JPH0121187Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0121187Y2 JPH0121187Y2 JP1984183604U JP18360484U JPH0121187Y2 JP H0121187 Y2 JPH0121187 Y2 JP H0121187Y2 JP 1984183604 U JP1984183604 U JP 1984183604U JP 18360484 U JP18360484 U JP 18360484U JP H0121187 Y2 JPH0121187 Y2 JP H0121187Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oil
- pump
- vacuum pump
- rotary vacuum
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
- Non-Positive Displacement Air Blowers (AREA)
- Separating Particles In Gases By Inertia (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の利用分野〕
本考案は、エツチング装置やCVD装置などの
判導体製造装置において、特に塩素系ガスによる
配管の腐食やオイルの劣化等の軽減に好適な真空
排気装置に関するものである。
判導体製造装置において、特に塩素系ガスによる
配管の腐食やオイルの劣化等の軽減に好適な真空
排気装置に関するものである。
従来の装置において塩素系ガスを用いるAlエ
ツチングでは、液体窒素トラツプを設けてガスや
固形粒子を吸着していたが、このトラツプのメン
テナンスが非常に厄介であつた。また、ポンプの
動作油として鉱物油を使用していたので、エツチ
ングガスと反応してオイル劣化が生じポンプの寿
命が短かいという欠点があつた。なお、本考案に
関連する公知例として、Semiconductor World
1984年７月号があるが、オイル劣化によりポンプ
の寿命が短かくなる等の点については配慮されて
いなかつた。
ツチングでは、液体窒素トラツプを設けてガスや
固形粒子を吸着していたが、このトラツプのメン
テナンスが非常に厄介であつた。また、ポンプの
動作油として鉱物油を使用していたので、エツチ
ングガスと反応してオイル劣化が生じポンプの寿
命が短かいという欠点があつた。なお、本考案に
関連する公知例として、Semiconductor World
1984年７月号があるが、オイル劣化によりポンプ
の寿命が短かくなる等の点については配慮されて
いなかつた。
本考案の目的は、オイルの劣化を軽減し、又、
ポンプの損傷を軽減し、メンテナンス周期の長い
信頼性の高い真空排気装置を提供することにあ
る。
ポンプの損傷を軽減し、メンテナンス周期の長い
信頼性の高い真空排気装置を提供することにあ
る。
本考案は上記目的を達成するために、圧力調整
弁、高真空ポンプ群（ターボ分子ポンプ、油回転
真空ポンプ、トラツプ等）より成る排気系におい
て、酸やオイル中の反応生成物を吸収するオイル
フイルトレーシヨンユニツトと、粉末やオイルの
ミストを捕集するミストトラツプを設けたもので
ある。
弁、高真空ポンプ群（ターボ分子ポンプ、油回転
真空ポンプ、トラツプ等）より成る排気系におい
て、酸やオイル中の反応生成物を吸収するオイル
フイルトレーシヨンユニツトと、粉末やオイルの
ミストを捕集するミストトラツプを設けたもので
ある。
〔考案の実施例〕
以下、本考案の一実施例を第１，２図により説
明する。
明する。
第１図に示すように、本考案による真空排気装
置は、圧力調整弁２、閉止弁３、ターボ分子ポン
プ４、閉止弁５、油回転真空ポンプ６、オイルフ
イルトレーシヨンユニツト７、ミストトラツプ９
及び閉止弁８より構成される。
置は、圧力調整弁２、閉止弁３、ターボ分子ポン
プ４、閉止弁５、油回転真空ポンプ６、オイルフ
イルトレーシヨンユニツト７、ミストトラツプ９
及び閉止弁８より構成される。
本考案装置を、塩素系ガスを使用するAlエツ
チング装置に適用した場合について説明する。
チング装置に適用した場合について説明する。
処理室１に導入されたエツチングガスBCl3，
CCl4及びSiCl4等は、圧力調整弁２、閉止弁３、
ターボ分子ポンプ４および閉止弁５等を経て油回
転真空ポンプ６まで到達する。ここで、油回転真
空ポンプ６内にN2ガスを入れることによりエツ
チングガスを希釈し、また、オイルフイルトレー
シヨンユニツト７内のフイルターにてエツチング
ガス成分を中和作用により一部吸収する。そし
て、例えば動作油としてフオンブリンオイルを用
いれば、塩素系ガスに対し化学的に反応しにくい
ためにオイル劣化も軽減され、油回転真空ポンプ
６の寿命も長くなる。
CCl4及びSiCl4等は、圧力調整弁２、閉止弁３、
ターボ分子ポンプ４および閉止弁５等を経て油回
転真空ポンプ６まで到達する。ここで、油回転真
空ポンプ６内にN2ガスを入れることによりエツ
チングガスを希釈し、また、オイルフイルトレー
シヨンユニツト７内のフイルターにてエツチング
ガス成分を中和作用により一部吸収する。そし
て、例えば動作油としてフオンブリンオイルを用
いれば、塩素系ガスに対し化学的に反応しにくい
ためにオイル劣化も軽減され、油回転真空ポンプ
６の寿命も長くなる。
一方、エツチングガスとオイル等が反応して装
置内で生成される固形粒子は、装置の運転に支障
のないオイルフイルトレーシヨンユニツト７にオ
イルを循環させることによりそのフイルターで補
集される。
置内で生成される固形粒子は、装置の運転に支障
のないオイルフイルトレーシヨンユニツト７にオ
イルを循環させることによりそのフイルターで補
集される。
したがつて、図示の真空排気装置によれば、エ
ツチングガスBCl3等は、オイルフイルトレーシ
ヨンユニツト７及びミストトラツプ９内で一部吸
着され、残りはスクラバー１０にて後処理される
が、塩素系ガスに対して化学的に安定しているた
めに別に問題はない。即ち、本実施例によるとオ
イル及びポンプの寿命が長く、しかもメンテナン
ス周期の長い排気装置が得られるという効果があ
る。
ツチングガスBCl3等は、オイルフイルトレーシ
ヨンユニツト７及びミストトラツプ９内で一部吸
着され、残りはスクラバー１０にて後処理される
が、塩素系ガスに対して化学的に安定しているた
めに別に問題はない。即ち、本実施例によるとオ
イル及びポンプの寿命が長く、しかもメンテナン
ス周期の長い排気装置が得られるという効果があ
る。
次に、第２図によりミストトラツプ９の機能に
ついて説明する。
ついて説明する。
油回転真空ポンプ６より排気されるガスと固形
粒子２５及びオイル２６等は、入口管２２から入
つてくる。まず、ガス流２４は反射板１８に衝突
して反射板１８に沿つて一端下つた後、スクラバ
ー１０側からの吸引力により吸い込まれて出口管
１６を経てスクラバー１０で後処理される。ここ
で、塩素系ガスBCl3のＢ（ほう素）と装置配管内
の空気中の酸素と結合して生成されるB2O3（ほう
酸）等の固形粒子２５は、反射板１８に衝突させ
下方へ落としてミストトラツプ９の本体２０と入
口管２２の間に堆積させる。また、オイル２６に
ついても固形粒子２５と同様に堆積させる。尚、
本体２０外周に設けた冷却槽１９はジヤケツト構
造として水冷を行つているが、これはガスや固形
粒子２５等の吸着作用を良くするためである。
粒子２５及びオイル２６等は、入口管２２から入
つてくる。まず、ガス流２４は反射板１８に衝突
して反射板１８に沿つて一端下つた後、スクラバ
ー１０側からの吸引力により吸い込まれて出口管
１６を経てスクラバー１０で後処理される。ここ
で、塩素系ガスBCl3のＢ（ほう素）と装置配管内
の空気中の酸素と結合して生成されるB2O3（ほう
酸）等の固形粒子２５は、反射板１８に衝突させ
下方へ落としてミストトラツプ９の本体２０と入
口管２２の間に堆積させる。また、オイル２６に
ついても固形粒子２５と同様に堆積させる。尚、
本体２０外周に設けた冷却槽１９はジヤケツト構
造として水冷を行つているが、これはガスや固形
粒子２５等の吸着作用を良くするためである。
本考案によれば、オイル劣化を軽減でき、又、
装置内で生成される固形粒子や反応ガス等を、装
置運転に支障のない箇所で補集あるいは系外へ取
り出すことによりポンプの損傷を軽減し、メンテ
ナンス周期の長い信頼性の高い真空排気装置が得
られるという効果がある。
装置内で生成される固形粒子や反応ガス等を、装
置運転に支障のない箇所で補集あるいは系外へ取
り出すことによりポンプの損傷を軽減し、メンテ
ナンス周期の長い信頼性の高い真空排気装置が得
られるという効果がある。
第１図は、本考案装置の系統図、第２図は、ミ
ストトラツプの詳細構造図である。 １……処理室、２……圧力調整弁、３……閉止
弁、４……ターボ分子ポンプ、５……閉止弁、６
……油回転真空ポンプ、７……オイルフイルトレ
ーション・ユニツト、８……圧力調整弁、９……
ミストトラツプ、１０……スクラバー、１６……
出口管、１７……フランジ、１８……反射板、１
９……冷却槽、２０……本体、２１……フラン
ジ、２２……入口管、２３……固形粒子流、２４
……ガス流、２５……固形粒子、２６……オイ
ル。
ストトラツプの詳細構造図である。 １……処理室、２……圧力調整弁、３……閉止
弁、４……ターボ分子ポンプ、５……閉止弁、６
……油回転真空ポンプ、７……オイルフイルトレ
ーション・ユニツト、８……圧力調整弁、９……
ミストトラツプ、１０……スクラバー、１６……
出口管、１７……フランジ、１８……反射板、１
９……冷却槽、２０……本体、２１……フラン
ジ、２２……入口管、２３……固形粒子流、２４
……ガス流、２５……固形粒子、２６……オイ
ル。
Claims (1)
- ガスを導入しながら所定の圧力を維持する目的
で構成された、圧力調整弁、ターボ分子ポンプ、
油回転真空ポンプ等より成る排気系において、油
回転真空ポンプにオイルフイルトレーシヨンユニ
ツトを連結し、かつ、油回転真空ポンプとスクラ
バーとの間にミストトラツプを設けたことを特徴
とする真空排気装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984183604U JPH0121187Y2 (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984183604U JPH0121187Y2 (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6199682U JPS6199682U (ja) | 1986-06-25 |
| JPH0121187Y2 true JPH0121187Y2 (ja) | 1989-06-23 |
Family
ID=30741102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984183604U Expired JPH0121187Y2 (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0121187Y2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0752718B2 (ja) | 1984-11-26 | 1995-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜形成方法 |
| JPH0768959B2 (ja) * | 1987-11-13 | 1995-07-26 | 株式会社日立製作所 | 真空ポンプ |
| JP2781851B2 (ja) * | 1988-10-13 | 1998-07-30 | スピードファムクリーンシステム株式会社 | エアによるワークの乾燥方法及び装置 |
| JP4700303B2 (ja) * | 2004-08-02 | 2011-06-15 | 株式会社井上製作所 | 真空式ミキサー |
| CN109098952B (zh) * | 2018-08-30 | 2019-08-23 | 西安交通大学 | 一种轴流式离心分离器及油气分离方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59162116A (ja) * | 1983-03-03 | 1984-09-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | シリコン被膜作製方法 |
-
1984
- 1984-12-05 JP JP1984183604U patent/JPH0121187Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6199682U (ja) | 1986-06-25 |
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