JPH01220393A - 薄膜型エレクトロルミネセンス素子 - Google Patents
薄膜型エレクトロルミネセンス素子Info
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- JPH01220393A JPH01220393A JP63044959A JP4495988A JPH01220393A JP H01220393 A JPH01220393 A JP H01220393A JP 63044959 A JP63044959 A JP 63044959A JP 4495988 A JP4495988 A JP 4495988A JP H01220393 A JPH01220393 A JP H01220393A
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- layer
- insulating layer
- transparent electrode
- tantalum oxynitride
- film
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
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- Y10S428/917—Electroluminescent
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12806—Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
- Y10T428/12819—Group VB metal-base component
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分舒〕
本発明は二重絶縁構造を持つ薄膜型のエレクトロルミネ
センス素子に係り、さらに詳しくは特にその透明電極と
第１絶縁層との界面の改良に関するものである。
センス素子に係り、さらに詳しくは特にその透明電極と
第１絶縁層との界面の改良に関するものである。
従来、二重絶縁構造の薄膜型エレクトロルミネセンス素
子は、第３図に示すように、透明基板２１上に透明電極
２２を形成し、該透明電極２２上に第１絶縁［２３を形
成し、さらにその上に発光ＪＩＪ２４、第２絶縁層２５
および背面型ｉ２６が配置し、透明電極２２と背面電極
２６とが電ｆ１２７と電気的に接続する構造をとり、そ
の第１絶縁層２３の構成材料としてはＴａｇｏｓ（酸化
タンタル）が使用されていた（例えば、特開昭５８−１
５７８８７号公報）。これは、ＴａｚＯＳが誘電率が高
く、発光層に高電界をかけやすいため、エレクトロルミ
ネセンス素子の絶縁層構成材料として非常に優れている
という理由によるものである。
子は、第３図に示すように、透明基板２１上に透明電極
２２を形成し、該透明電極２２上に第１絶縁［２３を形
成し、さらにその上に発光ＪＩＪ２４、第２絶縁層２５
および背面型ｉ２６が配置し、透明電極２２と背面電極
２６とが電ｆ１２７と電気的に接続する構造をとり、そ
の第１絶縁層２３の構成材料としてはＴａｇｏｓ（酸化
タンタル）が使用されていた（例えば、特開昭５８−１
５７８８７号公報）。これは、ＴａｚＯＳが誘電率が高
く、発光層に高電界をかけやすいため、エレクトロルミ
ネセンス素子の絶縁層構成材料として非常に優れている
という理由によるものである。
しかしながら、透明電極上に第１絶縁層としてＴａｇｏ
ｓ膜を形成すると、透明電極を構成するＩＴＯ（インジ
ウム錫酸化物）の電気抵抗が増加して、高輝度のエレク
トロルミネセンス素子が得られがたいという問題があっ
た。すなわち、Ｔａ。
ｓ膜を形成すると、透明電極を構成するＩＴＯ（インジ
ウム錫酸化物）の電気抵抗が増加して、高輝度のエレク
トロルミネセンス素子が得られがたいという問題があっ
た。すなわち、Ｔａ。
０、成膜時の酸素がＩＴＯ膜上に拡散し、酸素を不足ぎ
みに作製することによって電気抵抗を小さくしているＩ
ＴＯの電気抵抗を増加させるのである。
みに作製することによって電気抵抗を小さくしているＩ
ＴＯの電気抵抗を増加させるのである。
そこで、Ｓｔｏｗなどを成膜した後Ｔ ａ 、０．を成
膜すれば、ＩＴＯの抵抗増加を抑制できることが明らか
にされていることから（例えば、Ｙ、Ｓｉ■ｉｚｕ、
Ｔ、Ｍａｔｓｕｄａｉｒａ ＩＥＥＥ １９８５１ｎｔ
ｅｒ、Ｄｉｓｐｌａｙ Ｒｅ５ｅａｒｃｈ Ｃｏｎｆ、
ＰＩＯＩ） 、これを採用することも考えられるが、
それらの材料は誘電率が小さいため駆動電圧が高くなる
という問題があった。
膜すれば、ＩＴＯの抵抗増加を抑制できることが明らか
にされていることから（例えば、Ｙ、Ｓｉ■ｉｚｕ、
Ｔ、Ｍａｔｓｕｄａｉｒａ ＩＥＥＥ １９８５１ｎｔ
ｅｒ、Ｄｉｓｐｌａｙ Ｒｅ５ｅａｒｃｈ Ｃｏｎｆ、
ＰＩＯＩ） 、これを採用することも考えられるが、
それらの材料は誘電率が小さいため駆動電圧が高くなる
という問題があった。
そのため、本発明者らは、低温でＴａ□ＯＳ膜を成膜す
ることを試みたが、この場合はＩＴＯの抵抗増加は抑制
できるものの、Ｔ ａ 、０．の酸素欠陥が生じやすく
、そのため、誘電特性、特にリーク電流の少ない膜を形
成することがむつかしいという問題があった。
ることを試みたが、この場合はＩＴＯの抵抗増加は抑制
できるものの、Ｔ ａ 、０．の酸素欠陥が生じやすく
、そのため、誘電特性、特にリーク電流の少ない膜を形
成することがむつかしいという問題があった。
〔発明が解決しようとする課題］
本発明は、上記従来の’ｆｌ 模型エレクトロルミネセ
ンス素子が持っていたＴ ａ 、０．の成膜により透明
電極の電気抵抗が増加するという問題点もしくは第１絶
縁層を構成するＴａｔＯｓＷ’Ｊのリーク電流が大きい
という問題点を解決し、以って高輝度を呈し得る薄膜型
エレクトロルミネセンス素子を提供することを目的とす
る。
ンス素子が持っていたＴ ａ 、０．の成膜により透明
電極の電気抵抗が増加するという問題点もしくは第１絶
縁層を構成するＴａｔＯｓＷ’Ｊのリーク電流が大きい
という問題点を解決し、以って高輝度を呈し得る薄膜型
エレクトロルミネセンス素子を提供することを目的とす
る。
本発明は、透明電極と第ｔｖＡ縁層の間に酸窒化タンタ
ル層を設けることによって、透明電極の抵抗増加を防止
し、かつリーク電流を低減したものである。
ル層を設けることによって、透明電極の抵抗増加を防止
し、かつリーク電流を低減したものである。
すなわち、透明電極を構成するＩＴＯ膜上に酸窒化タン
タル層（この酸窒化タンタルを化学式で示すとＴａ２Ｏ
ｘＮｙである）を形成し、その上にＴａｘＯｓＭからな
る第１絶縁層を形成すると、酸窒化タンタル層が酸素の
パッシベーション膜として作用し、Ｔａｇｏｓ成膜時の
酸素がＩＴＯ膜上に拡散するのが防止され、ＩＴＯ膜の
抵抗増加が防止される。つまり、透明電極を構成するＩ
ＴＯは酸素が少し不足した状態に作製して抵抗の小さい
ものを得ており、一方、Ｔ ａ ｔ Ｏｓは酸素を充分
に供給しないと酸素欠陥が生じて透明にならないため、
Ｔａ、Ｏ，の成膜時、酸素が強制的に供給されるので、
その酸素がＩＴＯ膜上に拡散して酸素を不足ぎみに作製
しているＩＴＯに酸素を供給して、ＩＴＯの抵抗を増加
させるのである。ところが、ＩＴＯ膜上に酸窒化タンタ
ル層を形成しておくと、酸窒化タンタル層によってＴａ
ｚＯｓの成膜にあたって強制的に供給される酸素がＩＴ
Ｏ膜上に拡散するのが防止されるようになる。
タル層（この酸窒化タンタルを化学式で示すとＴａ２Ｏ
ｘＮｙである）を形成し、その上にＴａｘＯｓＭからな
る第１絶縁層を形成すると、酸窒化タンタル層が酸素の
パッシベーション膜として作用し、Ｔａｇｏｓ成膜時の
酸素がＩＴＯ膜上に拡散するのが防止され、ＩＴＯ膜の
抵抗増加が防止される。つまり、透明電極を構成するＩ
ＴＯは酸素が少し不足した状態に作製して抵抗の小さい
ものを得ており、一方、Ｔ ａ ｔ Ｏｓは酸素を充分
に供給しないと酸素欠陥が生じて透明にならないため、
Ｔａ、Ｏ，の成膜時、酸素が強制的に供給されるので、
その酸素がＩＴＯ膜上に拡散して酸素を不足ぎみに作製
しているＩＴＯに酸素を供給して、ＩＴＯの抵抗を増加
させるのである。ところが、ＩＴＯ膜上に酸窒化タンタ
ル層を形成しておくと、酸窒化タンタル層によってＴａ
ｚＯｓの成膜にあたって強制的に供給される酸素がＩＴ
Ｏ膜上に拡散するのが防止されるようになる。
酸窒化タンタル層（Ｔ ａ 、０χＮｙ層）の形成にあ
たっても、酸素が供給されるが、窒素（Ｎ）がドーピン
グすることによって、酸素欠陥が生じなくなり、したが
って強制的な酸素の供給が不要であり、この強制的酸素
供給が不要であることと酸素欠陥が生じなくなったこと
とが相乗的に働いてＩＴＯ膜への酸素の拡散が防止され
て、ＩＴＯの抵抗増加、つまり透明電極の抵抗増加が防
止されるようになる。 ・ また、酸窒化タンタル（Ｔ ａ 、０χＮｙ）は、０お
よびＮの量を適度に制御することによって、透明で、し
かも高抵抗の半導体となる。
たっても、酸素が供給されるが、窒素（Ｎ）がドーピン
グすることによって、酸素欠陥が生じなくなり、したが
って強制的な酸素の供給が不要であり、この強制的酸素
供給が不要であることと酸素欠陥が生じなくなったこと
とが相乗的に働いてＩＴＯ膜への酸素の拡散が防止され
て、ＩＴＯの抵抗増加、つまり透明電極の抵抗増加が防
止されるようになる。 ・ また、酸窒化タンタル（Ｔ ａ 、０χＮｙ）は、０お
よびＮの量を適度に制御することによって、透明で、し
かも高抵抗の半導体となる。
ところで、Ｔ ａ 、０．などの誘電体に電界を印加す
ると、電界が小さい領域ではリーク電流だけで電流は小
さいが、エレクトロルミネセンスを発光させるような高
電界になると、Ｐｏｏｌ−Ｆｒａｎｋｅｌモデルの導電
機構により大電流が流れるようになる。
ると、電界が小さい領域ではリーク電流だけで電流は小
さいが、エレクトロルミネセンスを発光させるような高
電界になると、Ｐｏｏｌ−Ｆｒａｎｋｅｌモデルの導電
機構により大電流が流れるようになる。
ところが、酸窒化タンタル（Ｔ ａ 、０χＮｙ）をＩ
ＴＯ膜とＴａｇｏｓ膜との界面に介在させると、酸窒化
タンタル（Ｔａ２ＯｘＮｙ）が半導体であって、かつ酸
素欠陥が生じないため、リーク電流などの不要な電流の
生起が抑制され、発光層に高電界が印加されやすくなる
。
ＴＯ膜とＴａｇｏｓ膜との界面に介在させると、酸窒化
タンタル（Ｔａ２ＯｘＮｙ）が半導体であって、かつ酸
素欠陥が生じないため、リーク電流などの不要な電流の
生起が抑制され、発光層に高電界が印加されやすくなる
。
酸窒化タンタルは化学式Ｔａ２ＯｘＮｙで示されるが、
そのχΦ値は２．５〜４．９の範囲が好ましく、χの値
が上記範囲内で酸窒化タンタルが透明で、かつ高抵抗の
半導体となる。つまり、χが２．５未満では成膜したと
きに着色するようになり、またχが４．９を超えると誘
電体となって、リーク電流の低減に寄与しなくなる。一
方、ｙの値は０．０７〜１．６の範囲が好ましい。この
ｙの値はχの値により規制される。つまり、０とＮとで
Ｔ ａ ｚ ＯｓにおけるＴａに対する０の化学量論比
と同じ比になる。
そのχΦ値は２．５〜４．９の範囲が好ましく、χの値
が上記範囲内で酸窒化タンタルが透明で、かつ高抵抗の
半導体となる。つまり、χが２．５未満では成膜したと
きに着色するようになり、またχが４．９を超えると誘
電体となって、リーク電流の低減に寄与しなくなる。一
方、ｙの値は０．０７〜１．６の範囲が好ましい。この
ｙの値はχの値により規制される。つまり、０とＮとで
Ｔ ａ ｚ ＯｓにおけるＴａに対する０の化学量論比
と同じ比になる。
第１図は本発明の薄膜型エレクトロルミネセンス素子の
一例を示すものであり、図中、１は透明基板で、この透
明基板１は例えば透明ガラス板からなる。２は透明電極
で、この透明電極２は上記透明基板１上に形成されたＩ
ＴＯ膜からなる。このＩＴＯ膜の厚みは約２ 、０００
人（２００ｎ ｍ ）で電気抵抗はｌＯΩ・ＣＩ程度が
好ましい、３は酸窒化タンタル（Ｔ ａ 、０χＮｙ）
層で、この酸窒化タンタル層３は上記ＩＴＯ膜からなる
透明電極２上にスパッタ法やＣＶＤ （ケミカルペーパ
ーデイポジション）法で好ましくは２０〜２，０００人
の厚さに形成される。４はＴ ａ ｇｏｓＳＳ ｉ ０
Ｈ１ＡＩ！Ｏ、Ｓｌ ３１’４４などからなる第１絶縁
層であり、この第１絶縁Ｎ４上に発光層５がｓ、ｏｏｏ
〜１０．０００人の厚さに形成されている。この発光層
５を構成する発光材料としてはＺｎＳ：Ｍｎ５ＺｎＳ：
Ｔｂ、Ｆ。
一例を示すものであり、図中、１は透明基板で、この透
明基板１は例えば透明ガラス板からなる。２は透明電極
で、この透明電極２は上記透明基板１上に形成されたＩ
ＴＯ膜からなる。このＩＴＯ膜の厚みは約２ 、０００
人（２００ｎ ｍ ）で電気抵抗はｌＯΩ・ＣＩ程度が
好ましい、３は酸窒化タンタル（Ｔ ａ 、０χＮｙ）
層で、この酸窒化タンタル層３は上記ＩＴＯ膜からなる
透明電極２上にスパッタ法やＣＶＤ （ケミカルペーパ
ーデイポジション）法で好ましくは２０〜２，０００人
の厚さに形成される。４はＴ ａ ｇｏｓＳＳ ｉ ０
Ｈ１ＡＩ！Ｏ、Ｓｌ ３１’４４などからなる第１絶縁
層であり、この第１絶縁Ｎ４上に発光層５がｓ、ｏｏｏ
〜１０．０００人の厚さに形成されている。この発光層
５を構成する発光材料としてはＺｎＳ：Ｍｎ５ＺｎＳ：
Ｔｂ、Ｆ。
ＣａＳ ： Ｅｕなどが用いられ、さらにこの発光層５
上にＴ ａ ｚ Ｏｓ、Ｓｉｎ、、Ａｌｔｏｓ、５ｉｓ
Ｎｓなどからなる第２絶縁ｒｒ！Ｊ６が形成され、さら
にその第２絶縁層６上にアルミニウム膜などからなる背
面電極７が形成されている。これら、第１絶縁層４、発
光層５、第２絶縁層６、背面電極７などの形成法として
は、従来同様にＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタ法など
が採用される。そして、８は電源であり、前記透明電極
２と背面電極７とがこの電源８と電気的に接続され、エ
レクトロルミネセンス素子が駆動できるようになってい
る。
上にＴ ａ ｚ Ｏｓ、Ｓｉｎ、、Ａｌｔｏｓ、５ｉｓ
Ｎｓなどからなる第２絶縁ｒｒ！Ｊ６が形成され、さら
にその第２絶縁層６上にアルミニウム膜などからなる背
面電極７が形成されている。これら、第１絶縁層４、発
光層５、第２絶縁層６、背面電極７などの形成法として
は、従来同様にＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタ法など
が採用される。そして、８は電源であり、前記透明電極
２と背面電極７とがこの電源８と電気的に接続され、エ
レクトロルミネセンス素子が駆動できるようになってい
る。
上記のように、本発明のエレクトロルミネセンス素子で
は、透明電極２を構成するＩＴＯ膜上に酸窒化タンタル
層３が形成されているので、第１絶縁Ｎ４の構成材料と
してＴ ａ ｘ Ｏｓを用いた場合でも、Ｔ ａ 、０
．の成膜時の酸素が透明電極２上に拡散するのが防止さ
れ、透明電極２の抵抗増加が防止される。
は、透明電極２を構成するＩＴＯ膜上に酸窒化タンタル
層３が形成されているので、第１絶縁Ｎ４の構成材料と
してＴ ａ ｘ Ｏｓを用いた場合でも、Ｔ ａ 、０
．の成膜時の酸素が透明電極２上に拡散するのが防止さ
れ、透明電極２の抵抗増加が防止される。
また、酸窒化タンタル層３が透明電極２と第１絶縁層４
との間に介在することにより、それらの間の界面の状態
が改良され、電圧を印加したときのリーク電流が小さく
なる。
との間に介在することにより、それらの間の界面の状態
が改良され、電圧を印加したときのリーク電流が小さく
なる。
酸窒化タンタル層３は前記のように２０〜２．０００人
の厚さに形成されるのが好ましいが、これは酸窒化タン
タル層３が２０人より薄いと、第１絶縁層４のＴａ、０
．成膜時の酸素が透明電極２上に拡散するのを防止する
効果やリーク電流を低減する効果が充分に発揮されず、
また、酸窒化タンタル層３が２ 、０００人より厚くな
ると着色して発光層５の発光が視認しにくくなるからで
ある。
の厚さに形成されるのが好ましいが、これは酸窒化タン
タル層３が２０人より薄いと、第１絶縁層４のＴａ、０
．成膜時の酸素が透明電極２上に拡散するのを防止する
効果やリーク電流を低減する効果が充分に発揮されず、
また、酸窒化タンタル層３が２ 、０００人より厚くな
ると着色して発光層５の発光が視認しにくくなるからで
ある。
第２図は本発明のエレクトロルミネセンス素子の他の例
を示すもので、この例では、第２絶縁層６と背面電極７
との間にも酸窒化タンタル層９を設けている。他の構成
は第１図に基づいて説明したものと同様である。この第
２図に示すエレクトロルミネセンス素子のように、酸窒
化タンタル層９を第２絶縁層６と背面電極７との間に設
けると、第２絶縁層６と背面電極７との界面の状態が改
良され、この間のリーク電流が少なくなる。
を示すもので、この例では、第２絶縁層６と背面電極７
との間にも酸窒化タンタル層９を設けている。他の構成
は第１図に基づいて説明したものと同様である。この第
２図に示すエレクトロルミネセンス素子のように、酸窒
化タンタル層９を第２絶縁層６と背面電極７との間に設
けると、第２絶縁層６と背面電極７との界面の状態が改
良され、この間のリーク電流が少なくなる。
実施例１
透明な無アルカリガラス板（米国コーニング社製、品番
７０５９）を透明基板として用い、このガラス板上にＩ
ＴＯを真空蒸着法により２ 、０００人の厚さに形成し
、所定のパターンにエツチングして透明電極とした０次
に高周波スパッタ装置を用い、ターゲットにはＴａ、Ｏ
，を使用し、Ａｒ、０！。
７０５９）を透明基板として用い、このガラス板上にＩ
ＴＯを真空蒸着法により２ 、０００人の厚さに形成し
、所定のパターンにエツチングして透明電極とした０次
に高周波スパッタ装置を用い、ターゲットにはＴａ、Ｏ
，を使用し、Ａｒ、０！。
Ｎｔの三元ガス系で０８、Ｎ８のガス圧比を変え、５０
０人の膜厚になるようにスパッタ時間を調整して成膜す
ることにより酸窒化タンタルＮ （Ｔ ａ ｔＯＩＮｙ
層）を形成した。ついで、上記と同一のチャンバー内で
スパッタ法によりＡｒ０ｚ系ガスでＴ ａ 、０．を３
．０００人の厚さに成膜することによって第１絶縁層を
形成した。なお、これら酸窒化タンタル層の形成や、Ｔ
ａｇｏｓの成膜にあたっては基板温度を室温にした。さ
らにＺｎＳ：Ｔｂ。
０人の膜厚になるようにスパッタ時間を調整して成膜す
ることにより酸窒化タンタルＮ （Ｔ ａ ｔＯＩＮｙ
層）を形成した。ついで、上記と同一のチャンバー内で
スパッタ法によりＡｒ０ｚ系ガスでＴ ａ 、０．を３
．０００人の厚さに成膜することによって第１絶縁層を
形成した。なお、これら酸窒化タンタル層の形成や、Ｔ
ａｇｏｓの成膜にあたっては基板温度を室温にした。さ
らにＺｎＳ：Ｔｂ。
Ｆをスパッタ法によりｓ 、 ｏｏｏ人の厚さに成膜す
ることによって発光層を形成し、真空中、４５０℃で２
時間焼鈍後、Ａｌｔｏｓをスパッタ法により２．０００
人の厚さに成膜して第２絶縁層を形成し、さらにアルミ
ニウムをマスク蒸着法により２，０００人の厚さに成膜
して背面電極を形成した。なお、酸窒化タンタル層形成
時のＡｒ、０２、Ｎ１のガス圧比ならびに形成された酸
窒化タンタル７１１（ＴａｚＯχＮｙＮ）のχ、ｙの値
ならびに酸窒化タンタル層の厚みは第１表に示すとおり
である。
ることによって発光層を形成し、真空中、４５０℃で２
時間焼鈍後、Ａｌｔｏｓをスパッタ法により２．０００
人の厚さに成膜して第２絶縁層を形成し、さらにアルミ
ニウムをマスク蒸着法により２，０００人の厚さに成膜
して背面電極を形成した。なお、酸窒化タンタル層形成
時のＡｒ、０２、Ｎ１のガス圧比ならびに形成された酸
窒化タンタル７１１（ＴａｚＯχＮｙＮ）のχ、ｙの値
ならびに酸窒化タンタル層の厚みは第１表に示すとおり
である。
実施例２
酸窒化タンタル層の形成にあたり、Ａ ｒ ｓ Ｏｔ、
Ｎ２のガス圧比を５：１：４に固定し、膜厚を２０゜人
から２．０００人まで変化させて酸窒化タンタル（Ｔａ
ｔＯχＮｙ）を成膜した以外は、実施例１と同様にして
エレクトロルミネセンス素子を作製した。なお、形成さ
れた酸窒化タンタル１１（ＴａｘＯχＮｙＦりの厚みな
らびにχ、ｙの値は第１表に示すとおりである。
Ｎ２のガス圧比を５：１：４に固定し、膜厚を２０゜人
から２．０００人まで変化させて酸窒化タンタル（Ｔａ
ｔＯχＮｙ）を成膜した以外は、実施例１と同様にして
エレクトロルミネセンス素子を作製した。なお、形成さ
れた酸窒化タンタル１１（ＴａｘＯχＮｙＦりの厚みな
らびにχ、ｙの値は第１表に示すとおりである。
比較例１
酸窒化タンタル層（ＴａｔＯｘＮｙ層）の形成を行わな
かったほかは実施例１と同様にしてエレクトロルミネセ
ンス素子を作製した。つまり、この比較例１のエレクト
ロルミネセンス素子は第３図に示すように従来構造のエ
レクトロルミネセンス素子であり、透明電極２２上に直
接Ｔ ａ 、ＯＳ膜からなる第１絶縁１ｉＷ２３が形成
されている。
かったほかは実施例１と同様にしてエレクトロルミネセ
ンス素子を作製した。つまり、この比較例１のエレクト
ロルミネセンス素子は第３図に示すように従来構造のエ
レクトロルミネセンス素子であり、透明電極２２上に直
接Ｔ ａ 、ＯＳ膜からなる第１絶縁１ｉＷ２３が形成
されている。
上記実施例１〜２および比較例１のエレクトロルミネセ
ンス素子に５ｋＨｚ、デユーティ５０％のパルス波を印
加し、発光開始電圧および発光開始電圧＋６０Ｖでの輝
度を測定した。その結果を第１表に示す。
ンス素子に５ｋＨｚ、デユーティ５０％のパルス波を印
加し、発光開始電圧および発光開始電圧＋６０Ｖでの輝
度を測定した。その結果を第１表に示す。
第１表における各実施例と比較例１との比較から明らか
なように、酸窒化タンタル層（Ｔａ、０ｘＮｙ層）を透
明電極と第１絶縁層との間に設けることにより、輝度（
発光開始電圧＋６０Ｖでの輝度）が大幅に増加し、発光
開始電圧は若干低くなった。
なように、酸窒化タンタル層（Ｔａ、０ｘＮｙ層）を透
明電極と第１絶縁層との間に設けることにより、輝度（
発光開始電圧＋６０Ｖでの輝度）が大幅に増加し、発光
開始電圧は若干低くなった。
さらに、印加できる最大電圧も増加する効果が認められ
た。
た。
こ窃ように、酸窒化タンタル層を透明電極と第１絶縁層
との間に設けることにより、エレクトロルミネセンス素
子の輝度が増加したのは、酸窒化タンタル層の形成によ
り、透明電極を構成する■Ｔｏの抵抗増加が防止された
ことと、リーク電流が減少したことによるものと考えら
れる。
との間に設けることにより、エレクトロルミネセンス素
子の輝度が増加したのは、酸窒化タンタル層の形成によ
り、透明電極を構成する■Ｔｏの抵抗増加が防止された
ことと、リーク電流が減少したことによるものと考えら
れる。
以上説明したように、本発明では、透明電極と第１ｔＩ
Ａ縁層との間に酸窒化タンタル層を設けたことにより、
透明電極の抵抗増加を防止し、かつリーク電流を低減し
て、高輝度のエレクトロルミネセンス素子を提供するこ
とができた。
Ａ縁層との間に酸窒化タンタル層を設けたことにより、
透明電極の抵抗増加を防止し、かつリーク電流を低減し
て、高輝度のエレクトロルミネセンス素子を提供するこ
とができた。
第１図は本発明のエレクトロルミネセンス素子の一例を
示す断面図であり、第２図は本発明のエレクトロルミネ
センス素子の他の例を示す断面図である。第３図は従来
のエレクトロルミネセンス素子を示す断面図である。 ｌ・・・透明基板、 ２・・・透明電極、 ３・・・酸
窒化タンタル層、 ４・・・第１絶縁層、 ５・・・発
光層、６・・・第２絶縁層、 ７・・・背面電極、 ９
・・・酸窒化タンタル層 第 １ 図 １・・・透明基板 ２・・・透明電極 ８・・・酸窒化タンタル層 ４・・・第１絶縁層 ５・・・発光層 ６・・・第２絶縁層 ７・・・背面電極 第 ２ 図 １・・・透明基板 ２・・・透明電極 ３・・・酸窒化タンタル層 ４・・・第１絶縁層 ５・・・発光層 ６・・・第２絶縁層 ７・・・背面電極 ９・・・酸窒化タンタル層
示す断面図であり、第２図は本発明のエレクトロルミネ
センス素子の他の例を示す断面図である。第３図は従来
のエレクトロルミネセンス素子を示す断面図である。 ｌ・・・透明基板、 ２・・・透明電極、 ３・・・酸
窒化タンタル層、 ４・・・第１絶縁層、 ５・・・発
光層、６・・・第２絶縁層、 ７・・・背面電極、 ９
・・・酸窒化タンタル層 第 １ 図 １・・・透明基板 ２・・・透明電極 ８・・・酸窒化タンタル層 ４・・・第１絶縁層 ５・・・発光層 ６・・・第２絶縁層 ７・・・背面電極 第 ２ 図 １・・・透明基板 ２・・・透明電極 ３・・・酸窒化タンタル層 ４・・・第１絶縁層 ５・・・発光層 ６・・・第２絶縁層 ７・・・背面電極 ９・・・酸窒化タンタル層
Claims (3)
- （１） 透明電極と背面電極との間に、第１絶縁層、発
光層および第２絶縁層を配置する薄膜型エレクトロルミ
ネセンス素子において、透明電極と第１絶縁層との間に
酸窒化タンタル層を設けたことを特徴とする薄膜型エレ
クトロルミネセンス素子。 - （２） 酸窒化タンタルの酸素と窒素の組成が、酸窒化
タンタルを化学式Ｔａ＿２Ｏ＿ｘＮ＿ｙで示すとき、ｘ
が２．４〜４．９で、ｙが０．０７〜１．６であること
を特徴とする請求項１記載の薄膜型エレクトロルミネセ
ンス素子。 - （３） 第２絶縁層と背面電極との間に酸窒化タンタル
層を設けたことを特徴とする請求項１記載の薄膜型エレ
クトロルミネセンス素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63044959A JPH01220393A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 薄膜型エレクトロルミネセンス素子 |
| US07/318,052 US4947081A (en) | 1988-02-26 | 1989-02-24 | Dual insulation oxynitride blocking thin film electroluminescence display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63044959A JPH01220393A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 薄膜型エレクトロルミネセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01220393A true JPH01220393A (ja) | 1989-09-04 |
Family
ID=12706019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63044959A Pending JPH01220393A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 薄膜型エレクトロルミネセンス素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4947081A (ja) |
| JP (1) | JPH01220393A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0410392A (ja) * | 1990-04-26 | 1992-01-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPH04368795A (ja) * | 1991-06-14 | 1992-12-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ内蔵薄膜ｅｌ素子 |
| EP0564709B1 (de) * | 1991-12-13 | 1996-01-24 | Balzers Aktiengesellschaft | Beschichtetes transparentes Substrat, Verwendung hiervon, Verfahren und Anlage zur Herstellung der Schichten, und Hafnium-Oxinitrid (HfOxNy) mit 1,5 x/y 3 und 2,6 n 2,8 |
| KR950034588A (ko) * | 1994-03-17 | 1995-12-28 | 오가 노리오 | 탄탈계 고유전체재료 및 고유전체막의 형성방법 및 반도체장치 |
| US6727148B1 (en) * | 1998-06-30 | 2004-04-27 | Lam Research Corporation | ULSI MOS with high dielectric constant gate insulator |
| US6392153B1 (en) * | 1998-12-18 | 2002-05-21 | Equistar Chemicals, Lp | Electrical conductive assembly |
| US6373174B1 (en) * | 1999-12-10 | 2002-04-16 | Motorola, Inc. | Field emission device having a surface passivation layer |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0141116B1 (en) * | 1983-10-25 | 1989-02-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film light emitting element |
| US4721631A (en) * | 1985-02-14 | 1988-01-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing thin-film electroluminescent display panel |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP63044959A patent/JPH01220393A/ja active Pending
-
1989
- 1989-02-24 US US07/318,052 patent/US4947081A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4947081A (en) | 1990-08-07 |
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