JPH01199170A - 電流検出器のレンジ切り換え回路 - Google Patents
電流検出器のレンジ切り換え回路Info
- Publication number
- JPH01199170A JPH01199170A JP63024666A JP2466688A JPH01199170A JP H01199170 A JPH01199170 A JP H01199170A JP 63024666 A JP63024666 A JP 63024666A JP 2466688 A JP2466688 A JP 2466688A JP H01199170 A JPH01199170 A JP H01199170A
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- JP
- Japan
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- potential
- switch
- resistor
- amplifier
- mosfet
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- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、電流信号を電圧信号に変換する電流検出器
のレンジ切り換え回路の改良に関するものである。
のレンジ切り換え回路の改良に関するものである。
〈従来技術〉
電流信号を電圧信号に変換する電流検出器において、電
流信号のダイナミックレンジが広い場合は電流検出器の
利得を変えてそのレンジを切り換える必要がある。第５
図に電流源として光強度を電流信号に変換する受光素子
を用いた例を示す。
流信号のダイナミックレンジが広い場合は電流検出器の
利得を変えてそのレンジを切り換える必要がある。第５
図に電流源として光強度を電流信号に変換する受光素子
を用いた例を示す。
第５図において、受光素子１のアノードは共通電位点に
、カソードは増幅器２の反転入力端子に接続される。こ
の受光素子１には測定光Ｐ１が入射される。また増幅器
２の非反転入力端子は共通電位点に接続される。さらに
増幅器２の反転端子と出力端子との間には抵抗３及び抵
抗４とＭＯＳＦＥＴ５の直列回路が並列に接続される。
、カソードは増幅器２の反転入力端子に接続される。こ
の受光素子１には測定光Ｐ１が入射される。また増幅器
２の非反転入力端子は共通電位点に接続される。さらに
増幅器２の反転端子と出力端子との間には抵抗３及び抵
抗４とＭＯＳＦＥＴ５の直列回路が並列に接続される。
ＭＯＳＦＥＴ５のゲートＧにはスイッチ６により一■、
の電圧が選択的に供給され、またゲートＧとソースＳは
抵抗７を介して接続される。抵抗３は高抵抗値が、抵抗
４は低抵抗値が選択される。
の電圧が選択的に供給され、またゲートＧとソースＳは
抵抗７を介して接続される。抵抗３は高抵抗値が、抵抗
４は低抵抗値が選択される。
この様な回路において、増幅器２の出力電圧Ｖは受光素
子１の出力電流Ｉに対して Ｖ＝−Ｉ−Ｒ・・・・・・・・・・・・（１）の関係が
ある。但し、Ｒは増幅器２の反転入力端子と出力端子と
の間に接続される抵抗の抵抗値である。受光素子１に入
射する光の強度が弱いときにはスイッチ６、をオフにす
る０Ｍ０３ＦＥＴ５はオフになり、増幅器２の利得は抵
抗３の抵抗値で決定され、高感度になる。スイッチ６を
オンにするとＦＥ７５のゲートＧには−Ｖｓの電圧が加
わり、オンになる。増幅器２の利得は抵抗４の抵抗値で
決定されるので、低感度になる。このようにしてレンジ
切り換えを行う。
子１の出力電流Ｉに対して Ｖ＝−Ｉ−Ｒ・・・・・・・・・・・・（１）の関係が
ある。但し、Ｒは増幅器２の反転入力端子と出力端子と
の間に接続される抵抗の抵抗値である。受光素子１に入
射する光の強度が弱いときにはスイッチ６、をオフにす
る０Ｍ０３ＦＥＴ５はオフになり、増幅器２の利得は抵
抗３の抵抗値で決定され、高感度になる。スイッチ６を
オンにするとＦＥ７５のゲートＧには−Ｖｓの電圧が加
わり、オンになる。増幅器２の利得は抵抗４の抵抗値で
決定されるので、低感度になる。このようにしてレンジ
切り換えを行う。
〈発明が解決すべき課題〉
しかしながら、この様なレンジ切り換え回路では、特に
高感度のレンジにおいて誤差が大きくなるという欠点が
あった。すなわち、ＭＯＳＦＥＴ５のゲートＧとソース
Ｓには増幅器２の出力の電位が加わり、またドレインＤ
には共通電位点の電位が加わる。その為、ドレインＤと
ソースＳ及びゲート０間には増幅器２の出力の電圧がか
かるためにソース−トレイン間、ゲート−ドレイン間に
リーク電流が流れる。このリーク電流を１、抵抗３の抵
抗値をＲとすると、１・Ｒの誤差が発生し、特に微少電
流が正確に測定できないという欠点があった。
高感度のレンジにおいて誤差が大きくなるという欠点が
あった。すなわち、ＭＯＳＦＥＴ５のゲートＧとソース
Ｓには増幅器２の出力の電位が加わり、またドレインＤ
には共通電位点の電位が加わる。その為、ドレインＤと
ソースＳ及びゲート０間には増幅器２の出力の電圧がか
かるためにソース−トレイン間、ゲート−ドレイン間に
リーク電流が流れる。このリーク電流を１、抵抗３の抵
抗値をＲとすると、１・Ｒの誤差が発生し、特に微少電
流が正確に測定できないという欠点があった。
〈発明の目的〉
この発明の目的は、半導体スイッチが使用でき、かつ微
少電流が正確に測定できる電流検出器のレンジ切り換え
回路を提供することにある。
少電流が正確に測定できる電流検出器のレンジ切り換え
回路を提供することにある。
く課題を解決する為の手段〉
前記問題点を解決するために本発明では、増幅器の入力
と出力の間に少なくとも１つの抵抗とＭＯＳＦＥＴの直
列回路を接続し、このＭＯＳＦＥＴをオンオフして前記
増幅器の利得を変化させる電流検出器のレンジ切り換え
回路において、このＭＯＳＦＥＴがオフのときに、この
ＭＯＳＦＥＴのドレンとゲートとソースの電位を同一に
するようにしたものである。
と出力の間に少なくとも１つの抵抗とＭＯＳＦＥＴの直
列回路を接続し、このＭＯＳＦＥＴをオンオフして前記
増幅器の利得を変化させる電流検出器のレンジ切り換え
回路において、このＭＯＳＦＥＴがオフのときに、この
ＭＯＳＦＥＴのドレンとゲートとソースの電位を同一に
するようにしたものである。
〈実施例〉
第１図に本発明に係る電流検出器のレンジ切り換え回路
の一実施例を示す、この実施例は光強度を測定する受光
回路に応用したものである。なお、第５図と同じ要素に
は同一符号を付し、説明を省略する。第１図において、
抵抗３の抵抗値は１０ＭΩ〜ＩＧΩ、抵抗４の抵抗値は
１にΩ〜ＩＭΩの値を選択する。また、ＭＯＳＦＥＴ５
はＰＭＯ８のエンハンスメント型を使用する。１０はス
イッチであり、その共通接点ＣはＭＯＳＦＥＴ５のゲー
トＧに、接点Ａは−ｖ８の電位に、接点Ｂは共通電位点
に接続される。１１はスイッチであり、その一端は増幅
器２の出力端子に、他端はＭＯＳＦＥＴ５のソースＳに
接続される。１２は抵抗であり、ＭＯＳＦＥＴ５のソー
スと共通電位点の間に接続される。スイッチ１０．１１
は半導体スイッチを用いる。また、増幅器２は電流検出
器として働く。
の一実施例を示す、この実施例は光強度を測定する受光
回路に応用したものである。なお、第５図と同じ要素に
は同一符号を付し、説明を省略する。第１図において、
抵抗３の抵抗値は１０ＭΩ〜ＩＧΩ、抵抗４の抵抗値は
１にΩ〜ＩＭΩの値を選択する。また、ＭＯＳＦＥＴ５
はＰＭＯ８のエンハンスメント型を使用する。１０はス
イッチであり、その共通接点ＣはＭＯＳＦＥＴ５のゲー
トＧに、接点Ａは−ｖ８の電位に、接点Ｂは共通電位点
に接続される。１１はスイッチであり、その一端は増幅
器２の出力端子に、他端はＭＯＳＦＥＴ５のソースＳに
接続される。１２は抵抗であり、ＭＯＳＦＥＴ５のソー
スと共通電位点の間に接続される。スイッチ１０．１１
は半導体スイッチを用いる。また、増幅器２は電流検出
器として働く。
次にこの実施例の動作を説明する。高感度測定の場合は
スイッチ１０を接点Ｂ側にしてＭＯＳＦＥＴ５のゲート
Ｇの電位を共通電位点の電位にし、かつスイッチ１１を
オフにする。その為、ＭＯＳＦＥＴ５のソースＳは増幅
器２の出力と切り離され、抵抗１２を介して共通電位点
に接続されるので、その電位は共通電位点の電位になる
。ＰＭＯＳエンハンスメント型ＦＥＴは第２図に示した
特性を有するので、ＭＯＳＦＥＴ５はオフになり電流検
出器の利得は抵抗３の抵抗値で決定される。
スイッチ１０を接点Ｂ側にしてＭＯＳＦＥＴ５のゲート
Ｇの電位を共通電位点の電位にし、かつスイッチ１１を
オフにする。その為、ＭＯＳＦＥＴ５のソースＳは増幅
器２の出力と切り離され、抵抗１２を介して共通電位点
に接続されるので、その電位は共通電位点の電位になる
。ＰＭＯＳエンハンスメント型ＦＥＴは第２図に示した
特性を有するので、ＭＯＳＦＥＴ５はオフになり電流検
出器の利得は抵抗３の抵抗値で決定される。
またドレインＤは抵抗４を介して増幅器２の非反転入力
端子に接続されるので、その電位は共通電位点の電位に
等しくなる。すなわち、ＭＯ８ＰＦ。
端子に接続されるので、その電位は共通電位点の電位に
等しくなる。すなわち、ＭＯ８ＰＦ。
Ｔ５のドレインＤ、ゲートＧ、ソースＳは同電位になり
、従ってリーク電流は発生しない、また、増幅器２にオ
フセット電圧Ｖ。、があるとゲートＧからドレインＤヘ
リーク電流１ 、及びソースＳからドレインＤヘリーク
電流１．が流れるが、この値はＭＯＳＦＥＴ５のゲート
−ドレイン間抵抗をＲ、ソース−ドレイン間抵抗をＲＯ
８とすると、ｌ 中ｖ ＯＦ ／ Ｒ。
、従ってリーク電流は発生しない、また、増幅器２にオ
フセット電圧Ｖ。、があるとゲートＧからドレインＤヘ
リーク電流１ 、及びソースＳからドレインＤヘリーク
電流１．が流れるが、この値はＭＯＳＦＥＴ５のゲート
−ドレイン間抵抗をＲ、ソース−ドレイン間抵抗をＲＯ
８とすると、ｌ 中ｖ ＯＦ ／ Ｒ。
ＩＳ：ｖｏＥ／Ｒ５
になる。しかしながら、”ＯＦは数十μＶ、Ｒｇ、ＲＳ
は数十〜数百ＧΩなので、この影響は無視できる。スイ
ッチ１０．１１はリーク電流が問題にならないので、半
導体スイッチを使用する事が出来る。低感度を選択する
ときはスイッチ１０を接点Ａ側にし、スイッチ１１をオ
ンにする。ＭＯＳＦＥＴ５はオンになり、電流検出器の
利得は抵抗４の抵抗値で決定される。この抵抗値は小さ
いので、リーク電流の影響は無視できる。
は数十〜数百ＧΩなので、この影響は無視できる。スイ
ッチ１０．１１はリーク電流が問題にならないので、半
導体スイッチを使用する事が出来る。低感度を選択する
ときはスイッチ１０を接点Ａ側にし、スイッチ１１をオ
ンにする。ＭＯＳＦＥＴ５はオンになり、電流検出器の
利得は抵抗４の抵抗値で決定される。この抵抗値は小さ
いので、リーク電流の影響は無視できる。
第３図に本発明の他の実施例を示す、なお、第１図と同
じ要素には同一符号を付し、説明を省略する。この実施
例は、ＭＯＳＦＥＴ５のソースＳを抵抗１２を介さない
で直接共通電位点に接続するようにしたものである。第
３図において、１３はスイッチであり、その共通接点Ｃ
はＭＯ８ＦＦ。
じ要素には同一符号を付し、説明を省略する。この実施
例は、ＭＯＳＦＥＴ５のソースＳを抵抗１２を介さない
で直接共通電位点に接続するようにしたものである。第
３図において、１３はスイッチであり、その共通接点Ｃ
はＭＯ８ＦＦ。
Ｔ５のソースＳに、接点Ａは増幅器２の出力端子に、接
点Ｂは共通電位点に接続される。高感度のレンジを選択
する時はスイッチ１３を接点Ｂ側にし、低感度を選択す
る時は接点Ａ側にする。動作は第１図と同じなので、説
明を省略する。
点Ｂは共通電位点に接続される。高感度のレンジを選択
する時はスイッチ１３を接点Ｂ側にし、低感度を選択す
る時は接点Ａ側にする。動作は第１図と同じなので、説
明を省略する。
第４図にさらに他の実施例を示す、この実施例はレンジ
を３段とし、かつ増幅器２にオフセット調整、温度ドリ
フト調整を行ったものである。なお、第１図と同じ要素
には同一符号を付し、説明を省略する。第４図において
、１４は可変抵抗であり、増幅器２のオフセット調整端
子に接続されてこの増幅器の温度ドリフトが最小になる
ように調整される。１５は可変電源であり、その出力が
増幅器２の非反転入力端子に接続され、増幅器２のオフ
セットがゼロになるように調整される。１６．１７は抵
抗であり、その一端は増幅器２の反転入力端子に接続さ
れ、他端はＭＯＳＦＥＴ１８．１９のドレインＤに接続
される。このＭＯＳＦＥＴ１８．１９のゲートＧはそれ
ぞれ抵抗２０．２１を介して共通電位点に接続され、ま
たスイッチ２２．２３の一端に接続される。スイッチ２
２．２３の他端には−Ｖ、の電圧が印加される０Ｍ０３
ＦＢＴ１８．１９のソースＳはそれぞれスイッチ２４．
２５の一端、及び抵抗２６．２７の一端に接続される。
を３段とし、かつ増幅器２にオフセット調整、温度ドリ
フト調整を行ったものである。なお、第１図と同じ要素
には同一符号を付し、説明を省略する。第４図において
、１４は可変抵抗であり、増幅器２のオフセット調整端
子に接続されてこの増幅器の温度ドリフトが最小になる
ように調整される。１５は可変電源であり、その出力が
増幅器２の非反転入力端子に接続され、増幅器２のオフ
セットがゼロになるように調整される。１６．１７は抵
抗であり、その一端は増幅器２の反転入力端子に接続さ
れ、他端はＭＯＳＦＥＴ１８．１９のドレインＤに接続
される。このＭＯＳＦＥＴ１８．１９のゲートＧはそれ
ぞれ抵抗２０．２１を介して共通電位点に接続され、ま
たスイッチ２２．２３の一端に接続される。スイッチ２
２．２３の他端には−Ｖ、の電圧が印加される０Ｍ０３
ＦＢＴ１８．１９のソースＳはそれぞれスイッチ２４．
２５の一端、及び抵抗２６．２７の一端に接続される。
スイッチ２４．２５の他端は増幅器２の出力端子に、抵
抗２６．２７の他端は共通電位点に接続される。２８は
ＭＯＳＦＥＴであり、そのドレインＤは抵抗１７とＭＯ
ＳＦＥＴ１９のドレインＤの接続点に、ゲートＧはＭＯ
ＳＦＥＴ１９のゲートＧに、ソースＳはスイッチ３０の
一端及び抵抗２９を介して共通電位点に接続される。
抗２６．２７の他端は共通電位点に接続される。２８は
ＭＯＳＦＥＴであり、そのドレインＤは抵抗１７とＭＯ
ＳＦＥＴ１９のドレインＤの接続点に、ゲートＧはＭＯ
ＳＦＥＴ１９のゲートＧに、ソースＳはスイッチ３０の
一端及び抵抗２９を介して共通電位点に接続される。
３１はスイッチであり、その一端は増幅器２の出力端子
に接続される。スイッチ３０と３１の他端は共通接続さ
れ、この回路の出力となる。抵抗１６と１７は抵抗４に
、ＭＯＳＦＥＴ１８と１９はＭＯＳＦＥＴ５に、スイッ
チ２４と２５はスイッチ１１に、抵抗２６と２７は抵抗
１２に、スイッチ２２と２３はスイッチ１０に対応する
。また、スイッチ２２〜２５．３０．３１は半導体スイ
ッチを用いる。
に接続される。スイッチ３０と３１の他端は共通接続さ
れ、この回路の出力となる。抵抗１６と１７は抵抗４に
、ＭＯＳＦＥＴ１８と１９はＭＯＳＦＥＴ５に、スイッ
チ２４と２５はスイッチ１１に、抵抗２６と２７は抵抗
１２に、スイッチ２２と２３はスイッチ１０に対応する
。また、スイッチ２２〜２５．３０．３１は半導体スイ
ッチを用いる。
次に、この実施例の動作を説明する。高感度レンジを選
択する時はスイッチ２２〜２５及び３０をオフにし、ス
イッチ３１をオンにする。このときの動作は第１図と同
じである。中感度レンジを選択するにはスイッチ２２．
２４．３１をオン、２３．２５．３０をオフにする。こ
の時はＭＯＳＦＥＴ１８がオンし、レンジ切り換え回路
の利得は抵抗１６の抵抗値により決定される。低感度レ
ンジを選択するときはスイッチ２３．２５．３０をオン
、２２．２４．３１をオフにする。この場合はＭＯＳＦ
ＥＴ１９．２８がオンし、レンジ切り換え回路の利得は
抵抗１７の抵抗値で決定される。また、抵抗１７の抵抗
値は通常率さいのでＭＯＳＦＥＴ１９のオン抵抗を無視
できない場合がある。この場合はこの実施例のようにＭ
ＯＳＦＥＴ２８、スイッチ３０により抵抗１７の両端電
圧を取り出してオン抵抗による誤差を防止するようにす
る。スイッチ２２〜２５．３０．３１はそのリーク電流
が問題にならないので、半導体スイッチを使用すること
が出来る。
択する時はスイッチ２２〜２５及び３０をオフにし、ス
イッチ３１をオンにする。このときの動作は第１図と同
じである。中感度レンジを選択するにはスイッチ２２．
２４．３１をオン、２３．２５．３０をオフにする。こ
の時はＭＯＳＦＥＴ１８がオンし、レンジ切り換え回路
の利得は抵抗１６の抵抗値により決定される。低感度レ
ンジを選択するときはスイッチ２３．２５．３０をオン
、２２．２４．３１をオフにする。この場合はＭＯＳＦ
ＥＴ１９．２８がオンし、レンジ切り換え回路の利得は
抵抗１７の抵抗値で決定される。また、抵抗１７の抵抗
値は通常率さいのでＭＯＳＦＥＴ１９のオン抵抗を無視
できない場合がある。この場合はこの実施例のようにＭ
ＯＳＦＥＴ２８、スイッチ３０により抵抗１７の両端電
圧を取り出してオン抵抗による誤差を防止するようにす
る。スイッチ２２〜２５．３０．３１はそのリーク電流
が問題にならないので、半導体スイッチを使用すること
が出来る。
なお、ＭＯＳＦＥＴ５．１８．１９．２８はＰＭＯＳエ
ンハンスメント型でなくてもよく、他のＭＯＳＦＥＴで
もよい。
ンハンスメント型でなくてもよく、他のＭＯＳＦＥＴで
もよい。
〈発明の効果〉
以上実施例に基づいて具体的に説明したように、この発
明ではＰＥＴがオフのときにそのドレイン、ゲート、ソ
ースの電位が同じになるようにした。
明ではＰＥＴがオフのときにそのドレイン、ゲート、ソ
ースの電位が同じになるようにした。
その為、ＭＯＳＦＥＴがオフの時のリーク電流を無視で
きる程度に小さくすることが出来るので、微少電流を正
確に測定することが出来るという効果がある。
きる程度に小さくすることが出来るので、微少電流を正
確に測定することが出来るという効果がある。
また、従来では微少電流を測定する回路ではＭＯＳＦＥ
Ｔの代わりにリードリレーを使用していたが、本発明に
よると半導体スイッチを使用できるので小型化が可能で
あり、かつ信頼性を高くする事が出来るという効果もあ
る。
Ｔの代わりにリードリレーを使用していたが、本発明に
よると半導体スイッチを使用できるので小型化が可能で
あり、かつ信頼性を高くする事が出来るという効果もあ
る。
第１図は本発明に係る電流検出器のレンジ切り換え回路
の一実施例を示す構成図、第２図はＭＯＳＦＥＴの特性
を示す特性曲線図、第３図、第４図は本発明の他の実施
例を示す構成図、第５図は従来のレンジ切り換え回路の
構成図である。 ２・・・増幅器、３，４，１２．１６．１７，２６゜２
７・・・抵抗、５．１８．１９．２８・・・ＭＯＳＦＥ
Ｔ、１０，１１．１３．２２〜２５，３０．３１・・・
スイッチ。 り・′ １ リ１ ””；ｌ ｆ；Ｎ
の一実施例を示す構成図、第２図はＭＯＳＦＥＴの特性
を示す特性曲線図、第３図、第４図は本発明の他の実施
例を示す構成図、第５図は従来のレンジ切り換え回路の
構成図である。 ２・・・増幅器、３，４，１２．１６．１７，２６゜２
７・・・抵抗、５．１８．１９．２８・・・ＭＯＳＦＥ
Ｔ、１０，１１．１３．２２〜２５，３０．３１・・・
スイッチ。 り・′ １ リ１ ””；ｌ ｆ；Ｎ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 検出する電流が入力される増幅器と、この増幅器の入力
と出力の間に接続された少なくとも１つの抵抗とＭＯＳ
ＦＥＴの直列回路を有し、このＭＯＳＦＥＴをオンオフ
して前記増幅器の利得を変化させる電流検出器のレンジ
切り換え回路において、 前記ＭＯＳＦＥＴがオフのときに、このＭＯＳＦＥＴの
ドレンとゲートとソースの電位を同一にするようにした
事を特徴とする電流検出器のレンジ切り換え回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63024666A JPH0769352B2 (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 電流検出器のレンジ切り換え回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63024666A JPH0769352B2 (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 電流検出器のレンジ切り換え回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01199170A true JPH01199170A (ja) | 1989-08-10 |
| JPH0769352B2 JPH0769352B2 (ja) | 1995-07-26 |
Family
ID=12144464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63024666A Expired - Fee Related JPH0769352B2 (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 電流検出器のレンジ切り換え回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0769352B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7479999B2 (en) | 2002-03-26 | 2009-01-20 | National Institute Of Information And Communications Technology | Photodetection device and method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5058770U (ja) * | 1973-09-27 | 1975-05-31 | ||
| JPS5554448A (en) * | 1978-06-23 | 1980-04-21 | Minolta Camera Co Ltd | Setter for measurement range of measuring instrument |
-
1988
- 1988-02-04 JP JP63024666A patent/JPH0769352B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5058770U (ja) * | 1973-09-27 | 1975-05-31 | ||
| JPS5554448A (en) * | 1978-06-23 | 1980-04-21 | Minolta Camera Co Ltd | Setter for measurement range of measuring instrument |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7479999B2 (en) | 2002-03-26 | 2009-01-20 | National Institute Of Information And Communications Technology | Photodetection device and method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0769352B2 (ja) | 1995-07-26 |
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