JPH01215793A - 化学的蒸着装置 - Google Patents
化学的蒸着装置Info
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- JPH01215793A JPH01215793A JP4153288A JP4153288A JPH01215793A JP H01215793 A JPH01215793 A JP H01215793A JP 4153288 A JP4153288 A JP 4153288A JP 4153288 A JP4153288 A JP 4153288A JP H01215793 A JPH01215793 A JP H01215793A
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 68
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- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 68
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の目的
［産業上の利用分野］
本発明は、化学的蒸着装置に関し、特に化学的蒸着装置
本体に対し高速で気体を供給する高速気体供給管に対し
シリコン原料液体を噴出せしめることによりシリコン原
料液体を気化してなる化学的蒸着装置に関するものであ
る。
本体に対し高速で気体を供給する高速気体供給管に対し
シリコン原料液体を噴出せしめることによりシリコン原
料液体を気化してなる化学的蒸着装置に関するものであ
る。
［従来の技術］
従来この種の化学的蒸着装置としては、シリコン原料液
体を収容したシリコン原料液体に対して気体を供給する
ことによりバブリングを生じせしめそのシリコン原料液
体を気化したのち、供給管を介して化学的蒸着装置本体
すなわち反応室に供給していた。
体を収容したシリコン原料液体に対して気体を供給する
ことによりバブリングを生じせしめそのシリコン原料液
体を気化したのち、供給管を介して化学的蒸着装置本体
すなわち反応室に供給していた。
［解決すべき問題点］
しかしながら従来の化学的蒸着装置では、（ｉ）バブリ
ングのための気体の流量制御上の問題からシリコン原料
ガスを６０ｇ／分以上の割合で化学的蒸着装置本体すな
わち反応室に供給することはできず、ひいてはシリコン
単結晶の成長速度が制約される欠点があり、また（ｉｉ
）シリコン原料液体の気化熱によってシリコン原料液体
の温度が低下してしまい、シリコン原料ガスを化学的蒸
着装置本体すなわち反応室に対して長時間安定して供給
てきない欠点があり、結果的に（ｉｉ ｉ）シリコンの
化学的蒸着膜を低コストで製造できない欠点があった。
ングのための気体の流量制御上の問題からシリコン原料
ガスを６０ｇ／分以上の割合で化学的蒸着装置本体すな
わち反応室に供給することはできず、ひいてはシリコン
単結晶の成長速度が制約される欠点があり、また（ｉｉ
）シリコン原料液体の気化熱によってシリコン原料液体
の温度が低下してしまい、シリコン原料ガスを化学的蒸
着装置本体すなわち反応室に対して長時間安定して供給
てきない欠点があり、結果的に（ｉｉ ｉ）シリコンの
化学的蒸着膜を低コストで製造できない欠点があった。
そこで本発明は、これらの欠点を除去すべく、化学的蒸
着装置本体に対し高速で気体を供給する高速気体供給管
に対しシリコン原料液体を噴出せしめることによりシリ
コン原料液体を気化する化学的蒸着装置を提供せんとす
るものである。
着装置本体に対し高速で気体を供給する高速気体供給管
に対しシリコン原料液体を噴出せしめることによりシリ
コン原料液体を気化する化学的蒸着装置を提供せんとす
るものである。
（２）発明の構成
［問題点の解決手段］
本発明により提供される問題点の解決手段は、「（ａ）
化学的蒸着装置本体に対し高速で気体を供給する高速気
体供給管と。
化学的蒸着装置本体に対し高速で気体を供給する高速気
体供給管と。
（ｂ）前記高速気体供給管に対しシリコン原料液体を噴
出せしめる噴出手段と を備えてなることを特徴とする化学的蒸着装置」 である。
出せしめる噴出手段と を備えてなることを特徴とする化学的蒸着装置」 である。
［作用］
本発明にかかる化学的蒸着装置は、化学的蒸着？ｔ！１
本体に対し高速て気体を供給する高速気体供給管に対し
シリコン原料液体を噴出手段により噴出してなるので、
（ｉ）シリコン原料液体の気化熱の影響を回避しており
シリコン原料ガスを化学的蒸着装置本体に対し長時間に
わたり安定して供給せしめる作用をなし、また（ｉｉ）
バブリングのための気体を供給する必要がなくシリコン
原料ガスの供給量を増大せしめる作用をなし、ひいては
（ｉｉｉ）シリコン単結晶の成長速度を促進せしめ−る
作用をなし、結果的に（ｉｖ）シリコンの化学的蒸着膜
を低コストで製造する作用をなす。
本体に対し高速て気体を供給する高速気体供給管に対し
シリコン原料液体を噴出手段により噴出してなるので、
（ｉ）シリコン原料液体の気化熱の影響を回避しており
シリコン原料ガスを化学的蒸着装置本体に対し長時間に
わたり安定して供給せしめる作用をなし、また（ｉｉ）
バブリングのための気体を供給する必要がなくシリコン
原料ガスの供給量を増大せしめる作用をなし、ひいては
（ｉｉｉ）シリコン単結晶の成長速度を促進せしめ−る
作用をなし、結果的に（ｉｖ）シリコンの化学的蒸着膜
を低コストで製造する作用をなす。
［実施例］
次に本発明について、添付図面を参照しつつ具体的に説
明する。
明する。
第１図は、本発明にかかる化学的蒸着装置の一実施例を
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
まず本発明にかかる化学的蒸着装置の一実施例について
、その構成を詳細に説明する。
、その構成を詳細に説明する。
すは本発明にかかる化学的蒸着装置であって。
シリコン原料液体（たとえばトリクロロシラン５ｊｌｌ
Ｃ１：＋） ｌｌａを収容するシリコン原料容器１１と
、シリコン原料容器１１に対し加圧されたガス（たとえ
ば窒素ガス）を供給するためのガス供給管１２と、ガス
供給管１２に対して配設されておりガスの圧力を調節す
る圧力調節装２１１３と、化学的蒸着装置本体すなわち
反応家並に対して気体（たとえば水素ガス）を高速（た
とえば２５０ｆＬ１分以上）で供給するための高速気体
供給管１４と、シリコン原料容器１１から高速気体供給
管１４に対してシリコン原料液体１１ａを供給するため
のシリコン原料液体供給管１５と、シリコン原料液体供
給管１５に対して配設されておりシリコン原料液体１１
ａの供給量を調節する流量調節装置１６とを包有してい
る。
Ｃ１：＋） ｌｌａを収容するシリコン原料容器１１と
、シリコン原料容器１１に対し加圧されたガス（たとえ
ば窒素ガス）を供給するためのガス供給管１２と、ガス
供給管１２に対して配設されておりガスの圧力を調節す
る圧力調節装２１１３と、化学的蒸着装置本体すなわち
反応家並に対して気体（たとえば水素ガス）を高速（た
とえば２５０ｆＬ１分以上）で供給するための高速気体
供給管１４と、シリコン原料容器１１から高速気体供給
管１４に対してシリコン原料液体１１ａを供給するため
のシリコン原料液体供給管１５と、シリコン原料液体供
給管１５に対して配設されておりシリコン原料液体１１
ａの供給量を調節する流量調節装置１６とを包有してい
る。
ここで高速気体供給管１４によって供給される気体は、
加熱手段（図示せず）により予め加熱されておれば、シ
リコン原料液体の気化を促進できるので好ましいが、本
発明は、これに限定されるものではない。
加熱手段（図示せず）により予め加熱されておれば、シ
リコン原料液体の気化を促進できるので好ましいが、本
発明は、これに限定されるものではない。
同様にシリコン原料容器１１に対して加熱手段（図示せ
ず）を配置しシリコン原料液体１１ａを加熱しておけば
、シリコン原料液体の気化を促進できるので好ましいか
１本発明は、これに限定されるものではない。
ず）を配置しシリコン原料液体１１ａを加熱しておけば
、シリコン原料液体の気化を促進できるので好ましいか
１本発明は、これに限定されるものではない。
更に本発明にかかる化学的蒸着装置の一実施例について
、その作用を詳細に説明する。
、その作用を詳細に説明する。
化学的蒸着装置本体並に対し、高速気体供給管Ｉ４を介
して気体（たとえば水素ガス）を、矢印Ａ方向に高速（
たとえば２５０１／分以上）で持続的に供給する。
して気体（たとえば水素ガス）を、矢印Ａ方向に高速（
たとえば２５０１／分以上）で持続的に供給する。
この状態で、圧力調節装置１３を調節することにより適
度の圧力のガス（たとえば窒素ガス）を。
度の圧力のガス（たとえば窒素ガス）を。
ガス供給管１２を介してシリコン原料容器０に対し供給
する。
する。
シリコン原料容器１１では、ガスの圧力によってシリコ
ン原料液体（たとえばトリクロロシラン５ｉｌｌＣＩ３
） ｌｌａがシリコン原料液体供給管１５へ供給される
。
ン原料液体（たとえばトリクロロシラン５ｉｌｌＣＩ３
） ｌｌａがシリコン原料液体供給管１５へ供給される
。
シリコン原料液体供給管１５では、流１ｔｔＡ節装置１
６を調節することにより適度の流量とされたシリコン原
料液体１１ａが、高速気体供給管１４へ供給されている
。
６を調節することにより適度の流量とされたシリコン原
料液体１１ａが、高速気体供給管１４へ供給されている
。
高速気体供給管１４に供給されたシリコン原料液体１１
ａは、気化されたのち、高速の気体によって化学的蒸着
装置本体すなわち反応家並へ供給される。
ａは、気化されたのち、高速の気体によって化学的蒸着
装置本体すなわち反応家並へ供給される。
加えて本発明にかかる化学的蒸着装置の一実施例につい
て、その理解を一層深めるために具体的な数値などを挙
げて説明する。
て、その理解を一層深めるために具体的な数値などを挙
げて説明する。
±ＸＡ例上
シリコン原料液体１１ａとしてトリクロロシラン５ｉｌ
ＩＣＩｓを収容したシリコン原料容器１１に対し、圧力
調節装Ｒ１３を調節することにより２．５気圧の窒素ガ
スを供給しつつ、流量ｒＡ節装２１１６をｊｌｔＭシて
シリコン原料液体供給管１５を介し８００ｇ／分の割合
でトリクロロシラン５ｉＨＣＩ、を高速気体供給管１４
に噴出せしめた。
ＩＣＩｓを収容したシリコン原料容器１１に対し、圧力
調節装Ｒ１３を調節することにより２．５気圧の窒素ガ
スを供給しつつ、流量ｒＡ節装２１１６をｊｌｔＭシて
シリコン原料液体供給管１５を介し８００ｇ／分の割合
でトリクロロシラン５ｉＨＣＩ、を高速気体供給管１４
に噴出せしめた。
高速気体供給管１４には、水素ガスが２５０〜３００１
７分の速度て供給されており、化学的蒸着装置本体すな
わち反応室」に対しトリクロロシラン５ｉｌｌＣＩ、が
ａｏｏｇ／分まで供給できた。
７分の速度て供給されており、化学的蒸着装置本体すな
わち反応室」に対しトリクロロシラン５ｉｌｌＣＩ、が
ａｏｏｇ／分まで供給できた。
これにより、化学的蒸着装置本体すなわち反応家並にお
けるシリコン単結晶のエピタキシャル成長膜の成長速度
を、 ８ＩＬｍ７分まで高めることができた。
けるシリコン単結晶のエピタキシャル成長膜の成長速度
を、 ８ＩＬｍ７分まで高めることができた。
化学的蒸着装置本体すなわち反応家並に対し。
安定にトリクロロシラン５ｉｌＩＣ１，を連続して供給
できる時間は、シリコン原料容器１１の容量ひいてはシ
リコン原料容器１１に収容されたシリコン原料液体１１
ａすなわちトリクロロシラン５ｉＨＣ１ｓの量によって
決定された。
できる時間は、シリコン原料容器１１の容量ひいてはシ
リコン原料容器１１に収容されたシリコン原料液体１１
ａすなわちトリクロロシラン５ｉＨＣ１ｓの量によって
決定された。
以上の結果は、第１表に示されている。
匹工未
シリコン原料容器中のシリコン原料液体（ここてはトリ
クロロシラン５ｉＨＣ１ｓ）に対して窒素ガスを供給し
、バブリングによりトリクロロシラン５ｉｌｌＣｈを気
化せしめた。
クロロシラン５ｉＨＣ１ｓ）に対して窒素ガスを供給し
、バブリングによりトリクロロシラン５ｉｌｌＣｈを気
化せしめた。
気化されたトリクロロシランは、供給管を介して６０ｇ
／分まで化学的蒸着装置本体すなわち反応室に供給され
た。
／分まで化学的蒸着装置本体すなわち反応室に供給され
た。
これにより、化学的蒸着装置本体すなわち反応室におけ
るシリコン単結晶のエピタキシャル成長膜の成長速度は
、２ＩＬｍ／分までであった。
るシリコン単結晶のエピタキシャル成長膜の成長速度は
、２ＩＬｍ／分までであった。
化学的蒸着装置本体すなわち反応室に対し、安定にトリ
クロロシラン５ｉｌｌＣＩ＋を連続して供給できる時間
は、シリコン原料液体（ここではトリクロロシラン５ｉ
ｌｌＣＩ３）の気化熱によってその液温か低下してしま
い、約１．０時間に過ぎなかりた。
クロロシラン５ｉｌｌＣＩ＋を連続して供給できる時間
は、シリコン原料液体（ここではトリクロロシラン５ｉ
ｌｌＣＩ３）の気化熱によってその液温か低下してしま
い、約１．０時間に過ぎなかりた。
以上の結果は、第１表に併せて示されている。
（コ）発明の効果
に、述より明らかなように本発明にかかる化学的蒸着装
置は。
置は。
（ａ）化学的蒸着装置本体に対し高速で気体を供給する
高速気体供給管と、 （ｂ）前記高速気体供給管に対しシリコン原料液体を噴
出せしめる噴出手段と を備えてなるので。
高速気体供給管と、 （ｂ）前記高速気体供給管に対しシリコン原料液体を噴
出せしめる噴出手段と を備えてなるので。
（ｉ）シリコ原料液体の気化熱の影響
を回避てき、ひいてはシリコン
原料ガスを化学的蒸着装置本体
に対し長時間にわたり安定して
供給できる効果
を有し、また
（ｉｉ）バブリングのための気体を供給する必要がなく
、シリコン原料 ガスの供給量を増大せしめるこ とができる効果 を有し、ひいては （ｉｉｉ）シリコン単結晶の成長速度を促進せしめるこ
とができる効果 を有し、結果的に （ｉｖ）シリコンの化学的蒸着膜を低コストで装造でき
る効果 を有する。
、シリコン原料 ガスの供給量を増大せしめるこ とができる効果 を有し、ひいては （ｉｉｉ）シリコン単結晶の成長速度を促進せしめるこ
とができる効果 を有し、結果的に （ｉｖ）シリコンの化学的蒸着膜を低コストで装造でき
る効果 を有する。
第１図は１本発明にかかる化学的蒸着装置のｍ−実施例
を示す部分断面図である。 ｌＯ・・・・・・・・・・・・・化学的蒸着装置１ト・
・・・・・・・・・・・シリコン原料容器１１ａ・・・
・・・・・・・・・・シリコン原料液体１２・・・・・
・・・・・・・・ガス供給管１３・・・・・・・・・・
・・・圧力ｍ節装置１４・・・・・・・・・・・・・高
速気体供給管１５・・・・・・・・・・・・・シリコン
原料液体供給管１６・・・・・・・・・・・・・流量調
ｍ装置２０・・・・・・・・・・・・・化学的蒸着装置
本体特許出願人 東芝セラミックス株式会社代理人
弁理士 工 藤 隆 夫第１図 ＼ 手続補正書く自発） １、事件の表示 特願昭６３−４１５３２号 ２、発明の名称 気相成長装置（本補正により名称変更）３、補正をする
者 東芝セラミックス株式会社 ４、自発補正 ５、補正の対象 （１）験會せτブ明細書の発明の名称の欄 ６、補正の内容 （１）腓参参妾鋳明細書の発明の名称の欄を「気相成長
装置」と補正する。 以上
を示す部分断面図である。 ｌＯ・・・・・・・・・・・・・化学的蒸着装置１ト・
・・・・・・・・・・・シリコン原料容器１１ａ・・・
・・・・・・・・・・シリコン原料液体１２・・・・・
・・・・・・・・ガス供給管１３・・・・・・・・・・
・・・圧力ｍ節装置１４・・・・・・・・・・・・・高
速気体供給管１５・・・・・・・・・・・・・シリコン
原料液体供給管１６・・・・・・・・・・・・・流量調
ｍ装置２０・・・・・・・・・・・・・化学的蒸着装置
本体特許出願人 東芝セラミックス株式会社代理人
弁理士 工 藤 隆 夫第１図 ＼ 手続補正書く自発） １、事件の表示 特願昭６３−４１５３２号 ２、発明の名称 気相成長装置（本補正により名称変更）３、補正をする
者 東芝セラミックス株式会社 ４、自発補正 ５、補正の対象 （１）験會せτブ明細書の発明の名称の欄 ６、補正の内容 （１）腓参参妾鋳明細書の発明の名称の欄を「気相成長
装置」と補正する。 以上
Claims (4)
- （１）（ａ）化学的蒸着装置本体に対し高速で気体を供
給する高速気体供給管と、 （ｂ）前記高速気体供給管に対しシリコン原料液体を噴
出せしめる噴出手段と を備えてなることを特徴とする化学的蒸着装置。 - （２）シリコン原料液体が、加熱手段により加熱されて
なることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の
化学的蒸着装置。 - （３）噴出手段が、 （ａ）シリコン原料液体を収容するシリコ ン原料容器と、 （ｂ）前記シリコン原料容器に対して加圧 されたガスを供給するガス供給管 と、 （ｃ）前記シリコン原料液体を高速気体供 給管に供給するために前記シリコン 原料容器を前記高速気体供給管に対 して連通せしめるシリコン原料液体 供給管と を包有してなることを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項もしくは第（２）項記載の化学的蒸着装置。 - （４）高速気体供給管によって供給される気体が、加熱
手段により予め加熱されてなることを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項ないし第（３）項のいずれか一項記
載の化学的蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4153288A JPH01215793A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 化学的蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4153288A JPH01215793A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 化学的蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01215793A true JPH01215793A (ja) | 1989-08-29 |
Family
ID=12611023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4153288A Pending JPH01215793A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 化学的蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01215793A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11349397A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-12-21 | Mitsubishi Silicon America | 連続供給単一バブラーを使用するシリコンのエピタキシャル堆積のための供給システム及び方法 |
-
1988
- 1988-02-24 JP JP4153288A patent/JPH01215793A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11349397A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-12-21 | Mitsubishi Silicon America | 連続供給単一バブラーを使用するシリコンのエピタキシャル堆積のための供給システム及び方法 |
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