2)を介
して直流電圧源(U_D)の正または負の電位と接続さ
れており、また第1の逆並列回路と第2の逆並列回路と
の間または第3の逆並列回路と第4の逆並列回路との間
の接続点が第1または第2の減結合ダイオード(D5、
D6)を介して、直流電圧源(U_D)から給電される
第1の分圧器コンデンサ(C1)と第2の分圧器コンデ
ンサ(C2)との間の接続点(M)に接続されている3
点インバータにおいて、半導体スイッチング要素の負担
軽減のために、特にスイッチオフ過程の間に、第1また
は第4の逆並列回路(T1、D1またはT4、D4)に
第1または第2の配線ダイオードおよび第1または第2
のスイッチオフ負担軽減コンデンサ(D11、CS1ま
たはD21、CS2)から成る第1または第2の直列回
路が並列に接続されており、その際に第1または第2の
直列回路の要素の間の接続点が第3または第4の配線ダ
イオード(D12またはD22)を介して、第1または
第2の蓄積コンデンサおよび第1または第2の直流負荷
(CSP1、R1またはCSP2、R2)から成り第1
または第2の分圧器コンデンサ(C1、C2)に並列に
接続されている第3または第4の直列回路の要素の間の
接続点と接続されていることを特徴とする3点インバー
タ。 2)すべての相がそれぞれの第3または第4の配線ダイ
オード(D121、D221またはD122、D222
・・・)を介して共通に第1または第2の分圧器コンデ
ンサ(C1、C2)に並列に接続されている第3または
第4の直列回路(CSP1、R1またはCSP2、R2
)に接続されていることを特徴とする請求項1記載の多
相の3点インバータ。 3)第1または第2の直流負荷として各1つのオーム抵
抗(R1、R2)が用いられていることを特徴とする請
求項1または2記載の3点インバータ。 4)第1または第2の直流負荷として各1つのエネルギ
ー逆供給装置が第1または第2のスイッチング要素、第
1または第2の蓄積インダクタンス、第1または第2の
結合ダイオード(S1、L3、D13またはS2、L4
、D23)を設けられており、その際にそれぞれのスイ
ッチング要素およびそれに付属の蓄積インダクタンスが
第1または第2の直流負荷の代わりに第1または第2の
蓄積コンデンサと直列に接続されており(CSP1、S
1、L3またはCSP2、S2、L4)、またそれぞれ
のスイッチング要素とそれに付属の蓄積インダクタンス
(S1、L3またはS2、L4)との間の接続点が追加
的に第1または第2の結合ダイオード(D13またはD
23)を介して両分圧力器コンデンサの接続点(M)と
接続されていることを特徴とする請求項1または2記載
の3点インバータ。 5)半導体スイッチング要素の負担軽減のために、特に
スイッチオフ過程の間に、第2または第3の逆並列回路
(T2、D2またはT3、D3)に第1または第2の追
加配線コンデンサおよび第1または第2の追加配線ダイ
オードから成る第5または第6の直列回路が並列に接続
されており(C10、D10またはC20、D20)、
また追加配線コンデンサの放電のための手段が設けられ
ていることを特徴とする請求項1ないし4の1つに記載
の3点インバータ。 6)追加配線コンデンサの放電のための手段として、そ
れぞれ第1または第2の追加配線コンデンサと第1また
は第2の追加配線ダイオード(C10、D10またはC
20、D20)の間の接続点とインバータ相の出力端(
A)との間に接続されている各1つの第3または第4の
直流負荷が設けられていることを特徴とする請求項5記
載の3点インバータ。 7)各1つのオーム抵抗(R10、R20)が第3また
は第4の直流負荷として設けられていることを特徴とす
る請求項6記載の3点インバータ。 8)追加配線コンデンサの放電のための手段として、第
1の追加配線コンデンサと第1の追加配線ダイオード(
C10、D10)との間の接続点と第2の追加配線コン
デンサと第2の追加配線ダイオード(C20、D20)
との間の接続点との間に接続されている第5の直流負荷
が設けられていることを特徴とする請求項5記載の3点
インバータ。 9)1つのオーム抵抗(R12)が第5の直流負荷とし
て設けられていることを特徴とする請求項8記載の3点
インバータ。 10)第5の直流負荷として1つの絶縁変圧器(TR)
を有する別のエネルギー逆供給装置が設けられており、
その一次巻線(W1)がダンピング抵抗(R13)を介
して第1の追加配線コンデンサ(C10)と第1の追加
配線ダイオード(D10)との接続点と、第2の追加配
線コンデンサ(C20)と第2の追加配線ダイオード(
D20)との接続点とに接続されており、またその二次
巻線(W2)が第3の結合ダイオード(D14)を介し
て直流電圧減(U_D)の正および負の電位と接続され
ていることを特徴とする請求項8記載の3点インバータ
。 11)1つのインバータ相が各1つの半導体スイッチン
グ要素(T1、T2、T3、T4)および1つのフリー
ホィーリングダイオード(D1、D2、D3、D4)か
ら成る4つの逆並列回路の1つの直列装置を含んでおり
、第2の逆並列回路と第3の逆並列回路との接続点が相
出力端(A)としての役割をし、相が1つの直流電圧源
(U_D)から給電され、直列装置の端が第1または第
2のスイッチオン負担軽減リアクトル(L1、L2)を
介して直流電圧源(U_D)の正または負の電位と接続
されており、また第1の逆並列回路と第2の逆並列回路
との間または第3の逆並列回路と第4の逆並列回路との
間の接続点が第1または第2の減結合ダイオード(D5
、D6)を介して、直流電圧源(U_D)から給電され
る第1の分圧器コンデンサ(C1)と第2の分圧器コン
デンサ(C2)との間の接続点(M)に接続されている
3点インバータにおいて、半導体スイッチング要素の負
担軽減のために、特にスイッチオフ過程の間に、第1ま
たは第2の減結合ダイオード(D5またはD6)に第1
または第2の配線ダイオードおよび第1または第2のス
イッチオフ負担軽減コンデンサ(D11、CS1または
D21、CS2)から成る第1または第2の直列回路が
並列に接続されており、その際に第1または第2の直列
回路の要素の間の接続点が第3または第4の配線ダイオ
ード(D12またはD22)を介して、第1または第2
の蓄積コンデンサおよび第1または第2の直流負荷(C
SP1、R1またはCSP2、R2)から成り第1また
は第2のスイッチオン負担軽減リアクトルおよび第1ま
たは第2の分圧器コンデンサ(L1、C1またはL2、
C2)から成る直列回路に並列に接続されている第3ま
たは第4の直列回路の要素の間の接続点と接続されてい
ることを特徴とする3点インバータ。 12)すべての相がそれぞれの第3または第4の配線ダ
イオード(D121、D221またはD122、D22
2・・・)を介して共通に第1または第2のスイッチオ
ン負担軽減リアクトル(L1またはL2)と第1または
第2の分圧器コンデンサ(C1またはC2)とから成る
直列回路に並列に接続されている第3または第4の直列
回路(CSP1、R1またはCSP2、R2)に接続さ
れていることを特徴とする請求項11記載の多相の3点
インバータ。 13)第1または第2の直流負荷として各1つのオーム
抵抗(R1、R2)が用いられていることを特徴とする
請求項11または12記載の3点インバータ。 14)第1または第2の直流負荷として各1つのエネル
ギー逆供給装置が第1または第2のスイッチング要素、
第1または第2の蓄積インダクタンス、第1または第2
の結合ダイオード(S1、L3、D13またはS2、L
4、D23)を設けられており、その際にそれぞれのス
イッチング要素およびそれに付属の蓄積インダクタンス
が第1または第2の直流負荷の代わりに第1または第2
の蓄積コンデンサと直列に接続されており(CSP1、
S1、L3またはCSP2、S2、L4)、またそれぞ
れのスイッチング要素とそれに付属の蓄積インダクタン
ス(S1、L3またはS2、L4)との間の接続点が追
加的に第1または第2の結合ダイオード(D13または
D23)を介して直流電圧源(U_D)の正および負電
位と接続されていることを特徴とする請求項11または
12記載の3点インバータ。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19873743437 DE3743437C1 (en) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | Low-loss, three-point invertor which is relieved of switching loads |
| DE3743437.3 | 1987-12-21 | ||
| DE3743436.5 | 1987-12-21 | ||
| DE3743436A DE3743436C1 (de) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | Schaltentlasteter,verlustarmer Dreipunktwechselrichter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01198280A true JPH01198280A (ja) | 1989-08-09 |
Family
ID=25863043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63318369A Pending JPH01198280A (ja) | 1987-12-21 | 1988-12-16 | 3点インバータ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4881159A (ja) |
| EP (1) | EP0321865B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01198280A (ja) |
| CA (1) | CA1296053C (ja) |
| DE (2) | DE3743436C1 (ja) |
| FI (1) | FI884690A7 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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