JPH01223780A - 発光ダイオード素子 - Google Patents
発光ダイオード素子Info
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- JPH01223780A JPH01223780A JP63049279A JP4927988A JPH01223780A JP H01223780 A JPH01223780 A JP H01223780A JP 63049279 A JP63049279 A JP 63049279A JP 4927988 A JP4927988 A JP 4927988A JP H01223780 A JPH01223780 A JP H01223780A
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- Japan
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- light emitting
- semiconductor light
- silicon nitride
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- Pending
Links
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Landscapes
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- Led Device Packages (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、窒化ケイ素又はポリイミドからなるパシベー
ション層を有し、高輝度な可視発光ダイオードの形成に
好適な発光ダイオード素子に関する。
ション層を有し、高輝度な可視発光ダイオードの形成に
好適な発光ダイオード素子に関する。
従来の技術及び課題
従来、ＡｌＧａＡｓ系半導体発光素子の上に石英ガラス
からなるパシベーション層を設け、その上に透明性エポ
キシ樹脂からなる半球状層を設けてなる可視系の発光ダ
イオード素子が知られていた。
からなるパシベーション層を設け、その上に透明性エポ
キシ樹脂からなる半球状層を設けてなる可視系の発光ダ
イオード素子が知られていた。
しかしながら、光取出し効率に乏しく輝度の点で満足で
きない問題点があった。
きない問題点があった。
課題を解決するための手段
本発明は、パシベーション層を窒化ケイ素又はポリイミ
ドで形成することにより上記の課題を克服したものであ
る。
ドで形成することにより上記の課題を克服したものであ
る。
すなわち、本発明は、半導体発光素子の上に透光性材料
からなる複数の透明被覆層を外表面に向かい屈折率が小
さくなる順序で設けてなる高輝度な発光ダイオードを形
成するための素子であり、かつ半導体発光素子に最寄り
の透明被覆層として窒化ケイ素又はポリイミドからなる
薄層を有することを特徴とする発光ダイオード素子を提
供するものである。
からなる複数の透明被覆層を外表面に向かい屈折率が小
さくなる順序で設けてなる高輝度な発光ダイオードを形
成するための素子であり、かつ半導体発光素子に最寄り
の透明被覆層として窒化ケイ素又はポリイミドからなる
薄層を有することを特徴とする発光ダイオード素子を提
供するものである。
作用
半導体発光素子の上に透光性材料からなる複数の透明被
覆層を外表面に向かい屈折率が小さくなる順序で設ける
ことにより、被覆層界面での全反射による透光量の損失
を低減できて、高輝度な発光ダイオードの形成が可能と
なる。また、半導体発光素子に最寄りの透明被覆層を窒
化ケイ素又はポリイミドの薄層で形成することにより、
屈折率の高いパシベーション層を形成することができて
光取出し効率の向上をはかることができ、高輝度な可視
発光ダイオードの形成が可能となる。
覆層を外表面に向かい屈折率が小さくなる順序で設ける
ことにより、被覆層界面での全反射による透光量の損失
を低減できて、高輝度な発光ダイオードの形成が可能と
なる。また、半導体発光素子に最寄りの透明被覆層を窒
化ケイ素又はポリイミドの薄層で形成することにより、
屈折率の高いパシベーション層を形成することができて
光取出し効率の向上をはかることができ、高輝度な可視
発光ダイオードの形成が可能となる。
実施例
図は本発明の一実施例を示したものであり、１は半導体
発光素子、２は窒化ケイ素からなる透明な薄層、３はポ
リイミドからなる透明な薄層、４は臭素化エポキシ樹脂
からなる透明層である。
発光素子、２は窒化ケイ素からなる透明な薄層、３はポ
リイミドからなる透明な薄層、４は臭素化エポキシ樹脂
からなる透明層である。
半導体発光素子１は、ＡｌＧａＡｓ系半導体発光素子か
らなる。窒化ケイ素層２は、半導体発光素子ｌの直上に
設けられており、ポリイミド層３は、窒化ケイ素層２の
上に設けられている。臭素化エポキシ樹脂層４は、ポリ
イミド層３の上に設けられており、レンズ機能をもたせ
るべく注型法で半球状に形成されている。
らなる。窒化ケイ素層２は、半導体発光素子ｌの直上に
設けられており、ポリイミド層３は、窒化ケイ素層２の
上に設けられている。臭素化エポキシ樹脂層４は、ポリ
イミド層３の上に設けられており、レンズ機能をもたせ
るべく注型法で半球状に形成されている。
前記した実施例のように本発明の発光ダイオード素子は
、半導体発光素子の上に透光性材料からなる複数の透明
被覆層を外表面に向かい屈折率が小さくなる順序で設け
たものよりなる。ちなみに通常、窒化ケイ素層２は２．
０〜２．６、ポリイミド層３は約１．７８、臭素化エポ
キシ樹脂層４は杓１．６５の屈折率を有する。
、半導体発光素子の上に透光性材料からなる複数の透明
被覆層を外表面に向かい屈折率が小さくなる順序で設け
たものよりなる。ちなみに通常、窒化ケイ素層２は２．
０〜２．６、ポリイミド層３は約１．７８、臭素化エポ
キシ樹脂層４は杓１．６５の屈折率を有する。
また、本発明の発光ダイオード素子は、高屈折率のパシ
ベーション層を形成すべく、半導体発光素子に最寄りの
透明被覆層を窒化ケイ素又はポリイミドからなる薄層で
形成したものである。窒化ケイ素の薄層は、ＣＶＤ法や
スパッタリング法などにより形成することができ、ポリ
イミドの薄層はスピンオン法などにより形成することが
できる。
ベーション層を形成すべく、半導体発光素子に最寄りの
透明被覆層を窒化ケイ素又はポリイミドからなる薄層で
形成したものである。窒化ケイ素の薄層は、ＣＶＤ法や
スパッタリング法などにより形成することができ、ポリ
イミドの薄層はスピンオン法などにより形成することが
できる。
薄層の厚さはそれぞれ２〜ｌＯ−が一般である。その厚
さが２四未満では、光取出し効率の向上に寄与しないし
、１０ｕｍを超えると内部応力によりクラックを生じる
場合がある。設ける薄層は上記の実施例のように、窒化
ケイ素層及びポリイミド層の両方であってもよいし、そ
のいずれか一方のみであってもよい。両方を設ける場合
、屈折率の大きい窒化ケイ素層がポリイミド層よりも半
導体発光素子に近い側とされる。
さが２四未満では、光取出し効率の向上に寄与しないし
、１０ｕｍを超えると内部応力によりクラックを生じる
場合がある。設ける薄層は上記の実施例のように、窒化
ケイ素層及びポリイミド層の両方であってもよいし、そ
のいずれか一方のみであってもよい。両方を設ける場合
、屈折率の大きい窒化ケイ素層がポリイミド層よりも半
導体発光素子に近い側とされる。
窒化ケイ素又はポリイミドからなる薄層の上には、下層
を形成する窒化ケイ素又はポリイミドよりも屈折率の小
さい透光性材料からなる透明被覆層が注型法等の適宜な
方法で設けられる。この透明被覆層は単層であってもよ
いし、複層であってもよい。複層とする場合にもそれら
の屈折率が外表面に向かい小さくなるように設けられる
。透光性材料としてはエポキシ樹脂、スチレン樹脂、メ
タクリル樹脂、ポリカーボネートなどのように透光性に
優れるものが好ましく用いられる。また、各層の屈折率
差が小さくなるような組合せが反射損を少なくする上で
好ましい。上記実施例の臭素化エポキシ樹脂層４は、通
例のエポキシ樹脂に難燃剤などとして用いられる臭素化
エポキシ化合物を配合して屈折率を高めたものよりなる
。さらに、窒化ケイ素又はポリイミドからなる薄層の上
に設ける透明被覆層の最外層は輝度の点より、半球状に
形成してレンズ機能をもたせることが好ましい。
を形成する窒化ケイ素又はポリイミドよりも屈折率の小
さい透光性材料からなる透明被覆層が注型法等の適宜な
方法で設けられる。この透明被覆層は単層であってもよ
いし、複層であってもよい。複層とする場合にもそれら
の屈折率が外表面に向かい小さくなるように設けられる
。透光性材料としてはエポキシ樹脂、スチレン樹脂、メ
タクリル樹脂、ポリカーボネートなどのように透光性に
優れるものが好ましく用いられる。また、各層の屈折率
差が小さくなるような組合せが反射損を少なくする上で
好ましい。上記実施例の臭素化エポキシ樹脂層４は、通
例のエポキシ樹脂に難燃剤などとして用いられる臭素化
エポキシ化合物を配合して屈折率を高めたものよりなる
。さらに、窒化ケイ素又はポリイミドからなる薄層の上
に設ける透明被覆層の最外層は輝度の点より、半球状に
形成してレンズ機能をもたせることが好ましい。
本発明の発光ダイオード素子は赤外発光グイオードの形
成にも用いうるが、可視発光ダイオードの形成に好まし
く用いられる。
成にも用いうるが、可視発光ダイオードの形成に好まし
く用いられる。
ちなみに、上記した実施例の発光ダイオード素子に電極
５を設けてなる可視発光ダイオード（図参照）の輝度は
、半導体発光素子１を石英ガラス層とエポキシ樹脂層の
組合せで被覆した従来仕様の可視発光ダイオードの輝度
の約１．５倍であった。
５を設けてなる可視発光ダイオード（図参照）の輝度は
、半導体発光素子１を石英ガラス層とエポキシ樹脂層の
組合せで被覆した従来仕様の可視発光ダイオードの輝度
の約１．５倍であった。
発明の効果
本発明によれば、半導体発光素子に最寄りの透明被覆層
を窒化ケイ素又はポリイミドからなる薄層で形成したの
で、可視光の透過性に優れ、かつ高屈折率のパシベーシ
ョン層を形成することができ、その結果、光取出し効率
に優れて高輝度な発光ダイオード素子を得ることができ
る。
を窒化ケイ素又はポリイミドからなる薄層で形成したの
で、可視光の透過性に優れ、かつ高屈折率のパシベーシ
ョン層を形成することができ、その結果、光取出し効率
に優れて高輝度な発光ダイオード素子を得ることができ
る。
また、その発光ダイオード素子を入手容易な材料で、か
つ難度の高い加工技術を要することな（効率的に製造す
ることができる利点なども有している。
つ難度の高い加工技術を要することな（効率的に製造す
ることができる利点なども有している。
図は本発明の実施例の断面図である。
に半導体発光素子
２：窒化ケイ素からなる薄層
３：ポリイミドからなる薄層
４：臭素化エポキシ樹脂からなる層
特許出願人 三菱電線工業株式会社
Claims (1)
- １、半導体発光素子の上に透光性材料からなる複数の透
明被覆層を外表面に向かい屈折率が小さくなる順序で設
けてなる高輝度な発光ダイオードを形成するための素子
であり、かつ半導体発光素子に最寄りの透明被覆層とし
て窒化ケイ素又はポリイミドからなる薄層を有すること
を特徴とする発光ダイオード素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63049279A JPH01223780A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | 発光ダイオード素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63049279A JPH01223780A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | 発光ダイオード素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01223780A true JPH01223780A (ja) | 1989-09-06 |
Family
ID=12826424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63049279A Pending JPH01223780A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | 発光ダイオード素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01223780A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03222375A (ja) * | 1990-01-26 | 1991-10-01 | Sharp Corp | 発光ダイオードアレイ |
| JP2007200969A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Sony Corp | 半導体発光装置および半導体発光装置組立体 |
| JP2007258701A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Chi Lin Technology Co Ltd | 発光ダイオードのパッケージ構造及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-03-02 JP JP63049279A patent/JPH01223780A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03222375A (ja) * | 1990-01-26 | 1991-10-01 | Sharp Corp | 発光ダイオードアレイ |
| JP2007200969A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Sony Corp | 半導体発光装置および半導体発光装置組立体 |
| US8035120B2 (en) | 2006-01-24 | 2011-10-11 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device assembly |
| JP2007258701A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Chi Lin Technology Co Ltd | 発光ダイオードのパッケージ構造及びその製造方法 |
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