JPH01215785A - 単結晶引上装置 - Google Patents
単結晶引上装置Info
- Publication number
- JPH01215785A JPH01215785A JP4048588A JP4048588A JPH01215785A JP H01215785 A JPH01215785 A JP H01215785A JP 4048588 A JP4048588 A JP 4048588A JP 4048588 A JP4048588 A JP 4048588A JP H01215785 A JPH01215785 A JP H01215785A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- pulled
- cooling means
- cooled
- grown
- Prior art date
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- Granted
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、主として、ｈ英ルツボ内に保持されたシリコ
ン融液からイントリンシックゲッタリング（［Ｇ）効果
の高いシリコン単結晶を引上げる単結晶引上装置に関す
る。
ン融液からイントリンシックゲッタリング（［Ｇ）効果
の高いシリコン単結晶を引上げる単結晶引上装置に関す
る。
（従来の技術）
従来、この種のシリコン単結晶引上装置としては、第３
図に示すように、炉本体１の内部に、シリコン融液２を
保持する石英ルツボ３が、黒鉛９セプタ４を介して昇降
自在かつ回転自在な一ト軸５に取付けられた状態で設置
され、この石英ツルボ３及び黒鉛サセプタ４の周囲に、
上記石英ルツボ３内のシリコン融Ｗｔ２の温度をＩＩＪ
ＩＩＩするヒーター６が設けられ、かっこのヒーター６
と炉本体１との間に保温Ｍ７が配置されると共に１．Ｆ
２炉本体１の首部から下方に、水冷筒８が垂設されたも
のが知られている（例えば、特開昭６１−６８３８９号
公報参照）。そして、上記従来のシリコン単結晶引上装
置にあっては、上記石英ルツボ３内のシリコン融液２に
、炉本体１の内部上方から吊設した引上軸９の１；端に
チ１シック１ｏを介して支持された種結晶１１を浸漬し
た後に、上記引上軸９を回転させながら所定速度（例え
ば１ａｍ／Ｗｉｎ）で引上げることにより、単結晶１２
を製造するようにしている。
図に示すように、炉本体１の内部に、シリコン融液２を
保持する石英ルツボ３が、黒鉛９セプタ４を介して昇降
自在かつ回転自在な一ト軸５に取付けられた状態で設置
され、この石英ツルボ３及び黒鉛サセプタ４の周囲に、
上記石英ルツボ３内のシリコン融Ｗｔ２の温度をＩＩＪ
ＩＩＩするヒーター６が設けられ、かっこのヒーター６
と炉本体１との間に保温Ｍ７が配置されると共に１．Ｆ
２炉本体１の首部から下方に、水冷筒８が垂設されたも
のが知られている（例えば、特開昭６１−６８３８９号
公報参照）。そして、上記従来のシリコン単結晶引上装
置にあっては、上記石英ルツボ３内のシリコン融液２に
、炉本体１の内部上方から吊設した引上軸９の１；端に
チ１シック１ｏを介して支持された種結晶１１を浸漬し
た後に、上記引上軸９を回転させながら所定速度（例え
ば１ａｍ／Ｗｉｎ）で引上げることにより、単結晶１２
を製造するようにしている。
（発明が解決しようとする課題〕
ところで、一般に、上記従来のシリ」ン単結晶引上装置
において、引上げられるシリコン単結晶が８５０〜１０
５０℃を通過するのに要する滞留時間を抑制するように
上記水冷筒８を設定することにより、積層欠陥（Ｂ′Ｓ
１：）の発生が著しく少なくなる。しかしながら、この
シリコン単結晶引上装置により、引上げ育成されたシリ
コン単結晶から製造されたウェーハに、種々のＢ温熱処
理を施した場合には、ウェーハの内部に十分な酸素析出
物が発生しないことがある。そして、ウェーハの内部の
酸素析出物の発生が不十分な場合には、半導体デバイス
製造工程にＪ３いて、ウェー八表面に付着した汚染物質
により、半導体デバイスの絶縁耐圧不良や、ギヤリアの
ライフタイム減少などの重大な特性劣化を招くことがあ
る。
において、引上げられるシリコン単結晶が８５０〜１０
５０℃を通過するのに要する滞留時間を抑制するように
上記水冷筒８を設定することにより、積層欠陥（Ｂ′Ｓ
１：）の発生が著しく少なくなる。しかしながら、この
シリコン単結晶引上装置により、引上げ育成されたシリ
コン単結晶から製造されたウェーハに、種々のＢ温熱処
理を施した場合には、ウェーハの内部に十分な酸素析出
物が発生しないことがある。そして、ウェーハの内部の
酸素析出物の発生が不十分な場合には、半導体デバイス
製造工程にＪ３いて、ウェー八表面に付着した汚染物質
により、半導体デバイスの絶縁耐圧不良や、ギヤリアの
ライフタイム減少などの重大な特性劣化を招くことがあ
る。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的
とするところは、引上げられた単結晶から得られたウェ
ーハの内部に十分な酸素析出物を発生させることができ
、ＩＧ効果を高めることができて、上記つＩ−ハから製
造された半導体デバイスの特性の向上を図ることができ
る単結晶引上装置を提供することにある。
とするところは、引上げられた単結晶から得られたウェ
ーハの内部に十分な酸素析出物を発生させることができ
、ＩＧ効果を高めることができて、上記つＩ−ハから製
造された半導体デバイスの特性の向上を図ることができ
る単結晶引上装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、単結晶の周囲に
設けられた冷却手段の上方に、アフターヒーターを設け
たものである。
設けられた冷却手段の上方に、アフターヒーターを設け
たものである。
本発明の単結晶引上装置にあっては、引上中の単結晶を
冷却手段によって冷ＩＪＩＬ、て、所定温度帯域（８５
０〜１０５０℃）を通過するのに要する時間を抑制した
後、アフターヒーターによって１．上記単結晶が６００
〜８００℃の温度帯域を通過するのに要する滞留時間を
一定時間（２時間）以上とすることで、引上げ育成され
た単結晶から得られたウェーハにおいて、半導体デバイ
ス製造工程における模々の高温処理によって、ウェーハ
の内部に４分な酸素析出物を発生させる。
冷却手段によって冷ＩＪＩＬ、て、所定温度帯域（８５
０〜１０５０℃）を通過するのに要する時間を抑制した
後、アフターヒーターによって１．上記単結晶が６００
〜８００℃の温度帯域を通過するのに要する滞留時間を
一定時間（２時間）以上とすることで、引上げ育成され
た単結晶から得られたウェーハにおいて、半導体デバイ
ス製造工程における模々の高温処理によって、ウェーハ
の内部に４分な酸素析出物を発生させる。
以下、第１図と第２図に基づいて本発明の詳細な説明す
る。なお、第１図と第２図中、第３図に示す上記従来例
と同様の構成の部分については同符号を付けて説明を省
略する。
る。なお、第１図と第２図中、第３図に示す上記従来例
と同様の構成の部分については同符号を付けて説明を省
略する。
第１図は本発明の一実施例を示すもので、図中符号２０
は、上記炉本体１の分割可能な下チヤンバ−１ａと中チ
ャンバー１ｂとの間にはさみ込まれた冷却手段である。
は、上記炉本体１の分割可能な下チヤンバ−１ａと中チ
ャンバー１ｂとの間にはさみ込まれた冷却手段である。
そして、この冷却手段２０の水冷筒部２０ａは、上記単
結晶１２の周囲に配置されている。また、この水冷筒部
２０ａの上方には、アフターヒーター２１が、上記炉本
体１の中チャンバー１ｂの首部から垂下された状態で設
置されてる。
結晶１２の周囲に配置されている。また、この水冷筒部
２０ａの上方には、アフターヒーター２１が、上記炉本
体１の中チャンバー１ｂの首部から垂下された状態で設
置されてる。
さらに、上記冷却手段２０の水冷筒部２０ａには、第２
図に示すように、石英等の断熱部材２２を介して、モリ
ブデン製のシールド部材２３が昇降調整自在に設けられ
ており、このシールド部材２３は、石英ルツボ３の内径
より小径の円筒部２３ａと、この円筒部２３ａの下端に
続いて内方に先細りした傾斜筒部２３ｂとから構成され
ている。
図に示すように、石英等の断熱部材２２を介して、モリ
ブデン製のシールド部材２３が昇降調整自在に設けられ
ており、このシールド部材２３は、石英ルツボ３の内径
より小径の円筒部２３ａと、この円筒部２３ａの下端に
続いて内方に先細りした傾斜筒部２３ｂとから構成され
ている。
そして、上記水冷筒部２０ａの外周には、ねじ部２０ｂ
が形成されており、このねじ部２０ｂに上記断熱部材２
２の内突起２２ａが係合されることにより、この断熱部
材２２及びシールド部材２３が上記水冷筒部２０ａに対
して回転しながら昇降するようになっている。また、上
記シールド部材２３は、上記冷却手段２０によって、石
英ルツボ３及びシリコン融液２が冷却されて、シリコン
融液２が再結晶化するのを防ぐために設けられ又いる。
が形成されており、このねじ部２０ｂに上記断熱部材２
２の内突起２２ａが係合されることにより、この断熱部
材２２及びシールド部材２３が上記水冷筒部２０ａに対
して回転しながら昇降するようになっている。また、上
記シールド部材２３は、上記冷却手段２０によって、石
英ルツボ３及びシリコン融液２が冷却されて、シリコン
融液２が再結晶化するのを防ぐために設けられ又いる。
上記のように構成された単結晶引上装置にあっては、従
来同様、石英ルツボ３内のシリコン融液２に種結晶１１
を浸漬させた後に、この種結晶１１を回転させながら所
定速度で引上げることにより、種結晶１１の下端に順次
単結晶１２が成長していく。
来同様、石英ルツボ３内のシリコン融液２に種結晶１１
を浸漬させた後に、この種結晶１１を回転させながら所
定速度で引上げることにより、種結晶１１の下端に順次
単結晶１２が成長していく。
この場合、引上中の単結晶１２は、まず、冷却手段２０
の水冷筒部２Ｏａ内を通ることにより冷却されて、８５
０〜１０５０℃の温度帯域を通過するのに要づる８ｎ
ｆ！４時間を極力抑制された後、アフターヒーター２１
の内部を通る際に、譲アフターヒーター２１によって、
６００〜８００℃の温度帯域を通過するのに要する滞留
時間を一定時間（２時間）以上とされて育成される。
の水冷筒部２Ｏａ内を通ることにより冷却されて、８５
０〜１０５０℃の温度帯域を通過するのに要づる８ｎ
ｆ！４時間を極力抑制された後、アフターヒーター２１
の内部を通る際に、譲アフターヒーター２１によって、
６００〜８００℃の温度帯域を通過するのに要する滞留
時間を一定時間（２時間）以上とされて育成される。
そして、本発明及び従来の単結晶引上装置によリ、引上
げ育成されたシリコン単結晶から、各々試料を採取し、
これに、８００℃で１２０時間保持の加熱処理を施し、
酸素析出物の密度を測定した。
げ育成されたシリコン単結晶から、各々試料を採取し、
これに、８００℃で１２０時間保持の加熱処理を施し、
酸素析出物の密度を測定した。
これらの測定結果を表１に示した。この表からも明らか
なように、本発明の装置によって引上げ育成されたシリ
コン単結晶にあっては、従来例に比べて、高温処理によ
ってウェーハ内部により多くの酸素析出物が生じること
がわかった。
なように、本発明の装置によって引上げ育成されたシリ
コン単結晶にあっては、従来例に比べて、高温処理によ
ってウェーハ内部により多くの酸素析出物が生じること
がわかった。
表 １
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、単結晶の周囲に設けら
れた冷却手段の上方に、アフターヒーターを設番すたも
のであるから、引上中の単結晶を冷却手段によって冷却
して、所定温度帯域（８５０〜１０５０℃）を通過する
のに要する時間を抑制した後、アフターヒーターによっ
て、上記単結晶が６００〜８００℃の温度帯域を通過す
るのに要づる滞留時間を一定時間以上とすることで、引
上げ育成された単結晶から得られたウェーハにおいて、
半導体デバイス製造工程における種々の高温処理によっ
て、ウェーハの内部に十分な酸素析出物を発生させるこ
とができ、ＩＧ効果を高めることができて、上記ウェー
ハから製造された半導体デバイスの特性向上を図ること
ができる。
れた冷却手段の上方に、アフターヒーターを設番すたも
のであるから、引上中の単結晶を冷却手段によって冷却
して、所定温度帯域（８５０〜１０５０℃）を通過する
のに要する時間を抑制した後、アフターヒーターによっ
て、上記単結晶が６００〜８００℃の温度帯域を通過す
るのに要づる滞留時間を一定時間以上とすることで、引
上げ育成された単結晶から得られたウェーハにおいて、
半導体デバイス製造工程における種々の高温処理によっ
て、ウェーハの内部に十分な酸素析出物を発生させるこ
とができ、ＩＧ効果を高めることができて、上記ウェー
ハから製造された半導体デバイスの特性向上を図ること
ができる。
第１図は本発明の一実施例を示す概略構成図、第２図は
本発明の他の実施例を示１概略構成図、第３図は従来の
単結晶引上裂けを示す概略構成図である。 ２・・・・・・シリコン融液、 ３・・・・・・石英ルツボ、 １２・・・・・・単結晶、 ２０・・・・・・冷却手段、 ２１・・・・・・アフターヒーター。
本発明の他の実施例を示１概略構成図、第３図は従来の
単結晶引上裂けを示す概略構成図である。 ２・・・・・・シリコン融液、 ３・・・・・・石英ルツボ、 １２・・・・・・単結晶、 ２０・・・・・・冷却手段、 ２１・・・・・・アフターヒーター。
Claims (1)
- ルツボに保持された融液から引上げられる単結晶の周
囲に冷却手段が設けられてなる単結晶引上装置において
、上記冷却手段の上方に、アフターヒーターが設けられ
たことを特徴とする単結晶引上装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4048588A JP2612019B2 (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 単結晶引上装置 |
| US07/313,799 US4981549A (en) | 1988-02-23 | 1989-02-22 | Method and apparatus for growing silicon crystals |
| DE3905626A DE3905626B4 (de) | 1988-02-23 | 1989-02-23 | Vorrichtung zur Züchtung von Siliziumkristallen |
| US07/933,879 US5264189A (en) | 1988-02-23 | 1992-08-21 | Apparatus for growing silicon crystals |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4048588A JP2612019B2 (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 単結晶引上装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01215785A true JPH01215785A (ja) | 1989-08-29 |
| JP2612019B2 JP2612019B2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=12581897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4048588A Expired - Lifetime JP2612019B2 (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 単結晶引上装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2612019B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03177391A (ja) * | 1989-12-05 | 1991-08-01 | Nippon Steel Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114318500B (zh) * | 2022-01-05 | 2023-08-22 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 一种用于拉制单晶硅棒的拉晶炉、方法及单晶硅棒 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6344720B2 (ja) | 2014-10-09 | 2018-06-20 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 照明器具 |
-
1988
- 1988-02-23 JP JP4048588A patent/JP2612019B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03177391A (ja) * | 1989-12-05 | 1991-08-01 | Nippon Steel Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2612019B2 (ja) | 1997-05-21 |
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Legal Events
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