JPH01217822A - 電磁継電器 - Google Patents
電磁継電器Info
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- JPH01217822A JPH01217822A JP4112088A JP4112088A JPH01217822A JP H01217822 A JPH01217822 A JP H01217822A JP 4112088 A JP4112088 A JP 4112088A JP 4112088 A JP4112088 A JP 4112088A JP H01217822 A JPH01217822 A JP H01217822A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野〕
本発明は、電磁石装置により接点装置を開閉動作させる
電磁継電器、特にシールド形(器台にケースが気密的に
接着されているもの)であり、接点開閉時にアークが発
生しないか、微少アークが発生する程度の開閉容量が小
さい電磁継電器に関する。
電磁継電器、特にシールド形(器台にケースが気密的に
接着されているもの)であり、接点開閉時にアークが発
生しないか、微少アークが発生する程度の開閉容量が小
さい電磁継電器に関する。
[従来の技術]
この種の電磁継電器においては、大気汚染ガスがケース
と器台で構成されるハウジング内に浸入すると、接点に
対して悪影響を及ぼすため、高信頼性が要求されるもの
は器台にケースが気密的に接着されるシールド形のもの
を使用し、またその内部には例えば窒素ガス等を封入す
る。なお、開閉容量がDC15V、500mA以下であ
ればアークが発生せず、DC30V、3A以下であれば
微少アークが発生する。そしてこれ以上の開閉容量であ
ると、仮に接点に異物等が付着しても通常はアークによ
って吹き飛ばされる。
と器台で構成されるハウジング内に浸入すると、接点に
対して悪影響を及ぼすため、高信頼性が要求されるもの
は器台にケースが気密的に接着されるシールド形のもの
を使用し、またその内部には例えば窒素ガス等を封入す
る。なお、開閉容量がDC15V、500mA以下であ
ればアークが発生せず、DC30V、3A以下であれば
微少アークが発生する。そしてこれ以上の開閉容量であ
ると、仮に接点に異物等が付着しても通常はアークによ
って吹き飛ばされる。
また電磁継電器の基本構成部材として、第8図に示すよ
うな電磁石装置MEや接点装置CE及び外郭部材がある
が、それらの内で器台A、ケースB1コイルC,コイル
ボビンD等には揮発有機ガスを発生するプラスチックが
用いられている。
うな電磁石装置MEや接点装置CE及び外郭部材がある
が、それらの内で器台A、ケースB1コイルC,コイル
ボビンD等には揮発有機ガスを発生するプラスチックが
用いられている。
[発明が解決しようとする課題]
上記のシールド形の電磁継電器にあっては、大気汚染ガ
スの浸入は防止できるが、使用される雰囲気の温度の影
響を受けて内部が温度上昇し、これによる構成部材から
の揮発有機ガスの発生を防止することはできない、この
揮発有機ガスは内部に蓄積し、そして接点開閉時の熱(
2000〜3000℃)により、それが炭化し、その炭
化物が接点表面に付着すると接点の接触抵抗を上昇させ
て電磁継電器の寿命が短命化する。
スの浸入は防止できるが、使用される雰囲気の温度の影
響を受けて内部が温度上昇し、これによる構成部材から
の揮発有機ガスの発生を防止することはできない、この
揮発有機ガスは内部に蓄積し、そして接点開閉時の熱(
2000〜3000℃)により、それが炭化し、その炭
化物が接点表面に付着すると接点の接触抵抗を上昇させ
て電磁継電器の寿命が短命化する。
本発明は、上記事由に鑑みてなしたもので、その目的と
するところは、内部の温度上昇を抑制することにより揮
発有機ガスの発生を抑制し、その結果接点の接触抵抗の
上昇を抑制して接点寿命を長くできる電磁継電器の提供
にある。
するところは、内部の温度上昇を抑制することにより揮
発有機ガスの発生を抑制し、その結果接点の接触抵抗の
上昇を抑制して接点寿命を長くできる電磁継電器の提供
にある。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するために、本発明の電磁継電器は、電
磁石装置や接点装置が器台に取着され、この器台に箱形
のケースが気密的に接着されてなる電磁継電器において
、前記ケースを内ケースと外ケースよりなし、内外ケー
ス間に所定空間を介在せしめである。
磁石装置や接点装置が器台に取着され、この器台に箱形
のケースが気密的に接着されてなる電磁継電器において
、前記ケースを内ケースと外ケースよりなし、内外ケー
ス間に所定空間を介在せしめである。
また、前記所定空間内に熱伝達率の低いガスを封入する
ことが望ましい。
ことが望ましい。
また、前記所定空間内を真空にすることも望ましい。
さらにまた、前記所定空間内に低沸点液体を封入するこ
とも望ましい。
とも望ましい。
[作用]
ケースを内ケースと外ケースよりなし、内外ケース間に
所定空間を介在せしめであることにより電磁継電器の使
用雰囲気と内ケース内部との間には6面体の内の1面を
除いて断熱空間が形成され、高温雰囲気で電磁継電器が
使用されてもケース内部の温度上昇が抑制できる。
所定空間を介在せしめであることにより電磁継電器の使
用雰囲気と内ケース内部との間には6面体の内の1面を
除いて断熱空間が形成され、高温雰囲気で電磁継電器が
使用されてもケース内部の温度上昇が抑制できる。
[実施例]
以下、第1実施例を第1図及び第2図に基づいて説明す
る。
る。
第1図は、全体斜視図であって、器台1に箱形の内ケー
ス2と、内ケース2より大きい外ケース3が、ともにエ
ポキシ系接着剤等により気密的に接着されている。これ
らはいずれもポリブチルテレフタレート(PBT)のよ
うなプラスチック材料が用いられ、両ケース2.3の各
部の肉厚は約0.3mmに形成される。電磁石装置ME
や接点装置GEは、従来例と同様なもの、あるいはその
他−船釣まものであって図では省略しているが、内ケー
ス2内に収容されて器台lに取着されている。 4.
4.−・は電磁石装置MEや接点装置GEに接続される
端子である。
ス2と、内ケース2より大きい外ケース3が、ともにエ
ポキシ系接着剤等により気密的に接着されている。これ
らはいずれもポリブチルテレフタレート(PBT)のよ
うなプラスチック材料が用いられ、両ケース2.3の各
部の肉厚は約0.3mmに形成される。電磁石装置ME
や接点装置GEは、従来例と同様なもの、あるいはその
他−船釣まものであって図では省略しているが、内ケー
ス2内に収容されて器台lに取着されている。 4.
4.−・は電磁石装置MEや接点装置GEに接続される
端子である。
第2図は、外ケース3を接着する前の状態である。内ケ
ース2の上面部には、2個の小孔2a。
ース2の上面部には、2個の小孔2a。
2bが設けてあり、一方の小孔2aから窒素を流入し、
他方の小孔2bより内部の空気を流出させる。この場合
、内容積の5倍程度の窒素を流入させると略窒素雰囲気
となる。その後、両手孔2a、2bを熱着して内ケース
2と器台lで構成される空間を気密状態とする。
他方の小孔2bより内部の空気を流出させる。この場合
、内容積の5倍程度の窒素を流入させると略窒素雰囲気
となる。その後、両手孔2a、2bを熱着して内ケース
2と器台lで構成される空間を気密状態とする。
外ケース3は、箱形の開口部を除く5つの内壁面が内ケ
ース2の5つの外壁面との間で所定空間が介在せしめら
れる大きさを有し、その所定空間が形成されるよう第1
図の如く、器台lに接着される。従って所定空間には空
気が存在する。
ース2の5つの外壁面との間で所定空間が介在せしめら
れる大きさを有し、その所定空間が形成されるよう第1
図の如く、器台lに接着される。従って所定空間には空
気が存在する。
なお、外ケース3をセラミックにして無機系接着剤で接
着してもよい。
着してもよい。
また、PBTの成形直後の揮発有機ガスを測定したとこ
ろ、テトラヒドロフランがlippm。
ろ、テトラヒドロフランがlippm。
トリメチルリン酸が15.41)pm、TERTブチル
フェノールが0.4ppmが検出された。(150℃雰
囲気中に192時間放置し、ガスクロマトグラフィマス
スペクトロメータにて測定)第3図は、PBTを異なる
温度雰囲気中(85℃、ioo℃、120℃、150℃
)におき、揮発有機ガス発生量がどのように温度に依存
するかを測定した結果である。我々の実験では、ipp
mが有害ガス濃度と判断し得る。
フェノールが0.4ppmが検出された。(150℃雰
囲気中に192時間放置し、ガスクロマトグラフィマス
スペクトロメータにて測定)第3図は、PBTを異なる
温度雰囲気中(85℃、ioo℃、120℃、150℃
)におき、揮発有機ガス発生量がどのように温度に依存
するかを測定した結果である。我々の実験では、ipp
mが有害ガス濃度と判断し得る。
第4図は、上記測定結果から推定される揮発有機ガスの
揮発速度定数を示している。これによれば、PBTが1
00℃から30℃に低下すると、揮発速度定数は0.1
7から0.0064に、すなわち揮発速度は1/26.
6となる。換言すれば有害ガス濃度に到達する時間は2
6.6倍遅くなるのである。
揮発速度定数を示している。これによれば、PBTが1
00℃から30℃に低下すると、揮発速度定数は0.1
7から0.0064に、すなわち揮発速度は1/26.
6となる。換言すれば有害ガス濃度に到達する時間は2
6.6倍遅くなるのである。
ところでこの種の電磁継電器は、使用最高温度は一般的
に70℃に定められており、電磁石装置MEの温度上昇
は、通常30℃以下に設計され、さらにスキャナー等に
用いられて開閉頻度が高く、1力月で数100万回開閉
することが多い。
に70℃に定められており、電磁石装置MEの温度上昇
は、通常30℃以下に設計され、さらにスキャナー等に
用いられて開閉頻度が高く、1力月で数100万回開閉
することが多い。
一方、PBTの熱伝導率は、1.3 X 10−’〜1
2.4X 1O−4cal / s cm”C1空気の
熱伝達率は、5.12X10’cal / s cm’
c at30℃であるため、内または外ケース2,3
の肉IIに等しい空間が介在すると、それがないものに
比して2.5〜25倍使用雰囲気温度に到達する時間が
遅れる。従って所定空間を内または外ケース2,3の肉
厚の4倍(1゜2mm)にすれば、時間遅れは10〜1
00倍となる。この空間は、6面体の内の器台lがある
1面には存在しないが、それは1/6であるうえに、器
台1はその厚さが約10倍程度あるため時間遅れを阻害
する量は微少である。
2.4X 1O−4cal / s cm”C1空気の
熱伝達率は、5.12X10’cal / s cm’
c at30℃であるため、内または外ケース2,3
の肉IIに等しい空間が介在すると、それがないものに
比して2.5〜25倍使用雰囲気温度に到達する時間が
遅れる。従って所定空間を内または外ケース2,3の肉
厚の4倍(1゜2mm)にすれば、時間遅れは10〜1
00倍となる。この空間は、6面体の内の器台lがある
1面には存在しないが、それは1/6であるうえに、器
台1はその厚さが約10倍程度あるため時間遅れを阻害
する量は微少である。
第5図は第2実施例で、第1実施例の所定空間内に6沸
化硫黄(SF6)のような熱伝達率の低いガス20を封
入した点が異なる。そのために、外ケース23の上面に
はガス流人出用の小孔23a、23bが設けである。
化硫黄(SF6)のような熱伝達率の低いガス20を封
入した点が異なる。そのために、外ケース23の上面に
はガス流人出用の小孔23a、23bが設けである。
このものでは、SF6の熱伝達率が3.36X 1σc
al / s cm’c at30℃であるため、内
または外ケース2.23の肉厚に等しい空間が介在する
と、それがないものに比して4〜40倍使用雰囲気温度
に到達する時間が遅れる。従って所定空間を内または外
ケース2.3の肉厚の2.5倍(0,75mm)にすれ
ば、時間遅れは10〜100倍となる。
al / s cm’c at30℃であるため、内
または外ケース2.23の肉厚に等しい空間が介在する
と、それがないものに比して4〜40倍使用雰囲気温度
に到達する時間が遅れる。従って所定空間を内または外
ケース2.3の肉厚の2.5倍(0,75mm)にすれ
ば、時間遅れは10〜100倍となる。
第6図は第3実施例で、第1実施例の所定空間を真空に
した点が異なる。そのために、内外ケース32.33を
セラミックで形成し、無機系接着剤で器台1に接着する
。真空にするには、高温(120℃)で10−’ To
rrの真空室内に荷重をかけて放置する。これにより、
10’ Torrの真空度となる。
した点が異なる。そのために、内外ケース32.33を
セラミックで形成し、無機系接着剤で器台1に接着する
。真空にするには、高温(120℃)で10−’ To
rrの真空室内に荷重をかけて放置する。これにより、
10’ Torrの真空度となる。
このものは、真空の熱伝達率が6.74X 10”ca
l/scm″cat30℃であるため、第1実施例のも
のに比して約10 倍も使用雰囲気温度に到達する時
間が遅れる。
l/scm″cat30℃であるため、第1実施例のも
のに比して約10 倍も使用雰囲気温度に到達する時
間が遅れる。
第7図は第4実施例で、第1実施例の所定空間内に低沸
点液体40を封入した点が異なる。この低沸点液体40
としては、フレオンやメタノールが通しており、所定空
間の容積をXccとした場合、前者は0.013XX
〜0.33XXcc、後者は0.003xX〜0.00
8XXcc程度が適量である。
点液体40を封入した点が異なる。この低沸点液体40
としては、フレオンやメタノールが通しており、所定空
間の容積をXccとした場合、前者は0.013XX
〜0.33XXcc、後者は0.003xX〜0.00
8XXcc程度が適量である。
このものは、使用雰囲気温度が上昇したとき、フレオン
やメタノールが気化し、その際の気化熱で外ケース3を
冷却するため、使用雰囲気温度に到達する時間が大幅に
遅れる。
やメタノールが気化し、その際の気化熱で外ケース3を
冷却するため、使用雰囲気温度に到達する時間が大幅に
遅れる。
[発明の効果]
本発明は、上記のように構成しであるから、下記の効果
を奏する。
を奏する。
請求項(11の電磁継電器は、電磁継電器の使用雰囲気
と内ケース内部との間には6面体の内の1面を除いて断
熱空間が形成され、高温雰囲気で電磁継電器が使用され
てもケース内部の温度上昇が抑制できて寿命を長くでき
る。
と内ケース内部との間には6面体の内の1面を除いて断
熱空間が形成され、高温雰囲気で電磁継電器が使用され
てもケース内部の温度上昇が抑制できて寿命を長くでき
る。
請求項(2)の電磁継電器は、熱伝達率が小さい分だけ
請求項(1)のものよりケース内部の温度上昇が抑制で
きて寿命を長くできる。
請求項(1)のものよりケース内部の温度上昇が抑制で
きて寿命を長くできる。
請求項(3)の電磁継電器は、熱伝達率が極めて小さい
ので、請求項(11、(2)のものより蟲かにケース内
部の温度上昇が抑制できて寿命を長くできる。
ので、請求項(11、(2)のものより蟲かにケース内
部の温度上昇が抑制できて寿命を長くできる。
請求項(4)の電磁継電器は、気化熱によりケース内部
の温度上昇が抑制できて寿命を長くできる。
の温度上昇が抑制できて寿命を長くできる。
第1図は、第1実施例の斜視図、
第2図は、その一部の部材を除いた状態の斜視図、第3
図は、揮発有機ガス発生量のグラフ、第4図は、揮発速
度定数を示すグラフ、第5図は、第2実施例の斜視図、 第6図は、第3実施例の斜視図、 第7図は、第4実施例の斜視図、 第8図は、−船釣な電磁継電器の内部構成を示す斜視図
である。 1−・器台、2.32−内ケース、3,23.33−・
・外ケース、4−・端子、20−熱伝達率の低いガス、
4〇−低沸点液体、ME−・電磁石装置、CE・−接点
装置。
図は、揮発有機ガス発生量のグラフ、第4図は、揮発速
度定数を示すグラフ、第5図は、第2実施例の斜視図、 第6図は、第3実施例の斜視図、 第7図は、第4実施例の斜視図、 第8図は、−船釣な電磁継電器の内部構成を示す斜視図
である。 1−・器台、2.32−内ケース、3,23.33−・
・外ケース、4−・端子、20−熱伝達率の低いガス、
4〇−低沸点液体、ME−・電磁石装置、CE・−接点
装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)電磁石装置や接点装置が器台に取着され、この器
台に箱形のケースが気密的に接着されてなる電磁継電器
において、前記ケースを内ケースと外ケースよりなし、
内外ケース間に所定空間を介在せしめた電磁継電器。 (2)前記所定空間内に熱伝達率の低いガスを封入した
請求項(1)記載の電磁継電器。(3)前記所定空間内
を真空にした請求項(1)記載の電磁継電器。 (4)前記所定空間内に低沸点液体を封入した請求項(
1)記載の電磁継電器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4112088A JPH01217822A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 電磁継電器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4112088A JPH01217822A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 電磁継電器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01217822A true JPH01217822A (ja) | 1989-08-31 |
Family
ID=12599593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4112088A Pending JPH01217822A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 電磁継電器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01217822A (ja) |
-
1988
- 1988-02-24 JP JP4112088A patent/JPH01217822A/ja active Pending
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