JPH01224192A - レーザ光照射光学装置 - Google Patents
レーザ光照射光学装置Info
- Publication number
- JPH01224192A JPH01224192A JP63045717A JP4571788A JPH01224192A JP H01224192 A JPH01224192 A JP H01224192A JP 63045717 A JP63045717 A JP 63045717A JP 4571788 A JP4571788 A JP 4571788A JP H01224192 A JPH01224192 A JP H01224192A
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- JP
- Japan
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- laser light
- laser
- reflected
- reflection film
- pattern
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Environmental & Geological Engineering (AREA)
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- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザ加工装置に関し、％に同時に多点のし〒
デ加工をおこなうレーザ加工装置における光学装置に関
する。
デ加工をおこなうレーザ加工装置における光学装置に関
する。
従来、上記のようなレーザ加工装置には、第５図に示す
ように、レーザ装置２１から発したレーザ光は、入射レ
ンズ２２によシ光ファイバ２３に入射し、コリメーショ
ンレンズ２４で平行光線ビームとなる。このコリメート
されたレーザ光を任意の形状のマスク２５に照射し、そ
のマスクを透過したレーザ光を反射＠２６．結像レンズ
２７を経て加工物２８に集光し、加工物にマスクと同じ
形状をもつマーキングをおこなうレーザマーキング機構
がある。
ように、レーザ装置２１から発したレーザ光は、入射レ
ンズ２２によシ光ファイバ２３に入射し、コリメーショ
ンレンズ２４で平行光線ビームとなる。このコリメート
されたレーザ光を任意の形状のマスク２５に照射し、そ
のマスクを透過したレーザ光を反射＠２６．結像レンズ
２７を経て加工物２８に集光し、加工物にマスクと同じ
形状をもつマーキングをおこなうレーザマーキング機構
がある。
上述した従来のレーザマーキング機構ハ、マスク２５を
透過しないレーザ光は反射し、レニザ装置２１に逆もど
りすることになる。すなわちマスク２５からの反射光は
光ファイバの先端部付近に集光され１部品に損傷を与え
るという欠点がある。
透過しないレーザ光は反射し、レニザ装置２１に逆もど
りすることになる。すなわちマスク２５からの反射光は
光ファイバの先端部付近に集光され１部品に損傷を与え
るという欠点がある。
したがって本発明はマスクで反射して光ファイバの先端
部付近に集光する反射光をなくした装置を得ようとする
ものである。
部付近に集光する反射光をなくした装置を得ようとする
ものである。
本発明によれば、レーザ光の平行ビームの経路に、該平
行ビームから、加工物上に付けようとするマークのノＲ
ターンに対応するパターンで輪郭付けされたレーザ光ビ
ームを形成するビームパターン形成手段を設け、前記輪
郭付けされたレーザ光ビームを前記加工物上に集光して
前記マークのパターンの像を結像するようにしたレーザ
光照射光学装置において。
行ビームから、加工物上に付けようとするマークのノＲ
ターンに対応するパターンで輪郭付けされたレーザ光ビ
ームを形成するビームパターン形成手段を設け、前記輪
郭付けされたレーザ光ビームを前記加工物上に集光して
前記マークのパターンの像を結像するようにしたレーザ
光照射光学装置において。
前記ビームパターン形成手段が、前記レーザ光の平行ビ
ームの向きを反射によって側方向に変えるような角度の
面上に、該角度に応じて前記対応するパターンの輪郭を
一方向に補正した輪郭を持つ反射膜を含んで構成され、
且つ、該反射膜の前記レーザ光ビームの方向の後方に、
前記反射膜の無いところを通過した残余のレーザ光平行
ビームを吸収するヒートシンクを設けたことを特徴とす
るレーザ光照射光学装置が得られる。
ームの向きを反射によって側方向に変えるような角度の
面上に、該角度に応じて前記対応するパターンの輪郭を
一方向に補正した輪郭を持つ反射膜を含んで構成され、
且つ、該反射膜の前記レーザ光ビームの方向の後方に、
前記反射膜の無いところを通過した残余のレーザ光平行
ビームを吸収するヒートシンクを設けたことを特徴とす
るレーザ光照射光学装置が得られる。
次に２本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。レーザ装
置１よシ発したレーザ光は入射レンズ２により光ファイ
バ３に入射し伝送される。光ファイバ３より出射したレ
ーザ光は、コリメーションレンズ４によシ平行ビームに
戻され、高い反射率と加工物上に施そうとするマークの
持つ所望の形状に類似した形状（後述）を有する蒸着膜
（反射膜）５ａを有する反射鏡５で、はぼ直角方向に反
射されて結像レンズ６に送られる。
置１よシ発したレーザ光は入射レンズ２により光ファイ
バ３に入射し伝送される。光ファイバ３より出射したレ
ーザ光は、コリメーションレンズ４によシ平行ビームに
戻され、高い反射率と加工物上に施そうとするマークの
持つ所望の形状に類似した形状（後述）を有する蒸着膜
（反射膜）５ａを有する反射鏡５で、はぼ直角方向に反
射されて結像レンズ６に送られる。
反射膜５＆の形状としては、前記のマークの持つ所望の
形状を例えば１Ａ″とするとき、その形状に結像レンズ
６の倍率Ｍを乗じ更に横方向にのみ万を乗じた形状とす
る。このような形状の反射膜で直角方向に反射したレー
ザ光ビームは、し７．ｅ６の光軸方向にみれば所望のマ
ーク′″Ａ”に倍率Ｍを乗じたものとなる。よって結像
レンズ６によって加工物７上に結像されたマーキング像
の形状は所望する文字「Ａ」の形状となる。
形状を例えば１Ａ″とするとき、その形状に結像レンズ
６の倍率Ｍを乗じ更に横方向にのみ万を乗じた形状とす
る。このような形状の反射膜で直角方向に反射したレー
ザ光ビームは、し７．ｅ６の光軸方向にみれば所望のマ
ーク′″Ａ”に倍率Ｍを乗じたものとなる。よって結像
レンズ６によって加工物７上に結像されたマーキング像
の形状は所望する文字「Ａ」の形状となる。
一方反射鏡５の基板５ｂはレーザ光に対し透明な材質を
用いているので２反射膜５ａで反射されなかった残余の
レーザ光は基板５ｂを通過してヒートシンク８に送られ
、ここで吸収され熱に変って放熱される。
用いているので２反射膜５ａで反射されなかった残余の
レーザ光は基板５ｂを通過してヒートシンク８に送られ
、ここで吸収され熱に変って放熱される。
上記の説明において、蒸着膜の形状を決めるのに酉を乗
じたのは、蒸着膜５ａ（反射鏡表面）がレーザ光ビーム
に対して４５度の角度をなしているためで、この角度を
変えれば乗数はそれに応じて変る。なお反射鏡５で反射
された輪郭づけられたレーザビームの形状と加工物にマ
ーキングする形状とは、結像レンズ６の倍率Ｍを介して
対応している。
じたのは、蒸着膜５ａ（反射鏡表面）がレーザ光ビーム
に対して４５度の角度をなしているためで、この角度を
変えれば乗数はそれに応じて変る。なお反射鏡５で反射
された輪郭づけられたレーザビームの形状と加工物にマ
ーキングする形状とは、結像レンズ６の倍率Ｍを介して
対応している。
第３図は本発明の第２の実施例の縦断面を示す図である
。コリメートされたレーザ光、９は、穴のあいた反射鏡
１０の全面で反射され、結像レンズ１１によシ加工物１
２に集光される。この第２の実施例では、中心部に熱に
弱い材質のものがあり。
。コリメートされたレーザ光、９は、穴のあいた反射鏡
１０の全面で反射され、結像レンズ１１によシ加工物１
２に集光される。この第２の実施例では、中心部に熱に
弱い材質のものがあり。
周辺の部分をレーザ光により加熱してハンダ付けをおこ
なう時に、中心部をレーザ光により加熱せずに周辺のレ
ーザ加工を同時にできるという利点がある。
なう時に、中心部をレーザ光により加熱せずに周辺のレ
ーザ加工を同時にできるという利点がある。
第４図は本発明の第３の実施例における反射鏡とヒート
シンクの部分を一体としたヒートシンク反射鏡を示した
図で、ヒートシンク本体１３の上にレーザ光に対して反
射率の高い所望の形状を有する金属の蒸着膜１４を施し
たものである。別の表現をすれば、第５図の従来装置の
反射鏡２６の基板をヒートシンクとなる材質で構成した
ものである。これにより第１図、第３図の場合と同じよ
うになる。
シンクの部分を一体としたヒートシンク反射鏡を示した
図で、ヒートシンク本体１３の上にレーザ光に対して反
射率の高い所望の形状を有する金属の蒸着膜１４を施し
たものである。別の表現をすれば、第５図の従来装置の
反射鏡２６の基板をヒートシンクとなる材質で構成した
ものである。これにより第１図、第３図の場合と同じよ
うになる。
以上説明したように本発明は反射鏡面上の像を加工物に
結像させるため、従来反射光が光学部品に損傷を与えて
いた事故を防ぎ、装置の信頼性を高める効果がある。ま
たＣＯ２レーザなどの適当な透過材質のかいレーザ光に
対しても２反射鏡上に任意の形状の像を蒸着すれば良い
ため、従来ＴＥＡＣＯ２レーザのマーキングで問題にな
っていたマークのかけなどの問題も防ぐことができる。
結像させるため、従来反射光が光学部品に損傷を与えて
いた事故を防ぎ、装置の信頼性を高める効果がある。ま
たＣＯ２レーザなどの適当な透過材質のかいレーザ光に
対しても２反射鏡上に任意の形状の像を蒸着すれば良い
ため、従来ＴＥＡＣＯ２レーザのマーキングで問題にな
っていたマークのかけなどの問題も防ぐことができる。
第１図は本発明のレーザ光照射光学装置を示す図、第２
図は反射鏡の一例でＡをマーキングしたい場合の構造を
示す図、第３図は中心部にはレーザ光をあてず周辺部に
レーザ光を照射する場合の第２の実施例の説明図、第４
図は本発明の装置に用いる反射鏡の他の例を示す図、第
５図は従来のレーザマーキング技術に関する説明図であ
る。 記号の説明：１はレーザ装置、２は入射レンズ。 加工物、８はヒートシンク、９はコリメートされたレー
ザ光、１０は反射鏡、１１は結像レンズ。 １２は加工物、１３はヒートシンク本体、１４は蒸着膜
をそれぞれ示している。
図は反射鏡の一例でＡをマーキングしたい場合の構造を
示す図、第３図は中心部にはレーザ光をあてず周辺部に
レーザ光を照射する場合の第２の実施例の説明図、第４
図は本発明の装置に用いる反射鏡の他の例を示す図、第
５図は従来のレーザマーキング技術に関する説明図であ
る。 記号の説明：１はレーザ装置、２は入射レンズ。 加工物、８はヒートシンク、９はコリメートされたレー
ザ光、１０は反射鏡、１１は結像レンズ。 １２は加工物、１３はヒートシンク本体、１４は蒸着膜
をそれぞれ示している。
Claims (1)
- （１）レーザ光の平行ビームの経路に、該平行ビームか
ら、加工物上に付けようとするマークのパターンに対応
するパターンで輪郭付けされたレーザ光ビームを形成す
るビームパターン形成手段を設け、前記輪郭付けされた
レーザ光ビームを前記加工物上に集光して前記マークの
パターンの像を結像するようにしたレーザ光照射光学装
置において、 前記ビームパターン形成手段が、前記レーザ光の平行ビ
ームの向きを反射によって側方向に変えるような角度の
面上に、該角度に応じて前記対応するパターンの輪郭を
一方向に補正した輪郭を持つ反射膜を含んで構成され、
且つ、該反射膜の前記レーザ光ビームの方向の後方に、
前記反射膜の無いところを通過した残余のレーザ光平行
ビームを吸収するヒートシンクを設けたことを特徴とす
るレーザ光照射光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63045717A JPH01224192A (ja) | 1988-03-01 | 1988-03-01 | レーザ光照射光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63045717A JPH01224192A (ja) | 1988-03-01 | 1988-03-01 | レーザ光照射光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01224192A true JPH01224192A (ja) | 1989-09-07 |
Family
ID=12727102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63045717A Pending JPH01224192A (ja) | 1988-03-01 | 1988-03-01 | レーザ光照射光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01224192A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03208386A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レーザ装置 |
| KR100837116B1 (ko) * | 2007-05-25 | 2008-06-11 | 주식회사 프로텍 | 핸드헬드 레이저 마킹장치 |
-
1988
- 1988-03-01 JP JP63045717A patent/JPH01224192A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03208386A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レーザ装置 |
| KR100837116B1 (ko) * | 2007-05-25 | 2008-06-11 | 주식회사 프로텍 | 핸드헬드 레이저 마킹장치 |
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