JPH01206705A - 無指向性マイクロストリップアンテナ - Google Patents
無指向性マイクロストリップアンテナInfo
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- JPH01206705A JPH01206705A JP3109088A JP3109088A JPH01206705A JP H01206705 A JPH01206705 A JP H01206705A JP 3109088 A JP3109088 A JP 3109088A JP 3109088 A JP3109088 A JP 3109088A JP H01206705 A JPH01206705 A JP H01206705A
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- Aerials With Secondary Devices (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
- Details Of Aerials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、陸」−における移動無線基地局用のコ拳リニ
ア・アンテナの基本放射素子等に好適な無指向性マイク
ロストリップアンテナに関するものである。
ア・アンテナの基本放射素子等に好適な無指向性マイク
ロストリップアンテナに関するものである。
従来の技術
第20図は、従来におけるマイクロストリップアンテナ
の一例を示す斜視図で、11は波長に比し十分薄い誘電
体より成る基板、12は基板11の表面中央に設けた矩
形状の導体より成る放射素子、13はリボン状の導体、
14は基板11の背面に設けた接地導体、15は同軸形
給電端子で、その外部導体を接地導体14に接続し、内
部導体をリボン状の導体13に接続しである。
の一例を示す斜視図で、11は波長に比し十分薄い誘電
体より成る基板、12は基板11の表面中央に設けた矩
形状の導体より成る放射素子、13はリボン状の導体、
14は基板11の背面に設けた接地導体、15は同軸形
給電端子で、その外部導体を接地導体14に接続し、内
部導体をリボン状の導体13に接続しである。
給電端子15、リボン状の導体13及び接地導体14よ
り成るマイクロストリップ線路を介して基本モードで励
振する場合、放射素子120所要の長さaは、基板11
の比誘電率なε「、波長を入とすると、入/2吊となり
、給電点、即ち、放射素子12とリボン状の導体13と
の接続点を含む放射素子12の下端縁に対向する上端縁
を接地導体14に短絡接続せしめた場合には、放射素子
12の所要の長さaはほぼ入/4八]となる。
り成るマイクロストリップ線路を介して基本モードで励
振する場合、放射素子120所要の長さaは、基板11
の比誘電率なε「、波長を入とすると、入/2吊となり
、給電点、即ち、放射素子12とリボン状の導体13と
の接続点を含む放射素子12の下端縁に対向する上端縁
を接地導体14に短絡接続せしめた場合には、放射素子
12の所要の長さaはほぼ入/4八]となる。
このマイクロストリップアンテナの基本的な特性は、放
射素子I2の給電点が波源となると共に、放射素子12
の中心点に対して給電点と対称な上端縁部分が波源とな
り、この2個所の波源から放射される電磁波が合成され
るため、基板11の誘電率が一様で、基板11が平板で
あるとすると、放射電界面及び磁界面は共に正面方向に
のみ指向性を有する。
射素子I2の給電点が波源となると共に、放射素子12
の中心点に対して給電点と対称な上端縁部分が波源とな
り、この2個所の波源から放射される電磁波が合成され
るため、基板11の誘電率が一様で、基板11が平板で
あるとすると、放射電界面及び磁界面は共に正面方向に
のみ指向性を有する。
第20図における放射素子12の中心を座標原点と6一
し、矢印を付した実線を以て示すように、放射素子12
の長ご方向をX軸方向、幅方向をY軸方向、基板11の
板面と直交する方向をX軸方向とした場合、72面の指
向性、即ち、磁界面の指向性の一例を示すと第21図の
ようになり、図から明らかなように半値幅はほぼ80°
である。
の長ご方向をX軸方向、幅方向をY軸方向、基板11の
板面と直交する方向をX軸方向とした場合、72面の指
向性、即ち、磁界面の指向性の一例を示すと第21図の
ようになり、図から明らかなように半値幅はほぼ80°
である。
XZ面の指向性、即ち、電界面の指向性の一例を示すと
第22図のようになり、半値幅はほぼ76°である。
第22図のようになり、半値幅はほぼ76°である。
又、このマイクロストリップアンテナのインピーダンス
特性は、このアンテナが不平衡平面回路共振器より成る
ため、Qが大で、比帯域は狭帯域である。
特性は、このアンテナが不平衡平面回路共振器より成る
ため、Qが大で、比帯域は狭帯域である。
第23図は、第20図に示したアンテナにおける基板1
1の比誘電率ε、を3.6に選んだ場合における放射周
波数と反射減衰量の関係の一例を示す図で、横軸は周波
数、縦軸は反射減衰量(dB)であるが、図から明らか
なように、反射減衰量10dB (電圧定在波比VSW
R岬1.9)において比帯域は2.5%程度である。
1の比誘電率ε、を3.6に選んだ場合における放射周
波数と反射減衰量の関係の一例を示す図で、横軸は周波
数、縦軸は反射減衰量(dB)であるが、図から明らか
なように、反射減衰量10dB (電圧定在波比VSW
R岬1.9)において比帯域は2.5%程度である。
第24図は、水平面内における指向性を無指向性とする
ために従来提案実施されているマイクロストリップアン
テナの一例を示す図、第25図は、その要部の展開図で
、両図において、1Gは砲弾形支持体、17は誘電体よ
り成る可撓性基体、18はリボン状の導体より成る放射
素子で、基体17の表面に設けである。19は給電線で
ある。
ために従来提案実施されているマイクロストリップアン
テナの一例を示す図、第25図は、その要部の展開図で
、両図において、1Gは砲弾形支持体、17は誘電体よ
り成る可撓性基体、18はリボン状の導体より成る放射
素子で、基体17の表面に設けである。19は給電線で
ある。
発明が解決しようとする問題点
陸上における移動無線基地局用のアンテナは、垂直偏波
で、水平面内の指向性か無指向性であることが要求され
ると共に、特に送受信に共用する場合には、比帯域がほ
ぼ10%に及ぶことが要求されるため、第20図に示し
た従来のマイクロストリップアンテナは陸上における移
動無線基地局用のアンテナとしては不適である。
で、水平面内の指向性か無指向性であることが要求され
ると共に、特に送受信に共用する場合には、比帯域がほ
ぼ10%に及ぶことが要求されるため、第20図に示し
た従来のマイクロストリップアンテナは陸上における移
動無線基地局用のアンテナとしては不適である。
第24図及び第25図に示したアンテナはYZ平面にお
いて無指向性であるが、形状構造が大形複雑なばかりで
なく、放射素子17は基本的には不平衡平面回路共振器
であるから周波数特性が狭帯域で、矢張り陸上における
移動無線基地局用のアンテナとしては不適である。
いて無指向性であるが、形状構造が大形複雑なばかりで
なく、放射素子17は基本的には不平衡平面回路共振器
であるから周波数特性が狭帯域で、矢張り陸上における
移動無線基地局用のアンテナとしては不適である。
問題点を解決するための手段
本発明マイクロストリップアンテナは、誘電体基板の表
面に被着せしめた金属被膜より成る一次放射素子の外周
に筒状の二次放射素子を設けて成ることを特徴とするも
のである。
面に被着せしめた金属被膜より成る一次放射素子の外周
に筒状の二次放射素子を設けて成ることを特徴とするも
のである。
作用
上記のように構成することにより、小形で、水平面内に
おいて無指向性を呈せしめ得ると共に、広帯域に亙って
インピーダンス特性の変化を極めて小ならしめることが
出来る。
おいて無指向性を呈せしめ得ると共に、広帯域に亙って
インピーダンス特性の変化を極めて小ならしめることが
出来る。
実施例
第1図は、本発明の一実施例を示す正面図、第2図は側
面図、第3図は背面図、第4図は平面図、第5図は要部
の正面図、第6図は要部の側面図で、各図において、1
は誘電体より成る基板、2は基板1の表面に設けた矩形
状の導体より成る一次放射素子、3は基板1の表面に設
けたリボン状の導体で、上端部を一次放射素子2の下端
部に接続しである。4はリボン状の導体3の中間部分を
適宜の長さに亙って幅を広く形成して成るインピーダン
ス整合素子、5は基板1の背面に設けた接地導体、6は
給電端子で、例えば同軸端子より成り、その内部導体を
リボン状の導体3に接続し、外部導体を接地導体5に接
続しである。
面図、第3図は背面図、第4図は平面図、第5図は要部
の正面図、第6図は要部の側面図で、各図において、1
は誘電体より成る基板、2は基板1の表面に設けた矩形
状の導体より成る一次放射素子、3は基板1の表面に設
けたリボン状の導体で、上端部を一次放射素子2の下端
部に接続しである。4はリボン状の導体3の中間部分を
適宜の長さに亙って幅を広く形成して成るインピーダン
ス整合素子、5は基板1の背面に設けた接地導体、6は
給電端子で、例えば同軸端子より成り、その内部導体を
リボン状の導体3に接続し、外部導体を接地導体5に接
続しである。
一次放射素子2、リボン状の導体3、インピーダンス整
合素子4及び接地導体5等は、プリント配線手法又は蒸
着等の手段によって基板1の表面又は背面に被着せしめ
た銅箔等を以て形成しである。
合素子4及び接地導体5等は、プリント配線手法又は蒸
着等の手段によって基板1の表面又は背面に被着せしめ
た銅箔等を以て形成しである。
7は本発明の要旨である二次放射素子で、両端を開放し
た筒状の導体より成り、その中心軸を基板1の長手方向
の中心軸にほぼ一致せしめ、その軸長を波長の渉より適
宜短く形成して二次放射素子7の側壁が一次放射素子2
の表面を覆うと共に、二次放射素子7の内径を適当なら
しめて一次放射素子2、リボン状の導体3及び接地導体
5等が二次放射素子7に接触することのないように配設
しである。
た筒状の導体より成り、その中心軸を基板1の長手方向
の中心軸にほぼ一致せしめ、その軸長を波長の渉より適
宜短く形成して二次放射素子7の側壁が一次放射素子2
の表面を覆うと共に、二次放射素子7の内径を適当なら
しめて一次放射素子2、リボン状の導体3及び接地導体
5等が二次放射素子7に接触することのないように配設
しである。
81乃至84は誘電体より成る支持体で、それぞれ例え
ば横断面の形状を半円形に形成し、平坦な側壁に基板1
の嵌入凹部を設け、支持体81及び82を二次放射素子
7の」一端部に内装し、支持体83及び84を二次放射
素子7の下端部に内装すると共に、支持体81乃至84
の各嵌入凹部の間に基板1を挟持せしめ、支持体81乃
至84と二次放射素子7との間及び支持体81乃至84
と基板1との間を適当な接着剤等で固着せしめる。
ば横断面の形状を半円形に形成し、平坦な側壁に基板1
の嵌入凹部を設け、支持体81及び82を二次放射素子
7の」一端部に内装し、支持体83及び84を二次放射
素子7の下端部に内装すると共に、支持体81乃至84
の各嵌入凹部の間に基板1を挟持せしめ、支持体81乃
至84と二次放射素子7との間及び支持体81乃至84
と基板1との間を適当な接着剤等で固着せしめる。
支持体81乃至84の各平坦な側壁に嵌入凹部を設ける
ことなく、平坦な側壁の状態で基板1を挟持せしめても
よい。
ことなく、平坦な側壁の状態で基板1を挟持せしめても
よい。
図には一次放射素子2の正面から見た輪郭形状を矩形に
形成した場合を例示しであるが、円形又は楕円形等に形
成してもよく、又、二次放射素子7の横断面の形状も円
形のほか楕円形、正方形又は矩形等任意の形状に形成し
ても本発明を実施することが出来る。
形成した場合を例示しであるが、円形又は楕円形等に形
成してもよく、又、二次放射素子7の横断面の形状も円
形のほか楕円形、正方形又は矩形等任意の形状に形成し
ても本発明を実施することが出来る。
二次放射素子7の横断面の形状に応じて支持体81乃至
84の各横断面の形状を定めること勿論である。
84の各横断面の形状を定めること勿論である。
更に、二次放射素子7を導板より成る筒体を以て形成す
る代りに網状又は格子状の導体を以て形成するか、筒状
の誘電体より成る基体の外表面又は内表面にプリント配
線手法又は蒸着等の手法によって被着せしめた銅箔等を
以て形成してもよい。
る代りに網状又は格子状の導体を以て形成するか、筒状
の誘電体より成る基体の外表面又は内表面にプリント配
線手法又は蒸着等の手法によって被着せしめた銅箔等を
以て形成してもよい。
本発明マイクロストリップアンテナにおける二次放射素
子2を基本モードで励振する場合における一次放射素子
2の長さaは、基板1の比誘電率をε「、波長を入とす
ると、入/2八丁に形成する。
子2を基本モードで励振する場合における一次放射素子
2の長さaは、基板1の比誘電率をε「、波長を入とす
ると、入/2八丁に形成する。
第7図乃至第9図は、本発明アンテナの作動原理を説明
するための図で、各図の符号は第1図乃至第6図と同様
で、矢印を付した実線は電界分布を、破線は電流分布を
示す。
するための図で、各図の符号は第1図乃至第6図と同様
で、矢印を付した実線は電界分布を、破線は電流分布を
示す。
第7図における0点は、リボン状の導体3及び接地導体
5より成るマイクロストリップ線路を以て形成した給電
線と一次放射素子2との接続点、即ち、給電点で、この
給電点Cを介して励振した場合、一次放射素子2の開放
端の近傍において発生した電界に基づく電流分布は、一
次放射素子2の中心点d2において最大となり、この点
における電圧は最小であるから、62点に対応する接地
導体5における65点と62点とを短絡しても電気的に
何隻問題を生ずることはない。
5より成るマイクロストリップ線路を以て形成した給電
線と一次放射素子2との接続点、即ち、給電点で、この
給電点Cを介して励振した場合、一次放射素子2の開放
端の近傍において発生した電界に基づく電流分布は、一
次放射素子2の中心点d2において最大となり、この点
における電圧は最小であるから、62点に対応する接地
導体5における65点と62点とを短絡しても電気的に
何隻問題を生ずることはない。
第8図に示すように、一次放射素子2に発生した電界に
よって二次放射素子7に電界が誘導発生するが、この誘
導電界は一次放射素子2に発生した電界を打ち消すよう
に作用すると共に、この誘導電界によって二次放射素子
7の内表面及び外表面に電流が流れる。
よって二次放射素子7に電界が誘導発生するが、この誘
導電界は一次放射素子2に発生した電界を打ち消すよう
に作用すると共に、この誘導電界によって二次放射素子
7の内表面及び外表面に電流が流れる。
二次放射素子7の内表面に流れる電流に着目すると、一
次放射素子2の中心点d2に対応する二次放射素子7の
内表面における67点においては、電流最大で電圧最小
となるから一次放射素子2の62点、二次放射素子7の
67点及び接地導体5の65点をすべて短絡しても電気
的に何隻問題はない。
次放射素子2の中心点d2に対応する二次放射素子7の
内表面における67点においては、電流最大で電圧最小
となるから一次放射素子2の62点、二次放射素子7の
67点及び接地導体5の65点をすべて短絡しても電気
的に何隻問題はない。
二次放射素子7の外表面に着目すると、二次放射素子7
の軸長はほぼ入/2であるから、半波長ダイポールアン
テナを、その両端において電圧給電したことと等価とな
り、二次放射素子7の外径を波長に比し小ならしめれば
、その外表面の円周方向全域に亙って第8図に示したの
と同様の電流分布を生じ、外表面全域の電流分布は第9
図のようになる。
の軸長はほぼ入/2であるから、半波長ダイポールアン
テナを、その両端において電圧給電したことと等価とな
り、二次放射素子7の外径を波長に比し小ならしめれば
、その外表面の円周方向全域に亙って第8図に示したの
と同様の電流分布を生じ、外表面全域の電流分布は第9
図のようになる。
したがって、二次放射素子7の67点を含み、軸と直角
な面と二次放射素子7の側壁との交線」−の任意の点、
一次放射素子2の中心点dノ及び接地導体5の65点は
何れも電流最大、電圧最小となるから、上記例れの点を
短絡しても電気的に問題を生ずることはない。
な面と二次放射素子7の側壁との交線」−の任意の点、
一次放射素子2の中心点dノ及び接地導体5の65点は
何れも電流最大、電圧最小となるから、上記例れの点を
短絡しても電気的に問題を生ずることはない。
第10図は、本発明アンテナの等価回路図で、L2及び
C2は一次放射素子2の実効インダクタンス及び実効容
量、L7及びC7は二次放射素子7の実効インダクタン
ス及び実効容量、C27は一次放射素子2と二次放射素
子7の電界結合容量、Rrは電磁波の放射に寄与する放
射抵抗、Tfは給電点である。
C2は一次放射素子2の実効インダクタンス及び実効容
量、L7及びC7は二次放射素子7の実効インダクタン
ス及び実効容量、C27は一次放射素子2と二次放射素
子7の電界結合容量、Rrは電磁波の放射に寄与する放
射抵抗、Tfは給電点である。
一次放射素子2の幅すを変えるか、基板1及び二次放射
素子7の中心軸をずらせるか、又は基板1を適宜曲率の
曲面に形成するか、或いは二次放射素子7の横断面の形
状を、例えば楕円形又は長方形等に変化せしめることに
よって電界結合容量C27の大きさを変えることが出来
、電界結合容量027の大きさを変えることによって反
射減衰量の周波数特性を変化せしめることが出来る。
素子7の中心軸をずらせるか、又は基板1を適宜曲率の
曲面に形成するか、或いは二次放射素子7の横断面の形
状を、例えば楕円形又は長方形等に変化せしめることに
よって電界結合容量C27の大きさを変えることが出来
、電界結合容量027の大きさを変えることによって反
射減衰量の周波数特性を変化せしめることが出来る。
以上は、本発明アンテナを基本モードで励振した場合に
ついて説明したが、第7図乃至第9図について説明した
ように、一次放射素子2の中心点d2と接地導体5を短
絡しても電気的には何等問題を生ずることはないから、
第1図乃至第6図に示した一次放射素子2の長手方向の
中間点において、第11図に一部切矢部を有する正面図
を示すように短絡ピン又はスルーホール91乃至83を
介して一次放射素子2と接地導体5とを短絡し、この短
絡個所から上部の一次放射素子部分を除いても本発明を
実施することが出来る。この実施例においては、二次放
射素子7への励振は二次放射素子7の一端に対する電圧
給電と等価となり、半波長ダイポールアンテナと等測的
に作動することとなる。
ついて説明したが、第7図乃至第9図について説明した
ように、一次放射素子2の中心点d2と接地導体5を短
絡しても電気的には何等問題を生ずることはないから、
第1図乃至第6図に示した一次放射素子2の長手方向の
中間点において、第11図に一部切矢部を有する正面図
を示すように短絡ピン又はスルーホール91乃至83を
介して一次放射素子2と接地導体5とを短絡し、この短
絡個所から上部の一次放射素子部分を除いても本発明を
実施することが出来る。この実施例においては、二次放
射素子7への励振は二次放射素子7の一端に対する電圧
給電と等価となり、半波長ダイポールアンテナと等測的
に作動することとなる。
第12図は、本発明の他の実施例を示す正面図、第13
図は側面図で、両図において、1は共通の誘電体基板、
21及び22は一次放射素子で、基板1の長手方向に適
宜間隔を隔てて設けである。3はリボン状の導体、41
及び42はインピーダンス整合素子、5は基板lの背面
に設けた接地導体、7I及び72は二次放射素子で、そ
れぞれ一次放射素子21及び22の各外周に設けである
。
図は側面図で、両図において、1は共通の誘電体基板、
21及び22は一次放射素子で、基板1の長手方向に適
宜間隔を隔てて設けである。3はリボン状の導体、41
及び42はインピーダンス整合素子、5は基板lの背面
に設けた接地導体、7I及び72は二次放射素子で、そ
れぞれ一次放射素子21及び22の各外周に設けである
。
この実施例においては、リボン状の導体3及び接地導体
5より成るマイクロストリップ線路を以て形成された給
電線を介して一次放射素子21及び22が直列に給電さ
れる。
5より成るマイクロストリップ線路を以て形成された給
電線を介して一次放射素子21及び22が直列に給電さ
れる。
第14図に正面図を示すように、主給電線を形成するリ
ボン状の導体3及び分岐給電線を形成するリボン状の導
体31及び32を設けて並列給電を行うように構成して
も本発明を実施することが出来る。
ボン状の導体3及び分岐給電線を形成するリボン状の導
体31及び32を設けて並列給電を行うように構成して
も本発明を実施することが出来る。
以上何れの実施例においても、基板lの表面に設けたリ
ボン状の導体3.31及び32と基板lの背面に設けた
接地導体5より成るマイクロストリップ線路を以て給電
線を形成した場合を例示したが、マイクロストリップ線
路の代りに平衡線路を以て給電線を形成してもよく、基
板lの表面及び背面に被着せしめた金属被膜によってマ
イクロストリップ線路又は平衡線路を形成する代りに基
板1の表面を用いることなく背面側のみで給電線を形成
せしめてもよい。
ボン状の導体3.31及び32と基板lの背面に設けた
接地導体5より成るマイクロストリップ線路を以て給電
線を形成した場合を例示したが、マイクロストリップ線
路の代りに平衡線路を以て給電線を形成してもよく、基
板lの表面及び背面に被着せしめた金属被膜によってマ
イクロストリップ線路又は平衡線路を形成する代りに基
板1の表面を用いることなく背面側のみで給電線を形成
せしめてもよい。
又、第15図に正面図を、第16図に側面図を示すよう
に、基板lの背面側に設けた同軸線路10及び基板lの
表面側に設けたリボン状の導体3を以て主給電線を形成
し、リボン状の導体31及び32を以て分岐給電線を形
成するか、全給電線を同軸線路を以て形成してもよい。
に、基板lの背面側に設けた同軸線路10及び基板lの
表面側に設けたリボン状の導体3を以て主給電線を形成
し、リボン状の導体31及び32を以て分岐給電線を形
成するか、全給電線を同軸線路を以て形成してもよい。
尚、同軸線路を用いる場合には放射特性への影響を軽減
するために、同軸線路の外部導体を接地導体5に接続す
ることが望ましい。
するために、同軸線路の外部導体を接地導体5に接続す
ることが望ましい。
第12図乃至第18図には、2組の一次放射素子及び二
次放射素子を共通の誘電体基板に設けた場合を例示した
が、2以上任意複数組の一次放射素子及び二次放射素子
を設けても本発明を実施することが出来る。
次放射素子を共通の誘電体基板に設けた場合を例示した
が、2以上任意複数組の一次放射素子及び二次放射素子
を設けても本発明を実施することが出来る。
第11図乃至第16図には示していないが、基板と二次
放射素子との間に支持体を介装して二次放射素子を所要
の位置に保持せしめること並びに各図における他の符号
及び構成等は第1図乃至第6図に示した実施例と同様で
ある。
放射素子との間に支持体を介装して二次放射素子を所要
の位置に保持せしめること並びに各図における他の符号
及び構成等は第1図乃至第6図に示した実施例と同様で
ある。
発明の効果
本発明マイクロストリップアンテナは、小形軽量で、構
造も簡潔なると共に、広帯域に亙って無指向性の放射特
性を呈し得るもので、陸上における移動無線基地局用の
コ・リニア・アンテナの基本放射素子等に好適である。
造も簡潔なると共に、広帯域に亙って無指向性の放射特
性を呈し得るもので、陸上における移動無線基地局用の
コ・リニア・アンテナの基本放射素子等に好適である。
第17図は、第1図乃至第6図に示した本発明アンテナ
において、一次放射素子2の長さaを0.2B1 人、
接地導体5の幅Wを0.075人、基板1の厚さを0.
005人、比誘電率εrを3.6、二次放射素子7の軸
長りを0.377 人、二次放射素子7の外径を0.0
87人にそれぞれ形成した試作品について、一次放射素
子2の幅すを変化せしめた場合における反射減衰量の周
波数特性の変化の実測値を示すもので、横軸は周波数、
縦軸は反射減衰量(dB) 、曲線b1は一次放射素子
2の@bを0.058 入に選んだ場合、曲線b2は0
.048人、曲線b3は0.035 人、曲線b4は0
.023人にそれぞれ選んだ場合である。
において、一次放射素子2の長さaを0.2B1 人、
接地導体5の幅Wを0.075人、基板1の厚さを0.
005人、比誘電率εrを3.6、二次放射素子7の軸
長りを0.377 人、二次放射素子7の外径を0.0
87人にそれぞれ形成した試作品について、一次放射素
子2の幅すを変化せしめた場合における反射減衰量の周
波数特性の変化の実測値を示すもので、横軸は周波数、
縦軸は反射減衰量(dB) 、曲線b1は一次放射素子
2の@bを0.058 入に選んだ場合、曲線b2は0
.048人、曲線b3は0.035 人、曲線b4は0
.023人にそれぞれ選んだ場合である。
図から明らかなように、一次放射素子2の幅すを広くす
ることにより反射減衰量が大で帯域幅が広くなる傾向を
有し、b = 0.058 人においては反射減衰量1
0dBで、比帯域は12%、b = 0.035人にお
いては反射減衰量2EidBで、比帯域4%で、使用目
的に応じて調整可能である。
ることにより反射減衰量が大で帯域幅が広くなる傾向を
有し、b = 0.058 人においては反射減衰量1
0dBで、比帯域は12%、b = 0.035人にお
いては反射減衰量2EidBで、比帯域4%で、使用目
的に応じて調整可能である。
第18図は、上記試作品において一次放射素子2の幅を
0.048入に選び、他の機械的寸法及び比誘電率等を
すべて同一ならしめ、第1図乃至第6図における一次放
射素子2の中心を座標原点とし、矢印を付した実線を以
て示すように、一次放射素子2の長さ方向にX軸を、幅
方向にY軸を、基板1の板面と直交する方向にZ軸をそ
れぞれとった場合におけるYZ面における指向性の実測
値を示すもので、図から明らかなように、極めて良好な
無指向性を呈している。
0.048入に選び、他の機械的寸法及び比誘電率等を
すべて同一ならしめ、第1図乃至第6図における一次放
射素子2の中心を座標原点とし、矢印を付した実線を以
て示すように、一次放射素子2の長さ方向にX軸を、幅
方向にY軸を、基板1の板面と直交する方向にZ軸をそ
れぞれとった場合におけるYZ面における指向性の実測
値を示すもので、図から明らかなように、極めて良好な
無指向性を呈している。
第19図は、」−配賦作品におけるXZ面の指向性の実
測値で、半波長ダイポールアンテナと同様の8の字形の
指向性を有すること図から明らかであ
測値で、半波長ダイポールアンテナと同様の8の字形の
指向性を有すること図から明らかであ
第1図は、本発明の一実施例を示す正面図、第2図は側
面図、第3図は背面図、第4図は平面図、第5図は要部
の正面図、第6図は要部の側面図、第7図乃至第9図は
本発明アンテナの作動原理を説明するための図、第11
図は、本発明の他の実施例を示す一部切欠部を有する正
面図、第12図、第14図及び第15図は、本発明の他
の実施例を示す正面図、第13図及び第16図は側面図
、第17図乃至第19図は、本発明アンテナの特性の一
例を示す図、第20図は、従来のアンテナの一例を示す
斜視図、第21図乃至第23図は、従来のアンテナの特
性の一例を示す図、第24図は、従来のアンテナの他の
一例を示す図、第25図は、その要部の展開図で、1:
誘電体基板、2,2I及び22ニ一次放射素子、3,3
1及び32:リボン状の導体、4゜41及び42:イン
ピーダンス整合素子、5:接地導体、6:給電端子、7
,71及び72:二次放射素子、81乃至84:支持体
、81乃至83:短絡ピン、1吐同軸線路、11:誘電
体基板、12:放射素子、13:リボン状の導体、14
:接地導体、15:給電端子、16:砲弾形支持体、1
7:誘電体より成る可撓性基体、18:放射素子、19
:給電線である。
面図、第3図は背面図、第4図は平面図、第5図は要部
の正面図、第6図は要部の側面図、第7図乃至第9図は
本発明アンテナの作動原理を説明するための図、第11
図は、本発明の他の実施例を示す一部切欠部を有する正
面図、第12図、第14図及び第15図は、本発明の他
の実施例を示す正面図、第13図及び第16図は側面図
、第17図乃至第19図は、本発明アンテナの特性の一
例を示す図、第20図は、従来のアンテナの一例を示す
斜視図、第21図乃至第23図は、従来のアンテナの特
性の一例を示す図、第24図は、従来のアンテナの他の
一例を示す図、第25図は、その要部の展開図で、1:
誘電体基板、2,2I及び22ニ一次放射素子、3,3
1及び32:リボン状の導体、4゜41及び42:イン
ピーダンス整合素子、5:接地導体、6:給電端子、7
,71及び72:二次放射素子、81乃至84:支持体
、81乃至83:短絡ピン、1吐同軸線路、11:誘電
体基板、12:放射素子、13:リボン状の導体、14
:接地導体、15:給電端子、16:砲弾形支持体、1
7:誘電体より成る可撓性基体、18:放射素子、19
:給電線である。
Claims (19)
- (1)波長に比し薄い誘電体基板の表面に被着せしめた
金属被膜より成る一次放射素子と、前記誘電体基板の背
面に被着せしめた金属被膜より成る接地導体と、前記一
次放射素子に接続された給電線と、前記一次放射素子の
外周に設けられ、波長のにより短い軸長を有する筒状の
二次放射素子とを備えて成ることを特徴とする無指向性
マイクロストリップアンテナ。 - (2)波長に比し薄い共通の誘電体基板の表面に適宜間
隔を隔てて被着せしめた金属被膜より成る複数個の一次
放射素子と、前記共通の誘電体基板の背面に被着せしめ
た金属被膜より成る共通の接地導体と、前記複数個の一
次放射素子に接続された給電線と、前記複数個の一次放
射素子の各外周に設けられ、それぞれ波長の1/2より
短い軸長を有する複数個の筒状の二次放射素子とを備え
て成ることを特徴とする無指向性マイクロストリップア
ンテナ。 - (3)一次放射素子及び二次放射素子の各長手方向の中
心軸がほぼ一致するように配設した特許請求の範囲第1
項又は第2項記載の無指向性マイクロストリップアンテ
ナ。 - (4)誘電体基板の背面に設けた接地導体と二次放射素
子の長手方向のほぼ中央部とが高周波的に接続された特
許請求の範囲第1項又は第2項記載の無指向性マイクロ
ストリップアンテナ。 - (5)二次放射素子の横断面の形状が円形又は楕円形で
ある特許請求の範囲第1項又は第2項記載の無指向性マ
イクロストリップアンテナ。 - (6)二次放射素子の横断面の形状が角形である特許請
求の範囲第1項又は第2項記載の無指向性マイクロスト
リップアンテナ。 - (7)二次放射素子が導板より成る筒体を以て形成され
た特許請求の範囲第1項又は第2項記載の無指向性マイ
クロストリップアンテナ。 - (8)二次放射素子が網状又は格子状導体より成る特許
請求の範囲第1項又は第2項記載の無指向性マイクロス
トリップアンテナ。 - (9)二次放射素子が筒状誘電体基体の表面に被着せし
めた金属被膜より成る特許請求の範囲第1項又は第2項
記載の無指向性マイクロストリップアンテナ。 - (10)一次放射素子の正面の輪郭形状が角形である特
許請求の範囲第1項又は第2項記載の無指向性マイクロ
ストリップアンテナ。 - (11)一次放射素子の正面の輪郭形状が円形又は楕円
形である特許請求の範囲第1項又は第2項記載の無指向
性マイクロストリップアンテナ。 - (12)誘電体基板と二次放射素子との間に長手方向に
適宜間隔を隔てて誘電体より成る支持体を介装して成る
特許請求の範囲第1項又は第2項記載の無指向性マイク
ロストリップアンテナ。 - (13)一次放射素子が電圧最小部において誘電体基板
の背面に設けられた接地導体に接続された特許請求の範
囲第1項又は第2項記載の無指向性マイクロストリップ
アンテナ。 - (14)一次放射素子の給電点側端部又はその対向端部
の何れかが、誘電体基板の背面に設けた接地導体に接続
された特許請求の範囲第1項又は第2項記載の無指向性
マイクロストリップアンテナ。 - (15)給電線が誘電体基板に設けたマイクロストリッ
プ線路より成る特許請求の範囲第1項又は第2項記載の
無指向性マイクロストリップアンテナ。 - (16)給電線が誘電体基板に設けた平衡線路より成る
特許請求の範囲第1項又は第2項記載の無指向性マイク
ロストリップアンテナ。 - (17)給電線が同軸線路より成る特許請求の範囲第1
項又ほ第2項記載の無指向性マイクロストリップアンテ
ナ。 - (18)給電線が直列給電線より成る特許請求の範囲第
2項記載の無指向性マイクロストリップアンテナ。 - (19)給電線が並列給電線より成る特許請求の範囲第
2項記載の無指向性マイクロストリップアンテナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63031090A JPH0666578B2 (ja) | 1988-02-13 | 1988-02-13 | 無指向性マイクロストリップアンテナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63031090A JPH0666578B2 (ja) | 1988-02-13 | 1988-02-13 | 無指向性マイクロストリップアンテナ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01206705A true JPH01206705A (ja) | 1989-08-18 |
| JPH0666578B2 JPH0666578B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=12321708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63031090A Expired - Lifetime JPH0666578B2 (ja) | 1988-02-13 | 1988-02-13 | 無指向性マイクロストリップアンテナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666578B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007299165A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Univ Waseda | 道路交通支援用通信方式および道路交通支援用通信システム |
| JP3188489U (ja) * | 2010-11-16 | 2014-01-30 | 広東盛路通信科技股▲ふん▼有限公司Guangdong Shenglu Telecommunication Tech.Co.,Ltd. | 高性能ブロードバンド、二重周波数全方向アンテナ |
| JP3188799U (ja) * | 2010-11-16 | 2014-02-13 | 広東盛路通信科技股▲ふん▼有限公司Guangdong Shenglu Telecommunication Tech.Co.,Ltd. | 組合式小径二重周波数全方向アンテナ |
| EP4160823A1 (en) | 2021-10-04 | 2023-04-05 | Mirach SAS di Annamaria Saveri & C. | Collinear antenna array |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58181303A (ja) * | 1982-04-09 | 1983-10-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 無指向性アンテナ |
| JPS6248105A (ja) * | 1985-08-27 | 1987-03-02 | Matsushita Electric Works Ltd | マイクロストリツプラインアンテナ |
-
1988
- 1988-02-13 JP JP63031090A patent/JPH0666578B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58181303A (ja) * | 1982-04-09 | 1983-10-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 無指向性アンテナ |
| JPS6248105A (ja) * | 1985-08-27 | 1987-03-02 | Matsushita Electric Works Ltd | マイクロストリツプラインアンテナ |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007299165A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Univ Waseda | 道路交通支援用通信方式および道路交通支援用通信システム |
| JP3188489U (ja) * | 2010-11-16 | 2014-01-30 | 広東盛路通信科技股▲ふん▼有限公司Guangdong Shenglu Telecommunication Tech.Co.,Ltd. | 高性能ブロードバンド、二重周波数全方向アンテナ |
| JP3188799U (ja) * | 2010-11-16 | 2014-02-13 | 広東盛路通信科技股▲ふん▼有限公司Guangdong Shenglu Telecommunication Tech.Co.,Ltd. | 組合式小径二重周波数全方向アンテナ |
| EP4160823A1 (en) | 2021-10-04 | 2023-04-05 | Mirach SAS di Annamaria Saveri & C. | Collinear antenna array |
| US11799212B2 (en) | 2021-10-04 | 2023-10-24 | Mirach Sas Di Annamaria Saveri & C. | Collinear antenna array |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0666578B2 (ja) | 1994-08-24 |
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Legal Events
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