JPH01208452A - 昇華性物質の蒸発方法と蒸発装置 - Google Patents

昇華性物質の蒸発方法と蒸発装置

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JPH01208452A
JPH01208452A JP3089788A JP3089788A JPH01208452A JP H01208452 A JPH01208452 A JP H01208452A JP 3089788 A JP3089788 A JP 3089788A JP 3089788 A JP3089788 A JP 3089788A JP H01208452 A JPH01208452 A JP H01208452A
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JP
Japan
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crucible
sublimable substance
sublimable
heater
evaporation
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JP3089788A
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Inventor
Makoto Yoshida
誠 吉田
Kazuhiro Miyamoto
和弘 宮本
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Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Stanley Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は昇華性物質の蒸発に関し、特に蒸着薄膜、超微
粒子を製造するのに適した昇華性物質の蒸発方法と蒸発
装置に関する。
[従来の技術] 物質の気化、蒸発は液体からの他、固体からの昇華があ
る。液体からの蒸発の場合、通常高温になった液体の部
分が体積′を増し、上昇し、上表面で蒸発する。真空蒸
着では、る□つぼを囲んだり。
るつぼに埋め込まれたりしている加熱用フィラメントに
流す電流を制御することなどで蒸発量を制御する。昇華
性物質についても同様の蒸発方法を採っている。
第5図に抵抗加熱式真空蒸着に用いられるるっぼの例を
示す。タングステン等の高融点金属のフィラメント21
がるつぼの骨格を画定し、アルミナ等の化学的に不活性
で耐熱性の物質22がフィラメント21をコートしつつ
、容器を形成している。アルミナは高温で焼成されてい
る。るつぼは蒸発物質をどの位ロードするかによって種
々の大きさに作られる。このようなるつぼを真空容器内
に股!し、目的物質をロードし、そのフィラメントに低
圧大電流回路から電流を流すことによって、物質を加熱
、蒸発させる。
[発明が解決しようとする問題点コ 昇華性の物質を通常のるつぼで蒸発させる場合、突沸等
の現象が起き易く、蒸発′量の経時的変化が大きい。
蒸発量をモニタし、加熱用電源にフィードバックするこ
とも考えられるが、装置が複雑化する割合に制御性が良
くない。
[問題点を解決するために行った解析コ昇華性物質の蒸
着の場合、物質はるつぼ内で固体のままである。液体で
あれば、るつぼの壁面で加熱され高温になった部分は上
昇し、対流を起こすのでるつぼ内の温度分布は平均化さ
れ、蒸発速度も一定化すると考えられる。ところが、昇
華性物質の場合は、対流によって混ざり合うことがない
抵抗加熱用フィラメントを埋めこんだるつぼの場合、る
つぼの壁面に接する部分とるつぼ内部とを比較すれば、
壁面に接している部分の方が高温になる。したがって、
昇華性物質の蒸発、昇華はるつぼ壁面でのみ起こる。る
つぼには昇華性物質がロードされているので、下部壁面
で蒸発した蒸気分子はそのまま外部に飛び出すわけには
行かず、閉じ込められる感じになろう、上部に載ってい
る昇華性物質の量が少なく、機械的にもろい場合そこを
破って、蒸発分子が飛び出すことも起ころう。
また、壁面に接した部分が蒸発すると壁面と昇華性物質
との間に隙間ができる。隙間を介して壁面から雛れた部
分は放射でのみ熱せられることになろう、残った昇華性
物質の形が不安定なものとなったときには昇華性物質が
崩れ、昇華性物質が再びるつぼ壁面と接触し、伝導によ
って6加熱されるようになろう、これらの現象はg4発
的で制御することは困難であろう。突沸が起こるのは昇
華性物質に特有の現象と考えられる。
[問題点を解決するための手段] 上記問題点を改善するため、本発明によれば、るつぼに
昇華性物質を収容し、昇華性物質の上方に抵抗加熱ヒー
タを配置し、抵抗加熱ヒータを加熱して熱放射させ、放
射熱によって昇華性物質をその上面から蒸発させる。
るつぼと抵抗加熱ヒータとの上に開孔を有する蓋部材を
設けてもよい。
[作用コ 昇華性物質の上面から放射熱によって加熱すると、昇華
性物質はその上面から順次蒸発できる。
昇華性物質はその上部がら蒸発していくので物理的に安
定な形状を保つ。
昇華性物質の加熱がほぼ上方がらの放射熱のみによって
行われるので、加熱条件を一定に保ち易い。
昇華性物質の蒸発がほぼ上面でのみ行われるので突沸が
低減する。
開孔を有する蓋部材を使用すると、蒸発分子は一旦蓋部
材とるつぼが画定する空間内に貯えられ。
緩衝作用を受け1開孔から安定化した昇華性物質の蒸気
が発生する。
[実施例コ 第1図に本発明の1実施例による昇華性物質の蒸発装置
を示す。るつぼ1はアルミナ等の化学的に不活性で耐熱
性の材料で作られ、昇華性物質2を収容する。抵抗加熱
ヒータ3はタングステン等の高融点金属のコイルからな
り、昇華性物質2の上方に配置される。ボビン4はアル
ミナ等の化学的に不活性で耐熱性の電気的絶縁材料で作
られており、その内壁上の溝内にヒータ3のコイルを保
持する。ボビン4はヒータ3を高温に加熱した時。
ヒータ3が垂れ下がるのを防ぐ、るつぼ1は底部から上
部に向かうにしたがって広がる断面形状を有している。
ヒータ3のコイル部分全体がるつぼ1の上端より下にな
る配置構成を示したか、部分的にるつぼ1の上端より上
に出る構成配置等色の構成配置形状としてもよい、ヒー
タ3としてコイルヒータの代わりに高融点金属のリボン
ヒータや切り込み入り円筒状カーボンヒータなどを使用
条件に応じて使うこともできる。ヒータ3の自己保持力
が高温でも十分ある場合は、ボビン4等のヒータ用治具
は省略してらよい。
第1図のヒータ3は、第2図に示すような低電圧大電流
の電源に接続される。第2図において、商用交流電源1
4に可変降圧用のスライダック15が接続され、スライ
ダック15の出力側に低圧トランス16が接続される。
低圧トランスの出力にヒータ3が接続される。さらに、
制御回路を備えてもよい。
昇華性物質2をるつぼ1に装填し、真空装置内に配置し
、ヒータ3をその上に設置する。第2図のような電源か
らヒータ3に電流を供給するとヒータ3は加熱し、放射
熱を発射する。ボビン4の内壁に保持されなヒータ3か
、ら発した放射は主としてボビン4の内壁に囲まれた部
分の昇華性物質2の上表面を照射し、加熱する。放射を
受け、高温になった表面から昇華性物質が蒸発し、上方
に飛散する。−旦蒸発した分子が空中(真空中または雰
囲気中)で冷えて、再び固相に戻ってもヒータ3からの
熱放射を受ければ、再び気相になることができる。真空
度が高い場合は、蒸気分子はほぼ直線的運動をして上方
に配置した基板上に堆積する。不活性ガス等の雰囲気中
で蒸発させた場合は雰囲気ガスの分子と衝突し、微粒子
となって降下する。
昇華性物質の照qtされた部分は昇華蒸発によって次第
に消費されるが、上表面が次第に下方に下がる形で消費
されるため、昇華性物質の内部に空洞ができて崩れたり
内部で蒸発した蒸気が上方の温度が低い部分に堆積した
りすることがない、突沸等の変動が低減した安定な蒸発
を続けることかできる。
第3図に本発明の他の実施例による蒸発装置を示す、上
拡がりのるつぼ1に昇華性物質2が収容されている。抵
抗加熱用ヒータ3は上に行くに従って径が小さくなるコ
イル形状に巻かれており、上窄まりのボビン4の内壁に
形成された溝内に保持されている。るつぼ1とボビン4
とは接触係合しており、るつぼ1の内壁がボビン4の底
部を支持している。ボビン4の上端は窄められ、開孔6
を作っている。昇華性物質2の上面はヒータ3を装荷し
たボビン4の内面と対向し、空間5を画定している。
ヒータ3に電流を流すとヒータ3が加熱し、全形の放射
熱源を形成する。昇華性物質2の表面は放射熱によって
加熱される。放射は上方から入射するので昇華性物質2
はその上面が最も高温となり、昇華は上面から起こる。
昇華した蒸気はボビン4、るつぼ1、昇華性物質2の上
面がつくる空間5に一旦蓄えられ、緩衝作用を受けて、
上方の開孔6から外部へと出ていく、空間5内の圧力(
真空度)と外部の真空度の差を大きくとる場合は開孔6
を小さくし、ボビン4とるっぽ1の接触を密にする。
第4図に他の実施例による昇華性物質の蒸発装置を示す
、昇華性物質2を収容するるつぼ1の内部上方にボビン
4に保持されたコイル状ヒータ3が配置され、るつぼ1
の上に蓋部材8がヒータ3を覆って配置されている0M
部材8には中央部に開孔6が設けられている0M部材8
はタングステン等の高融点金属の板、またはアルミナ、
石英等の耐熱性の電気的絶縁材などで作ることができる
たとえば、中央に直径1mmの開孔を有するタングステ
ンの板部材で形成できる。蓋部材8が金属で作られてい
る場合は、蓋部材8とヒータ3とをギャップ、絶縁剤等
で電気的に絶縁する6M部材8の温度が低くなると蒸発
分子がそこに凝固堆積するのでヒータ3によって十分高
温に加熱される構造とする必要がある。蒸発用ヒータ3
と別に蓋部材8の加熱用ヒータを設けてもよい。
第4図を参照して、ヒータ3を加熱すると昇華性物質2
の表面が熱放射によって加熱される。るつぼ1内の昇華
性物質2表面から蒸発した昇華・性物質の蒸気はるつぼ
1と蓋部材8との間の空間9に貯えられる。開孔6から
この貯えられた昇華性物質の蒸気が発射される。るつぼ
と蓋部材の組み合わせがクヌーセンセルと同様な作用を
果たす。
蓋部材8の開孔6以外の部分に当たった蒸気はヒータ3
による加熱のなめ蓋部材8には凝固堆積せず、空間9に
閉じこめられる。蒸気を一旦貯える中間状態を作ること
により1M街効果が生じ、蒸発速度の時間的変動が平滑
化されると考えられる。
蓋部材8とるつぼ1および昇華性物質2の上表面が作る
空間9は第3図の実施例の空間5と同様の役割を果たし
ている。内外の真空度の差を大きくするには開孔6を小
さく、蓋部材8とるつぼ1の接触を密にする。
第1図と第4図の実施例に示す構造を用いた例によって
ZnSの蒸着を行い結果を調べた。
火翌亙遇 蒸発   型  水晶発振器   蒸発速度の物・  
  膜二〇設  −差 ZnS  第1図 2A/sec、  ±20%ZnS
  第4図 2 A / s 、e c 、  ±10
%上方からの放射加熱によって蒸発速度が安定化され、
閉じ込め空間を作ることによって、さらに蒸発速度が安
定化することが示されたと考えられる。
昇華性物質としてZnSを例に説明したが、ZnS他の
無機物質、およびピレン、アントラセン等の有機物質の
昇華性物質を昇華、蒸発させることができる。
[発明の効果コ るつぼに収容した昇華性物質を上から熱放射によって加
熱し蒸発させるため、加熱条件が安定な蒸発源が形成さ
れる。
また、昇華性物質の内部からはほとんど蒸発が起きない
ので突沸等の急激な蒸発速度の変動が低減する。
また、開孔を有する蓋部材を用いることによりさらに変
動を低減できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の1実施例による蒸発装置を示す概略横
断面図、第2図は電源の回路図、第3図は他の実施例に
よる蒸発装置を示す概略横断面図、第4図は他の実施例
による蒸発装置の概略横断面図、第5図は従来技術によ
るるつぼの例を示す部分横断面図である。 符号の説明 1   るつぼ 2   昇華性物質 3   ヒータ 4   ボビン 5   空間 6   開孔 8   蓋部材 9   空間 15  スライダック 16  低圧トランス

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)、化学的に不活性で耐熱性の材料で作られたるつ
    ぼに昇華性物質を収容し、該昇華性物質の上方に抵抗加
    熱ヒータを配置し、抵抗加熱ヒータを加熱して熱放射さ
    せ、放射熱によって昇華性物質をその上面から蒸発させ
    ることを特徴とする昇華性物質の蒸発方法。
  2. (2)、特許請求の範囲第1項記載の昇華性物質の蒸発
    方法であって、さらに該るつぼと該抵抗加熱ヒータとを
    開孔を有する蓋部材で覆い、該昇華性物質から蒸発した
    蒸気が該開孔を介して外部に出ていくことを特徴とする
    昇華性物質の蒸発方法。
  3. (3)、化学的に不活性で耐熱性の材料で作られ、昇華
    性物質を収容するためのるつぼと、該るつぼに収容され
    る昇華性物質の上方に配置される抵抗加熱ヒータとを有
    することを特徴とする昇華性物質の蒸発装置。
  4. (4)、特許請求の範囲第3項記載の昇華性物質の蒸発
    装置であって、さらに該るつぼと該抵抗加熱ヒータとを
    覆う、開孔を有する蓋部材を含むことを特徴とする昇華
    性物質の蒸発装置。
JP3089788A 1988-02-15 1988-02-15 昇華性物質の蒸発方法と蒸発装置 Pending JPH01208452A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011256427A (ja) * 2010-06-09 2011-12-22 Hitachi Zosen Corp 真空蒸着装置における蒸着材料の蒸発、昇華方法および真空蒸着用るつぼ装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6147066B2 (ja) * 1978-11-02 1986-10-17 Supechiaru* Konsuto* Enerugohimashi

Patent Citations (1)

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