JPH01215046A - 共晶はんだバンプ電極の試験方法 - Google Patents
共晶はんだバンプ電極の試験方法Info
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- JPH01215046A JPH01215046A JP63041142A JP4114288A JPH01215046A JP H01215046 A JPH01215046 A JP H01215046A JP 63041142 A JP63041142 A JP 63041142A JP 4114288 A JP4114288 A JP 4114288A JP H01215046 A JPH01215046 A JP H01215046A
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- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフリップチップ等の半導体チ゛ツブの実装ない
しは接続のために設けられるバンプ電極の試験方法であ
って、錫−鉛系共晶はんだからなるバンプ電極の半導体
チップとの密着性を試験する方法に関する。
しは接続のために設けられるバンプ電極の試験方法であ
って、錫−鉛系共晶はんだからなるバンプ電極の半導体
チップとの密着性を試験する方法に関する。
（従来の技術〕
上述のフリップチップ等のバンプ電極が設けられた半導
体チップは、よく知られているようにセラ電ツク配線基
板等に実装すると同時にバンプ電極を介して外部回路と
の接続を果たすことができ、ボンディング作業やボンデ
ィング線のためのスペースが不要になる利点をもち、最
近広く採用されるに至っている。このバンプ電極用材料
には銅も用いられるが、低温実装が可能で量産に向く点
ではんだバンプが広（用いられ、とくに錫を５３〜７３
％程度含む錫−鉛系のいわゆる共晶はんだは、はんだの
中でも最も低温で実装が可能な特長を有する。ところが
このはんだバンプは、半導体チップの配線基板から絶縁
膜によって絶縁された配ｗＡ膜上に下地膜を介して設け
られるので、半導体チップとの密着性が不充分なものが
発生することがあり、このためはんだバンプを備える半
導体チップの量産時には品質管理のためにバンプ電極の
密着性試験を行なうのが望ましい０本発明はかかるはん
だバンプ電極の試験方法に関し、第４図にその横置と配
線基板への実装状態を示す。
体チップは、よく知られているようにセラ電ツク配線基
板等に実装すると同時にバンプ電極を介して外部回路と
の接続を果たすことができ、ボンディング作業やボンデ
ィング線のためのスペースが不要になる利点をもち、最
近広く採用されるに至っている。このバンプ電極用材料
には銅も用いられるが、低温実装が可能で量産に向く点
ではんだバンプが広（用いられ、とくに錫を５３〜７３
％程度含む錫−鉛系のいわゆる共晶はんだは、はんだの
中でも最も低温で実装が可能な特長を有する。ところが
このはんだバンプは、半導体チップの配線基板から絶縁
膜によって絶縁された配ｗＡ膜上に下地膜を介して設け
られるので、半導体チップとの密着性が不充分なものが
発生することがあり、このためはんだバンプを備える半
導体チップの量産時には品質管理のためにバンプ電極の
密着性試験を行なうのが望ましい０本発明はかかるはん
だバンプ電極の試験方法に関し、第４図にその横置と配
線基板への実装状態を示す。
第４図（ａｌははんだバンプ電極２０を実装前の状態で
示すものである。このバンプ電極２０を半導体チップｌ
Ｏに設けるには、そ半導体基板１の表面を酸化膜等の絶
縁膜２で覆った上で、−その上に半導体チップ内に作り
込まれたトランジスタやダイオードなどと接続されたふ
つうはアルミの配線膜３を設ける。この配線膜３を窒化
膜等の保護膜４で覆った上で、そのバンプ電極を設ける
べき場所に窓を明ける０次にこの窓を介して配線膜３に
導電接触するようにバンプ電極用の下地膜２１として例
えばチタニウムと銅をご（薄り被着した上で、この下地
膜２１の上に電気めっき等の手段ではんだ２２を厚く成
長させる。このはんだ２２の先端を図示のように丸くす
るには半導体チップを加熱してはんだを溶融すればよく
、このいわゆるリフロー時にはんだ２２の表面張力によ
う先端が丸（なってはんだバンプ電極２０が形成される
。
示すものである。このバンプ電極２０を半導体チップｌ
Ｏに設けるには、そ半導体基板１の表面を酸化膜等の絶
縁膜２で覆った上で、−その上に半導体チップ内に作り
込まれたトランジスタやダイオードなどと接続されたふ
つうはアルミの配線膜３を設ける。この配線膜３を窒化
膜等の保護膜４で覆った上で、そのバンプ電極を設ける
べき場所に窓を明ける０次にこの窓を介して配線膜３に
導電接触するようにバンプ電極用の下地膜２１として例
えばチタニウムと銅をご（薄り被着した上で、この下地
膜２１の上に電気めっき等の手段ではんだ２２を厚く成
長させる。このはんだ２２の先端を図示のように丸くす
るには半導体チップを加熱してはんだを溶融すればよく
、このいわゆるリフロー時にはんだ２２の表面張力によ
う先端が丸（なってはんだバンプ電極２０が形成される
。
第４図中）はこの半導体チップ１０を配線基板３０に実
装した状態を示す、配線基板３０はセラミック基板３１
上に配線導体３２を配列したもので、実装に当たっては
半導体チップ１０のはんだバンプ電極２０の先端をこの
配線導体３２に接触させた状態ではんだの溶融点以上の
温度に短時間加熱してやればよい。
装した状態を示す、配線基板３０はセラミック基板３１
上に配線導体３２を配列したもので、実装に当たっては
半導体チップ１０のはんだバンプ電極２０の先端をこの
配線導体３２に接触させた状態ではんだの溶融点以上の
温度に短時間加熱してやればよい。
これによって、図示のようにはんだ２２が配線導体３２
と接合されて半導体チップｌＯの配線基板３０への取り
付けとバンプ電極２０を介する接続が同時に完了する。
と接合されて半導体チップｌＯの配線基板３０への取り
付けとバンプ電極２０を介する接続が同時に完了する。
各バンプ電極２０はその径がふつう２００〜３００ｎ程
度の小さなものであり、１個の半導体チップに多いとき
には１００個以上のバンプ電極が小間隔で並べて設けら
れるので、前述の密着性試験をバンプ電極−つ一つにつ
いて行なうことは困難で、第４図偽）のように半導体チ
ップｌＯを配線基板３０等に実装しておいた上で、図示
のように引張力Ｐを掛けて半導体チップ１０を配線基板
３０から強制的に引き剥がす、この際密着性が悪いとバ
ンプ電極２０の半導体チップ１Ｇへの取り付は部１例え
ば図でＮＧで示した個所で外れるが、密着性が良好な場
合はバンプ電極２０のはんだ２２の途中１例えば図でＧ
で示した個所で破断する。従って、半導体チップ１０を
それを実装した配線基板３０から強引に引き剥がした時
に、バンプ電極内で破断が生じたか否かによりバンプ電
極の半導体チップへの密着性の良否を判定することがで
き、例えば試験された半導体チップ内で密着性の不良な
バンプ電極が所定個数以上あれば、この半導体チップと
同時に製作°されたロフトの半導体チップを不良と判定
する。
度の小さなものであり、１個の半導体チップに多いとき
には１００個以上のバンプ電極が小間隔で並べて設けら
れるので、前述の密着性試験をバンプ電極−つ一つにつ
いて行なうことは困難で、第４図偽）のように半導体チ
ップｌＯを配線基板３０等に実装しておいた上で、図示
のように引張力Ｐを掛けて半導体チップ１０を配線基板
３０から強制的に引き剥がす、この際密着性が悪いとバ
ンプ電極２０の半導体チップ１Ｇへの取り付は部１例え
ば図でＮＧで示した個所で外れるが、密着性が良好な場
合はバンプ電極２０のはんだ２２の途中１例えば図でＧ
で示した個所で破断する。従って、半導体チップ１０を
それを実装した配線基板３０から強引に引き剥がした時
に、バンプ電極内で破断が生じたか否かによりバンプ電
極の半導体チップへの密着性の良否を判定することがで
き、例えば試験された半導体チップ内で密着性の不良な
バンプ電極が所定個数以上あれば、この半導体チップと
同時に製作°されたロフトの半導体チップを不良と判定
する。
〔発明が解決しようとする課Ｉｔ）
上述のバンプ電極の密着性試験方法は非常に簡便でかつ
正確に密着性を評価できるが、バンプ電極に用いられる
はんだの種類によってうま（行（場合と行かない場合が
ある０例えば５９４程度の錫を含む比較的柔らかい錫−
鉛系はんだの場合にはうまく行くが、比較的硬い前述の
共晶はんだの場合には余りうまく行かない、これは後者
の場合に、密着性がかなり良好なときにも前述の引き剥
がし試験時にバンプ電極内で破断が生ぜずバンプ電極が
その付は根の所て半導体チップから外れてしまいやすい
ためである。良否の判定基準がバンプ電極内で破断が生
じるか否かにあるから、密着性が良好なのに破断が生じ
ないようでは、良品まで不良と判定してしまうおそれが
ある。なお、５％錫のはんだと問題の共晶はんだとでは
、その引張強度においてそれ程差があるわけではない。
正確に密着性を評価できるが、バンプ電極に用いられる
はんだの種類によってうま（行（場合と行かない場合が
ある０例えば５９４程度の錫を含む比較的柔らかい錫−
鉛系はんだの場合にはうまく行くが、比較的硬い前述の
共晶はんだの場合には余りうまく行かない、これは後者
の場合に、密着性がかなり良好なときにも前述の引き剥
がし試験時にバンプ電極内で破断が生ぜずバンプ電極が
その付は根の所て半導体チップから外れてしまいやすい
ためである。良否の判定基準がバンプ電極内で破断が生
じるか否かにあるから、密着性が良好なのに破断が生じ
ないようでは、良品まで不良と判定してしまうおそれが
ある。なお、５％錫のはんだと問題の共晶はんだとでは
、その引張強度においてそれ程差があるわけではない。
この問題を解決するため、共晶はんだバンプの場合には
半導体チップをそれが実装された配線基板から完全に引
き剥がしてしまうことを止めて、バンプ電極に必要な密
着強度に相当する所定の引張力を掛けるだけですませる
ことも考えられるが、この引張力を掛けた後で多数の小
さなバンプ電極がその半導体チップへの付は根部で外れ
かかっているか否かを一々確かめることは実際には至難
の業である。
半導体チップをそれが実装された配線基板から完全に引
き剥がしてしまうことを止めて、バンプ電極に必要な密
着強度に相当する所定の引張力を掛けるだけですませる
ことも考えられるが、この引張力を掛けた後で多数の小
さなバンプ電極がその半導体チップへの付は根部で外れ
かかっているか否かを一々確かめることは実際には至難
の業である。
本発明はかかる問題点を解決して、バンプ電極が共晶は
んだである場合にもその半導体チップへの密着性を正確
に試験できるようにすることを課題とする。
んだである場合にもその半導体チップへの密着性を正確
に試験できるようにすることを課題とする。
（課題を解決するための手段〕
本発明によればこの課題は、錫−鉛系共晶はんだからな
るバンプ電極の半導体チップとの密着性を試験するに当
たって、バンプ電極が設けられた半導体チップを所定の
対象上にバンプ電極を介して取り付けた上で、５０〜ｌ
ＯＯ℃の温度下で半導体チップのバンプ電極が設けられ
ｈ面に直角な方向に引張力を掛けて半導体チップを対象
から引き剃がし、この引き剥がし時にバンプ電極内で破
断が生じたか否かによりバンプ電極の半導体チップに対
する密着性の良否を判定することにより解決される。な
お、本発明方法は６３±ｌＯ％の錫を含む錫−鉛系共晶
はんだに有利に適用することができる。
るバンプ電極の半導体チップとの密着性を試験するに当
たって、バンプ電極が設けられた半導体チップを所定の
対象上にバンプ電極を介して取り付けた上で、５０〜ｌ
ＯＯ℃の温度下で半導体チップのバンプ電極が設けられ
ｈ面に直角な方向に引張力を掛けて半導体チップを対象
から引き剃がし、この引き剥がし時にバンプ電極内で破
断が生じたか否かによりバンプ電極の半導体チップに対
する密着性の良否を判定することにより解決される。な
お、本発明方法は６３±ｌＯ％の錫を含む錫−鉛系共晶
はんだに有利に適用することができる。
本発明は、密着性が正常なバンプ電極を備える半導体チ
ップをそれが実装ないしは取り付けられた配線基板など
の対象から引張力によ°って引き剥がす際に、バンプ電
極内でうまく破断が生じて呉れるかどうかは、バンプ電
極の材料に固有な引張強度よりはむしろ伸びの方に関連
があり、共晶はんだの場合この伸びが温度によって太き
（変化することに着目してなされたもので、上記の構成
にいうように引き剥がし時の温度を５０〜１００℃にす
ることにより共晶はんだの伸びを大きくして、バンプ電
極の半導体チップへの密着性が良好なときにはバンプ電
極内で破断を生じさせ、密着性が不良のときにはバンプ
電極がその付は根で外れるようにして、バンプ電極の密
着性の良否を正確に判定できるようにしたものである。
ップをそれが実装ないしは取り付けられた配線基板など
の対象から引張力によ°って引き剥がす際に、バンプ電
極内でうまく破断が生じて呉れるかどうかは、バンプ電
極の材料に固有な引張強度よりはむしろ伸びの方に関連
があり、共晶はんだの場合この伸びが温度によって太き
（変化することに着目してなされたもので、上記の構成
にいうように引き剥がし時の温度を５０〜１００℃にす
ることにより共晶はんだの伸びを大きくして、バンプ電
極の半導体チップへの密着性が良好なときにはバンプ電
極内で破断を生じさせ、密着性が不良のときにはバンプ
電極がその付は根で外れるようにして、バンプ電極の密
着性の良否を正確に判定できるようにしたものである。
以下、図を参照しながら本発明の詳細な説明する。第１
図は本発明方法による試験を実施する際に用いる治具や
試験の要領を例示するものである。
図は本発明方法による試験を実施する際に用いる治具や
試験の要領を例示するものである。
第１図に示すように試験用治具に装入する前に、まず試
験をすべきバンプ電極を備えた半導体チップ１０が、こ
の例ではセラミック配線基板である所定の実装対象上に
、その多数のバンプ電極２０を配線基板の配線導体３２
に接合することにより実装され、この対象に取り付けら
れた半導体チップｌＯの図では上面である背面の中央部
に、例えばナツト１１が瞬間接着剤等の手段で強固に図
示のように縦に取り付けられる。試験用の保持治具４０
はヒータ等の適宜な加熱手段４２を内蔵した台４１の上
に、図示のように板を折り曲げて作られた金具４３を１
対取り付けた簡単なもので、この保持治具４０を引張試
験機のテーブルに熱絶縁を介して固定した上で、加熱手
段４２によって台４１を５０〜１００℃の温度になるよ
うにあらかじめ加熱しておく、この温度はとくに厳密に
一定値に制御する要はない、試験に当たっては、保持治
具４０の青金具４３の先端と台４１の上面との間の隙間
４４に半導体チップ１０とナツト１１を取り付けた対象
３０を図の前後方向から装入し、その短時間後に引張試
験機の可動部に係合された引張治具４５の先端のフック
４５ａをナツト１１の内孔に図示のように引っ゛掛けた
上で、引張試験機を操作して引張力Ｐを掛けて半導体チ
ップｌＯを対象３０から引き剥がす。
験をすべきバンプ電極を備えた半導体チップ１０が、こ
の例ではセラミック配線基板である所定の実装対象上に
、その多数のバンプ電極２０を配線基板の配線導体３２
に接合することにより実装され、この対象に取り付けら
れた半導体チップｌＯの図では上面である背面の中央部
に、例えばナツト１１が瞬間接着剤等の手段で強固に図
示のように縦に取り付けられる。試験用の保持治具４０
はヒータ等の適宜な加熱手段４２を内蔵した台４１の上
に、図示のように板を折り曲げて作られた金具４３を１
対取り付けた簡単なもので、この保持治具４０を引張試
験機のテーブルに熱絶縁を介して固定した上で、加熱手
段４２によって台４１を５０〜１００℃の温度になるよ
うにあらかじめ加熱しておく、この温度はとくに厳密に
一定値に制御する要はない、試験に当たっては、保持治
具４０の青金具４３の先端と台４１の上面との間の隙間
４４に半導体チップ１０とナツト１１を取り付けた対象
３０を図の前後方向から装入し、その短時間後に引張試
験機の可動部に係合された引張治具４５の先端のフック
４５ａをナツト１１の内孔に図示のように引っ゛掛けた
上で、引張試験機を操作して引張力Ｐを掛けて半導体チ
ップｌＯを対象３０から引き剥がす。
第２図はこのようにして半導体チップ１０を対象３０か
ら引き剥がした後、の良否の判定基準を模式的に示すも
ので、同図（ｊｌ）が良の場合で同図偽）が不良の場合
である。同図（−）ではバンプ電極２０の途中がＧの個
所で破断しており、バンプ電極２０の半導体チップへの
密着性が充分てあり、一方間図−）ではバンプ電極２０
の半導体チップ１０への付は根の個所ＮＧで外れてしま
っており密着性が不充分である。
ら引き剥がした後、の良否の判定基準を模式的に示すも
ので、同図（ｊｌ）が良の場合で同図偽）が不良の場合
である。同図（−）ではバンプ電極２０の途中がＧの個
所で破断しており、バンプ電極２０の半導体チップへの
密着性が充分てあり、一方間図−）ではバンプ電極２０
の半導体チップ１０への付は根の個所ＮＧで外れてしま
っており密着性が不充分である。
かかる良否の判定は対象から引き剥がされた半導体チッ
プ１０を目視することにより簡単にでき、半導体チップ
内の不良バンプ電極数を数えて記録に残すとともに、例
えば不良バンプ電極数が０であればその半導体チップと
が作られたロフトを良とし、そうでなければさらに数個
の半導体チップについて同じ試験を繰り返えしてその結
果に応じてロフトの良否を決定する。なお、以上の説明
かられかるように半導体チップを実装対象から引き剥が
すときの引張力Ｐの値は本発明方法の場合の良否の判定
にはとくに関係しないが、参考値として記録しておき、
ロフトの良否の総合判定時に参照できるようにしてお（
のが望ましい。
プ１０を目視することにより簡単にでき、半導体チップ
内の不良バンプ電極数を数えて記録に残すとともに、例
えば不良バンプ電極数が０であればその半導体チップと
が作られたロフトを良とし、そうでなければさらに数個
の半導体チップについて同じ試験を繰り返えしてその結
果に応じてロフトの良否を決定する。なお、以上の説明
かられかるように半導体チップを実装対象から引き剥が
すときの引張力Ｐの値は本発明方法の場合の良否の判定
にはとくに関係しないが、参考値として記録しておき、
ロフトの良否の総合判定時に参照できるようにしてお（
のが望ましい。
第３図は６３％の錫を含む錫−鉛系共晶はんだの引張応
力ｄと伸びεとの相関特性の測定結果を温度をパラメー
タにして太線で示すもので、参考用に従−来がらあまり
問題のなかった５％の錫を含む錫−鉛系はんだの特性が
細線で示されている０図かられかるように、共晶はんだ
の場合は岡じ引張応力σを掛けたときの伸び虐が温度に
よって著しく変化し、温度が上がると伸び１の値が大き
くなる。一方、５％錫のはんだの場合は温度が一５０℃
から＋５０℃までの室温ＲＴを含む温度範囲で特性は余
り変わらず、これが従来から問題がない理由であると考
えられる０図かられかるように共晶はんだの室温ＲＴに
おける引張応力σの値は５％錫はんだより太き（、従っ
て同じ゛引張応力σに対応する伸び番が格段に小さい、
しかし□、共晶はんだの５０〜１００℃の温度範囲にお
ける特性は、図かられかるように５％錫はんだの室温Ｒ
Ｔにおける特性とほぼ同等であり、従って同じ引張応力
σを掛けたときに同程度の伸び６が生じる。これから本
発明方法による共晶はんだバンプ電極に対する試験は、
従来から問題がない５％錫はんだのバンプ電極に対する
試験と実質的に同じであることが富付けされる。
力ｄと伸びεとの相関特性の測定結果を温度をパラメー
タにして太線で示すもので、参考用に従−来がらあまり
問題のなかった５％の錫を含む錫−鉛系はんだの特性が
細線で示されている０図かられかるように、共晶はんだ
の場合は岡じ引張応力σを掛けたときの伸び虐が温度に
よって著しく変化し、温度が上がると伸び１の値が大き
くなる。一方、５％錫のはんだの場合は温度が一５０℃
から＋５０℃までの室温ＲＴを含む温度範囲で特性は余
り変わらず、これが従来から問題がない理由であると考
えられる０図かられかるように共晶はんだの室温ＲＴに
おける引張応力σの値は５％錫はんだより太き（、従っ
て同じ゛引張応力σに対応する伸び番が格段に小さい、
しかし□、共晶はんだの５０〜１００℃の温度範囲にお
ける特性は、図かられかるように５％錫はんだの室温Ｒ
Ｔにおける特性とほぼ同等であり、従って同じ引張応力
σを掛けたときに同程度の伸び６が生じる。これから本
発明方法による共晶はんだバンプ電極に対する試験は、
従来から問題がない５％錫はんだのバンプ電極に対する
試験と実質的に同じであることが富付けされる。
以上の記載からすでに明らかなように本発明方法では、
錫−鉛系共晶はんだからなるバンプ電極の半導体チップ
との密着性を試験するに当たって、バンプ電極が設けら
れた半導体チップを所定の対象上にバンプ電極を介して
取り付けた上で、５０〜１００℃の温度下で半導体チッ
プのバンプ電極が設けられた面に直角な方向に引張力を
掛けて半導体チップを対象から引き剃がし、この引き剥
がし時にバンプ電極内で破断が生じたか否かによりバン
プ電極の半導体チップに対する密着性の良否を判定する
するようにしたので、引き剥がし用の引張力が掛かった
ときにそれに応じて共晶はんだに充分な伸びが生じ、従
来のようにバンプ電極あ半導体チップへの付は根の接合
部に応力が集中して、この部分の密着性が充分あるのに
外れてしまうようなことがなくなり、密着性が良好なと
きは必ずバンプ電極内で破断が生じるので、５％錫はん
だと同様に正確にバンプ電極の半導体チップに対する密
着性の良否を判定することができる。
錫−鉛系共晶はんだからなるバンプ電極の半導体チップ
との密着性を試験するに当たって、バンプ電極が設けら
れた半導体チップを所定の対象上にバンプ電極を介して
取り付けた上で、５０〜１００℃の温度下で半導体チッ
プのバンプ電極が設けられた面に直角な方向に引張力を
掛けて半導体チップを対象から引き剃がし、この引き剥
がし時にバンプ電極内で破断が生じたか否かによりバン
プ電極の半導体チップに対する密着性の良否を判定する
するようにしたので、引き剥がし用の引張力が掛かった
ときにそれに応じて共晶はんだに充分な伸びが生じ、従
来のようにバンプ電極あ半導体チップへの付は根の接合
部に応力が集中して、この部分の密着性が充分あるのに
外れてしまうようなことがなくなり、密着性が良好なと
きは必ずバンプ電極内で破断が生じるので、５％錫はん
だと同様に正確にバンプ電極の半導体チップに対する密
着性の良否を判定することができる。
このバンプ電極内で破断が生じるか否かで密着性を判定
する方法は一種の破壊試験ではあるが、半導体チップに
多数設けられる小さなバンプ電極の良否を見分ける上で
は経験上置も正確でかつ量産に適する簡便な方法である
０本発明方法の実施により共晶はんだのバンプ電極の試
験にあった問題点を解消することができ、共晶はんだの
もつ低温実装の利点を集積回路等の半導体チップに充分
に生かして使用することがはじめて可能になる。
する方法は一種の破壊試験ではあるが、半導体チップに
多数設けられる小さなバンプ電極の良否を見分ける上で
は経験上置も正確でかつ量産に適する簡便な方法である
０本発明方法の実施により共晶はんだのバンプ電極の試
験にあった問題点を解消することができ、共晶はんだの
もつ低温実装の利点を集積回路等の半導体チップに充分
に生かして使用することがはじめて可能になる。
第１図から第３図までが本発明に関し、第１図は本発明
による共晶はんだバンプ電極の試験方法の実施に適する
治具と試験の要領を例示する要部の側面図、第２図はバ
ンプ電極の密着性の良否の判定要領を図解するバンプ電
極と半導体チップおよび実装対象の要部の側面図、第３
図は錫を６３九含有する錫−鉛系共晶はんだの引張応力
と伸びの関係を温度をパラメータとし、かつ５％錫はん
だと対比して示す特性線図である。第４図はバンプ電極
とその配線基板への実装時の構造とともに従来からの試
験要領を説明するバンプ電極と半導体チップおよび配線
基板の要部の断面図である０図において、 １：半導体基板、２：絶縁膜、３：配線膜、４：保護膜
、１０：半導体チップ、２０：バンプ電極、２１：バン
プ電極の下地膜、２２：バンプ電極用はんだ、３０：実
装対象ないしは配線基板、３１：セラミック基゛板、３
２：配線導体、４０Ｘ試験用保持治具、４１：台、４２
：加熱手謙、４３！金具、４４：実装対象の装入用隙間
、４５：引張治具、４５ａ：引張治具のフック、ａ：は
んだの伸び、Ｇ：バンプ、電極の破断個所、ＮＧ＝バン
プ電極が半導体チップから外れる個所、Ｐ：引張力、Ｒ
ｈ室温、σ：はんだの引張第１図 （’／、） 第３図 手続補正書（自発） 昭和６３年５月１０日 ９□庁□７ や 番１、事件の表示
特願昭１３−４ｔ／／’ｌ−２２、発明の名称
デー１１Ｌだ゛バレン０愛手蚤乃拭瀕ち迅 ３、補正をする者 出願人事件との関係 住 所 川崎市川崎区田辺新田１番１号名 称 （
Ｊ３）富士電機株式会社 ４、代 理 人 ６、補正により増加する発明の数 補正の内容 １、明細書第１０頁第１９行に「第３図は」とあるを次
の通り補正する。
による共晶はんだバンプ電極の試験方法の実施に適する
治具と試験の要領を例示する要部の側面図、第２図はバ
ンプ電極の密着性の良否の判定要領を図解するバンプ電
極と半導体チップおよび実装対象の要部の側面図、第３
図は錫を６３九含有する錫−鉛系共晶はんだの引張応力
と伸びの関係を温度をパラメータとし、かつ５％錫はん
だと対比して示す特性線図である。第４図はバンプ電極
とその配線基板への実装時の構造とともに従来からの試
験要領を説明するバンプ電極と半導体チップおよび配線
基板の要部の断面図である０図において、 １：半導体基板、２：絶縁膜、３：配線膜、４：保護膜
、１０：半導体チップ、２０：バンプ電極、２１：バン
プ電極の下地膜、２２：バンプ電極用はんだ、３０：実
装対象ないしは配線基板、３１：セラミック基゛板、３
２：配線導体、４０Ｘ試験用保持治具、４１：台、４２
：加熱手謙、４３！金具、４４：実装対象の装入用隙間
、４５：引張治具、４５ａ：引張治具のフック、ａ：は
んだの伸び、Ｇ：バンプ、電極の破断個所、ＮＧ＝バン
プ電極が半導体チップから外れる個所、Ｐ：引張力、Ｒ
ｈ室温、σ：はんだの引張第１図 （’／、） 第３図 手続補正書（自発） 昭和６３年５月１０日 ９□庁□７ や 番１、事件の表示
特願昭１３−４ｔ／／’ｌ−２２、発明の名称
デー１１Ｌだ゛バレン０愛手蚤乃拭瀕ち迅 ３、補正をする者 出願人事件との関係 住 所 川崎市川崎区田辺新田１番１号名 称 （
Ｊ３）富士電機株式会社 ４、代 理 人 ６、補正により増加する発明の数 補正の内容 １、明細書第１０頁第１９行に「第３図は」とあるを次
の通り補正する。
Claims (1)
- 半導体チップ上に設けられた錫−鉛系共晶はんだから
なるバンプ電極の半導体チップとの密着性を試験する方
法であって、バンプ電極が設けられた半導体チップを所
定の対象上にバンプ電極を介して取り付けた上で５０〜
１００℃の温度下で半導体チップのバンプ電極が設けら
れた面に直角な方向に引張力を掛けて半導体チップを対
象から引き剃がし、この引き剥がし時にバンプ電極内で
破断が生じたか否かによりバンプ電極の半導体チップに
対する密着性の良否を判定することを特徴とする共晶は
んだバンプ電極の試験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63041142A JPH01215046A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 共晶はんだバンプ電極の試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63041142A JPH01215046A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 共晶はんだバンプ電極の試験方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01215046A true JPH01215046A (ja) | 1989-08-29 |
Family
ID=12600171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63041142A Pending JPH01215046A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 共晶はんだバンプ電極の試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01215046A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04226046A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-08-14 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電子チップの非破壊電気検査方法 |
| JPH0582616A (ja) * | 1991-03-27 | 1993-04-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | バーンイン試験用に回路チツプと一時キヤリアとの間の接続を行うための方法及び装置 |
| US5337614A (en) * | 1992-08-20 | 1994-08-16 | Lsi Logic Corporation | Fixture for testing mounting integrity of heat sinks on semiconductor packages, and method of testing |
| US6523419B1 (en) * | 1999-04-02 | 2003-02-25 | Kabushiki Kaisha Arctek | Electrode tensile test method and apparatus, substrate/probe support device for electrode tensile test, and electrode-probe bonding device for electrode tensile test |
| JP2009063363A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Takiron Co Ltd | 下地面と下地表面層の密着力判定方法及び密着力判定具 |
| JP2011017668A (ja) * | 2009-07-10 | 2011-01-27 | Toray Eng Co Ltd | 接合強度測定装置および接合強度測定方法 |
-
1988
- 1988-02-24 JP JP63041142A patent/JPH01215046A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04226046A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-08-14 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電子チップの非破壊電気検査方法 |
| JPH0582616A (ja) * | 1991-03-27 | 1993-04-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | バーンイン試験用に回路チツプと一時キヤリアとの間の接続を行うための方法及び装置 |
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| US6523419B1 (en) * | 1999-04-02 | 2003-02-25 | Kabushiki Kaisha Arctek | Electrode tensile test method and apparatus, substrate/probe support device for electrode tensile test, and electrode-probe bonding device for electrode tensile test |
| JP2009063363A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Takiron Co Ltd | 下地面と下地表面層の密着力判定方法及び密着力判定具 |
| JP2011017668A (ja) * | 2009-07-10 | 2011-01-27 | Toray Eng Co Ltd | 接合強度測定装置および接合強度測定方法 |
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