JPH01201996A - 多層セラミックプリント基板の製造方法 - Google Patents
多層セラミックプリント基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH01201996A JPH01201996A JP2590688A JP2590688A JPH01201996A JP H01201996 A JPH01201996 A JP H01201996A JP 2590688 A JP2590688 A JP 2590688A JP 2590688 A JP2590688 A JP 2590688A JP H01201996 A JPH01201996 A JP H01201996A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- circuit board
- crystal
- printed circuit
- forming member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
多層セラミックプリント基板の製造方法に関し、プリン
ト基板形成部材の焼成時に導電体を結合する結晶粒が異
常成長してクローズドポアが発生するのを防止するのを
目的とし、 アルミナとガラス粉末を有機溶媒で混練後、シート状に
成形した絶縁シートにスルーホールを設け、該スルーホ
ール内に導電体ペーストを充填するとともに、前記絶縁
シート上に導電体ペーストを塗布して所定の導電体パタ
ーンを形成したプリント基板形成部材を多層構造に積層
後、焼成する多層セラミックプリント基板の製造に於い
て、前記プリント基板形成部材の焼成時で、前記導電体
の結晶粒か結合する麗に発生ずるクローズドポアの発生
防止剤を、前記導電体ペーストに予め添加することで構
成する。
ト基板形成部材の焼成時に導電体を結合する結晶粒が異
常成長してクローズドポアが発生するのを防止するのを
目的とし、 アルミナとガラス粉末を有機溶媒で混練後、シート状に
成形した絶縁シートにスルーホールを設け、該スルーホ
ール内に導電体ペーストを充填するとともに、前記絶縁
シート上に導電体ペーストを塗布して所定の導電体パタ
ーンを形成したプリント基板形成部材を多層構造に積層
後、焼成する多層セラミックプリント基板の製造に於い
て、前記プリント基板形成部材の焼成時で、前記導電体
の結晶粒か結合する麗に発生ずるクローズドポアの発生
防止剤を、前記導電体ペーストに予め添加することで構
成する。
本発明は多層セラミックプリント基板の製造方法に関す
る。
る。
セラミンクと溶融せるガラスとを主成分とした絶縁シー
ｌ−にスルーホールを設け、該スルーホール内および絶
縁シート上に導電体を形成したプリント基板形成部材を
多層構造に積層後、焼成して形成する多層セラミックプ
リント基板は、その絶縁抵抗か従来用いられているエポ
キシ樹脂を基材として用いたプリント基板に比して高抵
抗であるので、大電力素子を搭載し、大型電算機の電子
回路を形成するプリント基板に用いられている。
ｌ−にスルーホールを設け、該スルーホール内および絶
縁シート上に導電体を形成したプリント基板形成部材を
多層構造に積層後、焼成して形成する多層セラミックプ
リント基板は、その絶縁抵抗か従来用いられているエポ
キシ樹脂を基材として用いたプリント基板に比して高抵
抗であるので、大電力素子を搭載し、大型電算機の電子
回路を形成するプリント基板に用いられている。
従来の多層セラミックプリント基板の製造方法りこ付い
て述へる。
て述へる。
第２図に示すように硼珪酸ガラス粉末とアルミナとを有
機溶媒に混練して泥状にし、この泥状の材料を成形して
シート状にしてグリーンシート１に形成する。更にこの
グリーンシート１にスルーホール２を形成した後、銅粉
末と有機材料よりなるバインダーに混練した導電性ペー
スト３を、スルーボール１内に充填するとともに、印刷
法によりグリーンシート上に前記導電性ペース１−を塗
布することで導電体パターン４を形成してセラミックプ
リント基板の形成部制５を形成する。
機溶媒に混練して泥状にし、この泥状の材料を成形して
シート状にしてグリーンシート１に形成する。更にこの
グリーンシート１にスルーホール２を形成した後、銅粉
末と有機材料よりなるバインダーに混練した導電性ペー
スト３を、スルーボール１内に充填するとともに、印刷
法によりグリーンシート上に前記導電性ペース１−を塗
布することで導電体パターン４を形成してセラミックプ
リント基板の形成部制５を形成する。
次いてこの形成部材５を多層構造に焼成治具上に積層し
た後、第３図に示すような温度プロフィル６にて窒素ガ
ス等の不活性ガス雰囲気内で加熱焼成を行っている。
た後、第３図に示すような温度プロフィル６にて窒素ガ
ス等の不活性ガス雰囲気内で加熱焼成を行っている。
この加熱温度プロフィル６を説明すると、プリント基板
形成部材を加熱炉内に導入した後、導電体ペースト３よ
りペースト中の有機物よりなるバインダーが逃散して除
去されるとともに、導電体が収縮する４００°Ｃ迄の温
度に到達する時間は約１０時間程度にし、更に４００°
Ｃの温度て約６時間保った後、更に最終焼成温度の１０
００″Ｃまでに到達させるのに、７５°Ｃ／ｌｈｒの温
度」二昇速度で加熱焼成している。
形成部材を加熱炉内に導入した後、導電体ペースト３よ
りペースト中の有機物よりなるバインダーが逃散して除
去されるとともに、導電体が収縮する４００°Ｃ迄の温
度に到達する時間は約１０時間程度にし、更に４００°
Ｃの温度て約６時間保った後、更に最終焼成温度の１０
００″Ｃまでに到達させるのに、７５°Ｃ／ｌｈｒの温
度」二昇速度で加熱焼成している。
（発明か解決しようとする問題点〕
ところで従来の方法で形成する以前のプリント基板形成
部材の導電体の領域を電子顕微鏡で観察した状態は第４
回に示すように導電体を構成する結晶粒７か路間−の大
きさの状態であり、またグリーンシー１の絶縁体領域を
電子顕微鏡で観察した状態は第６図に示すように、アル
ミナよりなる粒子８にガラス粉末よりなる液相形成物質
の粒子９か混合した状態である。
部材の導電体の領域を電子顕微鏡で観察した状態は第４
回に示すように導電体を構成する結晶粒７か路間−の大
きさの状態であり、またグリーンシー１の絶縁体領域を
電子顕微鏡で観察した状態は第６図に示すように、アル
ミナよりなる粒子８にガラス粉末よりなる液相形成物質
の粒子９か混合した状態である。
このプリント基板形成部材を従来の方法で焼成した場合
、前記した第４図の導電体領域は第５図に示すようにな
り、異常成長した導電体結晶粒１０と微小成長した導電
体結晶粒１１との混合状態となり、また前記した第６図
に示す絶縁体領域は第７図に示すように、溶融した液相
領域１２内にアルミナの結晶粒子８が混合した状態に成
っている。
、前記した第４図の導電体領域は第５図に示すようにな
り、異常成長した導電体結晶粒１０と微小成長した導電
体結晶粒１１との混合状態となり、また前記した第６図
に示す絶縁体領域は第７図に示すように、溶融した液相
領域１２内にアルミナの結晶粒子８が混合した状態に成
っている。
第５図に示すように、導電体領域に異常成長した導電体
結晶粒１０と微小成長した導電体結晶粒１１との間に形
成される空洞状の空孔をクローズドポア１２と称してお
り、このクローズドポア１２が発生すると導電体領域の
抵抗か上昇し、所定の電気的特性を有するプリント基板
か形成されない問題がある。
結晶粒１０と微小成長した導電体結晶粒１１との間に形
成される空洞状の空孔をクローズドポア１２と称してお
り、このクローズドポア１２が発生すると導電体領域の
抵抗か上昇し、所定の電気的特性を有するプリント基板
か形成されない問題がある。
このようなりローズドボアの発生原因は、プリント基板
を焼成する際、グリーンシートの絶縁体領域に歪や、ボ
ア等が発生しないような条件で焼成しているため、導電
体領域が過焼成に成って前記したクローズドポアが発生
するとされている。
を焼成する際、グリーンシートの絶縁体領域に歪や、ボ
ア等が発生しないような条件で焼成しているため、導電
体領域が過焼成に成って前記したクローズドポアが発生
するとされている。
本発明は上記した問題点を解決し、導電体にクローズド
ポアが発生しないようにした多層セラミックプリント基
板の製造方法の提供を目的とする。
ポアが発生しないようにした多層セラミックプリント基
板の製造方法の提供を目的とする。
上記目的を達成するための本発明の多層セラミックプリ
ント基板の製造方法は、アルミナとガラス粉末を混合溶
融後、加熱してシート状に成形した絶縁シートにスルー
ホールを設け、該スルーホール内に導電体を充填すると
ともに、前記絶縁シ−ト上に所定の導電体パターンを形
成したプリント基板形成部材を多層構造に積層後、焼成
する多層セラミックプリント基板の製造に於いて、前記
プリント基板形成部材の焼成時に、前記導電体の結晶粒
が結合する際のクローズドポア発生防止剤を、予め前記
導電体の形成材料に添加する。
ント基板の製造方法は、アルミナとガラス粉末を混合溶
融後、加熱してシート状に成形した絶縁シートにスルー
ホールを設け、該スルーホール内に導電体を充填すると
ともに、前記絶縁シ−ト上に所定の導電体パターンを形
成したプリント基板形成部材を多層構造に積層後、焼成
する多層セラミックプリント基板の製造に於いて、前記
プリント基板形成部材の焼成時に、前記導電体の結晶粒
が結合する際のクローズドポア発生防止剤を、予め前記
導電体の形成材料に添加する。
本発明の方法はプリンＩ・基板形成部材の焼成時に、導
電体結晶粒の周囲の表面に粒状に付着することで、形成
される導電体結晶粒の表面エネルギーを低下させ、結晶
粒の成長を抑制する結晶成長防止剤を導電体形成材料に
予め添加することで結晶粒の異常成長を防止し、それに
よって異常成長した結晶粒と微小成長した結晶粒の間の
空隙に形成されるクローズドポアの発生を防止する。
電体結晶粒の周囲の表面に粒状に付着することで、形成
される導電体結晶粒の表面エネルギーを低下させ、結晶
粒の成長を抑制する結晶成長防止剤を導電体形成材料に
予め添加することで結晶粒の異常成長を防止し、それに
よって異常成長した結晶粒と微小成長した結晶粒の間の
空隙に形成されるクローズドポアの発生を防止する。
以下、図面を用いて本発明の実施例につき詳細に説明す
る。
る。
本発明の方法が従来の方法と異なる点は、セラミック基
板形成部材の焼成時に導電体領域の結晶粒子か異常成長
するのを抑制する防止剤としての酸化マグネシウム（Ｍ
ｇＯ）を金属銅の粉末と有機樹脂よりなるバインダーと
を混練した導電体ペースＩ・の中に、前記金属銅に対し
て１〜２重量％程度の割合で予め混合しておく。
板形成部材の焼成時に導電体領域の結晶粒子か異常成長
するのを抑制する防止剤としての酸化マグネシウム（Ｍ
ｇＯ）を金属銅の粉末と有機樹脂よりなるバインダーと
を混練した導電体ペースＩ・の中に、前記金属銅に対し
て１〜２重量％程度の割合で予め混合しておく。
このトｇＯの結晶の大きさは、導電体の結晶粒の大きさ
に比して小さく、導電体結晶の焼成時に導電体結晶の周
囲表面に付着する。
に比して小さく、導電体結晶の焼成時に導電体結晶の周
囲表面に付着する。
このようにすれば、第１図に示すようにプリント基板形
成部材の焼成時に、導電体結晶粒２１の周囲にＭｇＯの
結晶２２が付着し、このとｇｏの結晶２２によって導電
体結晶粒２１の表面エネルキーが低下して成長が抑制さ
れ、従来のように導電体の結晶粒の異常成長が発生せず
、従ってクローズドポアが発生しない。
成部材の焼成時に、導電体結晶粒２１の周囲にＭｇＯの
結晶２２が付着し、このとｇｏの結晶２２によって導電
体結晶粒２１の表面エネルキーが低下して成長が抑制さ
れ、従来のように導電体の結晶粒の異常成長が発生せず
、従ってクローズドポアが発生しない。
尚、本実施例では異常結晶粒の成長抑制剤としてＭｇＯ
を用いたが、その他アルミニウム、或いはカルシウム等
の周期律表で第■族、或いは第■族の金属元素の化合物
を用いても良い。
を用いたが、その他アルミニウム、或いはカルシウム等
の周期律表で第■族、或いは第■族の金属元素の化合物
を用いても良い。
このようにして形成した導電体ペーストを用いて導電体
層を形成後、前記した第３図に示す温度プロフィルによ
ってプリント基板形成部材を焼成したところ、クローズ
ドポアの発生が見られない高品質の多層セラミックプリ
ント基板が得られた。
層を形成後、前記した第３図に示す温度プロフィルによ
ってプリント基板形成部材を焼成したところ、クローズ
ドポアの発生が見られない高品質の多層セラミックプリ
ント基板が得られた。
そしてカラス粉末が溶融してガラスの溶融体が形成され
る７００°Ｃの温度より高い１０００″Ｃの温度でセラ
ミック基板形成部材を焼成させると、均一にガラス粉末
が溶融し、焼成されたガラス層の内部にアルミナが均一
に混合された絶縁体層が得られ、かつ導電体層にもクロ
ーズドポアが発生し難い高品位の多層セラミックプリン
ト基板が得られる。
る７００°Ｃの温度より高い１０００″Ｃの温度でセラ
ミック基板形成部材を焼成させると、均一にガラス粉末
が溶融し、焼成されたガラス層の内部にアルミナが均一
に混合された絶縁体層が得られ、かつ導電体層にもクロ
ーズドポアが発生し難い高品位の多層セラミックプリン
ト基板が得られる。
（発明の効果〕
以」−の説明から明らかなように本発明によれば、導電
体層にクローズドポアが発生しない高品位な多層セラミ
ックプリント基板が得られる効果がある。
体層にクローズドポアが発生しない高品位な多層セラミ
ックプリント基板が得られる効果がある。
第１図は本発明の方法による導電体の結晶の状態図、
第２図は多層セラミック基板の断面図、第３図は従来の
方法の焼成炉の温度プロフィル図、 第４図は焼成前の導電体の状態図、 第５図は従来の方法に於ける焼成後の導電体の状態図、 第６図は焼成前の絶縁体層の状態図、 第７図は従来の方法に於ける焼成後の絶縁体層の状態図
である。 図において、 １はグリーンシート、２はスルーボール、３は導電体ペ
ースト、４は導電体パターン、５はプリント基板形成部
材、２１は導電体結晶粒、２２はＭｇＯ結晶を示す。 ち− 編 錫 や 増
方法の焼成炉の温度プロフィル図、 第４図は焼成前の導電体の状態図、 第５図は従来の方法に於ける焼成後の導電体の状態図、 第６図は焼成前の絶縁体層の状態図、 第７図は従来の方法に於ける焼成後の絶縁体層の状態図
である。 図において、 １はグリーンシート、２はスルーボール、３は導電体ペ
ースト、４は導電体パターン、５はプリント基板形成部
材、２１は導電体結晶粒、２２はＭｇＯ結晶を示す。 ち− 編 錫 や 増
Claims (2)
- （１）アルミナとガラス粉末を有機溶媒で混練後、シー
ト状に成形した絶縁シート（１）にスルーホール（２）
を設け、該スルーホール（２）内に導電体ペースト（３
）を充填するとともに、前記絶縁シート（１）上に導電
体ペーストを塗布して所定の導電体パターン（４）を形
成したプリント基板形成部材（５）を多層構造に積層後
、焼成する多層セラミックプリント基板の製造に於いて
、 前記プリント基板形成部材（５）の焼成時に、前記導電
体の結晶粒（２１）が結合する際に発生するクローズド
ポアの発生防止剤（２２）を、前記導電体ペースト（３
）中に予め添加することを特徴とする多層セラミックプ
リント基板の製造方法。 - （２）前記クローズドポアの発生防止剤（２２）が酸化
マグネシウム、或いは周期律表で第II族、および第III
族の金属元素の化合物であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載の多層セラミックプリント基板の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2590688A JPH01201996A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 多層セラミックプリント基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2590688A JPH01201996A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 多層セラミックプリント基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01201996A true JPH01201996A (ja) | 1989-08-14 |
Family
ID=12178827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2590688A Pending JPH01201996A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 多層セラミックプリント基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01201996A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5287620A (en) * | 1991-06-18 | 1994-02-22 | Fujitsu Limited | Process of producing multiple-layer glass-ceramic circuit board |
| JP2002261411A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Kyocera Corp | セラミック配線基板及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP2590688A patent/JPH01201996A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5287620A (en) * | 1991-06-18 | 1994-02-22 | Fujitsu Limited | Process of producing multiple-layer glass-ceramic circuit board |
| JP2002261411A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Kyocera Corp | セラミック配線基板及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1078079A (en) | Method for preparing a multilayer ceramic | |
| JP3226280B2 (ja) | 多層回路板の製造方法 | |
| JP3267299B2 (ja) | セラミック回路基板支持基板用電気フィードスルー | |
| US4764233A (en) | Process for producing a ceramic multi-layer circuit board | |
| US3423517A (en) | Monolithic ceramic electrical interconnecting structure | |
| JPS63358A (ja) | 超小型電子技術装置の製造に使用する誘電率の低い材料、及びその製造方法 | |
| JPS62501181A (ja) | 寸法の安定した内部接続板の製造方法 | |
| JP3226281B2 (ja) | 支持基板上のセラミック多層回路基板用導電性バイア充填インク | |
| WO2000060613A1 (en) | Conductive paste, ceramic multilayer substrate, and method for manufacturing ceramic multilayer substrate | |
| JPH01201996A (ja) | 多層セラミックプリント基板の製造方法 | |
| JPH09260543A (ja) | 窒化アルミニウム配線基板およびその製造方法 | |
| KR100800509B1 (ko) | 도전성 페이스트 및 다층 세라믹 기판 | |
| JPH08274470A (ja) | 多層配線基板 | |
| JPH05218654A (ja) | マイクロ波を用いたセラミック複合構造の製造方法 | |
| JPH0417392A (ja) | 多層セラミック配線基板の製法 | |
| JP3628088B2 (ja) | 窒化アルミニウム多層配線基板およびその製造方法 | |
| JP3198139B2 (ja) | ＡｌＮメタライズ基板 | |
| GB2144922A (en) | Substrate for thick-film electrical circuits | |
| JPS62254491A (ja) | プリント配線板用ほうろう基板とその製造方法 | |
| JPH0770798B2 (ja) | 高熱伝導性回路基板 | |
| JPS61216391A (ja) | 多層回路基板の製造方法 | |
| JPH01155686A (ja) | 窒化アルミニウム多層基板およびその製造方法 | |
| JPS6225486A (ja) | 低温焼結セラミツク多層基板の製造方法 | |
| JPS61278194A (ja) | セラミツク絶縁基板 | |
| JPH0320916B2 (ja) |