JPH01209645A - イオン源及び電子銃 - Google Patents
イオン源及び電子銃Info
- Publication number
- JPH01209645A JPH01209645A JP63031863A JP3186388A JPH01209645A JP H01209645 A JPH01209645 A JP H01209645A JP 63031863 A JP63031863 A JP 63031863A JP 3186388 A JP3186388 A JP 3186388A JP H01209645 A JPH01209645 A JP H01209645A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- electrons
- ion source
- lowermost
- ions
- Prior art date
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- Pending
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- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、イオンや電子を静電的lζ加速し高エネルギ
ビームとして利用するイオン源、電子銃−ζ関する。
ビームとして利用するイオン源、電子銃−ζ関する。
(従来の技術)
イオン源は、イオン生成部と加速部からなる。
正イオンを加速するイオン源を例にとり、第6図を使っ
て従来例を説明する。
て従来例を説明する。
lはイオン生成部で、ガス放電など−こよってイオンを
生成する。2へ5が加速用の電極で、2と5の間に加速
に必要な電圧を加える。3.4は電圧を分割印加するた
めの電極で、使用方法によってその電極数は増減する。
生成する。2へ5が加速用の電極で、2と5の間に加速
に必要な電圧を加える。3.4は電圧を分割印加するた
めの電極で、使用方法によってその電極数は増減する。
このうち4は後述のように、電圧を分割する目的以外の
役目をもっており、5よりも低い電位におかれている。
役目をもっており、5よりも低い電位におかれている。
各電極の中心軸に沿った電位分布を同図1こ示す。同図
では5を接地電位とした。1からひき出されたイオンは
加速をうけたのち、電場のないドリフト部6を通過する
。この領域では、バックグランドのガスとイオンビーム
との衝突によって、イオンや電子が生まれる。このうち
、電子などの負の荷電粒子は、正イオンと逆方向に加速
され大きなエネルギをもって1#こ入射する。この電子
等の逆流を防ぐために、正イオン源では前述のように4
を5よりも低い電位におき、電子の流入を防いでいる。
では5を接地電位とした。1からひき出されたイオンは
加速をうけたのち、電場のないドリフト部6を通過する
。この領域では、バックグランドのガスとイオンビーム
との衝突によって、イオンや電子が生まれる。このうち
、電子などの負の荷電粒子は、正イオンと逆方向に加速
され大きなエネルギをもって1#こ入射する。この電子
等の逆流を防ぐために、正イオン源では前述のように4
を5よりも低い電位におき、電子の流入を防いでいる。
4を低電位−ζおくため6ζ、6からは正のイオンなど
が4Iこ流入するが、通常あまり重にな問題fζならな
い〇 負イオン源では、第6図の正負を反転した構成となる。
が4Iこ流入するが、通常あまり重にな問題fζならな
い〇 負イオン源では、第6図の正負を反転した構成となる。
第7図に示すように、1が最も低電位になる。このとき
には6から正イオンが流入し、加速されて1#こ流入す
る。正イオンの流入を防ぐために、第6図と同様に4を
5よりも高電位fこし、正イオンに対し静電障壁を設け
るようにすればよいようにみえるが、今度は6から電子
が4に向って流入する。第2図の場合には、6から4へ
の正イオンの流入はさして問題にならないと述べたが第
7図では、4への電子流入はイオンの場合よりも大幅に
ふえる。その比はイオンと電子の質量の比の平方根に比
例するため、4に流入する電子電流は、第6図の場合の
41こ流入するイオン電流の数10倍から数百倍に達し
、4の熱負荷は大きくなりすぎる。そのため、負イオン
源の場合には、4の電極を除き、正イオンの逆流を覚悟
した電極構成をとることが多い。この場合には、6の値
域の圧力を下げ、正イオンの発生をおさえるような前述
のように、従来装置では加速を極部への不要の電子イオ
ンの流入を防ぐことが困難であった。
には6から正イオンが流入し、加速されて1#こ流入す
る。正イオンの流入を防ぐために、第6図と同様に4を
5よりも高電位fこし、正イオンに対し静電障壁を設け
るようにすればよいようにみえるが、今度は6から電子
が4に向って流入する。第2図の場合には、6から4へ
の正イオンの流入はさして問題にならないと述べたが第
7図では、4への電子流入はイオンの場合よりも大幅に
ふえる。その比はイオンと電子の質量の比の平方根に比
例するため、4に流入する電子電流は、第6図の場合の
41こ流入するイオン電流の数10倍から数百倍に達し
、4の熱負荷は大きくなりすぎる。そのため、負イオン
源の場合には、4の電極を除き、正イオンの逆流を覚悟
した電極構成をとることが多い。この場合には、6の値
域の圧力を下げ、正イオンの発生をおさえるような前述
のように、従来装置では加速を極部への不要の電子イオ
ンの流入を防ぐことが困難であった。
本発明では、負イオン源において電子の流入を防ぎつつ
、逆流正イオンIこ対する#t、障壁を形成する手段を
提供することを目的としている。
、逆流正イオンIこ対する#t、障壁を形成する手段を
提供することを目的としている。
(課題を解決するための手段)
本発明に係る負イオン源では、最下流の!極に永久磁石
を配設し、その手前の電極(以下減速電極とよぶ)を最
下流電極電位よりも高くした電極構成としている。
を配設し、その手前の電極(以下減速電極とよぶ)を最
下流電極電位よりも高くした電極構成としている。
(作用)
本発明により、ば、正イオンの逆流は静電障壁で防止す
る。また、ドリフト部で発生した電子は、最下流電極C
ζ設けた永久磁石のつくる磁場によって、減速電極への
流入を防ぐことができる。
る。また、ドリフト部で発生した電子は、最下流電極C
ζ設けた永久磁石のつくる磁場によって、減速電極への
流入を防ぐことができる。
(実施例)
第1図は本発明に係るイオン源の実施例である。
lへ6は第7図と同様の働きをする。ただし、3へ3−
3はやはり、電圧を分割印加するための電極であるが、
通常負イオンをイオン生成部から引き出した場合には電
子も引き出されるため、その分織が必要である。3〜3
−3は電子と負イオンの分離を行なうためのt極構成で
あるが、本発明とは直接関係がないため説明は省く。
3はやはり、電圧を分割印加するための電極であるが、
通常負イオンをイオン生成部から引き出した場合には電
子も引き出されるため、その分織が必要である。3〜3
−3は電子と負イオンの分離を行なうためのt極構成で
あるが、本発明とは直接関係がないため説明は省く。
6のドリフト部ではイオンビームとガスとの衝突でイオ
ン、電子が発生する。正イオンの逆流防止には従来どお
り、静電障壁で防止する。そのために、4の減速電極を
5よりも高電位におく。このままであると6から4へ電
子の流入があるが、51こ配役した永久磁石の作用で電
子流入を抑える。
ン、電子が発生する。正イオンの逆流防止には従来どお
り、静電障壁で防止する。そのために、4の減速電極を
5よりも高電位におく。このままであると6から4へ電
子の流入があるが、51こ配役した永久磁石の作用で電
子流入を抑える。
図のようにビーム径路をよこぎるように、磁場を発生さ
せると磁場の強さが適当な値以上であれば電子は磁力線
を横切って移動することはできず、4への電子流入を防
ぐことができる。ところで、この磁場は電子の動きを抑
制する程度の磁場であるため、高速のイオンの影響する
ことはない。
せると磁場の強さが適当な値以上であれば電子は磁力線
を横切って移動することはできず、4への電子流入を防
ぐことができる。ところで、この磁場は電子の動きを抑
制する程度の磁場であるため、高速のイオンの影響する
ことはない。
第2図は、本発明の変形例を示す。第1図は、イオンの
引出し孔がひとつの場合を例示したが、イオン源では第
2図のように一枚の電極fこ複数個設けた多孔電極が用
いられることが多い。多孔電極の場合でも、@1図と同
様に各引出し孔毎に永久磁石を配することによって同様
の効果が得られる。また、第5図のようlζいくつかの
引出し孔をまとめて処理する方法もある。
引出し孔がひとつの場合を例示したが、イオン源では第
2図のように一枚の電極fこ複数個設けた多孔電極が用
いられることが多い。多孔電極の場合でも、@1図と同
様に各引出し孔毎に永久磁石を配することによって同様
の効果が得られる。また、第5図のようlζいくつかの
引出し孔をまとめて処理する方法もある。
ところで本発明は負イオン源を対象としてのべてきたが
、電子銃Iこ対しても同様の効果が得られる。
、電子銃Iこ対しても同様の効果が得られる。
第3図は、電子銃の典型的な電極配置である。
9は電子放出用のカソードであり、10.11は加速用
の電極である。第3図は第8図と同じ構成で1を91こ
とりかえた構成になりでいる。このときにも正イオンの
逆流がおこり、イオンによる陰極への衝撃が陰極寿命を
縮める原因のひとつとじて知られている。電子銃の場合
でも、第7図の構成とすることにより負イオン源の場合
と同様の効果が得られる。
の電極である。第3図は第8図と同じ構成で1を91こ
とりかえた構成になりでいる。このときにも正イオンの
逆流がおこり、イオンによる陰極への衝撃が陰極寿命を
縮める原因のひとつとじて知られている。電子銃の場合
でも、第7図の構成とすることにより負イオン源の場合
と同様の効果が得られる。
以上の例では、永久磁石の向きをビームに平行な配置と
したが、これに限られるわけではない。
したが、これに限られるわけではない。
要は磁石線がビームを横切っていれば良く、第5図の配
置でもよい。
置でもよい。
才た、以上の説明では、ビームの形状についてふれなか
ったが形状によらないことはいうまでもない。
ったが形状によらないことはいうまでもない。
(発明の効果)
以上述べたようfこ本発明−こよれば、減速電極と永久
磁石を併用することIこより、正イオン、を子の加速部
への流入を防ぐことができる。
磁石を併用することIこより、正イオン、を子の加速部
への流入を防ぐことができる。
第1図は、本発明に係る負イオン源の電極構成図、第2
図は本発明を多孔型[極に適用した例の構成図、第3図
は電子銃の電極配置の構成図、第4図は本発明を電子銃
−こ応用した例の構成図、第5図は磁石配置の別の実施
例を示す構成図、第6図は正イオン源の従来例を示す構
成図、第7図。 第8図は負イオン源の従来例を示す構成図である。 1・・・イオン生成部、2,3,4,5,10.11・
・・加速用′lt極、6・・・ドリフト部、7,8・・
・永久磁石、9・・・電子放出用のカソード。
図は本発明を多孔型[極に適用した例の構成図、第3図
は電子銃の電極配置の構成図、第4図は本発明を電子銃
−こ応用した例の構成図、第5図は磁石配置の別の実施
例を示す構成図、第6図は正イオン源の従来例を示す構
成図、第7図。 第8図は負イオン源の従来例を示す構成図である。 1・・・イオン生成部、2,3,4,5,10.11・
・・加速用′lt極、6・・・ドリフト部、7,8・・
・永久磁石、9・・・電子放出用のカソード。
Claims (2)
- (1)イオン生成部で負イオンを生成し、電場によって
負イオンを引出し、加速する負イオン源において、複数
の加速用電極のうち、イオンの進行方向にそって最下流
にある電極に永久磁石を配設するとともに、最下流電極
のすぐ上流の電極電位を最下流電極より高くしたことを
特徴とするイオン源。 - (2)電子放出用陰極部を具備し、電場によって電子を
加速する電子銃において、複数の加速用電極のうち電子
の進行方向にそって最下流にある電極に永久磁石を配設
するとともに最下流電極のすぐ上流の電極電位を、最下
流電極より高くしたことを特徴とする電子銃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63031863A JPH01209645A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | イオン源及び電子銃 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63031863A JPH01209645A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | イオン源及び電子銃 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01209645A true JPH01209645A (ja) | 1989-08-23 |
Family
ID=12342887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63031863A Pending JPH01209645A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | イオン源及び電子銃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01209645A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002043103A3 (en) * | 2000-11-20 | 2002-10-17 | Varian Semiconductor Equipment | Extraction and deceleration of low energy beam with low beam divergence |
| CN102592930A (zh) * | 2011-01-08 | 2012-07-18 | 日新离子机器株式会社 | 离子源 |
| EP2446456A4 (en) * | 2009-06-23 | 2014-03-19 | L 3 Comm Corp | MAGNETIC ISOLATED COLD CATHODE ELECTRON PISTOL |
-
1988
- 1988-02-16 JP JP63031863A patent/JPH01209645A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002043103A3 (en) * | 2000-11-20 | 2002-10-17 | Varian Semiconductor Equipment | Extraction and deceleration of low energy beam with low beam divergence |
| CN1311508C (zh) * | 2000-11-20 | 2007-04-18 | 瓦里安半导体设备联合公司 | 用于产生低能量离子束的离子光学装置和方法 |
| EP2446456A4 (en) * | 2009-06-23 | 2014-03-19 | L 3 Comm Corp | MAGNETIC ISOLATED COLD CATHODE ELECTRON PISTOL |
| CN102592930A (zh) * | 2011-01-08 | 2012-07-18 | 日新离子机器株式会社 | 离子源 |
| JP2012146424A (ja) * | 2011-01-08 | 2012-08-02 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン源 |
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