JPH0121804Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0121804Y2 JPH0121804Y2 JP1983095826U JP9582683U JPH0121804Y2 JP H0121804 Y2 JPH0121804 Y2 JP H0121804Y2 JP 1983095826 U JP1983095826 U JP 1983095826U JP 9582683 U JP9582683 U JP 9582683U JP H0121804 Y2 JPH0121804 Y2 JP H0121804Y2
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- Japan
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- light emitting
- light
- emitting element
- electrode
- element array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
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- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、光プリンタに用いられる発光装置に
関する。
関する。
第4図は光プリンタにおける発光装置の配列例
を示す斜視図であり、図において1は発光装置、
2a,2bは集束性フアイバレンズ、3は感光ド
ラムである。
を示す斜視図であり、図において1は発光装置、
2a,2bは集束性フアイバレンズ、3は感光ド
ラムである。
発光装置1は後述する発光素子アレイを有して
おり、この発光素子アレイは厳密な精度で長いア
レイ長を得ることが困難であるため、光プリンタ
においては複数の発光装置1を二列に千鳥状に並
べ、A列における各発光装置1の発光素子アレイ
の光を集束性フアイバレンズ2aを介して感光ド
ラム3上に結像させると共にB列における各発光
装置1の発光素子アレイの光を集束性フアイバレ
ンズ2bを介して感光ドラム3上に結像させ、か
つA列とB列の各発光装置1の発光素子アレイの
光が感光ドラム3上で一列に並ぶようにして所望
のアレイ長を得るようにしている。
おり、この発光素子アレイは厳密な精度で長いア
レイ長を得ることが困難であるため、光プリンタ
においては複数の発光装置1を二列に千鳥状に並
べ、A列における各発光装置1の発光素子アレイ
の光を集束性フアイバレンズ2aを介して感光ド
ラム3上に結像させると共にB列における各発光
装置1の発光素子アレイの光を集束性フアイバレ
ンズ2bを介して感光ドラム3上に結像させ、か
つA列とB列の各発光装置1の発光素子アレイの
光が感光ドラム3上で一列に並ぶようにして所望
のアレイ長を得るようにしている。
なお、lは各発光装置1の発光素子アレイの結
像領域である。また、集束性フアイバレンズ2
a,2bは、各々集束性の単体フアイバを数列等
ピツチで並べ、等倍の倍率が得られるようにその
フアイバを切断して形成したものである。
像領域である。また、集束性フアイバレンズ2
a,2bは、各々集束性の単体フアイバを数列等
ピツチで並べ、等倍の倍率が得られるようにその
フアイバを切断して形成したものである。
第5図aは上述したように用いられる従来の発
光装置単体の斜視図、第5図bはその発光素子ア
レイの平面図であり、図において4はベース基
板、5はこのベース基板4上に搭載された発光素
子アレイであり、この発光素子アレイ5はガリウ
ム砒素燐(GaAsP)等を母材としてモノリシツ
ク技術により形成され、表面部に一列に配列され
た発光素子61〜6oを有している。
光装置単体の斜視図、第5図bはその発光素子ア
レイの平面図であり、図において4はベース基
板、5はこのベース基板4上に搭載された発光素
子アレイであり、この発光素子アレイ5はガリウ
ム砒素燐(GaAsP)等を母材としてモノリシツ
ク技術により形成され、表面部に一列に配列され
た発光素子61〜6oを有している。
この発光素子アレイ5は発光素子61〜6oが高
密度集積化されると、各々の電極71〜7oをすべ
て素子列の片側から取り出すことが実装上困難で
あるために、図示するごとく1素子おきに両側左
右に交互に取り出す。
密度集積化されると、各々の電極71〜7oをすべ
て素子列の片側から取り出すことが実装上困難で
あるために、図示するごとく1素子おきに両側左
右に交互に取り出す。
つまり、発光素子61,63…6o-1の各電極71,
73…7o-1を素子列の片側から取り出し、発光素
子62,64…6oの各電極72,74…7oを他側か
ら取り出すようにしている。
73…7o-1を素子列の片側から取り出し、発光素
子62,64…6oの各電極72,74…7oを他側か
ら取り出すようにしている。
そしてこれらの電極71,73…7o-1は、前記
ベース基板4上に形成された厚膜導体81〜8oに
ボンデイングワイヤ91〜9oを介して接続されて
いる。
ベース基板4上に形成された厚膜導体81〜8oに
ボンデイングワイヤ91〜9oを介して接続されて
いる。
なお、発光素子61〜6oは通常プラス電極であ
り、マイナス電極は発光素子アレイ5の裏面に形
成されている。
り、マイナス電極は発光素子アレイ5の裏面に形
成されている。
ところで、この種の発光装置における発光素子
アレイ5の各発光素子は、発光中心位置つまり光
強度のピーク値を示す部分が各々の電極側に偏る
のが普通であり、従つて上述した従来の発光装置
のように発光素子61〜6oの電極71〜7oが素子
列の両側に交互に取り出されている場合、第3図
に示すように光強度が最大になるときのx座標が
一致しないことになる。
アレイ5の各発光素子は、発光中心位置つまり光
強度のピーク値を示す部分が各々の電極側に偏る
のが普通であり、従つて上述した従来の発光装置
のように発光素子61〜6oの電極71〜7oが素子
列の両側に交互に取り出されている場合、第3図
に示すように光強度が最大になるときのx座標が
一致しないことになる。
つまり、発光素子61,63…6o-1の群と発光
素子62,64…6oの群では光強度のピーク値を
示す部分が素子列が直交する方向にずれてしま
い、その結果、発光素子61〜6oの光が感光ドラ
ム3上に一直線上に結像せず、第4図に点6aで
示したようにジグザグ状に結像してしまうという
欠点があつた。
素子62,64…6oの群では光強度のピーク値を
示す部分が素子列が直交する方向にずれてしま
い、その結果、発光素子61〜6oの光が感光ドラ
ム3上に一直線上に結像せず、第4図に点6aで
示したようにジグザグ状に結像してしまうという
欠点があつた。
本考案は、複数の発光素子を一列に配列し、各
発光素子の電極を1素子おきに素子列の両側に交
互に取り出した構造の発光素子アレイを有する発
光装置において、隣接する発光素子の形状を、電
極側の一辺の幅が狭く、電極と反対側の一辺の幅
が広くかつ中間部がくびれた形状とし、各々の発
光素子の発光中心位置がほぼ同一線上に並ぶよう
にしたことを特徴とする。
発光素子の電極を1素子おきに素子列の両側に交
互に取り出した構造の発光素子アレイを有する発
光装置において、隣接する発光素子の形状を、電
極側の一辺の幅が狭く、電極と反対側の一辺の幅
が広くかつ中間部がくびれた形状とし、各々の発
光素子の発光中心位置がほぼ同一線上に並ぶよう
にしたことを特徴とする。
以上の構成によると、隣接する発光素子の形状
を、電極側の一辺の幅が狭く、電極と反対側の一
辺の幅が広くかつ中間部がくびれた形状としたこ
とにより、各々の発光素子の発光中心位置がほぼ
同一線上に並ぶことになり、感光ドラム上で同一
線上に結像を作ることができることになる。
を、電極側の一辺の幅が狭く、電極と反対側の一
辺の幅が広くかつ中間部がくびれた形状としたこ
とにより、各々の発光素子の発光中心位置がほぼ
同一線上に並ぶことになり、感光ドラム上で同一
線上に結像を作ることができることになる。
以下に本考案の一実施例を図面を用いて説明す
る。
る。
なお、以下の説明において上記従来技術と同様
の部位は同一符号を用いて説明する。
の部位は同一符号を用いて説明する。
第1図は平面図であり、図において4はベース
基板、5はこのベース基板4上に搭載された発光
素子アレイ、61〜6oは発光素子、71〜7oは各
発光素子61〜6oの電極であり、この電極71〜
7oは1素子おきに素子列の両側に交互に取り出
されている。
基板、5はこのベース基板4上に搭載された発光
素子アレイ、61〜6oは発光素子、71〜7oは各
発光素子61〜6oの電極であり、この電極71〜
7oは1素子おきに素子列の両側に交互に取り出
されている。
81〜8oは前記ベース基板4上に形成された厚
膜導体、91〜9oは前記電極71〜7oと厚膜導体
81〜8oとを各々接続したボンデイングワイヤで
ある。
膜導体、91〜9oは前記電極71〜7oと厚膜導体
81〜8oとを各々接続したボンデイングワイヤで
ある。
従来の発光装置において各発光素子61〜6oが
感光ドラム3上で同一直線上に結像しないのは、
上述したように各発光素子61〜6oの光強度が最
大になるときのx座標がずれていることに起因し
ている。
感光ドラム3上で同一直線上に結像しないのは、
上述したように各発光素子61〜6oの光強度が最
大になるときのx座標がずれていることに起因し
ている。
そこで、本実施例では、図示するように発光素
子61〜6oの形状を、電極71〜7o側の一辺の幅
が狭く、反対側の幅を広く形成し、かつ中間部が
くびれた形状としたものである。
子61〜6oの形状を、電極71〜7o側の一辺の幅
が狭く、反対側の幅を広く形成し、かつ中間部が
くびれた形状としたものである。
第2図はこの光強度の関数I(x)と、発光素
子の面積の関数S(x)と、発光量の関数T(x)
I(x)S(x)との関数を示したもので、これ
によれば、各発光素子61〜6oの光強度が最大に
なるときの各x座標が一致する。つまり発光中心
位置がほぼ同一線上に並ぶことになり、発光素子
61〜6oの光を感光ドラム3上で同一線上に結像
させることができる。
子の面積の関数S(x)と、発光量の関数T(x)
I(x)S(x)との関数を示したもので、これ
によれば、各発光素子61〜6oの光強度が最大に
なるときの各x座標が一致する。つまり発光中心
位置がほぼ同一線上に並ぶことになり、発光素子
61〜6oの光を感光ドラム3上で同一線上に結像
させることができる。
ここで、前記発光素子アレイ5の構造を第3図
に示す断面図によつて説明する。
に示す断面図によつて説明する。
基板ウエハ10はGaAsPエピタキシヤルウエ
ハを使用し、この基板ウエハ10にSiO2膜11
を介してZnの選択熱拡散を行つて発光素子6,
61〜6oを形成する。また、p側の電極7,71
〜7oにはAl,n側の電極12にはAu−Ge−Ni
を使用することで実現可能である。
ハを使用し、この基板ウエハ10にSiO2膜11
を介してZnの選択熱拡散を行つて発光素子6,
61〜6oを形成する。また、p側の電極7,71
〜7oにはAl,n側の電極12にはAu−Ge−Ni
を使用することで実現可能である。
以上詳細に説明した本考案によると、複数の発
光素子を一列に配列し、各発光素子の電極を1素
子おきに素子列の両側に交互に取り出した構造の
発光素子アレイを有する発光装置において、隣接
する発光素子の形状を、電極側の一辺の幅が狭
く、電極と反対側の一辺の幅が広くかつ中間部が
くびれた形状としたことにより、各々の発光素子
の発光中心位置がほぼ同一線上に並ぶことにな
り、感光ドラム上で同一線上に結像を作ることが
できるという効果がある。
光素子を一列に配列し、各発光素子の電極を1素
子おきに素子列の両側に交互に取り出した構造の
発光素子アレイを有する発光装置において、隣接
する発光素子の形状を、電極側の一辺の幅が狭
く、電極と反対側の一辺の幅が広くかつ中間部が
くびれた形状としたことにより、各々の発光素子
の発光中心位置がほぼ同一線上に並ぶことにな
り、感光ドラム上で同一線上に結像を作ることが
できるという効果がある。
第1図は本考案の実施例を示す平面図、第2図
は、光強度、発光面積および発光量の関数を示す
図、第3図は発光素子アレイの断面図、第4図は
光プリンタにおける発光装置の配列例を示す斜視
図、第5図は従来の発光装置を示す図であり、a
斜視図、bは発光素子アレイの平面図、第6図は
従来の発光装置の光強度の分布関数を示す図であ
る。 1……発光装置、2a,2b……集束性フアイ
バレンズ、3……感光ドラム、4……ベース基
板、5……発光素子アレイ、6……発光素子、7
……電極、8……厚膜導体。
は、光強度、発光面積および発光量の関数を示す
図、第3図は発光素子アレイの断面図、第4図は
光プリンタにおける発光装置の配列例を示す斜視
図、第5図は従来の発光装置を示す図であり、a
斜視図、bは発光素子アレイの平面図、第6図は
従来の発光装置の光強度の分布関数を示す図であ
る。 1……発光装置、2a,2b……集束性フアイ
バレンズ、3……感光ドラム、4……ベース基
板、5……発光素子アレイ、6……発光素子、7
……電極、8……厚膜導体。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 複数の発光素子を一列に配列し、各発光素子の
電極を1素子おきに素子列の両側に交互に取り出
した構造の発光素子アレイを有する発光装置にお
いて、 隣接する各発光素子の形状を、電極側の一辺の
幅が狭く、電極と反対側の一辺の幅が広くかつ中
間部がくびれた形状とし、各々の発光素子の発光
中心位置がほぼ同一線上に並ぶようにしたことを
特徴とする発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983095826U JPS605844U (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983095826U JPS605844U (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS605844U JPS605844U (ja) | 1985-01-16 |
| JPH0121804Y2 true JPH0121804Y2 (ja) | 1989-06-28 |
Family
ID=30228657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1983095826U Granted JPS605844U (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605844U (ja) |
-
1983
- 1983-06-23 JP JP1983095826U patent/JPS605844U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS605844U (ja) | 1985-01-16 |
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