JPH01219057A - 酸化物超電導体及びその製法 - Google Patents
酸化物超電導体及びその製法Info
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- JPH01219057A JPH01219057A JP63046458A JP4645888A JPH01219057A JP H01219057 A JPH01219057 A JP H01219057A JP 63046458 A JP63046458 A JP 63046458A JP 4645888 A JP4645888 A JP 4645888A JP H01219057 A JPH01219057 A JP H01219057A
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- Japan
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- powder
- raw material
- superconductor
- single crystal
- crystallites
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば磁気浮上列車および粒子加速器等の磁
気コイル部分や電子デバイスおよびジョセフソンコンピ
ュータの回路基板等に使用される酸化物超電導体に関す
るものである。
気コイル部分や電子デバイスおよびジョセフソンコンピ
ュータの回路基板等に使用される酸化物超電導体に関す
るものである。
〔先行技術及び発明が解決しようとする問題点〕高密度
体で臨界電流密度（Ｊｃ）が１０３Ａ／ｃｏ＋２以上を
示す酸化物超電導体の例としては、例えばＡＴＴ、ＢＥ
Ｌ研究所が“Ｍｅｌｔ−Ｔｅｘｔｕｒｅｄ Ｇｒｏｕｔ
ｈ ” （ＭＴＧ）法により得られた相対密度１００χ
で高い臨界電流密度（ＪＣ）を有する超電導体が得られ
たという報告書例があるが、ＭＴＧ法では一旦焼結した
サンプルを酸素ガス中１３００℃で溶融後室温迄徐冷し
、さらに９００℃迄加熱後１晩かけて徐冷するという極
めて複雑な工程をとる必要があり実用的ではなかった。
体で臨界電流密度（Ｊｃ）が１０３Ａ／ｃｏ＋２以上を
示す酸化物超電導体の例としては、例えばＡＴＴ、ＢＥ
Ｌ研究所が“Ｍｅｌｔ−Ｔｅｘｔｕｒｅｄ Ｇｒｏｕｔ
ｈ ” （ＭＴＧ）法により得られた相対密度１００χ
で高い臨界電流密度（ＪＣ）を有する超電導体が得られ
たという報告書例があるが、ＭＴＧ法では一旦焼結した
サンプルを酸素ガス中１３００℃で溶融後室温迄徐冷し
、さらに９００℃迄加熱後１晩かけて徐冷するという極
めて複雑な工程をとる必要があり実用的ではなかった。
そのため、従来より粉末の調整や、仮焼・本焼成条件の
改善により何かと相対密度及び臨界電流密度の向上を図
ろうと努力されてきたが、未だ充分な特性が得られてい
なかった。
改善により何かと相対密度及び臨界電流密度の向上を図
ろうと努力されてきたが、未だ充分な特性が得られてい
なかった。
本発明者等は上記の点に鑑み鋭意研究の結果、仮焼・本
焼成といった通常のセラミックス材料の製法でありなが
ら、仮焼後の未反応物の制御と焼成条件を適正化するこ
とにより比較的容易に９５％以上の相対密度と１．Ｉ
Ｘ １０’Ａ／ｃｍ”以上、好ましくは１．６ Ｘ １
０’Ａ／ｃｍ”以上の臨界電流密度が得られることが分
かった。
焼成といった通常のセラミックス材料の製法でありなが
ら、仮焼後の未反応物の制御と焼成条件を適正化するこ
とにより比較的容易に９５％以上の相対密度と１．Ｉ
Ｘ １０’Ａ／ｃｍ”以上、好ましくは１．６ Ｘ １
０’Ａ／ｃｍ”以上の臨界電流密度が得られることが分
かった。
本発明においては、ＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−０系組成（ＲＥ
＝希土類元素）で、仮焼・本焼成といった通常のセラミ
ックの焼成法により得られる超電導体及びその製法であ
って、その相対密度を上昇させて機械的強度（３点曲げ
抗折強度）及び臨界電流密度Ｕｃ）を向上させることを
目的とする。
＝希土類元素）で、仮焼・本焼成といった通常のセラミ
ックの焼成法により得られる超電導体及びその製法であ
って、その相対密度を上昇させて機械的強度（３点曲げ
抗折強度）及び臨界電流密度Ｕｃ）を向上させることを
目的とする。
本発明によれば、ＲＥｔ Ｂａｚ Ｃｕ５Ｏ４−／ （
ＲＥ＝＝希土類元素）の板状単結晶と１μｍ以下の微小
な単結晶が混在した結晶組織を呈し、前記板状単結晶を
Ｘ、微小な単結晶をＹとした場合、単位面積当たりに占
めるＸ、Ｙの面積割合がＸ／Ｙ≧０．０５である相対密
度が９５％以上、臨界電流密度（Ｊｃ）が１．ｌＸ１０
３ Ａ／ｃｍ２である酸化物超電導体が提供される。
ＲＥ＝＝希土類元素）の板状単結晶と１μｍ以下の微小
な単結晶が混在した結晶組織を呈し、前記板状単結晶を
Ｘ、微小な単結晶をＹとした場合、単位面積当たりに占
めるＸ、Ｙの面積割合がＸ／Ｙ≧０．０５である相対密
度が９５％以上、臨界電流密度（Ｊｃ）が１．ｌＸ１０
３ Ａ／ｃｍ２である酸化物超電導体が提供される。
また、ＲＥＩ Ｂａｇ Ｃｕ、０．−／（ＲＥ＝希土類
元素）の組成の混合粉末もしくは合成原料を８００〜９
２０℃の温度で大気中または酸素中で仮焼し、未反応生
成物を粉末Ｘ線回折強度比で０．０３≦Ｉ／ Ｉｏ≦３
．０の範囲におさえた２次原料を焼成することを特徴と
する酸化物超電導体の製法が提供される。
元素）の組成の混合粉末もしくは合成原料を８００〜９
２０℃の温度で大気中または酸素中で仮焼し、未反応生
成物を粉末Ｘ線回折強度比で０．０３≦Ｉ／ Ｉｏ≦３
．０の範囲におさえた２次原料を焼成することを特徴と
する酸化物超電導体の製法が提供される。
即ち、ＲＥＩ Ｂａｚ Ｃｕ３０？−／ （ＲＥ：希土
類元素）の板状結晶（好ましくは５μｍ以上）と、１μ
ｍ以下の微結晶が混在するため、板状単結晶の粒間を微
結晶が埋め、気孔の少ない組織となる。その結果粒と粒
の接触面積が増加し、単位断面積当たりに流すところの
可能な臨界電流、即ち臨界電流密度（Ｊｃ）が向上する
。また本組織は緻密化されているにも拘わらず、微結晶
から成る多数の粒界を通して酸素の拡散が行われるため
、焼結体内部まで良好な超電導体特性が得られる。前記
板状単結晶をＸ、微小な単結晶をＶとした場合、単位面
積当たりに占めるＸ、Ｙの面積割合がＸ／Ｙ≧０．０５
であることが必要である。Ｘ／Ｙ ＜０．０５であると
上記の効果が得られない。このような超電導体（バルク
）を得るための製法は例えば原料粉末としてＲＥＪｓ＋
ＢａＣＯ３，ＣｕＯとかうなるＲＥｔ Ｂａｚ Ｃｕ３
０７−ｌを混合した粉末、あるいは共沈法、ゾル・ゲル
法によりＲＥ。
類元素）の板状結晶（好ましくは５μｍ以上）と、１μ
ｍ以下の微結晶が混在するため、板状単結晶の粒間を微
結晶が埋め、気孔の少ない組織となる。その結果粒と粒
の接触面積が増加し、単位断面積当たりに流すところの
可能な臨界電流、即ち臨界電流密度（Ｊｃ）が向上する
。また本組織は緻密化されているにも拘わらず、微結晶
から成る多数の粒界を通して酸素の拡散が行われるため
、焼結体内部まで良好な超電導体特性が得られる。前記
板状単結晶をＸ、微小な単結晶をＶとした場合、単位面
積当たりに占めるＸ、Ｙの面積割合がＸ／Ｙ≧０．０５
であることが必要である。Ｘ／Ｙ ＜０．０５であると
上記の効果が得られない。このような超電導体（バルク
）を得るための製法は例えば原料粉末としてＲＥＪｓ＋
ＢａＣＯ３，ＣｕＯとかうなるＲＥｔ Ｂａｚ Ｃｕ３
０７−ｌを混合した粉末、あるいは共沈法、ゾル・ゲル
法によりＲＥ。
Ｂａｇ Ｃｕ１Ｏｔ−／ の組成比となるように合成
された粉末を作製し、８００〜９２０℃の温度で１〜１
０時間、大気中または酸素中で１〜１０回仮焼を行い、
ＢａＣ０：１やＣｕＯ等の未反応生成物の粉末Ｘ線回折
による最大ピーク （１） とＲＦｉ＋ Ｂａｔ Ｃｕ
３０．−／の（１，１，０）面のピーク（■。）との強
度比が０．０３≦Ｉ／ Ｉｏ≦３．０の範囲となるよう
に未反応生成物の量を制御する必要がある。Ｉ／ Ｉｏ
＜ ０．０３ではＲＥｔ Ｂａｔ Ｃｕ１ＯｙＪ成が
充分に反応生成し凝集している状態であり、焼成後には
ある程度成長しているため、上記に示す如き微粒は得ら
れない。またＩ／ Ｉｏ ＞ ３．０では仮焼の効果が
消失する。また、仮焼温度が８００℃より低いとＲＥＩ
Ｂａｚ Ｃ１＋３０？−／組成の反応が殆ど進行せず
、９２０℃を超えるとＣｕＯ５ＹＪａＣｕ０５等の？容
出が起る。また、仮焼時間は１〜１０時間が好ましく、
１時間より短いと反応が不十分であり、１０時間以上で
は凝集が起こり始める。仮焼の回数は何回でも良いが１
０の１以上は効果が殆ど変わらない。またこの仮焼方法
によって製作された粉末を加工して得られた成形体の本
焼成は先ず最初の設定温度（Ｔ、）として例えば８２０
〜９４０℃まで昇温後、昇温速度０．１〜４．０℃／時
間で最高温度（Ｔｚ）８６０〜１０２０℃までの昇温を
大気中または酸素中で行うことにより密度はさらに高ま
り、臨界電流密度（Ｊｃ）の向上がより可能となる。即
ち、上記の様な一定昇温の焼成パターンにおいては、一
部の粒成長は促進されるが、微粒は成長速度が遅く、そ
のまま粒間の気泡を埋める形で残されるため緻密化する
。
された粉末を作製し、８００〜９２０℃の温度で１〜１
０時間、大気中または酸素中で１〜１０回仮焼を行い、
ＢａＣ０：１やＣｕＯ等の未反応生成物の粉末Ｘ線回折
による最大ピーク （１） とＲＦｉ＋ Ｂａｔ Ｃｕ
３０．−／の（１，１，０）面のピーク（■。）との強
度比が０．０３≦Ｉ／ Ｉｏ≦３．０の範囲となるよう
に未反応生成物の量を制御する必要がある。Ｉ／ Ｉｏ
＜ ０．０３ではＲＥｔ Ｂａｔ Ｃｕ１ＯｙＪ成が
充分に反応生成し凝集している状態であり、焼成後には
ある程度成長しているため、上記に示す如き微粒は得ら
れない。またＩ／ Ｉｏ ＞ ３．０では仮焼の効果が
消失する。また、仮焼温度が８００℃より低いとＲＥＩ
Ｂａｚ Ｃ１＋３０？−／組成の反応が殆ど進行せず
、９２０℃を超えるとＣｕＯ５ＹＪａＣｕ０５等の？容
出が起る。また、仮焼時間は１〜１０時間が好ましく、
１時間より短いと反応が不十分であり、１０時間以上で
は凝集が起こり始める。仮焼の回数は何回でも良いが１
０の１以上は効果が殆ど変わらない。またこの仮焼方法
によって製作された粉末を加工して得られた成形体の本
焼成は先ず最初の設定温度（Ｔ、）として例えば８２０
〜９４０℃まで昇温後、昇温速度０．１〜４．０℃／時
間で最高温度（Ｔｚ）８６０〜１０２０℃までの昇温を
大気中または酸素中で行うことにより密度はさらに高ま
り、臨界電流密度（Ｊｃ）の向上がより可能となる。即
ち、上記の様な一定昇温の焼成パターンにおいては、一
部の粒成長は促進されるが、微粒は成長速度が遅く、そ
のまま粒間の気泡を埋める形で残されるため緻密化する
。
ここで、最初の設定温度（Ｔ１）が８２０℃より低いと
反応が生じないため効果がなく 、９４０℃以上では微
粒が１μｍよりも大きく成長するため緻密化しないこと
がら昇温速度は４．０℃／時間までが望ましい。また最
高温度（Ｔ２）は８６０℃未満であると焼結が不十分で
あり、１０２０℃以上では溶出が起こることから８６０
〜１０２０℃の範囲が望ましい。
反応が生じないため効果がなく 、９４０℃以上では微
粒が１μｍよりも大きく成長するため緻密化しないこと
がら昇温速度は４．０℃／時間までが望ましい。また最
高温度（Ｔ２）は８６０℃未満であると焼結が不十分で
あり、１０２０℃以上では溶出が起こることから８６０
〜１０２０℃の範囲が望ましい。
Ｙ２Ｏ３が約１５重量％、ＢａＣ０，が約５３重量％お
よびＣｕＯが約３２重量％となる混合粉末を湿式回転ボ
ールミルにより約２４時間混合し、この混合粉末を大気
中での仮焼と乳鉢での解砕とを数回繰り返した。
よびＣｕＯが約３２重量％となる混合粉末を湿式回転ボ
ールミルにより約２４時間混合し、この混合粉末を大気
中での仮焼と乳鉢での解砕とを数回繰り返した。
この仮焼粉末を有機溶媒（エタノール）を用いて湿式回
転ボールミルにより約５０時間粉砕を行い得られた微粉
末に成形用バインダー（ポリビニルアルコール）を均一
に混合した後、１ｃｍ”当たり約１０００にｇの圧力で
プレス成形した。この成形体を本焼成した後、約６００
℃で酸素中熱処理を行い第１表に示す各測定用の試料片
を得た。粉末Ｘ線解析は最終仮焼終了後の粉体を解砕し
たものを用い、２θ：２０〜６０°までの回折角で比較
を行った。この際、Ｉ／ Ｉ。は粉末Ｘ線回折パターン
に現れる未反応物の最高ピーク強度／ＲＥ＋ Ｂａｚ
Ｃｕ３０７−／ の（１，１、Ｏ）メインピーク強度
である。上記試料片を得るための仮焼条件及び本焼成条
件は第２表に示した。
転ボールミルにより約５０時間粉砕を行い得られた微粉
末に成形用バインダー（ポリビニルアルコール）を均一
に混合した後、１ｃｍ”当たり約１０００にｇの圧力で
プレス成形した。この成形体を本焼成した後、約６００
℃で酸素中熱処理を行い第１表に示す各測定用の試料片
を得た。粉末Ｘ線解析は最終仮焼終了後の粉体を解砕し
たものを用い、２θ：２０〜６０°までの回折角で比較
を行った。この際、Ｉ／ Ｉ。は粉末Ｘ線回折パターン
に現れる未反応物の最高ピーク強度／ＲＥ＋ Ｂａｚ
Ｃｕ３０７−／ の（１，１、Ｏ）メインピーク強度
である。上記試料片を得るための仮焼条件及び本焼成条
件は第２表に示した。
（以下、空白）
第１表
上記により得られた各第１表に示す試料片につき相対密
度（χ）、臨界電流密度（Ｊｃ）、耐候性および抗折強
度を測定しそれらの結果を第２表の評価欄に示す。相対
密度はアルキメデス法によるカサ比重／理論密度、臨界
電流密度（Ｊｃ）は４端子法による実測値（０，０４７
の磁場中）、耐候性は湿式試験（４０℃×９０χ×６０
分）後の２端子法による室温抵抗ρ及び抗折強度（Ｍｐ
ａ）は３点曲げ抗折強度を夫々測定した。また、各試料
番号のサンプル表面を金属顕微鏡により８００倍の倍率
で組織の形態および板状単結晶Ｘと微小単結晶Ｙとの単
位面積当たりに占める面積割合を観測した。
度（χ）、臨界電流密度（Ｊｃ）、耐候性および抗折強
度を測定しそれらの結果を第２表の評価欄に示す。相対
密度はアルキメデス法によるカサ比重／理論密度、臨界
電流密度（Ｊｃ）は４端子法による実測値（０，０４７
の磁場中）、耐候性は湿式試験（４０℃×９０χ×６０
分）後の２端子法による室温抵抗ρ及び抗折強度（Ｍｐ
ａ）は３点曲げ抗折強度を夫々測定した。また、各試料
番号のサンプル表面を金属顕微鏡により８００倍の倍率
で組織の形態および板状単結晶Ｘと微小単結晶Ｙとの単
位面積当たりに占める面積割合を観測した。
（以下、空白）
第２表から理解されるように試料番号１および１１は本
発明の範囲外のものであり、いずれも仮焼粉末の粉末Ｘ
線回折におけるピーク強度比（Ｉ／Ｉ。
発明の範囲外のものであり、いずれも仮焼粉末の粉末Ｘ
線回折におけるピーク強度比（Ｉ／Ｉ。
）が０．０３〜３．０の範囲をはずれており相対密度が
低り、臨界電流密度、抵抗率及び抗折強度のいずれもが
劣っている。これに対し、試料番号２〜１０．１２〜２
３は夫々本発明の範囲内のものであり、相対密度が９４
％以上、臨界電流密度（Ｊｃ）が１１１０以上、抗折強
度（Ｍｐａ）が４５Ｍｐａ以上であり、特に試料番号２
〜１０．１４．１６〜２１については相対密度が９５％
以上、臨界電流密度Ｕｃ）が１６２０以上、常温抵抗値
が４．６ｍΩ−ｃｍ以下、抗折強度が５２．３Ｍｐａ以
上と優れている。
低り、臨界電流密度、抵抗率及び抗折強度のいずれもが
劣っている。これに対し、試料番号２〜１０．１２〜２
３は夫々本発明の範囲内のものであり、相対密度が９４
％以上、臨界電流密度（Ｊｃ）が１１１０以上、抗折強
度（Ｍｐａ）が４５Ｍｐａ以上であり、特に試料番号２
〜１０．１４．１６〜２１については相対密度が９５％
以上、臨界電流密度Ｕｃ）が１６２０以上、常温抵抗値
が４．６ｍΩ−ｃｍ以下、抗折強度が５２．３Ｍｐａ以
上と優れている。
尚、第１図及び第２図は上記試料番号１と２０とのサン
プル表面を金属顕微鏡により８００倍の倍率で観測した
Ｍｉ織写真の模写図であり、本発明の範囲内の試料番号
２０の組織は第１回に示す如く板状単結晶のまわりを１
μｍ以下の微小な結晶が取囲んでおり、気孔の少ない緻
密化した組織を呈し、板状単結晶Ｘと微小単結晶Ｙの単
位面積当たりに占める面積割合がＸ／Ｙ≧０．０５であ
る第２表中の試料番号２〜１０．１２〜１９．２１〜２
３も同様の結晶組織である。これに対し本発明の範囲外
の試料番号１の組織は第２図に示す如く一様に成長した
粒Ｖからなる組織を呈し、板状単結晶Ｘと微小単結晶Ｙ
との単位面積当たりに占める面積割合がＸ／Ｙ＜０．０
５であり、気孔Ｚが多く緻密化していない。試料番号１
１も同様である。
プル表面を金属顕微鏡により８００倍の倍率で観測した
Ｍｉ織写真の模写図であり、本発明の範囲内の試料番号
２０の組織は第１回に示す如く板状単結晶のまわりを１
μｍ以下の微小な結晶が取囲んでおり、気孔の少ない緻
密化した組織を呈し、板状単結晶Ｘと微小単結晶Ｙの単
位面積当たりに占める面積割合がＸ／Ｙ≧０．０５であ
る第２表中の試料番号２〜１０．１２〜１９．２１〜２
３も同様の結晶組織である。これに対し本発明の範囲外
の試料番号１の組織は第２図に示す如く一様に成長した
粒Ｖからなる組織を呈し、板状単結晶Ｘと微小単結晶Ｙ
との単位面積当たりに占める面積割合がＸ／Ｙ＜０．０
５であり、気孔Ｚが多く緻密化していない。試料番号１
１も同様である。
以上詳述した通り、本発明の酸化物超電導体はＲＥ＋
Ｂａｇ Ｃｕ＋０７−／系酸化物超電導体の組織を緻密
化し、臨界電流密度および抗折強度を向上させることが
でき、また、本超電導体の製法は比較的容易に再現可能
な方法で実用的である。
Ｂａｇ Ｃｕ＋０７−／系酸化物超電導体の組織を緻密
化し、臨界電流密度および抗折強度を向上させることが
でき、また、本超電導体の製法は比較的容易に再現可能
な方法で実用的である。
第１図は本発明の実施例に於ける試料番号２０のサンプ
ル表面８００倍の金属顕微鏡組織写真の模写図、第２図
は実施例に於ける試料番号１の第１図と同様の組織写真
の模写図である。
ル表面８００倍の金属顕微鏡組織写真の模写図、第２図
は実施例に於ける試料番号１の第１図と同様の組織写真
の模写図である。
Claims (2)
- （１）ＲＥ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿δ（ＲＥ
＝希土類元素）の板状単結晶と１μｍ以下の微小な単結
晶が混在した結晶組織を呈し、前記板状単結晶をＸ、微
小な単結晶をＹとした場合、単位面積当たりに占めるＸ
、Ｙの面積割合がＸ／Ｙ≧０．０５である相対密度が９
５％以上、臨界電流密度（Ｊｃ）が１．１×１０＾３Ａ
／ｃｍ＾２である酸化物超電導体。 - （２）ＲＥ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿δ（ＲＥ
＝希土類元素）の組成の混合粉末もしくは合成原料を８
００〜９２０℃の温度で大気中または酸素中で仮焼し、
未反応生成物を粉末Ｘ線回折強度比で０．０３≦Ｉ／Ｉ
＿ｏ≦３．０の範囲におさえた２次原料を焼成すること
を特徴とする酸化物超電導体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046458A JP2881423B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 酸化物超電導体及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046458A JP2881423B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 酸化物超電導体及びその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01219057A true JPH01219057A (ja) | 1989-09-01 |
| JP2881423B2 JP2881423B2 (ja) | 1999-04-12 |
Family
ID=12747717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63046458A Expired - Lifetime JP2881423B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 酸化物超電導体及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2881423B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006062897A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Nippon Steel Corp | 酸化物超電導材料及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP63046458A patent/JP2881423B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006062897A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Nippon Steel Corp | 酸化物超電導材料及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2881423B2 (ja) | 1999-04-12 |
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