JPH01209645A - イオン源及び電子銃 - Google Patents

イオン源及び電子銃

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JPH01209645A
JPH01209645A JP63031863A JP3186388A JPH01209645A JP H01209645 A JPH01209645 A JP H01209645A JP 63031863 A JP63031863 A JP 63031863A JP 3186388 A JP3186388 A JP 3186388A JP H01209645 A JPH01209645 A JP H01209645A
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JP
Japan
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electrode
electrons
ion source
lowermost
ions
Prior art date
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Pending
Application number
JP63031863A
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English (en)
Inventor
Kiyoshi Hashimoto
清 橋本
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、イオンや電子を静電的lζ加速し高エネルギ
ビームとして利用するイオン源、電子銃−ζ関する。
(従来の技術) イオン源は、イオン生成部と加速部からなる。
正イオンを加速するイオン源を例にとり、第6図を使っ
て従来例を説明する。
lはイオン生成部で、ガス放電など−こよってイオンを
生成する。2へ5が加速用の電極で、2と5の間に加速
に必要な電圧を加える。3.4は電圧を分割印加するた
めの電極で、使用方法によってその電極数は増減する。
このうち4は後述のように、電圧を分割する目的以外の
役目をもっており、5よりも低い電位におかれている。
各電極の中心軸に沿った電位分布を同図1こ示す。同図
では5を接地電位とした。1からひき出されたイオンは
加速をうけたのち、電場のないドリフト部6を通過する
。この領域では、バックグランドのガスとイオンビーム
との衝突によって、イオンや電子が生まれる。このうち
、電子などの負の荷電粒子は、正イオンと逆方向に加速
され大きなエネルギをもって1#こ入射する。この電子
等の逆流を防ぐために、正イオン源では前述のように4
を5よりも低い電位におき、電子の流入を防いでいる。
4を低電位−ζおくため6ζ、6からは正のイオンなど
が4Iこ流入するが、通常あまり重にな問題fζならな
い〇 負イオン源では、第6図の正負を反転した構成となる。
第7図に示すように、1が最も低電位になる。このとき
には6から正イオンが流入し、加速されて1#こ流入す
る。正イオンの流入を防ぐために、第6図と同様に4を
5よりも高電位fこし、正イオンに対し静電障壁を設け
るようにすればよいようにみえるが、今度は6から電子
が4に向って流入する。第2図の場合には、6から4へ
の正イオンの流入はさして問題にならないと述べたが第
7図では、4への電子流入はイオンの場合よりも大幅に
ふえる。その比はイオンと電子の質量の比の平方根に比
例するため、4に流入する電子電流は、第6図の場合の
41こ流入するイオン電流の数10倍から数百倍に達し
、4の熱負荷は大きくなりすぎる。そのため、負イオン
源の場合には、4の電極を除き、正イオンの逆流を覚悟
した電極構成をとることが多い。この場合には、6の値
域の圧力を下げ、正イオンの発生をおさえるような前述
のように、従来装置では加速を極部への不要の電子イオ
ンの流入を防ぐことが困難であった。
本発明では、負イオン源において電子の流入を防ぎつつ
、逆流正イオンIこ対する#t、障壁を形成する手段を
提供することを目的としている。
(課題を解決するための手段) 本発明に係る負イオン源では、最下流の!極に永久磁石
を配設し、その手前の電極(以下減速電極とよぶ)を最
下流電極電位よりも高くした電極構成としている。
(作用) 本発明により、ば、正イオンの逆流は静電障壁で防止す
る。また、ドリフト部で発生した電子は、最下流電極C
ζ設けた永久磁石のつくる磁場によって、減速電極への
流入を防ぐことができる。
(実施例) 第1図は本発明に係るイオン源の実施例である。
lへ6は第7図と同様の働きをする。ただし、3へ3−
3はやはり、電圧を分割印加するための電極であるが、
通常負イオンをイオン生成部から引き出した場合には電
子も引き出されるため、その分織が必要である。3〜3
−3は電子と負イオンの分離を行なうためのt極構成で
あるが、本発明とは直接関係がないため説明は省く。
6のドリフト部ではイオンビームとガスとの衝突でイオ
ン、電子が発生する。正イオンの逆流防止には従来どお
り、静電障壁で防止する。そのために、4の減速電極を
5よりも高電位におく。このままであると6から4へ電
子の流入があるが、51こ配役した永久磁石の作用で電
子流入を抑える。
図のようにビーム径路をよこぎるように、磁場を発生さ
せると磁場の強さが適当な値以上であれば電子は磁力線
を横切って移動することはできず、4への電子流入を防
ぐことができる。ところで、この磁場は電子の動きを抑
制する程度の磁場であるため、高速のイオンの影響する
ことはない。
第2図は、本発明の変形例を示す。第1図は、イオンの
引出し孔がひとつの場合を例示したが、イオン源では第
2図のように一枚の電極fこ複数個設けた多孔電極が用
いられることが多い。多孔電極の場合でも、@1図と同
様に各引出し孔毎に永久磁石を配することによって同様
の効果が得られる。また、第5図のようlζいくつかの
引出し孔をまとめて処理する方法もある。
ところで本発明は負イオン源を対象としてのべてきたが
、電子銃Iこ対しても同様の効果が得られる。
第3図は、電子銃の典型的な電極配置である。
9は電子放出用のカソードであり、10.11は加速用
の電極である。第3図は第8図と同じ構成で1を91こ
とりかえた構成になりでいる。このときにも正イオンの
逆流がおこり、イオンによる陰極への衝撃が陰極寿命を
縮める原因のひとつとじて知られている。電子銃の場合
でも、第7図の構成とすることにより負イオン源の場合
と同様の効果が得られる。
以上の例では、永久磁石の向きをビームに平行な配置と
したが、これに限られるわけではない。
要は磁石線がビームを横切っていれば良く、第5図の配
置でもよい。
才た、以上の説明では、ビームの形状についてふれなか
ったが形状によらないことはいうまでもない。
(発明の効果) 以上述べたようfこ本発明−こよれば、減速電極と永久
磁石を併用することIこより、正イオン、を子の加速部
への流入を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に係る負イオン源の電極構成図、第2
図は本発明を多孔型[極に適用した例の構成図、第3図
は電子銃の電極配置の構成図、第4図は本発明を電子銃
−こ応用した例の構成図、第5図は磁石配置の別の実施
例を示す構成図、第6図は正イオン源の従来例を示す構
成図、第7図。 第8図は負イオン源の従来例を示す構成図である。 1・・・イオン生成部、2,3,4,5,10.11・
・・加速用′lt極、6・・・ドリフト部、7,8・・
・永久磁石、9・・・電子放出用のカソード。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)イオン生成部で負イオンを生成し、電場によって
    負イオンを引出し、加速する負イオン源において、複数
    の加速用電極のうち、イオンの進行方向にそって最下流
    にある電極に永久磁石を配設するとともに、最下流電極
    のすぐ上流の電極電位を最下流電極より高くしたことを
    特徴とするイオン源。
  2. (2)電子放出用陰極部を具備し、電場によって電子を
    加速する電子銃において、複数の加速用電極のうち電子
    の進行方向にそって最下流にある電極に永久磁石を配設
    するとともに最下流電極のすぐ上流の電極電位を、最下
    流電極より高くしたことを特徴とする電子銃。
JP63031863A 1988-02-16 1988-02-16 イオン源及び電子銃 Pending JPH01209645A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2002043103A3 (en) * 2000-11-20 2002-10-17 Varian Semiconductor Equipment Extraction and deceleration of low energy beam with low beam divergence
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