JPH01215779A - 表面導電性セラミックス基板の製造方法 - Google Patents
表面導電性セラミックス基板の製造方法Info
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- JPH01215779A JPH01215779A JP3904088A JP3904088A JPH01215779A JP H01215779 A JPH01215779 A JP H01215779A JP 3904088 A JP3904088 A JP 3904088A JP 3904088 A JP3904088 A JP 3904088A JP H01215779 A JPH01215779 A JP H01215779A
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、表面特性や電気的特性を向上させた導電性メ
タライズ層を有する表面導電性セラミックス基板の製造
方法に関する。
タライズ層を有する表面導電性セラミックス基板の製造
方法に関する。
（従来の技術）
従来から、アルミナなどのセラミックス基板を回路基板
として使用するために、その表面に導電層を形成するこ
とが行われている。この導電層の形成方法としては、ア
ルミナなどの酸化物系セラミックス基板に対してはＭｏ
粉末やＷ粉末を主成分とするメタライズ用組成物を有機
系バインダによりペースト化し、これをセラミックス基
板表面に塗布し、焼成する方法が多用されている。
として使用するために、その表面に導電層を形成するこ
とが行われている。この導電層の形成方法としては、ア
ルミナなどの酸化物系セラミックス基板に対してはＭｏ
粉末やＷ粉末を主成分とするメタライズ用組成物を有機
系バインダによりペースト化し、これをセラミックス基
板表面に塗布し、焼成する方法が多用されている。
また、近年、高い熱伝導性を有することでハイブリッド
ＩＣ用などの回路基板として注目を集めているＡβＮ焼
結体などの非酸化物系セラミックス基板に対しては、上
述したような酸化物系セラミックス基板に使用されてい
るペーストをそのまま適用できないため、ＭＯ粉末やＷ
粉末にＴｉなどの活性金属をたとえば窒化物などの形で
添加して作製したメタライズ用ペーストをセラミックス
基板上に塗布し、たとえば窒化アルミニウム焼結体から
なるセッターによって多段に積み重ねた後、カーボン製
などの焼成用容器に収容した状態で加熱炉に配置し、窒
素ガスのような不活性ガス雰囲気中で所定の温度で焼成
することによってメタライズ用組成物を焼付けて導電性
メタライズ層を形成する方法が採用されている。
ＩＣ用などの回路基板として注目を集めているＡβＮ焼
結体などの非酸化物系セラミックス基板に対しては、上
述したような酸化物系セラミックス基板に使用されてい
るペーストをそのまま適用できないため、ＭＯ粉末やＷ
粉末にＴｉなどの活性金属をたとえば窒化物などの形で
添加して作製したメタライズ用ペーストをセラミックス
基板上に塗布し、たとえば窒化アルミニウム焼結体から
なるセッターによって多段に積み重ねた後、カーボン製
などの焼成用容器に収容した状態で加熱炉に配置し、窒
素ガスのような不活性ガス雰囲気中で所定の温度で焼成
することによってメタライズ用組成物を焼付けて導電性
メタライズ層を形成する方法が採用されている。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、上述したような方法によって非酸化物系セラ
ミックス基板に対して導電性メタライズ層を形成すると
、このメタライズ層表面に色むらが生じたり、また金属
炭化物の生成や金属粒子の凝集などによって表面抵抗値
が上昇するなど、不良の発生頻度が高いという問題があ
った。
ミックス基板に対して導電性メタライズ層を形成すると
、このメタライズ層表面に色むらが生じたり、また金属
炭化物の生成や金属粒子の凝集などによって表面抵抗値
が上昇するなど、不良の発生頻度が高いという問題があ
った。
これは、通常メタライズ温度が１０００℃以上と高温で
あるために、酸化性雰囲気中ではセラミックス基板表面
に酸化物層が形成されてしまうなどの不都合が生じるた
め、不活性ガス雰囲気中でメタライジングしているが、
被焼成物を上述したようにカーボン容器などに収容して
焼成すると、その内部の還元性が高くなりすぎるため、
炭化物が生成したり、色むらなどが発生しやすくなる。
あるために、酸化性雰囲気中ではセラミックス基板表面
に酸化物層が形成されてしまうなどの不都合が生じるた
め、不活性ガス雰囲気中でメタライジングしているが、
被焼成物を上述したようにカーボン容器などに収容して
焼成すると、その内部の還元性が高くなりすぎるため、
炭化物が生成したり、色むらなどが発生しやすくなる。
また、従来、メタライズ用組成物の焼成の際に上述した
ような雰囲気中で直接焼付は温度まで昇温しでいたため
、結合剤成分の除去、すなわち脱脂が不十分となり、結
合剤成分の分解残渣が残存しやすく、これによっても色
むらや炭化物の生成が生じやすくなってしまう。
ような雰囲気中で直接焼付は温度まで昇温しでいたため
、結合剤成分の除去、すなわち脱脂が不十分となり、結
合剤成分の分解残渣が残存しやすく、これによっても色
むらや炭化物の生成が生じやすくなってしまう。
本発明は、このような従来の課題に対処するべくなされ
たもので、金属炭化物の生成、金属粒子の凝集、さらに
は色むらの発生を防止することにより、電気的特性に優
れた表面導電性セラミックス基板を製造する方法を提供
することを目的とする。
たもので、金属炭化物の生成、金属粒子の凝集、さらに
は色むらの発生を防止することにより、電気的特性に優
れた表面導電性セラミックス基板を製造する方法を提供
することを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段と作用）
本発明における第１の表面導電性セラミックス基板の製
造方法は、メタライズ用組成物と結合剤とを含有するペ
ースト状物質をセラミックス基板上に塗布する工程と、
前記ペースト状物質の塗膜が形成されたセラミックス基
板を所定の温度で焼成し、前記メタライズ用組成物を焼
付けて導電性メタライズ層を形成する工程とを具備する
表面導電性セラミックス基板の製造方法において、前記
焼成工程を、酸素分圧がｌＸ１Ｏ’ａｔｓ以上の不活性
ガス雰囲気中で行うことを特徴としており、また第２の
発明は、メタライズ用組成物と結合剤とを含有するペー
スト状物質をセラミックス基板上に塗布する工程と、前
記ペースト状物質の塗膜が形成されたセラミックス基板
を所定の温度で焼成し、前記メタライズ用組成物を焼付
けて導電性メタライズ層を形成する工程とを具備する表
面導電性セラミックス基板の製造方法において、前記焼
成工程の前に、少なくとも前記結合剤の熱分解温度近傍
の温度で熱処理し、脱脂することを特徴としている。
造方法は、メタライズ用組成物と結合剤とを含有するペ
ースト状物質をセラミックス基板上に塗布する工程と、
前記ペースト状物質の塗膜が形成されたセラミックス基
板を所定の温度で焼成し、前記メタライズ用組成物を焼
付けて導電性メタライズ層を形成する工程とを具備する
表面導電性セラミックス基板の製造方法において、前記
焼成工程を、酸素分圧がｌＸ１Ｏ’ａｔｓ以上の不活性
ガス雰囲気中で行うことを特徴としており、また第２の
発明は、メタライズ用組成物と結合剤とを含有するペー
スト状物質をセラミックス基板上に塗布する工程と、前
記ペースト状物質の塗膜が形成されたセラミックス基板
を所定の温度で焼成し、前記メタライズ用組成物を焼付
けて導電性メタライズ層を形成する工程とを具備する表
面導電性セラミックス基板の製造方法において、前記焼
成工程の前に、少なくとも前記結合剤の熱分解温度近傍
の温度で熱処理し、脱脂することを特徴としている。
本発明は、Ａ１８％Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＡβＯＮ。
ＡｎＯＮなどの非酸化物系セラミックス焼結体からなる
セラミックス基板に対して特に有効である。
セラミックス基板に対して特に有効である。
また、使用するメタライズ用組成物の種類については特
に限定はなく、有機系結合剤や分散媒とともに混合し、
ペースト状としてセラミックス基板に塗布し、焼成して
メタライズ層を形成するものであればどのようなものに
ついても適用可能であり、たとえばＭｏとＷとの混合粉
末、ＭＯやＷなどの高融点金属を主成分としＴｉやＺ「
などの活性金属の窒化物や酸化物を添加混合したもの、
さらにはこれに活性金属の酸化物と液相を形成するＣｏ
２０３や高融点金属の焼結性を向上させ、炭化物との濡
れ性を改善するＮｉなどを添加したものなどが例示され
る。
に限定はなく、有機系結合剤や分散媒とともに混合し、
ペースト状としてセラミックス基板に塗布し、焼成して
メタライズ層を形成するものであればどのようなものに
ついても適用可能であり、たとえばＭｏとＷとの混合粉
末、ＭＯやＷなどの高融点金属を主成分としＴｉやＺ「
などの活性金属の窒化物や酸化物を添加混合したもの、
さらにはこれに活性金属の酸化物と液相を形成するＣｏ
２０３や高融点金属の焼結性を向上させ、炭化物との濡
れ性を改善するＮｉなどを添加したものなどが例示され
る。
本発明の表面導電性セラミックス基板の製造方法につい
てさらに詳述すると、まずメタライズ用組成物に適当な
結合剤を添加し、さらに必要に応じて分散媒を添加し、
混合してペースト状物質を作製し、これをセラミックス
基板に、たとえばスクリーン印刷などにより塗布する。
てさらに詳述すると、まずメタライズ用組成物に適当な
結合剤を添加し、さらに必要に応じて分散媒を添加し、
混合してペースト状物質を作製し、これをセラミックス
基板に、たとえばスクリーン印刷などにより塗布する。
そして、この後の焼成時に少なくとも次のいずれかを施
す。
す。
■ メタライズ用組成物の焼付けを、酸素分圧がＩＸＩ
Ｑ’ａｔｓ以上の不活性ガス雰囲気中で行う。
Ｑ’ａｔｓ以上の不活性ガス雰囲気中で行う。
■ メタライズ用組成物の焼付は前に、添加した結合剤
成分の熱分解温度近傍の温度で熱処理して脱脂する。
成分の熱分解温度近傍の温度で熱処理して脱脂する。
上記■について説明すると、焼付は時の酸素分圧を上記
範囲に制御した、たとえば窒素ガスやアルゴンガスのよ
うな不活性ガス雰囲気とすることによって、多少還元性
が低下され、金属炭化物の生成が防止できるとともに、
金属粒子の凝集や色むらの発生も防止できる。
範囲に制御した、たとえば窒素ガスやアルゴンガスのよ
うな不活性ガス雰囲気とすることによって、多少還元性
が低下され、金属炭化物の生成が防止できるとともに、
金属粒子の凝集や色むらの発生も防止できる。
焼付は時の雰囲気内の酸素分圧がｌ Ｘ １０ ’ ａ
ｔ１未満では炭化物の生成などが起こる。
ｔ１未満では炭化物の生成などが起こる。
このように酸素分圧を制御する具体的な方法としては、
たとえば窒素ガス中に不純物として含まれている酸素を
利用し、この窒素ガスを直接被焼成物の周囲に供給する
ことによって容易に行える。
たとえば窒素ガス中に不純物として含まれている酸素を
利用し、この窒素ガスを直接被焼成物の周囲に供給する
ことによって容易に行える。
たとえば、第１図に示すように、炉壁１の内側に形成さ
れた、カーボンなどからなる断熱材２を貫通して不活性
ガス供給配管３を配設し、たとえば使用したセラミック
ス焼結体と同一素材や他のセラミックス焼結体などから
なるセッター５上に載置された被焼成物であるメタライ
ズ用組成物の塗布されたセラミックス基板４の周囲まで
直接供給させることによって、焼成時の酸素分圧を本発
明の数値範囲内とすることが可能である。
れた、カーボンなどからなる断熱材２を貫通して不活性
ガス供給配管３を配設し、たとえば使用したセラミック
ス焼結体と同一素材や他のセラミックス焼結体などから
なるセッター５上に載置された被焼成物であるメタライ
ズ用組成物の塗布されたセラミックス基板４の周囲まで
直接供給させることによって、焼成時の酸素分圧を本発
明の数値範囲内とすることが可能である。
またこのように、被焼成物４を多段に積層して焼成する
際には、第１図に示したように、断熱材２と同素材の、
たとえばカーボン製のスペーサ６を各段に介在させ、上
部、中部、下部といったような配置位置によって雰囲気
が異なることを防止することが好ましい。これによって
、さらに色むらや色調の差が減少する。
際には、第１図に示したように、断熱材２と同素材の、
たとえばカーボン製のスペーサ６を各段に介在させ、上
部、中部、下部といったような配置位置によって雰囲気
が異なることを防止することが好ましい。これによって
、さらに色むらや色調の差が減少する。
また、第２図に示すように、被焼成物を多段に積層した
ものをカーボンなどからなる焼成用容器７に収容して焼
成する際には、この焼成用容器７に不活性ガス導入用の
複数の貫通孔８を予め形成しておき、この焼成用容器７
内に直接不活性ガスが導入されるようにすることによっ
て、焼成時の酸素分圧を本発明の数値範囲内とすること
が可能である。さらに、このようにカーボン製などの焼
成用容器７内に被焼成物を収容し、全方位より不活性ガ
スを導入して焼成する場合には、介在させたカーボン製
などのスペーサ６にも不活性ガス通過用の複数の貫通孔
９を形成することによって、炉内の雰囲気がより均一に
なるとともに、焼成治具の移動やくずれを防止すること
ができ有効である。
ものをカーボンなどからなる焼成用容器７に収容して焼
成する際には、この焼成用容器７に不活性ガス導入用の
複数の貫通孔８を予め形成しておき、この焼成用容器７
内に直接不活性ガスが導入されるようにすることによっ
て、焼成時の酸素分圧を本発明の数値範囲内とすること
が可能である。さらに、このようにカーボン製などの焼
成用容器７内に被焼成物を収容し、全方位より不活性ガ
スを導入して焼成する場合には、介在させたカーボン製
などのスペーサ６にも不活性ガス通過用の複数の貫通孔
９を形成することによって、炉内の雰囲気がより均一に
なるとともに、焼成治具の移動やくずれを防止すること
ができ有効である。
次に、上記■について説明すると、メタライズ組成物の
焼付は温度への昇温過程で、あるいは別工程として脱脂
を行う。
焼付は温度への昇温過程で、あるいは別工程として脱脂
を行う。
この脱脂工程は、少なくとも使用した結合剤成分の熱分
解温度近傍の温度で、大気中、窒素雰囲気中、あるいは
窒素＋水素雰囲気中などにおいて数分間〜数時間程度熱
処理することによって容易に行うことができる。
解温度近傍の温度で、大気中、窒素雰囲気中、あるいは
窒素＋水素雰囲気中などにおいて数分間〜数時間程度熱
処理することによって容易に行うことができる。
この後、使用したメタライズ用組成物に適した温度条件
下で焼成を行うことにより、色むらや金属炭化物の生成
のないメタライズ層が得られる。
下で焼成を行うことにより、色むらや金属炭化物の生成
のないメタライズ層が得られる。
このように予め脱脂処理を行っておくことにより有機成
分が除去されているため、次工程のメタライズ用組成物
の焼付は時における焼結性が高まり、金属炭化物の生成
や色むらの発生を防止することが可能となる。
分が除去されているため、次工程のメタライズ用組成物
の焼付は時における焼結性が高まり、金属炭化物の生成
や色むらの発生を防止することが可能となる。
（実施例）
次に、本発明の実施例について説明する。
実施例１
高融点金属としてＭｏ粉末を使用し、これにＴｉＯ２粉
末、Ｃｏ ２０３粉末およびＮｉ粉末をそれぞれの配合
比がＭｏ８０重量％、Ｔｉ０２９重量％、Ｃｏ２０３４
重量％、Ｎｉ ７重量％となるように添加混合し、こ
の混合粉末に有機系バインダを加え、さらに分散媒を添
加してメタライズ用ベーストを作製した。次いで、この
メタライズ用ペーストをＡぶＮセラミックス基板上にス
クリーン印刷により所要のパターンとなるように塗布し
た。
末、Ｃｏ ２０３粉末およびＮｉ粉末をそれぞれの配合
比がＭｏ８０重量％、Ｔｉ０２９重量％、Ｃｏ２０３４
重量％、Ｎｉ ７重量％となるように添加混合し、こ
の混合粉末に有機系バインダを加え、さらに分散媒を添
加してメタライズ用ベーストを作製した。次いで、この
メタライズ用ペーストをＡぶＮセラミックス基板上にス
クリーン印刷により所要のパターンとなるように塗布し
た。
次に、このメタライズ用ペーストの塗布されたセラミッ
クス基板を以下の条件により焼成してメタライズ層を形
成した。
クス基板を以下の条件により焼成してメタライズ層を形
成した。
第１図に示したように、この被焼成物であるセラミック
ス基板４をＡβＮ焼結体からなるセッター５とカーボン
製スペーサ６とにより多段に積層し、この治具系に直接
窒素ガスが導入されるように不活性ガス供給配管３が配
設された構造を有するカーボンからなる断熱材２を内壁
に有する焼成炉１により焼成を行った。焼成条件は、窒
素ガスを供給して焼成時の酸素分圧がＩ Ｘ １０’
ａｔｌｌ程度となるようにし、１５５０℃× ２時間と
した。
ス基板４をＡβＮ焼結体からなるセッター５とカーボン
製スペーサ６とにより多段に積層し、この治具系に直接
窒素ガスが導入されるように不活性ガス供給配管３が配
設された構造を有するカーボンからなる断熱材２を内壁
に有する焼成炉１により焼成を行った。焼成条件は、窒
素ガスを供給して焼成時の酸素分圧がＩ Ｘ １０’
ａｔｌｌ程度となるようにし、１５５０℃× ２時間と
した。
このようにして得たメタライズ層は、金属粒子の凝集や
炭化物の析出もなく、また色むらも認められなかった。
炭化物の析出もなく、また色むらも認められなかった。
また、これら各メタライズ層の表面抵抗を測定したとこ
ろ、平均で５０ ｔｓΩ／口と優れたものであった。
ろ、平均で５０ ｔｓΩ／口と優れたものであった。
実施例２
実施例１で作製したメタライズ用ペーストの塗布された
ＡｉＮセラミックス基板を、第２図に示したように、貫
通孔９が多数形成されたカーボン製スペーサ６とＡβＮ
焼結体からなるセッタ５とにより多段に積層し、不活性
ガスの導入口となる貫通孔８が全面に形成されたカーボ
ン製焼成用容器７内に収容し、これを実施例１で使用し
た焼成炉と同一構造の焼成炉内に配置して焼成を行った
。
ＡｉＮセラミックス基板を、第２図に示したように、貫
通孔９が多数形成されたカーボン製スペーサ６とＡβＮ
焼結体からなるセッタ５とにより多段に積層し、不活性
ガスの導入口となる貫通孔８が全面に形成されたカーボ
ン製焼成用容器７内に収容し、これを実施例１で使用し
た焼成炉と同一構造の焼成炉内に配置して焼成を行った
。
焼成時の温度条件等は実施例１と同一とした。
このようにして得たメタライズ層においても、金属粒子
の凝集や炭化物の析出のない良好なものであり、また色
むらや焼成位置による色調の差もなく均質にメタライズ
層の形成が行えた。
の凝集や炭化物の析出のない良好なものであり、また色
むらや焼成位置による色調の差もなく均質にメタライズ
層の形成が行えた。
実施例３
実施例２と同様にして被焼成物であるメタライズ用ペー
ストの塗布されたＡβＮセラミックス基板を焼成炉内に
配置し、焼成時の温度条件等を下記のようにしてメタラ
イズ用ペーストの焼付けを行った。
ストの塗布されたＡβＮセラミックス基板を焼成炉内に
配置し、焼成時の温度条件等を下記のようにしてメタラ
イズ用ペーストの焼付けを行った。
まず、窒素ガス雰囲気中において３００℃×１２０分、
４００℃×１２０分、７００℃Ｘ １２０分の温度条
件で熱処理して脱脂処理を行った。
４００℃×１２０分、７００℃Ｘ １２０分の温度条
件で熱処理して脱脂処理を行った。
次いで、窒素ガスを導入しながら１５５０℃の温度で２
時間保持し、メタライズ用組成物の焼付けを行った。な
お、この際の酸素分圧は約ＩＸＬＯ−’ａｔｍであった
。
時間保持し、メタライズ用組成物の焼付けを行った。な
お、この際の酸素分圧は約ＩＸＬＯ−’ａｔｍであった
。
このようにして得たメタライズ層においても、金属粒子
の凝集や炭化物の析出のない良好なものであり、また色
むらや焼成位置による色調の差もなく均質にメタライズ
層の形成が行えた。
の凝集や炭化物の析出のない良好なものであり、また色
むらや焼成位置による色調の差もなく均質にメタライズ
層の形成が行えた。
また、焼成用容器や焼成治具への汚染もなく、生産性に
優れていた。
優れていた。
実施例４
実施例１と同様にして被焼成物であるメタライズ用ペー
ストの塗布されたＡβＮセラミックス基板を多段に積層
し、この状態で一旦焼成炉内に配置し、大気中において
３００℃Ｘ １００分、４００℃×１２０分、７００
℃×１２０分の温度条件で熱処理して脱脂処理を行った
。
ストの塗布されたＡβＮセラミックス基板を多段に積層
し、この状態で一旦焼成炉内に配置し、大気中において
３００℃Ｘ １００分、４００℃×１２０分、７００
℃×１２０分の温度条件で熱処理して脱脂処理を行った
。
次いで、この被焼成物の多段積層物を密閉型のカーボン
製焼成用容器内に収容し、これを焼成炉内に配置して、
焼成炉内に窒素ガスを導入しながら１５５０℃、２時間
の条件で焼付けを行った。
製焼成用容器内に収容し、これを焼成炉内に配置して、
焼成炉内に窒素ガスを導入しながら１５５０℃、２時間
の条件で焼付けを行った。
この実施例によって得たメタライズ層においても、金属
粒子の凝集や炭化物の析出もなく、また色むらや焼成位
置による色調の差もなく均質にメタライズ層の形成が行
えた。
粒子の凝集や炭化物の析出もなく、また色むらや焼成位
置による色調の差もなく均質にメタライズ層の形成が行
えた。
［発明の効果］
以上の実施例からも明らかなように、本発明の表面導電
性セラミックス基板の製造方法によれば、メタライズ用
組成物の焼付は時の酸素分圧を制御することによって、
あるいは焼付は前に脱脂処理を行うことによって、金属
炭化物の生成や色むらを防止することができるため、よ
り均質で電気的特性に優れたメタライズ層を形成するこ
とが可能となる。
性セラミックス基板の製造方法によれば、メタライズ用
組成物の焼付は時の酸素分圧を制御することによって、
あるいは焼付は前に脱脂処理を行うことによって、金属
炭化物の生成や色むらを防止することができるため、よ
り均質で電気的特性に優れたメタライズ層を形成するこ
とが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明を実施するための焼成炉内の構造の一例
を模式的に示す断面図、第２図は本発明を実施するため
の焼成用容器の一例を模式的に示す断面図である。 １・・・・・・・・・炉壁 ３・・・・・・・・・不活性ガス導入用配管４・・・・
・・・・・被焼成物 ６・・・・・・・・・カーボン製スペーサ７・・・・・
・・・・カーボン製焼成用容器８・・・・・・・・・不
活性ガス導入用貫通孔９・・・・・・・・・不活性ガス
通過用貫通孔出願人 株式会社 東芝 代理人 弁理士 須 山 佐 − り Ｏ寸 手続辛市正書（自発） 昭和６３年７月２８日 特願昭６３−３９０４０号 ２、発明の名称 表面導電性セラミックス基板の製造方法３、補正をする
者 事件との関係・特許出願人 （３０７）株式会社 東 芝 ４、代理人 東京都千代田区神田多町２丁目１番地 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書の第８頁第７〜１１目行の「不活性３が配
設された炉内に、たとえば使用しセラミックス焼結体と
同一素材や他のセラミックス焼結体などからなるセッタ
ー５によって、被焼成物であるメタライズ用組成物の塗
布されたセラミックス基板４を多段に積層する。なお、
この際に使用する上板、下板、囲いなどのセッター５と
しては、セラミックス基板４と同一素材のものを使用す
ることが好ましい。 同一素材のセッター５によって囲われた状態でメタライ
ズ用組成物を焼成することによって、セラミックス基板
４の変質を防止することができるだけでなく、メタライ
ズ層とセラミックス基板４との接合強度がさらに均一で
充分なものとなる。 そして、不活性ガス供給配管３から雰囲気ガスをセラミ
ックス基板４の周囲まで」と訂正する。 以 上
を模式的に示す断面図、第２図は本発明を実施するため
の焼成用容器の一例を模式的に示す断面図である。 １・・・・・・・・・炉壁 ３・・・・・・・・・不活性ガス導入用配管４・・・・
・・・・・被焼成物 ６・・・・・・・・・カーボン製スペーサ７・・・・・
・・・・カーボン製焼成用容器８・・・・・・・・・不
活性ガス導入用貫通孔９・・・・・・・・・不活性ガス
通過用貫通孔出願人 株式会社 東芝 代理人 弁理士 須 山 佐 − り Ｏ寸 手続辛市正書（自発） 昭和６３年７月２８日 特願昭６３−３９０４０号 ２、発明の名称 表面導電性セラミックス基板の製造方法３、補正をする
者 事件との関係・特許出願人 （３０７）株式会社 東 芝 ４、代理人 東京都千代田区神田多町２丁目１番地 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書の第８頁第７〜１１目行の「不活性３が配
設された炉内に、たとえば使用しセラミックス焼結体と
同一素材や他のセラミックス焼結体などからなるセッタ
ー５によって、被焼成物であるメタライズ用組成物の塗
布されたセラミックス基板４を多段に積層する。なお、
この際に使用する上板、下板、囲いなどのセッター５と
しては、セラミックス基板４と同一素材のものを使用す
ることが好ましい。 同一素材のセッター５によって囲われた状態でメタライ
ズ用組成物を焼成することによって、セラミックス基板
４の変質を防止することができるだけでなく、メタライ
ズ層とセラミックス基板４との接合強度がさらに均一で
充分なものとなる。 そして、不活性ガス供給配管３から雰囲気ガスをセラミ
ックス基板４の周囲まで」と訂正する。 以 上
Claims (2)
- （１）メタライズ用組成物と結合剤とを含有するペース
ト状物質をセラミックス基板上に塗布する工程と、前記
ペースト状物質の塗膜が形成されたセラミックス基板を
所定の温度で焼成し、前記メタライズ用組成物を焼付け
て導電性メタライズ層を形成する工程とを具備する表面
導電性セラミックス基板の製造方法において、 前記焼成工程を、酸素分圧が１×１０＾−＾６ａｔｍ以
上の不活性ガス雰囲気中で行うことを特徴とする表面導
電性セラミックス基板の製造方法。 - （２）メタライズ用組成物と結合剤とを含有するペース
ト状物質をセラミックス基板上に塗布する工程と、前記
ペースト状物質の塗膜が形成されたセラミックス基板を
所定の温度で焼成し、前記メタライズ用組成物を焼付け
て導電性メタライズ層を形成する工程とを具備する表面
導電性セラミックス基板の製造方法において、 前記焼成工程の前に、少なくとも前記結合剤の熱分解温
度近傍の温度で熱処理し、脱脂することを特徴とする表
面導電性セラミックス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63039040A JP2582835B2 (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 表面導電性セラミックス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63039040A JP2582835B2 (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 表面導電性セラミックス基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01215779A true JPH01215779A (ja) | 1989-08-29 |
| JP2582835B2 JP2582835B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=12542012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63039040A Expired - Lifetime JP2582835B2 (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 表面導電性セラミックス基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2582835B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0319258A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-01-28 | Nec Corp | 窒化アルミニウムセラミック基板の製造方法 |
-
1988
- 1988-02-22 JP JP63039040A patent/JP2582835B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0319258A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-01-28 | Nec Corp | 窒化アルミニウムセラミック基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2582835B2 (ja) | 1997-02-19 |
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