JPH01200678A - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードInfo
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- JPH01200678A JPH01200678A JP63024631A JP2463188A JPH01200678A JP H01200678 A JPH01200678 A JP H01200678A JP 63024631 A JP63024631 A JP 63024631A JP 2463188 A JP2463188 A JP 2463188A JP H01200678 A JPH01200678 A JP H01200678A
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- Japan
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- light
- emitting diode
- light emitting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は面発光型の発光ダイオードに係り、特に、その
光出力を向上させる技術に関するものである。
光出力を向上させる技術に関するものである。
従来技術
光通信や表示器などに発光ダイオードが多用されている
。かかる発光ダイオードは一般に、半導体基板の上に液
相エピタキシー（ＬＰＥ；Ｌｉｑｕｉｄ Ｐｈａｓｅ
Ｅｐｉｔａｘｙ）法などのエピタキシャル成長法により
ｐｎ接合を形成したダイオードを用いて作製される。ま
た、このような発光ダイオードの一種に、活性層内で発
生した光をその活性層と略平行に形成された光取出し面
から取り出す面発光型のものがある。
。かかる発光ダイオードは一般に、半導体基板の上に液
相エピタキシー（ＬＰＥ；Ｌｉｑｕｉｄ Ｐｈａｓｅ
Ｅｐｉｔａｘｙ）法などのエピタキシャル成長法により
ｐｎ接合を形成したダイオードを用いて作製される。ま
た、このような発光ダイオードの一種に、活性層内で発
生した光をその活性層と略平行に形成された光取出し面
から取り出す面発光型のものがある。
第５図に示されている発光ダイオード１０は、ダブルへ
テロ構造の面発光型発光ダイオードの一例であり、ｐ−
ＧａＡｓ基板１２上にはｐ−Ａｎ！＊、 ｓｓＧ ａ
ｏ、 ｉｓＡ ＳクラッドＩＪ１４． ｐ−ＧａＡｓ
活性層１６．ｎ−ＡＺｏ、ｚｓＧａｏ、６３ＡＳクラッ
ド層１８．およびｎ”−ＧａＡｓコンタクト層２０が、
各々２μｍ、 ０．５μｍ、 ２ｔｔｍ＋ ０．１ｔｔ
ｍの膜厚で設けられている。ぞして、上記基板１２には
Ａｕ−Ｚｎのｐ型オーミック電極２２が設けられる一方
、コンタクトＮ２０にはＡｕ−Ｇｅのｎ型オーミック電
極２４が設けられ、それ等の電極２２．２４間に順方向
電流が通電されることにより、活性層１６内において光
が発生させられ、その光が活性層１６と略平行なコンタ
クト層２０の表面すなわち光取出し面２６から取り出さ
れる。なお、かかる発光ダイオード１０の発光波長λは
８７００人である。
テロ構造の面発光型発光ダイオードの一例であり、ｐ−
ＧａＡｓ基板１２上にはｐ−Ａｎ！＊、 ｓｓＧ ａ
ｏ、 ｉｓＡ ＳクラッドＩＪ１４． ｐ−ＧａＡｓ
活性層１６．ｎ−ＡＺｏ、ｚｓＧａｏ、６３ＡＳクラッ
ド層１８．およびｎ”−ＧａＡｓコンタクト層２０が、
各々２μｍ、 ０．５μｍ、 ２ｔｔｍ＋ ０．１ｔｔ
ｍの膜厚で設けられている。ぞして、上記基板１２には
Ａｕ−Ｚｎのｐ型オーミック電極２２が設けられる一方
、コンタクトＮ２０にはＡｕ−Ｇｅのｎ型オーミック電
極２４が設けられ、それ等の電極２２．２４間に順方向
電流が通電されることにより、活性層１６内において光
が発生させられ、その光が活性層１６と略平行なコンタ
クト層２０の表面すなわち光取出し面２６から取り出さ
れる。なお、かかる発光ダイオード１０の発光波長λは
８７００人である。
発明が解決しようとする課題
ところで、このような面発光型の発光ダイオードにおい
ては、その半導体結晶の屈折率が一般に空気よりも大き
いため、上記活性層内で発生した光が光取出し面から大
気に発射される際に大部分が半導体内に反射され、基板
等により吸収されて光取出し効率、更には発光効率が低
下し、光出力が弱くなるという問題があった。
ては、その半導体結晶の屈折率が一般に空気よりも大き
いため、上記活性層内で発生した光が光取出し面から大
気に発射される際に大部分が半導体内に反射され、基板
等により吸収されて光取出し効率、更には発光効率が低
下し、光出力が弱くなるという問題があった。
例えば、上側の発光ダイオード１０においては、バンド
ギャップが小さいｐ−ＧａＡｓ基板１２で殆どの光が吸
収され、光取出し効率が著しく低下してしまうのである
。このため、例えば第６図に示されているように、発光
波長λに対して吸収が少ないバンドギャップの大きな透
明基板、この場合には例えばＡＪｏ、＋ Ｇａｏ、ｑ
Ａｓ基板２８を用クラッド１）８．およびコンタクト層
２０を形成する一方、基板２８の裏面には金メツキを施
したコバール等の金属ステム３０を設けて、基板２８を
透過して来た光を反射するようにした発光ダイオード３
２が考えられている。
ギャップが小さいｐ−ＧａＡｓ基板１２で殆どの光が吸
収され、光取出し効率が著しく低下してしまうのである
。このため、例えば第６図に示されているように、発光
波長λに対して吸収が少ないバンドギャップの大きな透
明基板、この場合には例えばＡＪｏ、＋ Ｇａｏ、ｑ
Ａｓ基板２８を用クラッド１）８．およびコンタクト層
２０を形成する一方、基板２８の裏面には金メツキを施
したコバール等の金属ステム３０を設けて、基板２８を
透過して来た光を反射するようにした発光ダイオード３
２が考えられている。
しかし、この場合には、前記ｐ−Ｇａ Ａｓ基板１２の
上に２００．ｎ程度のＡｇｏ、、Ｇａｓ、、Ａｓをエピ
タキシャル成長させて上記ＡＩ。、、Ｇａ、。
上に２００．ｎ程度のＡｇｏ、、Ｇａｓ、、Ａｓをエピ
タキシャル成長させて上記ＡＩ。、、Ｇａ、。
、Ａ３基板２８を形成した後、そのｐ−ＧａＡｓ基板１
２を研摩やエツチング等によって除去しなければならな
いとともに、金属ステム３０を鏡面仕上げしなければな
らないなど、その製造が面倒であった。引上げ法などで
良質のＡｊｌ！ＧａＡｓのバルクの単結晶を作製するこ
とは現在のところ技術的に不可能であるため、製造工程
は上記方法に依らざるを得ず、製造コストが大幅に高く
なってしまうのである。
２を研摩やエツチング等によって除去しなければならな
いとともに、金属ステム３０を鏡面仕上げしなければな
らないなど、その製造が面倒であった。引上げ法などで
良質のＡｊｌ！ＧａＡｓのバルクの単結晶を作製するこ
とは現在のところ技術的に不可能であるため、製造工程
は上記方法に依らざるを得ず、製造コストが大幅に高く
なってしまうのである。
本発明は以上の事情を背景として為されたもので、その
目的とするところは、製造が容易でしかも優れた光出力
が得られる発光ダイオードを提供することにある。
目的とするところは、製造が容易でしかも優れた光出力
が得られる発光ダイオードを提供することにある。
課題を解決するための手段
かかる目的を達成するため、本発明は、活性層内で発生
した光をその活性層と略平行に形成された光取出し面か
ら取り出す面発光型の発光ダイオードにおいて、前記活
性層を挟んで前記光取出し面と反対側に、光波干渉によ
って前記光を反射する光反射層を設けたことを特徴とす
る。
した光をその活性層と略平行に形成された光取出し面か
ら取り出す面発光型の発光ダイオードにおいて、前記活
性層を挟んで前記光取出し面と反対側に、光波干渉によ
って前記光を反射する光反射層を設けたことを特徴とす
る。
なお、上記活性層がＧａＡｓである場合には、基板との
格子定数の差が小さいことから前記光反射層としてＧａ
Ａｓ／ＡＪ！Ａｓ超格子層を設けることが望ましい。
格子定数の差が小さいことから前記光反射層としてＧａ
Ａｓ／ＡＪ！Ａｓ超格子層を設けることが望ましい。
作用および発明の効果
このような発光ダイオードにおいては、光取出し面で反
射された光が光反射層において光波干渉により再び反射
され、光取出し面から取り出される。このため、光取出
し面で反射された光が基板等によって吸収されてしまっ
た従来の発光ダイオードに比較して光取出し効率が向上
し、外部発光効率、更には光出力が増大せしめられる。
射された光が光反射層において光波干渉により再び反射
され、光取出し面から取り出される。このため、光取出
し面で反射された光が基板等によって吸収されてしまっ
た従来の発光ダイオードに比較して光取出し効率が向上
し、外部発光効率、更には光出力が増大せしめられる。
また、本発明では光波干渉によって光を反射する光反射
層を設けるだけで良いため、透明基板を用いたり金属ス
テムを設けたりする場合に比較してその製造が容易とな
り、優れた光出力の発光ダイオードが安価に提供され得
るようになる。なお、この光反射層は、ブラッグの法則
に従って、反射光が光波干渉により互いに強め合うよう
に形成される。
層を設けるだけで良いため、透明基板を用いたり金属ス
テムを設けたりする場合に比較してその製造が容易とな
り、優れた光出力の発光ダイオードが安価に提供され得
るようになる。なお、この光反射層は、ブラッグの法則
に従って、反射光が光波干渉により互いに強め合うよう
に形成される。
一方、活性層がＧａＡｓ半導体の発光ダイオードに、上
記光反射層としてＱ ａ Ａ ｓ ／ Ａ Ｉ Ａ ｓ
超格子層を設ける場合には、ＧａＡｓとＡｊ！Ａｓの格
子定数が略等しいため格子不整合を生じ難く、良質の発
光ダイオードが得られる。
記光反射層としてＱ ａ Ａ ｓ ／ Ａ Ｉ Ａ ｓ
超格子層を設ける場合には、ＧａＡｓとＡｊ！Ａｓの格
子定数が略等しいため格子不整合を生じ難く、良質の発
光ダイオードが得られる。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて詳細に説明す
る。なお、以下の実施例において前記従来例と共通する
部分には同一の符号を付して詳しい説明を省略する。
る。なお、以下の実施例において前記従来例と共通する
部分には同一の符号を付して詳しい説明を省略する。
第１図の発光ダイオード４０は、前記発光ダイオード１
０におけるｐ−ＧａＡｓ基板１２とｐ−Ａ １！ ６．
３５Ｇ ａ ｏ、 ｂｓＡ Ｓクラッド層１４との間に
光反射層４２を介在させたものである。この光反射層４
２は光波干渉によって光を反射するもので、第２図に拡
大して示されているように、膜厚が６６０人のｐ−Ｇａ
Ａｓ層４４と膜厚が８８０人のｐ−ＡＩ！Ａｓ層４６と
を交互に積層したＧａＡｓ層 Ａ Ｉ Ａ ｓ超格子層
にて構成されている。ｐ−ｃａＡｓ層４４層上４ｐ−Ａ
ｊ２Ａｓ層４６の層厚６、それ等の界面において反射す
る反射光が互いに強め合うように、発光波長λに基づい
て実験的に設定したものである。なお、この実施例では
ｐ−ｃａＡｓ層４４層上４ｐ−Ａ／Ａｓ層４６は４０周
期積層されている。・ かかる発光ダイオード４０においては、光取出し面２６
で反射された光が光反射層４２において光波干渉により
再び反射され、光取出し面２６から取り出されるため、
その外部発光効率、更には光出力が向上させられる。因
に、本実施例の発光ダイオード４０（本発明品）および
前記発光ダイオード１０（従来品）を用いて、発光波長
８７００人付近における光出力特性、および通電電流に
対する光出力特性を調べたところ、それぞれ第３図およ
び第４図に示す結果が得られた。これ等の図において実
線は発光ダイオード４０の結果で一点鎖線は発光ダイオ
ード１０の結果であるが、かかる結果から明らかなよう
に、本実施例の発光ダイオード４０はその光出力が従来
品に比較して約５０％向上している。また、波長に対し
て光出力特性は急峻に変化している。
０におけるｐ−ＧａＡｓ基板１２とｐ−Ａ １！ ６．
３５Ｇ ａ ｏ、 ｂｓＡ Ｓクラッド層１４との間に
光反射層４２を介在させたものである。この光反射層４
２は光波干渉によって光を反射するもので、第２図に拡
大して示されているように、膜厚が６６０人のｐ−Ｇａ
Ａｓ層４４と膜厚が８８０人のｐ−ＡＩ！Ａｓ層４６と
を交互に積層したＧａＡｓ層 Ａ Ｉ Ａ ｓ超格子層
にて構成されている。ｐ−ｃａＡｓ層４４層上４ｐ−Ａ
ｊ２Ａｓ層４６の層厚６、それ等の界面において反射す
る反射光が互いに強め合うように、発光波長λに基づい
て実験的に設定したものである。なお、この実施例では
ｐ−ｃａＡｓ層４４層上４ｐ−Ａ／Ａｓ層４６は４０周
期積層されている。・ かかる発光ダイオード４０においては、光取出し面２６
で反射された光が光反射層４２において光波干渉により
再び反射され、光取出し面２６から取り出されるため、
その外部発光効率、更には光出力が向上させられる。因
に、本実施例の発光ダイオード４０（本発明品）および
前記発光ダイオード１０（従来品）を用いて、発光波長
８７００人付近における光出力特性、および通電電流に
対する光出力特性を調べたところ、それぞれ第３図およ
び第４図に示す結果が得られた。これ等の図において実
線は発光ダイオード４０の結果で一点鎖線は発光ダイオ
ード１０の結果であるが、かかる結果から明らかなよう
に、本実施例の発光ダイオード４０はその光出力が従来
品に比較して約５０％向上している。また、波長に対し
て光出力特性は急峻に変化している。
一方、かかる本実施例の発光ダイオード４０の製造に際
しては、チャンバ内に基板１２を入れたままで基板１２
上に光反射層４２を形成した後クラツド１ｉ１４．活性
層１６．クラッド層１８．およびコンタクト層２０を順
次エピタキシャル成長させれば良いため、その製造が容
易で発光ダイオード４０が安価となる。この発光ダイオ
ード４０の製造手段としては、例えば有機金属化学気相
成長（ＭＯＣＶＤ；Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法
や分子線エピタキシー（ＭＢＥ；Ｍｏ１ｅｃｕｌｅｒ
Ｂｅａｍ ｔ！ｐｉｔａｘｙ）法、或いは気相エピタキ
シー（ＶＰＥ；Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘ
ｙ）法等が好適に用いられ、中でも有機金属化学気相成
長法は精密で且つ均一な薄膜を容易に形成できるため、
良質なＱａＡｓ／ＡβＡｓ超格子層を形成する上で特に
望ましい。
しては、チャンバ内に基板１２を入れたままで基板１２
上に光反射層４２を形成した後クラツド１ｉ１４．活性
層１６．クラッド層１８．およびコンタクト層２０を順
次エピタキシャル成長させれば良いため、その製造が容
易で発光ダイオード４０が安価となる。この発光ダイオ
ード４０の製造手段としては、例えば有機金属化学気相
成長（ＭＯＣＶＤ；Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法
や分子線エピタキシー（ＭＢＥ；Ｍｏ１ｅｃｕｌｅｒ
Ｂｅａｍ ｔ！ｐｉｔａｘｙ）法、或いは気相エピタキ
シー（ＶＰＥ；Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘ
ｙ）法等が好適に用いられ、中でも有機金属化学気相成
長法は精密で且つ均一な薄膜を容易に形成できるため、
良質なＱａＡｓ／ＡβＡｓ超格子層を形成する上で特に
望ましい。
前記光出力特性を調べる実験で用いられた発光ダイオー
ド１０および４０は、何れもこの有機金属化学気相成長
法で製造したものである。
ド１０および４０は、何れもこの有機金属化学気相成長
法で製造したものである。
また、上記光反射層４２はＧ ａ Ａ ｓ ／ Ａ Ｉ
Ａ ｓ超格子層にて構成されているため、ｐ−ＧａＡ
ｓ基板１２やｐＡ ｌ Ｏ，３ＳＧ ａ ６． ｂ５Ａ
３クラッド層１４との間で格子不整合を生じることが
なく、良質の発光ダイオード４０が得られる。
Ａ ｓ超格子層にて構成されているため、ｐ−ＧａＡ
ｓ基板１２やｐＡ ｌ Ｏ，３ＳＧ ａ ６． ｂ５Ａ
３クラッド層１４との間で格子不整合を生じることが
なく、良質の発光ダイオード４０が得られる。
以上、本発明の一実施例を図面に基づいて詳細に説明し
たが、本発明は他の態様で実施することもできる。
たが、本発明は他の態様で実施することもできる。
例えば、前記実施例の発光ダイオード４０はＧａＡ Ｓ
／ Ａ ｊ！ Ｇ ａ Ａ Ｓダブルへテロ構造を成
しているが、ＱａＰ、１ｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰなど他の
化合物半導体から成る発光ダイオードや単一ヘテロ構造
の発光ダイオードにも本発明は同様に適用され得る。
／ Ａ ｊ！ Ｇ ａ Ａ Ｓダブルへテロ構造を成
しているが、ＱａＰ、１ｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰなど他の
化合物半導体から成る発光ダイオードや単一ヘテロ構造
の発光ダイオードにも本発明は同様に適用され得る。
また、前記実施例では光反射層４２としてＧａＡ ｓ
／ Ａ Ｉ Ａ ｓ超格子層が設けられているが、屈折
率などを考慮して他の半導体から成る光反射層を用いる
ことも可能である。
／ Ａ Ｉ Ａ ｓ超格子層が設けられているが、屈折
率などを考慮して他の半導体から成る光反射層を用いる
ことも可能である。
また、前記実施例におけるｐ−ＧａＡｓ層４４およびｐ
−ＡｌＡｓｌＡｓ層膜６は、あくまでも実験的に設定し
たもので必ずしも最良のものではなく、適宜変更するこ
とができる。その積層数についても適宜変更できること
は勿論であり、１層ずつ設けるだけでも光出力向上の効
果は得られる。
−ＡｌＡｓｌＡｓ層膜６は、あくまでも実験的に設定し
たもので必ずしも最良のものではなく、適宜変更するこ
とができる。その積層数についても適宜変更できること
は勿論であり、１層ずつ設けるだけでも光出力向上の効
果は得られる。
また、前記実施例の発光ダイオード４０は基板１２上に
光反射層４・２が設けられているが、クラッド層１８上
に光反射層を設けるとともに基板１２を研摩やエラ升ン
グ等によって除去し、第１図（ごおけるクラッド層１４
の下側の面から光を取り出すようにすることも可能であ
る。
光反射層４・２が設けられているが、クラッド層１８上
に光反射層を設けるとともに基板１２を研摩やエラ升ン
グ等によって除去し、第１図（ごおけるクラッド層１４
の下側の面から光を取り出すようにすることも可能であ
る。
その他−々例示はしないが、本発明は当業者の知識に基
づいて種々の変更、改良を加えた態様で実施することが
できる。
づいて種々の変更、改良を加えた態様で実施することが
できる。
第１図は本発明の一実施例である発光ダイオードの構造
図である。第２図は第１図の発光ダイオードの光反射層
を拡大して示す図である。第３図は第１図の発光ダイオ
ードの波長に対する光出力特性を従来の発光ダイオード
との比較において示す図である。第４図は第１図の発光
ダイオードの通電電流に対する光出力特性を従来の発光
ダイオードとの比較において示す図である。第５図およ
び第６図はそれぞれ従来の発光ダイオードの一例を説明
する構造図である。 １６：ｐ−ＧａＡｓ−活性層 ２６：光取出し面 ４０：発光ダイオード４２：光
反射層
図である。第２図は第１図の発光ダイオードの光反射層
を拡大して示す図である。第３図は第１図の発光ダイオ
ードの波長に対する光出力特性を従来の発光ダイオード
との比較において示す図である。第４図は第１図の発光
ダイオードの通電電流に対する光出力特性を従来の発光
ダイオードとの比較において示す図である。第５図およ
び第６図はそれぞれ従来の発光ダイオードの一例を説明
する構造図である。 １６：ｐ−ＧａＡｓ−活性層 ２６：光取出し面 ４０：発光ダイオード４２：光
反射層
Claims (2)
- （１）活性層内で発生した光を該活性層と略平行に形成
された光取出し面から取り出す面発光型の発光ダイオー
ドにおいて、 前記活性層を挟んで前記光取出し面と反対側に、光波干
渉によって前記光を反射する光反射層を設けたことを特
徴とする発光ダイオード。 - （２）前記活性層はＧａＡｓであり、前記光反射層はＧ
ａＡｓ／ＡｌＡｓ超格子層である請求項１に記載の発光
ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63024631A JPH01200678A (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63024631A JPH01200678A (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01200678A true JPH01200678A (ja) | 1989-08-11 |
Family
ID=12143482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63024631A Pending JPH01200678A (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01200678A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03108778A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-08 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード |
| JPH03163883A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-15 | Daido Steel Co Ltd | 光反射層を備えた発光ダイオード |
| US5132750A (en) * | 1989-11-22 | 1992-07-21 | Daido Tokushuko Kabushiki Kaisha | Light-emitting diode having light reflecting layer |
| US5406095A (en) * | 1992-08-27 | 1995-04-11 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Light emitting diode array and production method of the light emitting diode |
| EP0724300A3 (en) * | 1990-11-02 | 1996-12-27 | Norikatsu Yamauchi | Semiconductor device having a reflective layer |
| US9147817B2 (en) | 2013-09-17 | 2015-09-29 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting element, light source head, and image forming apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6098689A (ja) * | 1983-11-02 | 1985-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-02-04 JP JP63024631A patent/JPH01200678A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6098689A (ja) * | 1983-11-02 | 1985-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH03108778A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-08 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード |
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| EP0724300A3 (en) * | 1990-11-02 | 1996-12-27 | Norikatsu Yamauchi | Semiconductor device having a reflective layer |
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| US9147817B2 (en) | 2013-09-17 | 2015-09-29 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting element, light source head, and image forming apparatus |
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