JPH01219023A - 超伝導体薄膜の製造方法 - Google Patents
超伝導体薄膜の製造方法Info
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- JPH01219023A JPH01219023A JP63047159A JP4715988A JPH01219023A JP H01219023 A JPH01219023 A JP H01219023A JP 63047159 A JP63047159 A JP 63047159A JP 4715988 A JP4715988 A JP 4715988A JP H01219023 A JPH01219023 A JP H01219023A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は各種の超伝導デバイスに利用可能な、超伝導転
移温度が１１０±５Ｋ（−１６３±５℃）を示すＢ１−
Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０からなる酸化物超伝導体の配向性
の強い薄膜を製造する方法に関するものである。
移温度が１１０±５Ｋ（−１６３±５℃）を示すＢ１−
Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０からなる酸化物超伝導体の配向性
の強い薄膜を製造する方法に関するものである。
１９８７年になってＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０酸化物（主な化
学式ＹＢａｔ Ｃｕ３ ｏ）ｌ ： ｘ＝６．５〜７．
０）が絶対温度９０Ｋ（摂氏マイナス１８３℃）の超伝
導転移温度をもつことが公知となって以来、この材料を
エレクトロニクスに応用するために不可欠な単一相を得
るための努力がなされている。しかし、該物質は酸素の
含有量Ｘの量によって、転移温度が約６０にの相と約９
０にの相が共存し、９０にの相のみにする薄膜形成の開
発が活発であるが、現在までに得られている薄膜の転移
温度はいずれもセラミクスバルクの値よりも低く、７０
〜８０にどまりである。
学式ＹＢａｔ Ｃｕ３ ｏ）ｌ ： ｘ＝６．５〜７．
０）が絶対温度９０Ｋ（摂氏マイナス１８３℃）の超伝
導転移温度をもつことが公知となって以来、この材料を
エレクトロニクスに応用するために不可欠な単一相を得
るための努力がなされている。しかし、該物質は酸素の
含有量Ｘの量によって、転移温度が約６０にの相と約９
０にの相が共存し、９０にの相のみにする薄膜形成の開
発が活発であるが、現在までに得られている薄膜の転移
温度はいずれもセラミクスバルクの値よりも低く、７０
〜８０にどまりである。
一方では、より転移温度の高い物質探索も盛んで、特に
希土類元素を含まない銅含有酸化物の探素側が報告され
ている。例えばＺｅｉｔｓｃｈｒｉｆｔ ｆｕｒＰｈｙ
ｓｉｃｋＢ 、 Ｖｏｌ、６８ （１９８７） ｐ、
４２１にはＳ ｒ ｚ Ｂ ｆ ｚ Ｃｆｉｚ ０７゜
８が約２２に′の転移温度をもつ超伝導体であること、
Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ａｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈ１ｓｉｃｓ Ｖｏｌ、 ２６ （１９８７）
ｐ。
希土類元素を含まない銅含有酸化物の探素側が報告され
ている。例えばＺｅｉｔｓｃｈｒｉｆｔ ｆｕｒＰｈｙ
ｓｉｃｋＢ 、 Ｖｏｌ、６８ （１９８７） ｐ、
４２１にはＳ ｒ ｚ Ｂ ｆ ｚ Ｃｆｉｚ ０７゜
８が約２２に′の転移温度をもつ超伝導体であること、
Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ａｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈ１ｓｉｃｓ Ｖｏｌ、 ２６ （１９８７）
ｐ。
Ｌ２０８０にはＢ ｉ−Ｓｒ−Ｃｕ−０三元系（酸素を
含めると四元系）が約８にの超伝導体であることが記さ
れているが、９０に以上の高温超伝導体には至っていな
い。
含めると四元系）が約８にの超伝導体であることが記さ
れているが、９０に以上の高温超伝導体には至っていな
い。
最近、Ｂ ｉ Ｓ ｒ Ｃａ Ｃｕｇ ＯＸという四元
系化合物（酸素を含めると三元系）が超伝導転移開始温
度が約１２０に、終了温度が１０５にとなる新物質が報
告された（１９８８年１月２２日、新聞報道、Ｊａｐａ
ｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
１ｓｉｃｓ ｌ ９８８年２月号掲載予定）が、この物
質も約１２０Ｋを示す相と約７５Ｋを示す相とが共存し
ている。
系化合物（酸素を含めると三元系）が超伝導転移開始温
度が約１２０に、終了温度が１０５にとなる新物質が報
告された（１９８８年１月２２日、新聞報道、Ｊａｐａ
ｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
１ｓｉｃｓ ｌ ９８８年２月号掲載予定）が、この物
質も約１２０Ｋを示す相と約７５Ｋを示す相とが共存し
ている。
これまで、Ｂ１５ｒＣａＣｕｔ Ｏｘで１０５に以上の
転移温度をもつ単一相比合物は実現されておらず、セラ
ミクスバルクでは全体の約１／３しか１０５Ｋを示す相
はないこと、更には薄膜化の試行においては７５Ｋを示
す超伝導膜しか得られていないのが現実である。また、
公知となっているこの物質の薄膜製造法は、本物質化合
物をターゲットにしてのスパッタ法のみであり、他の方
法は知られていない。
転移温度をもつ単一相比合物は実現されておらず、セラ
ミクスバルクでは全体の約１／３しか１０５Ｋを示す相
はないこと、更には薄膜化の試行においては７５Ｋを示
す超伝導膜しか得られていないのが現実である。また、
公知となっているこの物質の薄膜製造法は、本物質化合
物をターゲットにしてのスパッタ法のみであり、他の方
法は知られていない。
本発明は、新物質であるＢ ｉ Ｓ ｒ Ｃａ Ｃｕ２
Ｏｘ組成で超伝導転移温度１００に以上を示す薄膜を
製造する方法を提供するものであり具体的には組成の制
御性にすぐれた蒸着法を採用し、構成元素であるアルカ
リ土類元素のＳｒ、Ｃａの蒸着源又はターゲットとして
安定なフン化ストロンチウム５ｒＦｚ、フッ化カルシウ
ムＣａＦ２を用いた事を第一の特徴とし、化学量論比Ｂ
ｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝１：１：１：２になるように基
板上に堆積した後の熱処理温度を８６０℃から８８０’
Ｃの間で実施することを第二の特徴とする。特に第二の
特徴である温度範囲は発明者が基板上のＢ１５ｒＣａＣ
ｕｔ化合物薄膜を酸化物超伝導薄膜にする、に最適なも
のであることを初めて見出したものである。
Ｏｘ組成で超伝導転移温度１００に以上を示す薄膜を
製造する方法を提供するものであり具体的には組成の制
御性にすぐれた蒸着法を採用し、構成元素であるアルカ
リ土類元素のＳｒ、Ｃａの蒸着源又はターゲットとして
安定なフン化ストロンチウム５ｒＦｚ、フッ化カルシウ
ムＣａＦ２を用いた事を第一の特徴とし、化学量論比Ｂ
ｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝１：１：１：２になるように基
板上に堆積した後の熱処理温度を８６０℃から８８０’
Ｃの間で実施することを第二の特徴とする。特に第二の
特徴である温度範囲は発明者が基板上のＢ１５ｒＣａＣ
ｕｔ化合物薄膜を酸化物超伝導薄膜にする、に最適なも
のであることを初めて見出したものである。
第１図は、本発明の詳細な説明する図であり、１は基板
（本実施例はＭｇＯおよび５ｒＴｉＯｓ）、２はＣｕ膜
、３はＢｉ膜、４はＣａＦｚ膜、５はＳｒＦ、膜である
。第２図は第１図の積層構造を８６０〜８８０℃で酸素
中熱処理した後の様子で、６は超伏ｉＢｉｓｒｃａｃｕ
ｇ Ｏｘ薄膜である。
（本実施例はＭｇＯおよび５ｒＴｉＯｓ）、２はＣｕ膜
、３はＢｉ膜、４はＣａＦｚ膜、５はＳｒＦ、膜である
。第２図は第１図の積層構造を８６０〜８８０℃で酸素
中熱処理した後の様子で、６は超伏ｉＢｉｓｒｃａｃｕ
ｇ Ｏｘ薄膜である。
このときの組成分析をプラズマ発光分光法で行った結果
、Ｂｉは２０．８〜２１．８モル％、Ｓｒは１９．０〜
２０．１モル％、Ｃａは１８．４〜２２．８モル％、Ｃ
ｕは３８．３〜３９．９モル％であり、Ｂｉ：Ｓｒ：Ｃ
ａ：Ｃｕ ＃ｔ：１：ｌ：２の組成となっていた。
、Ｂｉは２０．８〜２１．８モル％、Ｓｒは１９．０〜
２０．１モル％、Ｃａは１８．４〜２２．８モル％、Ｃ
ｕは３８．３〜３９．９モル％であり、Ｂｉ：Ｓｒ：Ｃ
ａ：Ｃｕ ＃ｔ：１：ｌ：２の組成となっていた。
（実施例１）
金属Ｂｉ、Ｃｕ及び５ｒＦｔ、ＣａＦｚを電子ビームで
気化させて、（１００）ＭｇＯ基板上に、Ｃｕを約１７
０人、Ｂｉを約２４０人、ＣａＦ。
気化させて、（１００）ＭｇＯ基板上に、Ｃｕを約１７
０人、Ｂｉを約２４０人、ＣａＦ。
を約３００人、ＳｒＦ、を約７６０人の順で積層堆積し
た後、酸素雰囲気中で８６０℃、８７０℃、８８０℃の
各温度で１〜２時間熱処理をして積層間の混合とフッ素
の分解と酸化を行った。通常アルカリ土類金属のＳｒ、
Ｃａは不安定で、大気中では容易に水酸化物となり、加
水分解して炭酸塩となる。従って、ごく−船釣に電子ビ
ームで行われている金属源としてＳｒ、Ｃａを用いると
、積層膜はたちまち酸化反応し、加水分解により組成の
不均一が助長され、このまま酸化熱処理をしても均一な
膜は得られない。本発明の第一の特徴であるＳｒとＣａ
の蒸発源にフッ化物を用いた事は、積層堆積後の不安定
性を回避するのに極めて有効である。
た後、酸素雰囲気中で８６０℃、８７０℃、８８０℃の
各温度で１〜２時間熱処理をして積層間の混合とフッ素
の分解と酸化を行った。通常アルカリ土類金属のＳｒ、
Ｃａは不安定で、大気中では容易に水酸化物となり、加
水分解して炭酸塩となる。従って、ごく−船釣に電子ビ
ームで行われている金属源としてＳｒ、Ｃａを用いると
、積層膜はたちまち酸化反応し、加水分解により組成の
不均一が助長され、このまま酸化熱処理をしても均一な
膜は得られない。本発明の第一の特徴であるＳｒとＣａ
の蒸発源にフッ化物を用いた事は、積層堆積後の不安定
性を回避するのに極めて有効である。
酸化熱処理をした後に、四端子法により膜の電気抵抗の
温度変化を測定した結果が第３図である。
温度変化を測定した結果が第３図である。
第３図（ａ）は８６０℃で熱処理を行ったもので、約１
２０にで抵抗が落下しているものの約７０に以下でしか
抵抗ゼロの超伝導になっていなかった。
２０にで抵抗が落下しているものの約７０に以下でしか
抵抗ゼロの超伝導になっていなかった。
第３図（ｂ）は８７０℃で熱処理したもので、同じく約
１企ＯＫで抵抗が下がり初め、１１０に〜１００にでほ
ぼ抵抗ゼロが得られた。第３図（Ｃ）は８８０℃で熱処
理したもので、（ａ）と同様の傾向で約７０にの相が顕
在化した。
１企ＯＫで抵抗が下がり初め、１１０に〜１００にでほ
ぼ抵抗ゼロが得られた。第３図（Ｃ）は８８０℃で熱処
理したもので、（ａ）と同様の傾向で約７０にの相が顕
在化した。
８６０℃以下及び８８０℃以上の熱処理では、いずれも
約１１０にでの抵抗変化は小さく、大部分が約７０にで
の抵抗変化を示し、７０に級超伝導薄膜が得られる条件
であった。
約１１０にでの抵抗変化は小さく、大部分が約７０にで
の抵抗変化を示し、７０に級超伝導薄膜が得られる条件
であった。
この８７０±１０℃の熱処理条件は基板上のＢ ｉ−Ｓ
ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系で１１０に転移温度をもつ単一相
薄膜を得るために重要である。この条件下では、フッ素
の分解と元素の混合・酸化が容易であることから、図１
に示した積層の順を変えてもその効果は変わらず、本発
明はこの積層順を規定するものではない。
ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系で１１０に転移温度をもつ単一相
薄膜を得るために重要である。この条件下では、フッ素
の分解と元素の混合・酸化が容易であることから、図１
に示した積層の順を変えてもその効果は変わらず、本発
明はこの積層順を規定するものではない。
（実施例２）
電子銃を４つ装着した蒸気装置で、Ｃｕ、Ｂｔ。
ＣａＦｚ、ＳｒＦ２の各々をＢｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ−
１：１：１：２になるように同時に気化させて、共蒸着
させた。基板５ｒＴｉＯ，上に厚さ約２０００人の膜を
得た後に８６０〜８８０℃の間の温度で酸化熱処理を行
った結果、膜の抵抗変化は第３図（ｂｌと同様にｌｌ０
Ｋで抵抗がほぼゼロを示した。この温度範囲外では、実
施例１と同様に７０に転移相の存在が顕著であり、ｌｌ
０Ｋの高温超伝導膜は得られなかった。
１：１：１：２になるように同時に気化させて、共蒸着
させた。基板５ｒＴｉＯ，上に厚さ約２０００人の膜を
得た後に８６０〜８８０℃の間の温度で酸化熱処理を行
った結果、膜の抵抗変化は第３図（ｂｌと同様にｌｌ０
Ｋで抵抗がほぼゼロを示した。この温度範囲外では、実
施例１と同様に７０に転移相の存在が顕著であり、ｌｌ
０Ｋの高温超伝導膜は得られなかった。
（実施例３）
イオンを加速してターゲットに照射して、ターゲット物
質を蒸発させる、いわゆるイオンビーム照射スパッタ法
によって、金属Ｂｉ、Ｑｕ及びＳｒＦ２．ＣａＦ、を各
々蒸発させてＢｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ層１：１：１：２
の比になるように、実施例１に述べた積層堆積を行って
、酸化熱処理を８６０℃、８７０℃、８８０℃で行った
。その結果は第３図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）に各々
示すような電気抵抗の変化を示し、１１０にでの超伝導
薄膜が得られた。この実施例においても、熱処理温度８
６０℃以下、及び８８０℃以上ではｌｌ０Ｋ超伝導膜は
確保できなかった。
質を蒸発させる、いわゆるイオンビーム照射スパッタ法
によって、金属Ｂｉ、Ｑｕ及びＳｒＦ２．ＣａＦ、を各
々蒸発させてＢｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ層１：１：１：２
の比になるように、実施例１に述べた積層堆積を行って
、酸化熱処理を８６０℃、８７０℃、８８０℃で行った
。その結果は第３図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）に各々
示すような電気抵抗の変化を示し、１１０にでの超伝導
薄膜が得られた。この実施例においても、熱処理温度８
６０℃以下、及び８８０℃以上ではｌｌ０Ｋ超伝導膜は
確保できなかった。
（実施例４）
実施例３において、金属Ｂｉ、Ｃｕの代わりに三二酸化
ビスマスＢｉ、０．、酸化鋼Ｃｕ Ｏを用いてイオンビ
ーム照射によりＢｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ層１：１：１：
２になるように同時に基板上に堆積させて、同じく酸化
熱処理を行った結果、８６０〜８８０℃の温度範囲内で
のみｌｌ０Ｋ超伝導転移をもつ薄膜が得られた。
ビスマスＢｉ、０．、酸化鋼Ｃｕ Ｏを用いてイオンビ
ーム照射によりＢｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ層１：１：１：
２になるように同時に基板上に堆積させて、同じく酸化
熱処理を行った結果、８６０〜８８０℃の温度範囲内で
のみｌｌ０Ｋ超伝導転移をもつ薄膜が得られた。
（実施例５）
実施例１において、Ｃｕを約１７０人、Ｂｉを約２４０
人、ＣａＦｚを約３００人、５ｒＦｚを約１２００人の
順で積層堆積した後、同様の熱処理を行って得られた膜
においても、第３図（ａ）、 （ｂｌ。
人、ＣａＦｚを約３００人、５ｒＦｚを約１２００人の
順で積層堆積した後、同様の熱処理を行って得られた膜
においても、第３図（ａ）、 （ｂｌ。
（Ｃ）とほとんど同様の結果が得られた。即ち、８７０
℃で熱処理した試料でのみｌｌ０Ｋでの抵抗急減と１０
０に付近の抵抗ゼロが得られた。この試料の組成比はほ
ぼ１：２．３：１：２ （Ｂｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ比）
である。
℃で熱処理した試料でのみｌｌ０Ｋでの抵抗急減と１０
０に付近の抵抗ゼロが得られた。この試料の組成比はほ
ぼ１：２．３：１：２ （Ｂｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ比）
である。
Ｓｒ以外のＢｉ、 Ｃａ、 Ｃｕの組成比を各々１：
１：２に固定し、Ｓｒの値を１〜２．５の間で変えても
、第３図（′ｂ）と同等の結果が得られた。ＳｒＯ値を
２．７にすると、ｌｌ０Ｋ以下の残留が増加し、７０Ｋ
まで抵抗ゼロを示さなかった。
１：２に固定し、Ｓｒの値を１〜２．５の間で変えても
、第３図（′ｂ）と同等の結果が得られた。ＳｒＯ値を
２．７にすると、ｌｌ０Ｋ以下の残留が増加し、７０Ｋ
まで抵抗ゼロを示さなかった。
また、Ｓｒの値が０．８の場合も、同様に特性が悪いも
のしか得られていない。従って、組成比に関しては実施
例１に述べた１３ｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ層１：１：１：
２に限ることなく、Ｓｒの値が１〜２．５の範囲で本発
明の効果が得られている。
のしか得られていない。従って、組成比に関しては実施
例１に述べた１３ｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ層１：１：１：
２に限ることなく、Ｓｒの値が１〜２．５の範囲で本発
明の効果が得られている。
以上述べた実施例での膜堆積性以外の、例えば分子線エ
ピタキシー法（ＭＢＥ）、レーザ照射蒸着法などおいて
も、同様な蒸発源、特にアルカリ土類元素のＳｒ、Ｃａ
はフッ化物を用いることと、上記温度範囲で熱処理する
ことを条件として本発明が実施可能である。すなわち、
本発明ではＢ１５ｒＣａＣｕｔを先ず堆積する方法を規
定するものではなく、用いる蒸発源をアルカリ土類フッ
化 □物とすることと１１０に転移の超伝導薄膜を得
る酸化熱処理温度を規定するものである。なお、この温
度範囲は、フッ化物として堆積したＢ１−Ｓｒ−Ｃａ−
Ｃｕ層のＦを分解、気化させると同時に酸化物Ｂ１５ｒ
ＣａＣｕｚ Ｏｘ （Ｘは５．５以下）を形成するに
必要な温度であることは熱反応から明らかである。
ピタキシー法（ＭＢＥ）、レーザ照射蒸着法などおいて
も、同様な蒸発源、特にアルカリ土類元素のＳｒ、Ｃａ
はフッ化物を用いることと、上記温度範囲で熱処理する
ことを条件として本発明が実施可能である。すなわち、
本発明ではＢ１５ｒＣａＣｕｔを先ず堆積する方法を規
定するものではなく、用いる蒸発源をアルカリ土類フッ
化 □物とすることと１１０に転移の超伝導薄膜を得
る酸化熱処理温度を規定するものである。なお、この温
度範囲は、フッ化物として堆積したＢ１−Ｓｒ−Ｃａ−
Ｃｕ層のＦを分解、気化させると同時に酸化物Ｂ１５ｒ
ＣａＣｕｚ Ｏｘ （Ｘは５．５以下）を形成するに
必要な温度であることは熱反応から明らかである。
以上説明したように、アルカリ土類金属の蒸発源として
安定なフン化物５ｒＦｚ、ＣａＦ、を用いたことにより
、安定したＢ１−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ堆積膜が得られるこ
と、及び８６０〜８８０℃の限定した温度範囲で酸化熱
処理をすることで超伝導転移温度１１０に級の薄膜が得
られる利点がある。この１１０に級Ｂ１−Ｓｒ−Ｃａ−
Ｃｕ−０系薄膜は、液体窒素温度７７によりも３０に以
上高いことから、エレクトロニクスデバイスの動作温度
マージンがとれることから、種々の超伝導デバイスの実
現に効果的である。
安定なフン化物５ｒＦｚ、ＣａＦ、を用いたことにより
、安定したＢ１−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ堆積膜が得られるこ
と、及び８６０〜８８０℃の限定した温度範囲で酸化熱
処理をすることで超伝導転移温度１１０に級の薄膜が得
られる利点がある。この１１０に級Ｂ１−Ｓｒ−Ｃａ−
Ｃｕ−０系薄膜は、液体窒素温度７７によりも３０に以
上高いことから、エレクトロニクスデバイスの動作温度
マージンがとれることから、種々の超伝導デバイスの実
現に効果的である。
第１図は実施例でのべた堆積直後の断面構造図、第２図
は第１図に示した堆積試料を酸化熱処理後の断面図、第
３図は、実施例１において熱処理温度を変えて処理した
膜の電気抵抗の温度変化を示す図であって、（ａ）は８
６０℃で酸化熱処理した薄膜、（ｂ）は８７０℃で酸化
熱処理した薄膜、（Ｃ）は８８０℃で酸化熱処理した薄
膜の場合を示す。 １・・・基板、２・・・Ｃｕ膜、３・・・Ｂｉ膜、４・
・・Ｃａ Ｆ ｚ膜、５・・・５ｒＦｚ膜、６・・・超
伝導Ｂ１５ｒＣａＣｕｚＯｘ薄膜。
は第１図に示した堆積試料を酸化熱処理後の断面図、第
３図は、実施例１において熱処理温度を変えて処理した
膜の電気抵抗の温度変化を示す図であって、（ａ）は８
６０℃で酸化熱処理した薄膜、（ｂ）は８７０℃で酸化
熱処理した薄膜、（Ｃ）は８８０℃で酸化熱処理した薄
膜の場合を示す。 １・・・基板、２・・・Ｃｕ膜、３・・・Ｂｉ膜、４・
・・Ｃａ Ｆ ｚ膜、５・・・５ｒＦｚ膜、６・・・超
伝導Ｂ１５ｒＣａＣｕｚＯｘ薄膜。
Claims (2)
- （１）Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏからなる超伝導体薄
膜を製造する際に、金属ビスマス（Ｂｉ）又は酸化ビス
マス（Ｂｉ＿２Ｏ＿３）、金属銅（Ｃｕ）又は酸化鋼（
ＣｕＯ）及びフッ化ストロンチウム（ＳｒＦ＿２）、フ
ッ化カリウム（ＣａＦ＿２）を原料に用い、蒸着又はス
パッタにより各々を基板上に堆積させた後に、酸素中で
熱処理を行うことを特徴とする超伝導体薄膜の製造方法
。 - （２）堆積後の酸素中での熱処理温度が８６０〜８８０
℃の範囲内である特許請求の範囲第１項記載の超伝導薄
膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63047159A JPH01219023A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 超伝導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63047159A JPH01219023A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 超伝導体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01219023A true JPH01219023A (ja) | 1989-09-01 |
Family
ID=12767303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63047159A Pending JPH01219023A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 超伝導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01219023A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01235103A (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-20 | Toray Ind Inc | 超伝導材 |
| US7442252B2 (en) * | 2003-05-21 | 2008-10-28 | Japan Science And Technology Agency | Method for producing single crystal of multi-element oxide single crystal containing bismuth as constituting element |
| CN113957394A (zh) * | 2021-09-27 | 2022-01-21 | 山东省科学院能源研究所 | 一种p型半导体薄膜氧化铋铜及其制备方法与应用 |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP63047159A patent/JPH01219023A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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