JPH01221725A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH01221725A JPH01221725A JP4729288A JP4729288A JPH01221725A JP H01221725 A JPH01221725 A JP H01221725A JP 4729288 A JP4729288 A JP 4729288A JP 4729288 A JP4729288 A JP 4729288A JP H01221725 A JPH01221725 A JP H01221725A
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- liquid crystal
- film
- crystal display
- vacuum
- display device
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、液晶表示装置に関する。さらに詳しくは、
液晶表示装置の液晶分子配向膜に関し、ことに非線形素
子を各表示絵素に付加したいわゆるアクティブ・マトリ
ックス型液晶表示装置や強誘電性液晶表示装緻における
液晶分子配向膜の改良に関するものである。
液晶表示装置の液晶分子配向膜に関し、ことに非線形素
子を各表示絵素に付加したいわゆるアクティブ・マトリ
ックス型液晶表示装置や強誘電性液晶表示装緻における
液晶分子配向膜の改良に関するものである。
（ロ）従来の技術
従来、液晶表示装置に於ける液晶分子配向膜は、実用レ
ベルとしては、５ｔｏｐ、ｓｉｏ等の無機薄膜らしくは
ポリイミド、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等の有機
高分子膜を電極基板面上に形成し、この表面を、ナイロ
ンやポリエステル等の繊維を植毛したいわゆる琢磨布で
こする方法、すなわちラビング法や、ＳｉＯを電極基板
面上に真空斜方蒸着する斜方蒸着法で形成されている［
松浦・小林著 表面科学 第４巻 ３号 第１頁（１９
８３）。］ （ハ）発明が解決しようとする課題 しかし、従来のラビング法による液晶分子配向膜におい
ては、無機薄膜や有機高分子膜の形成法がその原料溶液
をスピンコード法もしくはロールコータ−等により印刷
し、加熱や乾燥する方法であって何れら溶剤を用いる必
要があり、かつ、その溶剤がＮ−メチルピロリドン、ジ
メチルアセテート、ジメチルホルムアミド、γ−ブチル
ラクトン等の極性溶媒であり、そのものの純度を高める
のが困難なものである。従って、得られた配向膜に不純
物が持込まれ易く、仮にこれら溶媒の高純度品が得られ
たとしても、原料溶液調製工程時等で周囲の不純物を溶
かし込み易く溶媒純度に見合う高純度の配向膜を得るこ
とは困難であった。
ベルとしては、５ｔｏｐ、ｓｉｏ等の無機薄膜らしくは
ポリイミド、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等の有機
高分子膜を電極基板面上に形成し、この表面を、ナイロ
ンやポリエステル等の繊維を植毛したいわゆる琢磨布で
こする方法、すなわちラビング法や、ＳｉＯを電極基板
面上に真空斜方蒸着する斜方蒸着法で形成されている［
松浦・小林著 表面科学 第４巻 ３号 第１頁（１９
８３）。］ （ハ）発明が解決しようとする課題 しかし、従来のラビング法による液晶分子配向膜におい
ては、無機薄膜や有機高分子膜の形成法がその原料溶液
をスピンコード法もしくはロールコータ−等により印刷
し、加熱や乾燥する方法であって何れら溶剤を用いる必
要があり、かつ、その溶剤がＮ−メチルピロリドン、ジ
メチルアセテート、ジメチルホルムアミド、γ−ブチル
ラクトン等の極性溶媒であり、そのものの純度を高める
のが困難なものである。従って、得られた配向膜に不純
物が持込まれ易く、仮にこれら溶媒の高純度品が得られ
たとしても、原料溶液調製工程時等で周囲の不純物を溶
かし込み易く溶媒純度に見合う高純度の配向膜を得るこ
とは困難であった。
さらに琢磨布によるラビング処理においては琢磨布の随
毛用接着剤や安定剤、染料及び植毛自身の断片等が無機
薄膜や有機高分子膜に取り込まれたり付着し易く、配向
膜の表面を汚染するとともにダスト付着の大きな原因と
なっていた。
毛用接着剤や安定剤、染料及び植毛自身の断片等が無機
薄膜や有機高分子膜に取り込まれたり付着し易く、配向
膜の表面を汚染するとともにダスト付着の大きな原因と
なっていた。
これらの表面汚染及びダスト付着は、通常の液晶表示装
置においてできるだけ避けろべきであるが、ことに、い
わゆるアクティブ・マトリックス型液晶表示装置［金子
晋 画象電子学会誌 第１４巻 ４号 ２４７頁（１９
８５）コにおいては致命的な表示特性劣化をもたらす。
置においてできるだけ避けろべきであるが、ことに、い
わゆるアクティブ・マトリックス型液晶表示装置［金子
晋 画象電子学会誌 第１４巻 ４号 ２４７頁（１９
８５）コにおいては致命的な表示特性劣化をもたらす。
すなわち、表面汚染は、アクティブ・マトリックス液晶
表示装置にとって必要な電荷保［ｉ能を低減さ仕る（液
晶の比抵抗を低下さける）とともに液晶層と接する界面
Ｍ１位を変動さ仕るからである。そして、その結果、表
示コントラストの低下や表示の不均一化という表示特性
の品位低下をもたらすことになる。また、ダスト付着も
表示欠陥を発生さける原因となるとともにこのダストが
池のフォトリソグラフィ工程の歩留低下の原因ともなる
。
表示装置にとって必要な電荷保［ｉ能を低減さ仕る（液
晶の比抵抗を低下さける）とともに液晶層と接する界面
Ｍ１位を変動さ仕るからである。そして、その結果、表
示コントラストの低下や表示の不均一化という表示特性
の品位低下をもたらすことになる。また、ダスト付着も
表示欠陥を発生さける原因となるとともにこのダストが
池のフォトリソグラフィ工程の歩留低下の原因ともなる
。
一方、従来の斜方蒸着法による液晶分子配向膜において
は、蒸着源が点状であるため、液晶分子配向かその蒸着
方向又はそれに直交した方向に制約され、特に大面積の
基板に対して一方向の方位付けを行うことが困難であり
、もし行うとすれば非常に大きな設備となり、真空のた
めの排気系ら膨大な乙のとなり、経済性を満足さ仕るこ
とができないという問題点があった。
は、蒸着源が点状であるため、液晶分子配向かその蒸着
方向又はそれに直交した方向に制約され、特に大面積の
基板に対して一方向の方位付けを行うことが困難であり
、もし行うとすれば非常に大きな設備となり、真空のた
めの排気系ら膨大な乙のとなり、経済性を満足さ仕るこ
とができないという問題点があった。
この発明は、かかる状況下なされたものであり、ことに
、表面汚染やダスト付着が防止できしかも大面積基板に
対して簡便に形成できる液晶分子配向膜を備えた液晶表
示装置を提供しようとする乙のである。
、表面汚染やダスト付着が防止できしかも大面積基板に
対して簡便に形成できる液晶分子配向膜を備えた液晶表
示装置を提供しようとする乙のである。
（ニ）課題を解決するための手段
この発明は上記課題を解決すべく、液晶表示装置の液晶
分子配向膜として、いわゆる真空重合により形成される
高分子膜を用い、これに斜め方向からスパッタリング処
理をし液晶分子に対して方位付けをする手段を行ったこ
とを特徴とするものである。
分子配向膜として、いわゆる真空重合により形成される
高分子膜を用い、これに斜め方向からスパッタリング処
理をし液晶分子に対して方位付けをする手段を行ったこ
とを特徴とするものである。
なお、有機高分子膜の表面に斜め方向からスパッタリン
グ処理して配向膜とすることができることは従来から知
られている（特開昭６１−２６７０２６号公報）が、真
空重合高分子膜にかかるスパッタリング処理を行うこと
は本発明者が知る限り全く知られていない。
グ処理して配向膜とすることができることは従来から知
られている（特開昭６１−２６７０２６号公報）が、真
空重合高分子膜にかかるスパッタリング処理を行うこと
は本発明者が知る限り全く知られていない。
この発明の液晶表示装置は、通常のセグメント型やマト
リックス型の表示装置であってもよいが、ａ−Ｓ ｉ％
ｐ−Ｓ ｉ、 ＣｄＳｅ５ Ｔｅ、 ＣｄＳ等の単導体
薄膜を用いた薄膜トランジスタもしくは、ａ−Ｓ ｔ、
Ｓ ｉＮｘ、Ｔａ＊Ｏｓｑバリスター、ＡｓＳｅ等の半
導体薄膜を用いた薄膜ダイオードを各表示絵素に付加し
たアクティブ・マトリックス型の液晶表示装置とした場
合に、とくに優れた効果が発揮されるため好ましい。ま
た、表面電位の存在が特に配向状態に影響を強く及ぼす
強誘電性液晶表示素子（Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ
Ｊ６．８９９（１９８０）。
リックス型の表示装置であってもよいが、ａ−Ｓ ｉ％
ｐ−Ｓ ｉ、 ＣｄＳｅ５ Ｔｅ、 ＣｄＳ等の単導体
薄膜を用いた薄膜トランジスタもしくは、ａ−Ｓ ｔ、
Ｓ ｉＮｘ、Ｔａ＊Ｏｓｑバリスター、ＡｓＳｅ等の半
導体薄膜を用いた薄膜ダイオードを各表示絵素に付加し
たアクティブ・マトリックス型の液晶表示装置とした場
合に、とくに優れた効果が発揮されるため好ましい。ま
た、表面電位の存在が特に配向状態に影響を強く及ぼす
強誘電性液晶表示素子（Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ
Ｊ６．８９９（１９８０）。
Ｎ、Ａ、Ｃ１ａｒｋおよびＳ、Ｔ、Ｌａｇｅｒｗａｌｌ
）においても、この発明は効果を発揮するため好ましい
。
）においても、この発明は効果を発揮するため好ましい
。
この発明における真空重合高分子膜は、高分子形成モノ
マーを直接電極基板面上に蒸着し、そこで重合させる、
いわゆる真空重合法により形成される高分子膜を意味す
る。より具体的には、例えば、ポリアミド、ポリイミド
、ポリ尿素、ポリウレタン、ナイロン等の縮合重合高分
子の各々の対応するモノマーを真空雰囲気下で加熱蒸発
させて電極基板面に付着させつつ、あるいは付着後に加
熱して縮合重合を進行させる方法によって得られる高分
子膜を意味し、その−例は、「真空蒸着重合による芳香
族ポリイミド膜の合成」、高橋等。
マーを直接電極基板面上に蒸着し、そこで重合させる、
いわゆる真空重合法により形成される高分子膜を意味す
る。より具体的には、例えば、ポリアミド、ポリイミド
、ポリ尿素、ポリウレタン、ナイロン等の縮合重合高分
子の各々の対応するモノマーを真空雰囲気下で加熱蒸発
させて電極基板面に付着させつつ、あるいは付着後に加
熱して縮合重合を進行させる方法によって得られる高分
子膜を意味し、その−例は、「真空蒸着重合による芳香
族ポリイミド膜の合成」、高橋等。
ＪＪａｃ、Ｓｃｉ、Ｔｅｃｈｎｏｌ、Ａ ５巻（４）、
２２５３〜２２５６頁、Ｊｕｌ／Ａｕｇ （１９ｇ？）
に示される。これらのうち、芳香族ポリアミド芳香族ポ
リイミド、芳香族ポリ尿素、芳香族ポリウレタン等の芳
香族基含有の高分子膜を用いるのが耐熱性の点で好まし
く、これらのうち芳香族ポリイミドを用いるのが電気絶
縁性の点でさらに好ましい。かかる芳香族ポリイミドは
、トリメリット酸やピロメリット酸等の芳香族多カルボ
ン酸と、ジアミノフェニルエーテル、ジアミノジフェニ
ルエーテル等の芳香族ジアミンとを蒸着用モノマーとし
て用いこれらを基板面上に蒸着して低縮合物であるポリ
アミック酸を主体とする蒸着膜を形成し、次いで基板を
加熱してポリイミドとすることにより製造できる。いず
れに仕上、かかる真空重合法によれば、溶媒を全く用い
ることなく高分子膜を造膜できる。
２２５３〜２２５６頁、Ｊｕｌ／Ａｕｇ （１９ｇ？）
に示される。これらのうち、芳香族ポリアミド芳香族ポ
リイミド、芳香族ポリ尿素、芳香族ポリウレタン等の芳
香族基含有の高分子膜を用いるのが耐熱性の点で好まし
く、これらのうち芳香族ポリイミドを用いるのが電気絶
縁性の点でさらに好ましい。かかる芳香族ポリイミドは
、トリメリット酸やピロメリット酸等の芳香族多カルボ
ン酸と、ジアミノフェニルエーテル、ジアミノジフェニ
ルエーテル等の芳香族ジアミンとを蒸着用モノマーとし
て用いこれらを基板面上に蒸着して低縮合物であるポリ
アミック酸を主体とする蒸着膜を形成し、次いで基板を
加熱してポリイミドとすることにより製造できる。いず
れに仕上、かかる真空重合法によれば、溶媒を全く用い
ることなく高分子膜を造膜できる。
上記真空重合膜の表面を斜方スパッタリング処理するこ
とにより、この発明の液晶分子配向膜が得られる。ここ
で斜方スパッタリング処理とは、酸素ガスの雰囲下で、
酸素と結合して安定な絶縁性酸化物を形成しうる金属イ
オンを被処理面方向にスパッタリングし、かつこのスパ
ッタリング方向を被処理面に対し垂直ではなく傾斜させ
ることにより、被処理面上に金属酸化物からなる多数の
線状かつ＃ｉ斜状の微細な突起部を形成する処理を意味
する。ここでスパッタリング方向の傾斜は、４５°〜９
０°の範囲に設定して行うのが適しており、酸素ガス圧
はｏ、ｏａｔ〜Ｏ，１ｔｏｒｒとするのが適している。
とにより、この発明の液晶分子配向膜が得られる。ここ
で斜方スパッタリング処理とは、酸素ガスの雰囲下で、
酸素と結合して安定な絶縁性酸化物を形成しうる金属イ
オンを被処理面方向にスパッタリングし、かつこのスパ
ッタリング方向を被処理面に対し垂直ではなく傾斜させ
ることにより、被処理面上に金属酸化物からなる多数の
線状かつ＃ｉ斜状の微細な突起部を形成する処理を意味
する。ここでスパッタリング方向の傾斜は、４５°〜９
０°の範囲に設定して行うのが適しており、酸素ガス圧
はｏ、ｏａｔ〜Ｏ，１ｔｏｒｒとするのが適している。
スパッタリング材料としては種々の金属が適用可能であ
るが、チタン、バナジウム、タンタル等が酸化物を形成
した際に誘電率が高く、液晶分子との相互作用の点で好
ましい。またスパッタリング時間は通常、２〜２０分程
度が適しており、液晶分子のプレチルト角と相関を有し
ており、高いプレチルト角を得るためには長い時間が好
ましい。
るが、チタン、バナジウム、タンタル等が酸化物を形成
した際に誘電率が高く、液晶分子との相互作用の点で好
ましい。またスパッタリング時間は通常、２〜２０分程
度が適しており、液晶分子のプレチルト角と相関を有し
ており、高いプレチルト角を得るためには長い時間が好
ましい。
なお、上記スパッタリング方向の傾斜は、被処理面に対
し９０°の位置にターゲットを配置し、この間隔を増減
すること１こより調整するのが適している。この場合、
ターゲットからのスパッタリング材料が同じ角度で基板
へ照射しかつ基・仮全体に処理できろように、位置固定
されたスリットを有する遮閉仮を用い、このスリットを
介して基板の被処理面を走査さけつつスパッタリング処
理するのが好ましい。
し９０°の位置にターゲットを配置し、この間隔を増減
すること１こより調整するのが適している。この場合、
ターゲットからのスパッタリング材料が同じ角度で基板
へ照射しかつ基・仮全体に処理できろように、位置固定
されたスリットを有する遮閉仮を用い、このスリットを
介して基板の被処理面を走査さけつつスパッタリング処
理するのが好ましい。
かかる斜方スパッタリング処理により形成される上記の
線状突起部は液晶分子を一定方向に配向させるよう働く
ため、ラビング処理等を行うことなく、液晶分子の方位
とプレチルト角が制御された配向膜が得られることとな
る。
線状突起部は液晶分子を一定方向に配向させるよう働く
ため、ラビング処理等を行うことなく、液晶分子の方位
とプレチルト角が制御された配向膜が得られることとな
る。
このようにして配向膜が形成された電極基板を組合わせ
、この間に液晶化合物層を封入し常法に従って偏光板等
の取り付けを行うことにより、この発明の液晶表示装置
が得られる。
、この間に液晶化合物層を封入し常法に従って偏光板等
の取り付けを行うことにより、この発明の液晶表示装置
が得られる。
（ホ）作用
配向膜のベースとなる真空重合高分子膜は、溶媒等を用
いず真空下で直接基板面上に形成されたものゆえ、不純
物の混在が著しく減少されたものである。
いず真空下で直接基板面上に形成されたものゆえ、不純
物の混在が著しく減少されたものである。
また、液晶分子配向のための分子の方向の方位付け・に
関しては、ラビング法ではなく斜方スパブタ処理により
行われるため、得られた配向膜はダストフリーで清浄な
配向面を有する。そして、このようにして形成された配
向膜は、液晶表示特性に悪影響を与えることなく、液晶
分子を所定の方位に配向するよう作用する （へ）実施例 ピロメリット酸無水物（Ｐｙｒｏｍｅｌｌ ｉｔ １ｃ
ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）及び４．４′−ジアミノジフ
ェニルエーテルをポリイミド膜形成モノマーとして用い
、るつぼに入れた状態で液晶表示装置用の基板（１，１
肩ｌ厚コ一ニング社７０５９Ｆ型ガラス）ととらに蒸着
用真空チャンバー中に入れ１０−’ｔｏｒｒの真空度に
なる様に排気した。この時モノマーは、ピロメリット酸
無水物を１８０℃、ジアミノジフェニルエーテルを１６
０℃となる様に加熱ヒーターにより昇温した。なお、こ
の実施例では電極基板は加熱をせず常温（２５℃）とし
た。この状態を第３図左部に示した。図中、ｌは、ピロ
メリット酸無水物を、２はジアミノジフェニルエーテル
を、３は、電極基板を、４は蒸着用真空チャンバーを、
５は基板加熱ヒータを、６は水平移動可能な基板縁部支
持トレイを、１１は排気系を、２２は蒸着用加熱ヒータ
を各々示すものである。
関しては、ラビング法ではなく斜方スパブタ処理により
行われるため、得られた配向膜はダストフリーで清浄な
配向面を有する。そして、このようにして形成された配
向膜は、液晶表示特性に悪影響を与えることなく、液晶
分子を所定の方位に配向するよう作用する （へ）実施例 ピロメリット酸無水物（Ｐｙｒｏｍｅｌｌ ｉｔ １ｃ
ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）及び４．４′−ジアミノジフ
ェニルエーテルをポリイミド膜形成モノマーとして用い
、るつぼに入れた状態で液晶表示装置用の基板（１，１
肩ｌ厚コ一ニング社７０５９Ｆ型ガラス）ととらに蒸着
用真空チャンバー中に入れ１０−’ｔｏｒｒの真空度に
なる様に排気した。この時モノマーは、ピロメリット酸
無水物を１８０℃、ジアミノジフェニルエーテルを１６
０℃となる様に加熱ヒーターにより昇温した。なお、こ
の実施例では電極基板は加熱をせず常温（２５℃）とし
た。この状態を第３図左部に示した。図中、ｌは、ピロ
メリット酸無水物を、２はジアミノジフェニルエーテル
を、３は、電極基板を、４は蒸着用真空チャンバーを、
５は基板加熱ヒータを、６は水平移動可能な基板縁部支
持トレイを、１１は排気系を、２２は蒸着用加熱ヒータ
を各々示すものである。
このようにして約２分間蒸着を行い、電極基板面上（下
面）に上記各モノマー及びこれらの低縮合物であるポリ
アミック酸を主体とする約１５００人の膜を形成した。
面）に上記各モノマー及びこれらの低縮合物であるポリ
アミック酸を主体とする約１５００人の膜を形成した。
次いで、この基板を２００℃で３０分熱処理することに
より、上記膜を真空重合ポリイミド膜に変換させた。
より、上記膜を真空重合ポリイミド膜に変換させた。
この後、トレイ６を移動することにより電極基板３を、
第３図に右部に示すように隣接するスパッタリング用真
空チャンバー７内へ移した。ここて真空チャンバー７は
蒸着用真空チャンバー４と一体化されており、ゲートパ
ルプ８を介してこれら両チャンバー４．７間で基板支持
トレイ６は水平移動可能に構成されている。また、図中
、２０はスリットを有する遮閉板であり、電極基板面に
９０’の位置に設置されたターゲットＩＯからのスペッ
クリング方向のうち、一定の角度（図中、矢印）のスパ
ッタリングイオン又は材料がこのスリットを介して電極
基板３のポリイミド膜面上に照射されるよう調整するも
のである。また２１はスパッタリング用電源を示すもの
である。
第３図に右部に示すように隣接するスパッタリング用真
空チャンバー７内へ移した。ここて真空チャンバー７は
蒸着用真空チャンバー４と一体化されており、ゲートパ
ルプ８を介してこれら両チャンバー４．７間で基板支持
トレイ６は水平移動可能に構成されている。また、図中
、２０はスリットを有する遮閉板であり、電極基板面に
９０’の位置に設置されたターゲットＩＯからのスペッ
クリング方向のうち、一定の角度（図中、矢印）のスパ
ッタリングイオン又は材料がこのスリットを介して電極
基板３のポリイミド膜面上に照射されるよう調整するも
のである。また２１はスパッタリング用電源を示すもの
である。
スパッタリング用真空チャンバー７へ基板を移した後、
ゲートバルブ８を閉じ、チャンバー内を１０−’ｔｏｒ
ｒまで排気し、酸素ガスを１０−”ｔｏｒｒになるまで
導入した状態で、ターゲットＩＯによりスリット２０を
介して斜方スパッタリング処理（放電電圧２．５ＫＶ）
を行った。スパッタリング処理時間は、５分とし、スパ
ッタリングの間、電極基板３をターゲットの方向へ走査
してポリイミド膜全面の処理を行った。
ゲートバルブ８を閉じ、チャンバー内を１０−’ｔｏｒ
ｒまで排気し、酸素ガスを１０−”ｔｏｒｒになるまで
導入した状態で、ターゲットＩＯによりスリット２０を
介して斜方スパッタリング処理（放電電圧２．５ＫＶ）
を行った。スパッタリング処理時間は、５分とし、スパ
ッタリングの間、電極基板３をターゲットの方向へ走査
してポリイミド膜全面の処理を行った。
このようにして得られた配向膜の模式図を第２図に示し
、この配向膜を用いて構成したこの発明のアクティブ・
マトリックス型カラー液晶表示装置を第１図に示した。
、この配向膜を用いて構成したこの発明のアクティブ・
マトリックス型カラー液晶表示装置を第１図に示した。
第２図に示すように配向膜は真空重合ポリイミド膜１２
と斜方スパッタリング処理により、この上に傾斜状に形
成された酸化チタンによる多数の配向用線状突起部１４
からなる。なお、１６は電極基板３における透明電極を
、１７は液晶を示すものである。
と斜方スパッタリング処理により、この上に傾斜状に形
成された酸化チタンによる多数の配向用線状突起部１４
からなる。なお、１６は電極基板３における透明電極を
、１７は液晶を示すものである。
一方、第１図において、アクティブ・マトリックス型カ
ラー液晶表示装置は、薄膜トランジスタアレイ１５、透
明電極１６及び上記配向膜１３を有する下側の電極基板
と、透明電極１６及び上記配向＠１３を有する上側の電
極基板（配向方向は互いに直交）との間に液晶１７をね
じれ配向して封入してなる。なお、１８は駆動回路、１
９はシール材、３０は偏光板、３１はカラーフィルタを
各々示すものである。このような、液晶表示装置におい
て、液晶表示を行ったところ、表示コントラストが５０
：ｌの良好な、しかもディスクリネーションのない配向
の均一な表示特性が得られた。
ラー液晶表示装置は、薄膜トランジスタアレイ１５、透
明電極１６及び上記配向膜１３を有する下側の電極基板
と、透明電極１６及び上記配向＠１３を有する上側の電
極基板（配向方向は互いに直交）との間に液晶１７をね
じれ配向して封入してなる。なお、１８は駆動回路、１
９はシール材、３０は偏光板、３１はカラーフィルタを
各々示すものである。このような、液晶表示装置におい
て、液晶表示を行ったところ、表示コントラストが５０
：ｌの良好な、しかもディスクリネーションのない配向
の均一な表示特性が得られた。
なお、使用した液晶材料は、メルク社のＺＬＩ：（０２
１−ＯＱＱ型のものであり、液晶層厚は５μｍでＴＮモ
ードを用いている。
１−ＯＱＱ型のものであり、液晶層厚は５μｍでＴＮモ
ードを用いている。
（ト）発明の効果
この発明の液晶表示装置によれば、配向膜からの液晶化
合物層への不純物やダストの混入が大幅に減少できるの
で、表示品位の優れた液晶表示を行うことができる。
合物層への不純物やダストの混入が大幅に減少できるの
で、表示品位の優れた液晶表示を行うことができる。
また、配向処理が斜方スパッタリング処理によってなさ
れているため、例えば、電極基板を可動トレイに載せて
処理することができ、その結果大面積の電極基板の配向
処理が簡便に行え、製造上の点からも、従来のラビング
法や斜め蒸着法に比して有利である。
れているため、例えば、電極基板を可動トレイに載せて
処理することができ、その結果大面積の電極基板の配向
処理が簡便に行え、製造上の点からも、従来のラビング
法や斜め蒸着法に比して有利である。
そして、ことに不純物やダスト混入による表示品位の低
下がなく信頼性に優れ、しかも量産性に優れた経済性の
あるアクティブ・マトリックス型液晶表示装置や強誘電
性液晶表示装置を実現化する乙のである。
下がなく信頼性に優れ、しかも量産性に優れた経済性の
あるアクティブ・マトリックス型液晶表示装置や強誘電
性液晶表示装置を実現化する乙のである。
第１図は、この発明の一実施例のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置を示す構成説明図、第２図は
、この発明の液晶表示装置に用いろ電Ｉ基板上の配向膜
を示す模式図、第３図は、この発明の液晶表示装置に用
いる電極基板の配向処理を示す工程説明図である。 ３・・・・・・電極基板、 １２・・・・・・真空重合ポリイミド膜、１３・・・・
・・配向膜、 １４・・・・・・配向用線状突起部、 １５・・・・・・薄膜トランジスタアレイ、１６・・・
・・・透明電極、 ！７・・・・・・液晶、 １８・・・・・・駆動回路
、１９・・・・・・シール材、３０・・・・・・偏光板
、３１・・二・・カラーフィルタ。 第１ 図 ｂ 第３図
クス型カラー液晶表示装置を示す構成説明図、第２図は
、この発明の液晶表示装置に用いろ電Ｉ基板上の配向膜
を示す模式図、第３図は、この発明の液晶表示装置に用
いる電極基板の配向処理を示す工程説明図である。 ３・・・・・・電極基板、 １２・・・・・・真空重合ポリイミド膜、１３・・・・
・・配向膜、 １４・・・・・・配向用線状突起部、 １５・・・・・・薄膜トランジスタアレイ、１６・・・
・・・透明電極、 ！７・・・・・・液晶、 １８・・・・・・駆動回路
、１９・・・・・・シール材、３０・・・・・・偏光板
、３１・・二・・カラーフィルタ。 第１ 図 ｂ 第３図
Claims (1)
- １、液晶分子配向膜を有する一対の電極間に液晶化合物
層を挾持してなり、この液晶化合物層に電界を印加した
際に生じる液晶分子配向変形による電気光学的変化を表
示に利用できるよう構成された液晶表示装置において、
液晶分子配向膜が、真空重合高分子膜からなり、かつそ
の膜表面が斜方スパッタリング処理されていることを特
徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4729288A JPH01221725A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4729288A JPH01221725A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01221725A true JPH01221725A (ja) | 1989-09-05 |
Family
ID=12771204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4729288A Pending JPH01221725A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01221725A (ja) |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP4729288A patent/JPH01221725A/ja active Pending
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