JPH01217396A - データ蓄積装置及び表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はデータ蓄積装置及び表示装置に関し、特にイオ
ン化したガスを用いたデータ蓄積装置及び表示装置に関
する。

（従来の技術〕 データ蓄積装置採用したシステムには、例えばビデオ・
カメラや画像表示装置がある。そのようなシステムは、
蓄積素子にデータを書き込んだり、これからデータを読
出したりするためのアドレス指定装置を有Ｕ７ている。

本発明の」つの実施例が特に志向しているこのタイプの
システムは、汎用フラット・パネル表示装置であって、
その蓄積素子または表示素子は、光パターン・デ］夕を
蓄積する。フラット・パネル表示装置は、表示表面の視
覚領域内に配置された多数の表示素子を具えている。フ
ラット・パネル表示装置は、表示画像を形成する上で陰
極線管を必すしも必要としないので、望ましい。陰極線
管は形も大きく、こわれやすく、高電圧駆動回路がいる
ので望ましくない。

ある種のフラット・パネル表示装置は、多数の液晶セル
または表示素子を配列し、これらを直接にマルチプレク
スするアドレス技術を採用している。一対の導電体の間
に液晶セルの各々が配置され、これらの導体は、液晶セ
ルに選択電圧信号及び解除電圧信号を選択的に印加し、
液晶セルの光学的状態を変化させる二これによって輝度
を変化させ、画像を形成させることができる。この形式
の表示装置は、「受動的」であるといえる。なぜなら液
晶セルの電気光学的特性を変化させるのに「能動的」電
気素子が共働していないからである。

このような表示装置には、表示画像を形成するのに用い
るビデオ情報、即ちデータを提供するためのアドレス線
の数が限られる（例えば、約２５０本）という欠点があ
る。

液晶表示装置のデータのアドレス・ラインの数を増やす
だめの方策としては、各液晶セルと共働する個別の電気
素子が、選択電圧信号及び解除電圧信号に対する液晶セ
”ルの、電気光学的応答の実質的非線形性を改めるよう
なアドレス装置を用いることである。「２端子」素子の
アドレス技術に関するもののいくつかは、この方法によ
って特徴づけられる。表示素子の実質的非線形性を強め
ると、２値表示においてマルチプレクス能力が増加する
が、この技術によりダレイスケールを実現するには多く
の困難を伴う。

充分なダレイスケール性能の液晶マトリクス表示装置を
得るには、液晶拐ネ」から非線形機能を得ることに依存
しないアドレス装置を必要とする。

これを達成するため、電気的な「能動Ｊ素子のマトリク
スを用いたアドレス装置は、各画素毎に、液晶材料から
分離した電子スイッチを採用している。この能動マｌ−
リクスは、各液晶セルと対応付けられた２または３端子
の個体素子を用い、必要な非線形性と表示素子の絶縁と
を得ている。２端子素子によって構成されたアドレス装
置は、様々の種類のグイオートを用いることができ、３
端子素子によって構成されたアドレス装置は、異なった
半導体材料から一部られる様々な種類の薄膜トランジス
タ（ＴＰＴ）を用いることができる。

（発明が解決しようとする課題〕 ２端子又は３端子能動素子に関する問題のひとつは、能
動素子の数が非常に大きくなると、高い歩留まりで大量
のマトリクスを製造することが大変に困難になることで
ある。もうひとつの問題は、特にＴＰＴ素子に関するこ
とであるが、充分に高い「オフ抵抗」の薄膜トランジス
タを製造することが困難であることである。「オフ抵抗
Ｊが比較的低いと、表示素子はそこに生じた電荷を所定
の時間保持していることができない。さらにこのとき「
オフ抵抗」と「オン抵抗」との比が低下する。

この比は、ＴＰＴマトリクスの好適な動作のためには１
０６を超えるのが望ましい。ＴＦＴ７トリクスは、とき
どき分離した蓄積キャパシタを各表示素子と共に採用し
、「オフ抵抗Ｊが充分に高くないことの影響を除去する
。しかしながら、分離した蓄積キャパシタの使用によっ
て、これと共働するＴＦＴ７トリクスがより複雑となり
、歩留まりも低下すると思われる。ＴＦＴ能動７１−リ
クスに考えられるもう一つの問題は、「オン」電流から
くる必要性によって、ＴＰＴ素子の寸法が大きくなる傾
向があるために、表示素子の寸法に比較してＴＰＴの寸
法が比較的大きくなってしまうことである。このことは
、素子の光効率に影響を与える。

ＴＰＴ素子によって作られた能動素子は、白黒とカラー
の画像を形成する能力がある。カラー画像を形成するた
めには、表示素子と空間的に一致するように並べられ、
異なった色のスポットのグループを多く含むカラー・フ
ィルターを能動マトリクスは用いる。これゆえ、異なっ
た色のスポットと一致するように並べられた表示素子の
グループは、これゆえ単一の画像ピクセルを形成する。

フラン１−・パネル表示装置は、イオン化したガス又は
プラズマを用いた表示素子を用いても実施することがで
き、どんなガスを用いるかによって決まる色の発光領域
を表示面に形成する。これら発光領域は、表示画像を形
成すべく選択的に駆動される。

その他のフラン１−・パネル表示装置は、電子を発する
プラズマを採用しており、これら電子を加速して蛍光体
に衝突させて、輝点を生成する。このようなフラット・
パネル表示装置は、輝度効率が向上しているが、広い表
示面を構成することが困難であり、複雑な駆動回路が必
要となる。このようなフラット・パネル表示装置は、多
色画像を形成するために異なったスペクトラム特性で、
電子によって励起される蛍光体によって構成できる。

ガス・プラズマ・フラット・パネル表示装置は、プラズ
マ・サック（ｐ　］　ａ　ｓｍａ−ｓ　ａ　ｃ）形式の
ガス放電表示装置を使用することにより意図的に軽減さ
れている。このような表示装置では、開口が設けられた
絶縁体の陰極側で発生したプラズマ・サックが、ひとつ
の開口から他の開口へと移動してラスク走査に影響を与
える。このプラズマ・サック型のガス放電表示装置は、
製造工程が複雑であり、歩留まりも低下しやすい。

そこで本発明の目的は、安い費用で高い歩留まりで製造
できる、アドレス装置の一部として使用できるデータ蓄
積素子を提供することにある。

本発明の他の目的は、データ蓄積素子にデータを書込み
、あるいは読み出すために、イオン化したガスを用いる
方法を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は、アドレス速度が速く、高い
コントラストの特性を有し、電気光学的材料と能動的ア
ドレス装置からなる蓄積または表示素子を有する表示シ
ステムを提供することにある。

本発明の更に他の目的は、電気光学的材料がイオン化し
たガスと共働してアドレス可能なデータ蓄積素子を形成
するような表示システムを提供することにある。

本発明の更に他の目的は、良好な色とグレイスケールと
輝度特性とを有する表示システムを提供することにある
。

〔課題を解決するための手段〕

本発明はデータ蓄積素子とこれを使用するための方法に
関する。本発明は二つの実施例に沿って説明する。

第１の実施例は、直視型または投影型のいずれにも用い
られる高解像度フラット・パネル表示装置のアドレス装
置を具えている。この表示装置は、視覚領域全体にわた
って配置されたデータ蓄積素子または表示素子によって
構成された表示パネルを含んでいる。各表示素子は、ヘ
リウムのようなイオン化可能なガスを所定量封入したも
のと、ネマチック液晶のような電気光学材料を所定量封
入したものを具え、これらは共働して、表示素子が設け
られているところの電気光学的材料を通って伝播し、外
側へ向かって発光する光を変調する。

第２の実施例は、メモリ装置の一部として実現されたア
ドレス装置を具えるものであり、ここにアナログ的な情
報が電気的に書き込まれ、あるいは読み込まれる。この
メモリ装置は、データ蓄積素子またはメモリ素子が配列
されたものを含み、これらの夫々は、ヘリウムのような
イオン化可能なガス、ガラス、プラスチックのような誘
電体材料、及び光導電体を含んでいる。このイオン化可
能なガスと誘電材料とは、このメモリ素子に何らかの方
法で前もって書込まれていた信号を読み出すため、メモ
リ素子をアドレスする方法を共働して提供する。

両方の実施例では、蓄積素子が、行と列とに配列されて
いる。第１の実施例では、行はビデオ情報またはデータ
の一行を表し、第２の実施例では、１行は一組の個別量
のアナログ情報またはデータを表している。（各実施例
どこおいてアドレスされる情報は、以下［データｊと呼
ぶことにする。）列電極はデータを受は取り、データ・
ストローブ回路は、行走査により行毎に列電極をアドレ
ス指定する。

第１の実施例におりる表示パネルか、または第２の実施
例におけるメモリ素子は、間隔をおいて相互に面と面と
が向かい合わせになった第１と第２の基板を具えている
。第１の基板の内側面に沿った第１の方向に延びている
、互いに重なり合うことのない多数の導電路は、これら
に印加されるデータ駆動信号のための列電極を形成して
いる。

第２の基板の内側に刻まれた、互いに重なることのない
多数の溝は、第１の方向を略横切る方向に沿って内側に
延びる。この第１と第２の方向は、好適には夫々垂直方
向と水平方向とする。基準電圧電極と行電極とは、電気
的に相互に絶縁され、各溝の内側の長手方向に沿って延
び、これに印加されるデータストローブ信号を受ける。

各溝は、イオン化可能なガスによって満たされている。

第１の実施例の表示パネルでは、電気光学的性質を有す
る材料の層と、ｉ誘電材料層とが、第１と第２の基板の
内側面の間に配置されていて、溝を覆う誘電材料層は、
電気光学材料の層とイオン化可能なガスとの間の遮断層
を形成する。表示素子は、列電極と溝とが重なり合う領
域によって形が決まり、表示スクリーン上のスポットと
して現れる。スポットは充分に小さく、相互に接近して
いるので、通常の視覚条件では見ても区別がつかない。

表示パネルは、上述のように構成されており、各表示素
子にとってイオン化可能なガスは、印加されるデータス
トローブ信号に応じて、導通のあるプラズマ状態と、導
通のないイオン化していない状態との間を電気的に切り
替わるスイッチとして機能する。列電極のデータ駆動信
号の強さは、表示画像の輝度に対応する。

素子が導通状態になっているときはいつでも、イオン化
されたガスの領域は、データ・ドライブ信号の電圧を表
すデータ電圧が液晶材料領域にかかることを可能にする
。この液晶材料領域は、イオン化したガスの領域と空間
的に位置あわせされている。素子が非導通になっている
ときはいつでも、イオン化していないガスの領域は、液
晶材料の空間的に位置合わせされた領域が、これにかか
る電圧を所定の時間保持することを可能にする。

これゆえイオン化可能なガスは、液晶材料に蓄積される
データを選択する機能を果たすわりで、このためグレイ
スケール輝度の表示装置を提供する。

イオン化可能なガスを、導通状態と非導通状態との間で
表示パネル内で切替えることにより、表示素子を通過す
る光を変調することができる。透過光は、印加されたデ
ータ駆動信号の強度に依存する。グレイスケール輝度の
機能を持ったモノクロまたは白黒の表示装置を、表示パ
ネルに使用できる。色強度が制御可能であるフルカラー
の表示装置は、表示素子に対して空間的に位置合わせさ
れた３原色のスポットのグループを含むカラーフィルタ
を白黒表示装置内に配置することによって実現可能であ
る。スボｙ　ｌ−のグループを構成すべく位置合わせさ
れている３つの表示素子のグループは、このグループ内
のスポットの強度との関係で決定される色の一つの画像
ピクセルとなる。

本発明の表示装置は、全面的にダイナミックで、グレイ
スケールの画像を幅広いレンジのフィールド・レイトに
わたって提供でき、高い画質の表示を提供する。この表
示装置は簡単で凸凹のある構造をしているために、特に
有利であり、表示スクリーン上で６０Ｈｚのフィールド
・レイトにて、少なくとも３０００本のデータ・ライン
をアドレスすることができる。

第２の実施例におけるメモリ装置においては、第１と第
２の基板間に、たった１枚の誘電材料層が設ジノられて
いるだりである。メモリ素子は、列電極と溝とが重なる
領域によって形が決まる。メモリ装置は、上述のように
形つくられているので各メモリ素子にとっては、イオン
化可能なガスは、印加されるデータ　ストローブ信号に
応して、導通状態と非導通状態との間を切り替わる電気
的なスイツチとして機能する。データ駆動信号を供給し
ている増幅器は、データの書込みモー１−中で列の電極
を駆動する増幅器として機能すると共に、データの読出
しモート中では、列電極を検知するための増幅器として
機能する。

素子が導通状１９）４になっているときはいつでも、イ
オン化可能なガスの領域は、所定の強度を持ったデータ
電圧がかかることを可能にする。この電圧は、イオン化
したガスの領域と空間的に位置あわせされた領域の誘電
材料に住まれるデータ駆動信号の強度を表す。これは、
メモリ装置のデータ書込めモートを表す。素子が非導通
になっているときはいっでも、イオン化していないガス
の領域は、誘電材料の空間的に位置合わせされた領域が
、これにかかる電圧を所定の時間保持することを可能に
する。この領域に関係づＬ−１られた列電極検知増幅器
は、イオン化したガスの領域と空間的に位置合わせされ
た表面と対向する誘電材料層の面に対して、基準電圧を
印加する。導通状態に戻ると、イオン化したガスの領域
は、この誘電材料にかかっている電圧を変化させる。こ
の変化は、前もって書かれたデータ電圧に１Ｌ例するも
のであり、列電極探知増幅器の出力端に現れる。これは
、メモリ装置のデータ読出しモードを表している。

」二連のアドレス装置になんらかの変形を加えることに
より、メモリ装置のメモリ素子にデータ電圧を印加する
ためのその他の手段が採用可能である。例えば、誘電材
料に替えて光導電性材料を用い、光透過性の列電極を用
いると、入射光が、その強度に比例して、メモリ素子に
印加されたデータ電圧の強度を変調することができるよ
うになる。

このようなアドレス装置は、画像探知装置とか光学処理
装置の一部として利用できよう。

本発明のその他の目的及び利点は、図面を用いての以下
の説明により一層明かになろう。

〔実施例］ 第１図は、フラット・パネル表示装置（１０）の構成を
示す図であり、本発明のアドレス装置の第１実施例を表
し、アドレス方法も表す。第１図において、フラット・
パネル表示装置（１０）は、表示面（１４）を有する表
示パネル（１２）を具える。この表示面（１４）は、垂
直方向と水平方向に沿ってあらかじめ決められた距離に
て相互に隔たった個別のデータ蓄積素子または表示素子
（１６）の矩形平面配列によるパターンを含んでいる。

この配列の各表示素子（１６）は、縦の列に沿って配列
された薄くて幅の狭い電極（１８）と、水平方向に配列
された細長い溝（２０）との重なった部分となる（以下
電極（１８）を列電極（１８）と呼ぶことにする。）。

行にあたる谷溝（２０）中の表示素子（１６）は、デー
タの１行を表す。

列電極（１８）の幅と溝（２０）の幅は、表示素子（１
６）の寸法を決定し、これは矩形となる。

列電極（１８）は、電気的に非導電性で光学的に透明な
第１基板の主面上に配置され、溝（２０）は、電気的に
非導電性で光学的に透明な第２基板の主面上に刻まれて
いる。このことは詳細に後述する。直視型または投射型
の反射型表示装置のようなシステムでは、ただ１枚の基
板が光学的に透明であればよいということを、当業者は
理解するであろう。

列電極（１８）は、データ駆動手段または回路（２４）
の出力増幅器（２２）（第２図から第６図を参照）の夫
々の１つによって平行な出力導体（２２′）上番÷発生
するアナログ電圧のデータ駆動信号を受ける。溝（２０
）は、データ・ストローブ手段または回路（２８）の出
力増幅器（２６）（第２図から第６図を参照）の夫々の
１つによって平行な出力導体（２６°）上に発生するパ
ルス電圧のデータ・ストローブ信号を受ける。谷溝（２
０）には、基準電極（３０）（第２図）が通っており、
谷溝及びデータ・ストローブ回路（２８）に共通の基準
電圧（接地電圧）が基準電極（３０）に印加される。

表示面（１４）の全体にわたって画像を形成するために
、表示装置（１０）は、走査制御回路（３２）を具えて
いる。これは、データ駆動回路（２４）とデータ・スト
ローブ回路（２８）との機能を調整し、表示パネル（１
２）の表示素子（１６）のすべての列を行から行へと走
査的にアドレス指定する。表示パネル（１２）には、異
なったタイプの電気光学材料を用いても良い。例えば、
この材料として入射光（３３）の偏光状態を変化させる
材料を用いるのなら、表示パネル（１２）は、偏光フィ
ルタ（３４）と（３６）の間に置かれる（第２図番）。

このフィルタ（３４）と（３６）とは、表示パネル（１
２）と共働し、これらを通過する光の輝度を変化させる
。電気光学材料として光を散乱させる液晶セルを用いれ
ば、偏光フィルタ（３４）と（３６）を必要としない。

図示しないカラー・フィルタは、表示パネル（１２）内
に位置させ、色の強度が制御可能な多色画像を形成して
もよい。投射表示のためには、３個の個別の単色パネル
を用いるごとによって色を形成してもよい。各々のパネ
ルは１つの原色を制御するごとになる。

第２図から第５図において、表示パネル（１２）は、ア
ドレス装置を具え、これは、ネマチック液晶のような電
気光学材料の層（４４）と、ガラス、雲母、またはプラ
スチックのような誘電材料の薄い層（４６）とによって
隔てられた、おおむね平行な一対の電極構体（４０）、
（４２）を含んでいる。電極構体（４０）はガラス製の
誘電基板（４８）を具え、これの上に、インジウムと錫
との酸化物による列電極（１８）が、内側面（５０）上
に蒸着により、設けられている。これは光学的に透明で
あり、ストリップ・パターンを形成している。隣にある
列電極（１８）は、距離（５２）だけ隔たっており、打
上の隣接する表示素子（１６）間の水平間隔を規定する
。

電極構体（４２）は、ガラス製の誘電基板（５４）を具
え、その内側面（５６）には、断面が台形になった複数
の溝（２０）が設けられている。溝（２０）の深さ（５
８）は、内側面（５６）から底部（６０）までで測定し
たものである。溝（２０）の各々には、底部（６０）に
沿って延びる一対の薄く幅狭なニッケル電極（３０）と
（６２）、及び底部（６０）から内側面（５６）にむか
って末広がりに延びる一対の側壁（６４）がある。溝（
２０）の基準電極（３０）は、共通の基準電圧に接続さ
れている。これは、回示するように接地電位に固定され
ている。溝（２０）の電極（６２）は、データ・ストロ
ーブ回路（２８）の出力増幅器（２６）（これらのうち
３個及び５個が、第２回及び第３０に夫々示されでいる
。）の夫々異なる１個に接続されている。（電極（６２
）は行電極（６２）と以後呼ぶ。）アドレス装置が確実
に動作するように、基準電極（３０）と行電極（６２）
は、第４図、第１１Ａ図、第１１Ｂ図に示すように、表
示パネル（１２）の対向する側部で、基準電位とデータ
・ストローブ回路（２８）の出力（２６’）に夫々接続
される。

隣合う溝（２０）の隣合う側壁（６４）は、頂面（５６
）が誘電材料の層（４６）を支持している支持構体（６
６）となっている。その隣の溝（２０）は、各支持構体
（６６）の頂部の幅（６８）だけ相互に間隔をおいてい
る。この幅（６８）は、列中の隣接する表示素子（１６
）間の垂直距離を決定する。列電極（１８）と溝（２０
）とが重なっている部分（７０）は、第２図と第３図と
において示すように、表示素子（１６）となる。第３図
は、表示素子（１６）の配列と、これらの水平距離、垂
直距離とを、いっそう明瞭に示したものである。

列電極（１８）に印加される電圧の大きさに応じて、隣
合う列電極（１８）の絶縁を行うための隙間（５２）が
決まる。距１ｉｉｌｆ（５２）は、列電極（１８）の幅
よりも典型的にははるかに小さい。

隣合う溝（２０）の隣合う側壁（６４）の傾きに応じて
、距離（６８）が決まる。距離（６Ｂ）ｉｌｌ、溝（２
０）の幅よりも典型的にははるかに小さい。

列電極（１８）の幅及び溝（２０）の幅は、典型的には
同一であり、所望の画像解像度の関数である。これは表
示への応用のしかたによって決まる。

隙間（５２）と（６８）とは、できるだけ小さくしたほ
うがよい。表示パネル（１２）の現在のモ２；３ デルでは、溝の深さ（５８）は、溝の幅の半分である。

溝（２０）の各々は、イオン化可能なガスに満たされて
おり、このガスとしては、好適には後で説明するように
ヘリウム・ガスが含まれる。誘電材料の層（４６）は、
溝（２０）に含まれるイオン化可能なガスと液晶材料の
層（４４）との間で、絶縁遮断層として機能する。絶縁
層（４６）がない場合は、液晶月利が溝（２０）に流れ
込んでしまったり、イオン化可能なガスが液晶月利を汚
染することが起きる。誘電層（４６）は、固体材料また
はカプセルに入れられた電気光学材料を採用した表示装
置では必要がなくなるかもしれない。

表示パネル（１２）の動作におりる原則は、１）各表示
素子（１６）は、表示素子の一部を構成する列電極（１
８）に印加されるアナログ・データ電圧のためのサンプ
リング・キャパシタとして機能する。２）イオン化可能
なガスはサンプリング・スインチとして機能する。第６
図は、表示装置（１０）の操作を説明するための等価回
路である。

第６図において、表示パネル（１２）の表示素子（１６
）の各々は、キャパシタ（１，８）（以下、キャパシタ
・モデル（８０）と呼ぶ。）としてとらえることができ
る。これの頂部の板（８２）は、列電極（１８）の内の
１つを表している。７Ｅだ、これの底部の板（８６）は
、誘電材料の層（４６）の自由表面（８８）（第２図）
を表している。キャパシタ・モデル（８０）は、列電極
（１８）と溝（２０）の重なった部分によって形成され
る容量性液晶セルを表している。表示装置（１０）の動
作方法の説明は、キャパシタ・モデル（８０）を用いて
行う。

基本的なアドレス手順にしたがうと、データ・トーライ
ハ（２４）は、最初の線のデータを捕捉する。捕捉され
たデータは、時間と共に変化するアナログ・データ信号
の電圧を所定時間間隔でザンプルした個々の値を表して
いる。この時間間隔内の特定の事象におけるデータ信号
の強度のサンプリングは、ストローブ・パルスを受りる
行電極（６２）の対応する列位置のキャパシタ・モデル
（８０）に印加されるアナログ電圧の強度を表している
。データ・ドライバ（２４）は、その出力増幅器（２２
）にアナログ電圧を発生し、列電極（１８）に印加する
。第６図において、データ・ドライバ（２４）の４つの
代表的な出力増幅器（２２）は、基準電極（３０）に対
して、正極性のアナログ電圧を、接続されている列電極
（１８）の各々に印加する。列電極（１８）に正電圧を
印加することにより、誘電材料の層（４６）の自由表面
（，８８）（第２図）に、印加電圧と実質的に等しい電
圧を発生させる。このため、キャパシタ・モデル（８０
）にかかる電位差には変化はなく、第６図中では、頂部
の板（８２）と底部の板（８６）とは、白い表面で描い
である。

この場合、溝（２０）の中にあるガスはイオン化してい
ない状態であり、キャパシタ・モデル（８０）の板（８
２）と（８６）とに発生している電圧は、溝の中の基準
電極（３０）の電位に対して正である。データ・ストロ
ーブ回路（２８）が溝（２０）内の行電極（６２）に負
方向電圧パルスを発生すると、溝（２０）内にあるガス
は、イオン状態となる。その行電極がストローブ・パル
スを受けている溝（２０）は、第６図中では太い線で示
しである。このような条件下では、接地された基準電極
（３０）と、ストローブされている行電極（６２）は、
溝内のプラズマにとって夫々陽極と陰極として機能する
。

プラズマ内の電子は、キャパシタ・モデル（８０）の底
部の板（８６）に誘導された正の電荷を中和する。スト
ローブされている行のキャパシタ・モデル（８０）は、
これにかかるデータ電圧によって充電されている。この
状態は、第６図中で、頂部の板（８２）は白い表面で、
底部の板（８６）は、線を付して表している。キャパシ
タ・モデル（８０）にかかるデータ電圧の蓄積が完了す
ると、データ・ストローブ回路（２８）は、溝（２０）
の行電極（６２）の負方向電圧パルスを終了する。これ
によって、ストローブ・パルスが終了し、プラズマも消
失する。

行電極（６２）の夫々は、表示面（１４）の全体のアド
レス指定が完了し、データの画像フィールドが蓄積され
るまで、同様の方法でストローブされる。電圧は、少な
くとも画像フィールド期間゛中、ストローブされている
行のキャパシタ・モデル（８０）の夫々に蓄積されたま
まである。そして、キャパシタ・モデル（８０）の頂部
の板（８２）に印加されるデータ電圧における後続する
変化の影害を受けない。キャパシタ・モデル（８０）の
夫々に蓄積された電圧は、後続の画像フィールドの表示
データを表すアナログ・データ電圧に応じて変化する。

表示装置（１０）では、画像フィールドがノンインター
レース方式である場合は、後続する画像フィールドにお
いて列電極（１８）に印加されるアナログ・データ電圧
は、逆極性になる。ひとつの画像フィールドから次の画
像フィールドへと移行するときに、極性が正と負との間
を往復することによって、長期的にみると、直流電圧成
分は正味ゼロとなる。これは、液晶材料の長期間の使用
には特に要求されることである。この液晶材料は、印加
されたアナログ・データ電圧の実効値に応じてダレイス
ケール効果を生み出す。このため、作成された画像は、
アナログ・データ電圧の極性交番変化によっては影響を
受けない。表示装置（１０）では、画像フィールドがイ
ンターレス方式である場合は、後続する画像フレームの
列電極（１８）に印加するアナログ・データ電圧は、長
期的にみて直流電圧成分が正味ゼロになるように、極性
が反対になる。各画像フレームは、２つの画像フィール
ドから成り、各画像フィールドは、アドレス指定可能な
ライン数の半分で構成される。

上述の説明で明らかなように、溝（２０）の各々にはい
っているイオン化可能なガスは、データ・ストローブ回
路（２８）によって印加された電圧に応じて、２つの切
替え状態の間を接点位置が変化する電気スイッチ（９０
）として機能する。

第６図において、開放位置にあるスイッチ（９０）は、
基準電極（３０）に接続されており、行電極（６２）に
印加されるストローブ・パルスによって駆動される。ス
）−ローブ・パルスがないと、溝（２０）内のガスは、
イオン化していない状態となり、このため、非導通状態
となる。第６図に示すスイッチ（９０）が閉じた状態で
は、基準電極（３０）と接続しており、行電極（６２）
に印加されるとともに、：Ｍ（２０）内のガスをイオン
化するに足るだけの強さのスｌ−ローブ・パルスによっ
て駆動され、これによって導通状態となる。第６図では
、データ・ストローブ回路（２８）の３個の出力増幅器
のうらの中央のものが、キャパシタ　モデル（８０）の
行をストローブし、ここに表示データ電圧をかけ、蓄積
している。

スイッチとして機能するためには、ガラス製の電極＋１
４体（４０）の下の溝（２０）内Ｇこ入っているイオン
化可能なガスは、誘電材料の層（４６）と共ｆｌ＋　Ｌ
、、誘電材料の層（４６）から基準電極（３０）へと導
電路を提供している。ストローブ・パルスをうｉＪる行
電極（６２）を有する溝（２（）　）の中のプラズマは
、このプラズマにとなりあわせて位置する液晶材料の部
分を表ずキャパシタ・モデル（８０）への接地通路を提
供している。このことにより、列電極（］８）に印加さ
れたアナログ・データ電圧を、キャパシタ・モデル（８
０）がサンプルできるようになる。プラズマが消失する
と、導電路がなくなる。このため、表示素子にサンプル
されたデータが保持される。後続する画像フィールドの
新しいラインのデータをあられす電圧が、層（４４）に
生じるまで、電圧は、液晶材料の［（４４）に蓄積され
たままである。上述のアドレス装置とその技術は、表示
素子（１６）の１つ毎に実質的に１００％のデユーティ
・サイクルの信号を与える。

第７図は、表示装置（１０）が画像フィールド期間中に
アドレス指定できるデータのライン数の限度を決めるタ
イムチャー１・である。第７図において、ストローブさ
れている溝（２０）の行電極（６２）が、ストローブ・
パルスを受けたあと、代表的なデータ・ラインｎはプラ
ズマを生成するために、時間（９２）が必要である。こ
のプラズマ生成時間（９２）は、その前のラインｎ−１
の期間に先立ってストローブ・パルスを開始するごとに
よって、画像フィールド内のアドレス可能なライン数を
制限する要素には、実質的にならない。

好適な実施例においては、ヘリウムガスにおけるプラズ
マ生成時間は、公称１．０マイクロ秒である。

データ・セン）・アンプ・タイム（９６）は、となりあ
う２木のデータ・ラインにあるデータ値の間でデータ・
ドライバ（２４）が状態変化する時間を表し、出力増幅
器（２２）にアナログ電圧信号を発生させ、列電極（１
８）に印加する。データ・セットアツプ・タイム（９Ｇ
）は、データ・ドライバ（２４）を実施するために用い
る電子回路の関数である。１．０マイクロ秒未満の七ソ
Ｉ・アンプ・タイムは、達成可能である。

データ捕捉時間（９８）は、溝（２０）内のイオン化可
能なガスの導電性に依存する。第８図は、溝（２０）内
の基準電極（３０）と行電極（６２）との間を流れるプ
ラズマ電流の関数として、データ捕捉時間（９８）を描
いたものである。第８図中の曲線は、データに対応する
電圧の９０％を表示素子が獲得するのに必要な時間を表
している。

第８図は、ヘリウムガスのプラズマによって生成された
イオンは、ネオンの場合と比較して低いデータ捕捉時間
となることを示している。プラズマ中、電流は、陰極（
行電極（６２））から陽極（基準電極（３０））へと流
れる。

好適な操作点は、正のイオン電流のために最も短いデー
タ捕捉時間を実現する点である。第８回に示す特定の場
合では、そのような操作点では、ヘリウムガスを４０ミ
リバールの気圧で用い、７．５ミリアンペアの電流を流
すことで、約０．　５ミリ秒のデータ捕捉時間が達成さ
れる。ヘリウムがネオンよりも短いデータ捕捉時間を達
成できる理由は、ヘリウムが軽いイオンとなり、移動性
が大きいからである。圧力と電流の最適値は、溝（２０
）の大きさと形状に依存する。

プラズマ消失時間（９４）は、溝（２０）内のプラズマ
が、行電極（６２）からのストローブ・パルスの除去に
よってイオン化していない状態に戻るのに必要な時間を
表している。第９図は、表示パネル（１２）内の陽極／
陰極電流の関数として、混信が３％を超えないプラズマ
消失時間を表している。第９図は、プラズマ消失時間（
９４）は、行電極（６２）から基準電極（３０）へとプ
ラズマ中を流れる電流の関数として、増加することを示
している。行電極（６２）に印加されるストローブ・パ
ルスの強度により、プラズマに流れる電流の量が決まる
。第９図は、プラズマ消失時間（９４）の減少は、約＋
１００■の連続的なバイアス電圧を印加することによっ
て、達成されることを示している。第９図はさらに、＋
１００Ｖのバイアス電圧をかけた場合、バイアス電圧が
ゼロの場合と比較すると、プラズマ消失時間（９４）が
約１０分の１になることを示している。

データ・ラインをアドレス指定するのに必要な時間は、
データ・セットアツプ・タイム（９６）、データ捕捉時
間（９８）、プラズマ消失時間（９４）の合計に等しい
。画像フィールド期間中アドレス可能なライン数は、デ
ータ・ラインをアドレス指定するのに必要な時間によっ
て分割される画像フィールドの時間に等しい。ノンイン
ターレースで６０Ｈｚのフレーム・レートの場合は、表
示装置（１０）のデータ・ラインの数は、上述の単純な
アドレス技術では、９０００本、を超えることができる
。アドレス可能なデータ・ラインの数は、表示装置（１
０）の解像度とは同じではないことに注意されたい。解
像度は、溝（２０）の幅、および列電極（１８）の幅の
関数である。

プライミング（ｐｒｉｍｉｎｇ）技術を使用すれば、画
像フレーム中の比較的多数の線をアドレス指定する能力
を確実にできる利点がある。プライミングには、ガスの
放電を開始するためにイオンを導入することが含まれる
。表示装置（１０）をプライミングすることは、プライ
ミング溝（図示せず）を通じて電流を通過させることで
達成される。このプライミング溝は、溝（２０）にたい
して直角に配置されており、溝の各々は、表示パネル（
１２）の縁にて終わっている。プライミングによって、
もしそれがなっかったならプラズマ生成時間を予測でき
ないくらいに長めてしまうであろう最初の統計的遅延時
間なしに、プラズマを生成することができる。

第１０Ａ図、第１０’Ｂ図は、データ・ドライバ（２４
）の代替回路を示したもので、これとの間で対応する構
成要素は、□夫々添字ａ、ｂを付して示しである。

第１０Ａ図において、データ・ドライバ（２４ａ）は、
データ信号をサンプルし、これをバッファ・メモリ（１
０”０）に蓄積する。データ信号□は、アナログまたは
デジタルの形態である。バッファ・メモリ（１００）は
、電荷結合素子（ＣＣＤ）か、サンプル・ホールド型で
あ□って、これでアナログ・データ信号を蓄積する。バ
ッファ・メモリ（１００’）は、デジタル・データ信号
を蓄積するためのデジタル形式のものであってもよい。

素子（２２）は、バッファ・メモリ（１００）がアナロ
グ電圧を保持するかデジタル・データを保持するかによ
って、バッファ増幅器またはアナログ／デジタル変換器
となる。素子（２２）は、アナ口グミ圧の平行伝達が列
電極に行われるようにする。

データ・ドライバ（２４ａ）は、高速動作が可能である
。なぜなら、ＣＯＤとサンプル・ホールド回路は、高速
取り込みが可能であり、アナログ電圧は、同時に平行に
列電極（１８ａ）に伝達するからである。

第１０Ｂ図において、データ・ドライバ（２４ｂ）は、
１組のスイッチ（１０４）のうちのひとつひとつが順次
閉じたり開いたりすることにより、アナログ・データ信
号を直列的にサンプルする。スイッチ（１０４）は、キ
ャパシタ（１０６）に接続されている。キャパシタ（１
０６）は、スイッチが閉じられたとき、データ信号から
電荷を蓄積する。このことによってデータ信号のアナロ
グ電圧サンプルが、１本の列電極（１８ｂ）の一端から
他端へと供給される。スイッチ（１０４’）の制御電極
に印加されるサンプリング・クロック信号は、サンプリ
ング・レートを設定する。第１０Ｂ図における回路のデ
ータ・セットアツプ・タイム（９６）は、列電極（１８
ｂ）の数に等しい乗数分だしｊ第１０Ａ図における回路
のデータ・七ソ（・アンプ・タイム（９６）よりも大き
い。

表示装置（１０）内で適切に操作するためには、行から
行への水平ブランキング時間が、データ捕捉時間（９８
）とプラズマ消失時間（９４）との和を超えることが、
データ　トライバ（２４ｂ）にとって必要である。

第１１．　Ａ図と第１１Ｂ図とは、それぞれの基準電極
（３０）が、固定基準電圧、スＩ・ローブ信号パルスを
うＬＪる９つの溝を有する代表的な表示パネル（１２）
に必要とされるデータ・ストローブ出力の数を比較して
いる。第１１Ａ図の表示パネルは、接地された基準電極
（３０）と、９つの異なったスレコープ出力増幅器（２
６）と、異なった行電極（６２）を駆動するデータ・ス
トローブ回路（２８）とをもっている。第］、　１．　
Ｂに示ず表示パネルは、３組にまとめられた基準電極（
３０）と、別の３組にまとめられた行電極（６２）を有
している。基準電極の組の任意の１つを形成する基準電
極を有する溝（２０）（第４図）は、行電極組の任意の
１つの電極（６２）を含んでいる。

表示装置（１０）は、あらかじめ決められた時間間隔の
間、基準電極（３０）の組の１つだけをスＩ・ローブす
る。ストローブの時間間隔の間、表示装置（１０）は、
列電極（１８）を駆動し、ストローブ・パルスをうける
基準電極（３０）を有する溝（２０）内に含まれる行電
極（６２）の組をストローブすることによって、表示素
子（１６）をアドレスする。その基準電極（３０）がス
１−ローブ・パルスを受けていない溝（２０）の行電極
（６２）は、このため活性化されていない。

データ・ストローブ回路（２８）の出力増幅器（２６）
を、溝（２０）内の基準電極（３０）と行電極（６２）
に電気的接続する構成により、アドレス装置のデータ・
ストローブ回路（２８）の出力増幅器（２６）の数が少
なくて済む。第１１Ｂ図の代表的な表示パネル（１２）
では、データストローブ出力増幅器（２６）の数は、９
つから６つに減少する。

第１２図は、第１１Ｂ図の表示パネル（１２）においで
、実施されている形式のアドレス装置において装着可能
なアドレス可能なデータ・ラインの本数に対する、必要
とされる最小ドライバ数を示すグラフである。第１２図
は、トライバの実質的な減少が、仕較的多数のデータ　
ラインを有する表示装置において達成されることを示し
ている。

本発明のアドレス装置は、ブラフ（Ｂｕｒｒ。

ｕｇｈｓ）によって開発されたセルフスギャン（Ｓｅｌ
ｆ−３ｃａｎ：商標）表示において実施されている技術
と類似の他の技術を用いることによって、トライへの数
を減らし易くなる。このような表示装置は、観測者が見
ることのできる表示セルと、観測者が見ることのできな
い走査セルとを採用している。この走査セルは、イオン
化可能なガスの各部屋に活性化したプライミング粒子を
送りこむごとによって、表示素子の状態を制御する。走
査セルの溝内では、プラズマ放電は、順次隣の表示セル
に移動し、隣接する表示セルを活性化するプライミング
粒子を発生ずる。

表示パネル（１２）では、直交するブライミング溝の電
気的分割により、１つの溝から次の溝へと順次移動する
イオン源を提供することができよう。上述の技術に関し
ては、壁電荷結合またはその他の既知の技術が、ドライ
バの数を更に減らずために採用できよう。

交番画像フィールド中の正と負の極性のデータ電圧を印
加するアドレス技術は、第１１Ｂ図と第１２図に関連し
て説明したドライバ減少技術を採用した表示装置（１０
）における実施例において、利用しやすい。正極性だけ
のデータ電圧を印加する代替アドレス技術により、アド
レス速度を更に速められる。このような代替技術は、各
画像フィールドの上に消去フィールドを導入する。

このタイプのアドレス技術においては、消去フィールド
を走査中、データ・ストローブ回路（２８）が比較的短
い期間の正と負のパルスを連続的に溝（２０）の行電極
（６２）に印加するにつれて、データ・ドライバ（２４
）は、略接地電位の電圧を、列電極（１８）に印加する
。正のパルスの印加を通じて、基準電極（３０）と行電
極（６２）は、それぞれプラズマの陰極と陽極として作
用する。すでに求められているデータ電圧は、正極性で
あるので、蓄積素子（１６）にかかっている電荷は、誘
電材料の層（４６）の負電荷がある表面（８８）を含む
。従って、こちらは陰極として機能する。陰極は、比較
的高濃度のイオンで囲まれており、これは、誘電材料の
層（４６）の負の帯電をや、速に中和する。層（４６）
の電位は、陽極のそれに近づくため、残余の正電荷を蓄
積してかなりのレベルに達することができる。負のパル
スの印加中、列電極（１８）に印加される接地電位は、
画像フィールドの書込み生作用したのと同様の方法で、
残余の正電荷を接地に逃がす。

もし、正のパルスが用いられていないなら、アドレスに
おける速度は、上述の正イオン帯電現象によって制限を
うける。しかしながら、この代替アドレス技術は、第１
１Ｂ図と第１２図に関連して説明したドライバ減少技術
とはなじまない。

この種のもう１つのアドレス技術では、データ・ストロ
ーブ回路（２８）が、２個以上（たとえば１０個）の行
電極（６２）に負のパルスを印加して、同時に１行のデ
ータを消去してしまう。この技術では、表示パネル（１
２）の表示面（１４）にかけて、小規模のデユーティ・
サイクルの不均一が起こる。

フラット・パネル表示装置（１０）は、メモリ素子が整
列したものを含む汎用性のあるアナログ・データメモリ
装置ｔ　（１１０）を形成すべく変形されてもよい。こ
れは、アドレス装置を具現化し、本発明の第２の実施例
となっている。このような変形は、偏光フィルタ（３４
）と（３６）を除去し、もし存在すれば、第２図、第４
図および第５図の液晶材料層（４４）も除去することが
含まれる。

第１３図は、メモリ装置（１１０）の等価回路を示して
いる。上述したこと以外は、第６図と第１３図に示した
装置は類似している。これゆえ、第６図と第１３図中の
対応する構成要素には、同一の参照番号を付した。メモ
リ装置（１１０）において、誘電体（４６）はキャパシ
タ・モデル（８０）の誘電素子として機能しており、こ
れはメモリ素子を表している。列電極（１８）は、光学
的に透明な材料で構成される必要はなく、アルミニウム
やその他の導電材料で構成されてもよい。

メモリ装置（１１０）のデータ駆動出力増幅器（２２）
は、データの書込みモードのときは列電極の駆動増幅器
として機能し、データの読出しモードのときは、列電極
検知増幅器として機能する。

第６図と第１３図の装置のデータ・ストローブ出力増幅
器は、類似している。

第１３図において、データ駆動回路（２４）の各出力増
幅器（２２）は、高速演算増幅器（１’１２）を具えて
いる。帰還キャパシタ（１１Ｂ）とスイッチ素子（１２
０）の並列回路が、増幅器（１１２）の反転入力端（１
１４）と出力端（１１６）との間に接続されている。増
幅器（１１２）は、選択的に、データの書込みモードの
ときは、スイッチ素子（１２０）を駆動させ、導通状態
にすることによって電圧フォロアとして構成し、データ
の読出しモードのときは、スイッチ素子（１２’Ｏ）を
駆動させ、非導通状態にすることによって積分器として
構成する。演算増幅器（１２２）の非反転入力端（１２
’２’）は、スイッチ素子（１２６）の可動接点（１２
４）に接続される。このスイッチ素子は、選択的に非反
転入力端（１２２）を基準電圧Ｖｒか、データ駆動回路
（２４）の出力信号導体かに接続する。

書込みモードのときはいつでも、出力増幅器（２２）は
、データ駆動信号を、メモリ装置（１１０）のメモリ素
子を形成する列電極（１８）に供給する。このことは、
演算増幅器（１１２）を電圧フォロアとして構成し、ま
たデータ駆動信号を供給するスイッチ素子（１２６）の
可動接点（１’２４）を、データ駆動回路（２４）から
演算増幅器（１１２）の非反転入力端（１２２）へ配置
することである。この期間、メモリ素子（１１０）を構
成する溝（２０）内の行電極（６２）に印加される行ス
トローブ・ノ（ル又は、溝内のイオン化可能なガスを励
起し、イオン化状態にする。これにより、第６図に関連
して説明した方法により、−）−やパンク　モデル（８
０）にデータ電圧を発生さげる。キャパシタ・モデル（
８０）にかかる電圧の大きさは、データ駆動信号をあら
れしでいる。

データ（７）　Ｍｉ出しモーｉ−のときは、データ増幅
器（２２）は、メモリ装置（１１０）のメモリ素子を構
成する列電極（１８）中の電流を検知する。

これは、２段階の手段を経て達成される。

第］にスインチ素子（＋２６）の可動接点（１，２４）
は、演算増幅器（Ｉ　］　２）の非反転入力端（＋２２
）に、基準電圧Ｖｒを入力するために配置されている。

この１ｌＪ１間、行ストローブ・パルスは、イオン化可
能なガスのイオン化していない状態を糾持するために、
不活性化状態である。

このため、蟇べ（電圧Ｖｒは、演算増幅器（１１２）の
出力端（１１６）と、列電極（］８）と、キャパシタ・
モデル（８０）の頂部の板（８２）とに発生ずる。すｉ
ｔ還キャパソタ（１１８）は、ごのためＯＯポル［・に
中和される。しかしながら、メモリ装置（１１０）は、
各演算増幅器（１１，２）の入力端と出力端との間のオ
フナノ１〜電圧とともに操作するよう構成することがで
きる。

第２に、帰還キャパシタ（１１８）にかかる電圧が００
ボルトになったあとに、演算増幅器（１１，２）は、そ
の入力端（１１，４）が列電極（１８）からの電流を受
けるように準備される積分器として構成される。キャパ
シタ・モデル（８０）の底部の板（８６）と、基準電極
（３０）の間の電位差は、Ｖｒとすでに記したキャパシ
タ・モデル（８０）にかかるデータ電圧との関数である
。行ストローブ・パルスが再びイオン化可能なガスをイ
オン化伏態にすると、キャパシタ・モデル（８０）の底
部の板（８６）は、基準電極（３０）と電気的に接続す
る。このためキャパシタ・モデル（８０）にかかる電圧
は変化する。積分器として構成されている演算増幅器（
１１２）は、この電圧変化を検知し、キャパシタ　モデ
ル（８０）にかかる上述のデータ電圧に比例する電圧を
、出力端（１１６）に供給する。

キャパシタ・モデル（８０）にデータ電圧を発り１：さ
せ、メモリ素子としての機能を促進する他の方法は存在
する。例えば、光学的に透明な列電極（１，８）を用い
て、誘電ヰ２ネ」の層（４６）を光導電材料にとって代
え、メモリ装置（１１，０）を可視光線にさらすと、メ
モリ装置（１，１０）への入射光の強度に比例してキャ
パシタ・モデル（８０）にかかる電圧が変調をうける。

入射光の強度に比例したキャパシタ　モテル（８０）に
ががる電圧変化は、すでにｊホべたように、データの読
出しモートのときは、回復させられる。光導電性材料の
層（／Ｉ〔ｉ）と光学的に透明な列電極（１８）とは、
このため、アナログ・データ　メモリの特性に応した画
像検知装置となる。

上述の画像検知装置においては、複数の電気的に絶縁し
た帯としての光導電性材料の層（４６）を設りることは
、隣合うキャパシタ　モデル（８０）間の導電を回避す
るごとになろう。光学的に透明な電極の縁に沿って、金
属の帯、またはその他の導電月利を設けると、−１−ヤ
パシタ・モデル（８０）にかかるデータ電圧の読出しに
かかる時間を減少させるごとによって、データ読出しモ
ートにおけるデータ訂ｊ］−の能率が向上する。

」二連の画像検知装置は、データの読出しモー１−間乙
こおいて、光導電材料の層（４６）の光導電的性質を利
用している。層（４６）の光伝導性を直接利用すること
も可能である。この場合、蓄積素子（１６）は、いっそ
う好適に検知素子として特徴づけられることになるであ
ろうし、キャパシタ・モテル（８０）も、いっそう好適
に電流変調装置となる。このことは、ストローブ電極（
６２）と基準電極（３０）との間に、行ストローブ　パ
ルスが印加されている間、層（４６）に電圧勾配を発生
せしめる電圧を、列電極（１８）に印加することによっ
て達成可能である。基準電極（３０）から層（４６）と
列電極（１８）を通って演算増幅器（１１２）の出力端
（１，１，６）に流れる電流は、出力信号となる。帰還
キャパシタ（＋１８）を、抵抗器にとりかえると、演算
増幅器（１１，２）の出力端（１，１６）にあられれる
電圧を、層（４６）を通って流れる電流に比例するもの
にする。

当業者にとっては、本発明の要旨から逸脱することなく
様々な変形を加えることは容易である。

〔発明の効果］ 本発明により、安価で高い歩留まりで製造でき、しかも
アドレス指定速度が速く、コントラストも高く、グレイ
スケール表示も可能なデータ蓄積装置及び表示装置が提
供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の概念を示す概念図、第２図は、本発
明に基づく表示パネルの、部分的に断面となった斜視図
、第３図は、第２図に示す表示パネルを部分的に切除し
て示した平面図、第４回は、第３図における線４−４に
沿う断面図、第５図は、第３図における線５−５に沿う
断面図、第６図は、本発明の表示装置の等価回路を示す
回路図、第７図は、本発明の表示装置によりアドレス指
定可能なデータ・ラインの最大数を決めるタイムチャー
トを示す図、第８図は、第２図から第５図に示す表示パ
ネルの溝内に設けられた、電極間を流れる電流の関数と
しての、ネオンガスとヘリウムガスのデータ捕捉時間の
関係を比較した図、第９図は、ヘリウムガスにおける、
陰極と陽極に流れる電流とプラズマ消失時間との関係を
示した図、第１０Ａ図と第１０Ｂ図は、第１図に示すデ
ータ・ドライバの代替回路を示す図、第１１Ａ図、第１
．　Ｉ　Ｂ図は、第１図に示すデータ・ストローブの代
替回路を示す図、第１２図は、第１１図におけるドライ
バの数とアドレス可能なデータ・ラインの本数これらに
おいて、（１８）は第１電極、（２０）は溝、（２２）
は第１信号印加手段、（２６）は第２信号印加手段、（
４４）は電気光学的性質を有する層または誘電材料層、
（４８）は第１基板、（５４）は第２基板、（６２）は
第２電極である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、電気光学材料から成り、表面に配列された複数の光
   パターン・データ蓄積素子を有するアドレス可能な電気
   光学装置において、 該蓄積素子の表面に画像を形成するためのデータ駆動信
   号及びデータ・ストローブ信号を夫々発生するデータ駆
   動回路及びデータストローブ回路に、上記蓄積素子は応
   答し、 スイッチング素子が上記蓄積素子の電気光学材料を選択
   して、データを蓄積し、 イオン化可能なガスを封止し、該イオン化可能なガスは
   、上記電気光学材料と共働し、上記データ・ストローブ
   信号に応答して、上記電気光学材料を充電し、上記デー
   タ・ストローブ信号により、上記イオン化可能なガスを
   イオン化された状態にし、上記データ駆動信号の大きさ
   に対応する電位差を上記蓄積素子に加えることを特徴と
   するデータ蓄積装置。２、相互に重なることがなく、第
   １の方向に延びる複数の第１電極を支持する第１基板と
   、 相互に重なることがなく、第２の方向に延びる複数の溝
   、該溝の中に封入されたイオン化可能なガス、上記各溝
   内に、これに沿って設けられた第２電極とを夫々有する
   第２基板と、 上記第１及び第２基板の間に設けられた誘電材料による
   層と、 上記第１電極に信号を印加するための第１信号印加手段
   と、 上記第２電極に信号を印加するための第２信号印加手段
   とを具え、 上記第１の方向と上記第２の方向とは交差し、上記第１
   電極と上記溝との各交点がデータ蓄積素子となり、上記
   第１信号印加手段と上記第２信号印加手段との共働によ
   り、上記ガスのイオン化状態を制御し、これにより上記
   データ蓄積素子も制御することを特徴とするイオン化可
   能なガスを用いたデータ蓄積装置。 ３、光学データが対応する信号を、電気光学材料による
   層の第１主面上に含ませ、 電気導電路をイオン化可能なガスを通じて基準電極に向
   けて形成するごとによって、上記層と対応させながらイ
   オン化可能なガスをイオン化させ、蓄積素子に信号を蓄
   積させ、これにより、光学データに応じて上記電気光学
   材料の性質を変化させる、光学データのためのデータ蓄
   積装置のアドレス方法。 ４、データ素子及び基準電極と関連を有するイオン化可
   能なガス媒体と、 上記イオン化可能なガス媒体に作用してこれをイオン化
   させ、上記データ素子と上記基準電極とを切替え可能に
   電気的に接続し、これにより上記データ素子を選択的に
   アドレス指定するイオン化手段とを具えたアドレス指定
   装置。 ５、相互に重なることがなく、第１の方向に延びる複数
   の第１電極を支持する第１基板と、 相互に重なることがなく、第２の方向に延びる複数の溝
   、該溝の中に封入されたイオン化可能なガス、上記各溝
   内に、これに沿って設けられた第２電極とを夫々有する
   第２基板と、 上記第１及び第２基板の間に設けられ、電気光学的性質
   を有する材料による層と、 上記第１電極に信号を印加するための第１信号印加手段
   と、 上記第２電極に信号を印加するための第２信号印加手段
   とを具え、 上記第１の方向と上記第２の方向とは交差し、上記第１
   電極と上記溝との各交点が表示素子となり、上記第１信
   号印加手段と上記第２信号印加手段との共働により、上
   記ガスのイオン化状態を制御し、これにより上記表示素
   子も制御することを特徴とするイオン化可能なガスを用
   いた表示装置。