JPH01224940A - 書換え可能型相変化記録媒体 - Google Patents
書換え可能型相変化記録媒体Info
- Publication number
- JPH01224940A JPH01224940A JP63051258A JP5125888A JPH01224940A JP H01224940 A JPH01224940 A JP H01224940A JP 63051258 A JP63051258 A JP 63051258A JP 5125888 A JP5125888 A JP 5125888A JP H01224940 A JPH01224940 A JP H01224940A
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- JP
- Japan
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- compsn
- erasing
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、レーザービームを照射して、その照射部に光
学的変化を起こさせて記録するに適したレーザー記録媒
体に関するものである。
学的変化を起こさせて記録するに適したレーザー記録媒
体に関するものである。
（従来の技術）
従来レーザービームを利用して情報を記録する材料とし
ては、金属膜１色素膜などに局所的に孔または変形を起
こさせるため、記録情報の消去は不可能であり、いわゆ
る追記型光記録媒体として用いられている。
ては、金属膜１色素膜などに局所的に孔または変形を起
こさせるため、記録情報の消去は不可能であり、いわゆ
る追記型光記録媒体として用いられている。
一方、書換型光記録媒体としては、結晶←→非晶質間の
転移を利用するもので、Ｔｅ −Ｓｎを主成分とし、そ
れにＳｅまたはＧｅ、 Ｇａ等を添加する共晶組成を用
いる媒体と５ｂ−５ｓ、 ５ｂ−Ｔｅ等の化合物相を利
用した媒体が知られている。
転移を利用するもので、Ｔｅ −Ｓｎを主成分とし、そ
れにＳｅまたはＧｅ、 Ｇａ等を添加する共晶組成を用
いる媒体と５ｂ−５ｓ、 ５ｂ−Ｔｅ等の化合物相を利
用した媒体が知られている。
これら結晶←→非晶質間の相変化を利用した媒体は、犬
山カシヨードパルスのレーザー光を媒体に照射すること
で急加熱し、約１ｎφのスポット状に媒体を溶融し、こ
れが急冷されることで結晶状態から非晶質状態へ転移さ
せ記録を行う、そして消去時、ロングパルスのレーザー
光の照射で記録部分をアニールし、より安定な結晶状態
へ転移させる。
山カシヨードパルスのレーザー光を媒体に照射すること
で急加熱し、約１ｎφのスポット状に媒体を溶融し、こ
れが急冷されることで結晶状態から非晶質状態へ転移さ
せ記録を行う、そして消去時、ロングパルスのレーザー
光の照射で記録部分をアニールし、より安定な結晶状態
へ転移させる。
（発明が解決しようとする謀Ｂ）
ところで、一般に結晶化の速度Ｖは結晶核の生成頻度■
と結晶成長速度Ｖ、の積に比例し、結晶成長の速度は下
式で示したように温度が高いほど速いので、レーザー光
によるアニールは融点直下で行われる。
と結晶成長速度Ｖ、の積に比例し、結晶成長の速度は下
式で示したように温度が高いほど速いので、レーザー光
によるアニールは融点直下で行われる。
ｖ−■。・■
Ｖ ｏ＝ Ｃ−ＥＸＰ （Ｅ−／ ＫＩＩ ＝Ｔ ）■
：結晶化速度 ｖｏ：結晶成長速度 ■＝核生成頻度 Ｅド活性化エネルギー ＫＩＩ：ボルツマン定数 Ｔ：温度 Ｃ；定数 Ｔｅ −Ｓｎ合金の融点が４００°Ｃ程度と低く、結晶
化速度を充分に高速化できないため、室温での長い記録
寿命（非晶質寿命）と１μＳｅＣ以下での完全消去を両
立させることは難しいとされている。
：結晶化速度 ｖｏ：結晶成長速度 ■＝核生成頻度 Ｅド活性化エネルギー ＫＩＩ：ボルツマン定数 Ｔ：温度 Ｃ；定数 Ｔｅ −Ｓｎ合金の融点が４００°Ｃ程度と低く、結晶
化速度を充分に高速化できないため、室温での長い記録
寿命（非晶質寿命）と１μＳｅＣ以下での完全消去を両
立させることは難しいとされている。
また結晶化により生成される析出物としてＴｅと共にＴ
ｅ −Ｓｎ化合物があり、この融点は７９０°ＣとＴｅ
の融点に比べ極めて高温であり、再書き込み時に完全に
溶融させることが難しく、書き込み後もこの部分は結晶
状態に留まり記録ピットの非晶質寿命に悪影響を及ぼす
、この高融点物質の生成は、不可逆的な過程であること
から繰り返し書き込み消去に対し、蓄積効果を持つ。従
って書き込み消去を重ねると、ＴｅとＴａｒｎ相に相分
離した結晶粒が肥大化し初期の特性を大きく損なう。
ｅ −Ｓｎ化合物があり、この融点は７９０°ＣとＴｅ
の融点に比べ極めて高温であり、再書き込み時に完全に
溶融させることが難しく、書き込み後もこの部分は結晶
状態に留まり記録ピットの非晶質寿命に悪影響を及ぼす
、この高融点物質の生成は、不可逆的な過程であること
から繰り返し書き込み消去に対し、蓄積効果を持つ。従
って書き込み消去を重ねると、ＴｅとＴａｒｎ相に相分
離した結晶粒が肥大化し初期の特性を大きく損なう。
次に、後者においては、合金の融点が約５００°Ｃ〜６
００“Ｃと高く、高速消去と長い記録寿命の両立が可能
である。さらに、結晶の核形成頻度は化合物組成で最も
大きいため、この組成での消去速度（結晶化速度）が、
最も速い、また、化合物相付近は化学的に安定であるた
め相分離等の心配がない。しかし、化合物組成付近では
、組成の小さなずれに対して核形成頻度が大きく変化す
るため、媒体特性が大きく変化してしまい、精密な組成
制御が要求される。ところでこのような多元合金系の光
デイスク媒体は、媒体作製時に大面積にわたり、また厚
さ方向にも均一な組成の膜を作製しなければならないた
め、精密な組成制御を大面積にわたって行うことはきわ
めて難しい。
００“Ｃと高く、高速消去と長い記録寿命の両立が可能
である。さらに、結晶の核形成頻度は化合物組成で最も
大きいため、この組成での消去速度（結晶化速度）が、
最も速い、また、化合物相付近は化学的に安定であるた
め相分離等の心配がない。しかし、化合物組成付近では
、組成の小さなずれに対して核形成頻度が大きく変化す
るため、媒体特性が大きく変化してしまい、精密な組成
制御が要求される。ところでこのような多元合金系の光
デイスク媒体は、媒体作製時に大面積にわたり、また厚
さ方向にも均一な組成の膜を作製しなければならないた
め、精密な組成制御を大面積にわたって行うことはきわ
めて難しい。
本発明は、レーザー加熱により５００°Ｃ〜６００℃付
近の比較的高い温度に於いて結晶←→非晶質間の転移を
行わせることで、高速消去と長い非晶質寿命の両立を行
い、かつ５ｅ−３ｂ、 ５ｂ−Ｔｅ等、前述媒体の持つ
欠点を除去するため、化学的に安定な５ｂＺｎ、 ５ｂ
３Ｚｎ４及び５ｂｔＺｎｔ等の融点の近い多数の化合物
を５０〜６０ａ ｔ％Ｚｎの組成領域に持つ５ｂ−Ｚｎ
合金に着目し、媒体組成をこれら化合物組成付近とする
ことで、繰り返し書き込み消去を行っても化学的に安定
であるため、大きな組成ずれが起きず多数回の繰り返し
書き込み消去後も初期の特性を保つ。そして、狭い組成
領域に融点の近い多数の化合物を作るため、少しの組成
ずれに対しては核形成頻度の変化が小さく、この範囲内
であれば媒体特性に大きな変化が無く、従って媒体作製
時の困難さを回避できる記録媒体を実現した。
近の比較的高い温度に於いて結晶←→非晶質間の転移を
行わせることで、高速消去と長い非晶質寿命の両立を行
い、かつ５ｅ−３ｂ、 ５ｂ−Ｔｅ等、前述媒体の持つ
欠点を除去するため、化学的に安定な５ｂＺｎ、 ５ｂ
３Ｚｎ４及び５ｂｔＺｎｔ等の融点の近い多数の化合物
を５０〜６０ａ ｔ％Ｚｎの組成領域に持つ５ｂ−Ｚｎ
合金に着目し、媒体組成をこれら化合物組成付近とする
ことで、繰り返し書き込み消去を行っても化学的に安定
であるため、大きな組成ずれが起きず多数回の繰り返し
書き込み消去後も初期の特性を保つ。そして、狭い組成
領域に融点の近い多数の化合物を作るため、少しの組成
ずれに対しては核形成頻度の変化が小さく、この範囲内
であれば媒体特性に大きな変化が無く、従って媒体作製
時の困難さを回避できる記録媒体を実現した。
（課題を解決するための手段）
上記の目的を達成するため、本発明は透明基板とその上
に設けられた光記録層とを具備し、光記録層がＳｂとＺ
ｎを主に含むことを特徴とする書換え可能型相変化記録
媒体を発明の要旨とするものである。
に設けられた光記録層とを具備し、光記録層がＳｂとＺ
ｎを主に含むことを特徴とする書換え可能型相変化記録
媒体を発明の要旨とするものである。
しかして、本発明は書換え可能型相変化記録媒体におい
て、主成分をＳｂとＺｎとし、その組成比が、Ｓ ｂ
Ｚ ｎ ＝ Ｓ ｂ ｚ Ｚ ｎ ３の付近であること
を主要な特徴とする。
て、主成分をＳｂとＺｎとし、その組成比が、Ｓ ｂ
Ｚ ｎ ＝ Ｓ ｂ ｚ Ｚ ｎ ３の付近であること
を主要な特徴とする。
（作用）
上記のように構成することにより、繰り返し書き込み消
去を行っても化学的に安定であるため、大きな組成ずれ
を起こさず初期の媒体特性を保持することが可能となる
。組成比が５ｂＺｎ −３ｂｌＺｎ３（即ちＳｂ ：
Ｚｎ−５０： ５０〜４０ ： ６０）より±５ａｔ％
程度広い範囲に於いても、はぼ同様の特性が得られる。
去を行っても化学的に安定であるため、大きな組成ずれ
を起こさず初期の媒体特性を保持することが可能となる
。組成比が５ｂＺｎ −３ｂｌＺｎ３（即ちＳｂ ：
Ｚｎ−５０： ５０〜４０ ： ６０）より±５ａｔ％
程度広い範囲に於いても、はぼ同様の特性が得られる。
このように狭い組成領域に融点の近い多数の化合物を作
るため、少しの組成ずれに対しては核形成頻度の変化や
融点の変化が小さく、この組成範囲内であれば媒体特性
に大きな変化が無く、従って媒体作製時の困難さを回避
できる。また、Ｓｂ。
るため、少しの組成ずれに対しては核形成頻度の変化や
融点の変化が小さく、この組成範囲内であれば媒体特性
に大きな変化が無く、従って媒体作製時の困難さを回避
できる。また、Ｓｂ。
Ｚｎの他にＳｅ＋ Ｔｅ、 Ｇｅ＋ Ｇａ、 Ｉｎ、
Ａｓ＋ Ｓｎ、 Ｂｉ等の共有結合性の元素を添加し、
室温での非晶質安定性を向上させている。この場合、
５ｂＺｎ等の化合物相の析出が起き易いため添加量を２
〜３０ａｔ％とすれば上述化合物の析出速度を著しく妨
げる程ではない。ここで第三元素の添加量が多いほど非
晶質安定性が向上するが、消去感度が低下する傾向にあ
るため所望の記録寿命と消去感度により添加量を選ぶ必
要がある。一方従来技術では、一つの化合物相のみを用
いるため、作製時に組成制御の困難さを伴うや （実施例１） 次に本発明の実施例について説明する。なお、実施例は
一つの例示であって、本発明の精神を逸脱しない範囲で
、種々の変更あるいは改良を行いうろことは言うまでも
ない。
Ａｓ＋ Ｓｎ、 Ｂｉ等の共有結合性の元素を添加し、
室温での非晶質安定性を向上させている。この場合、
５ｂＺｎ等の化合物相の析出が起き易いため添加量を２
〜３０ａｔ％とすれば上述化合物の析出速度を著しく妨
げる程ではない。ここで第三元素の添加量が多いほど非
晶質安定性が向上するが、消去感度が低下する傾向にあ
るため所望の記録寿命と消去感度により添加量を選ぶ必
要がある。一方従来技術では、一つの化合物相のみを用
いるため、作製時に組成制御の困難さを伴うや （実施例１） 次に本発明の実施例について説明する。なお、実施例は
一つの例示であって、本発明の精神を逸脱しない範囲で
、種々の変更あるいは改良を行いうろことは言うまでも
ない。
第１図は本発明の第一の実施例を説明する記録媒体の断
面図を示す０図において、ｌは透明基板で、１．２ｎφ
厚のガラスまたはプラスチック板、２は記録層、３は透
明保護層で厚さ３００＋ｖの５ｉｆｔの蒸着膜、４は透
明下地層で厚さｌｏｏｎｍのＳｉｎｇ蒸着膜である。２
の記録層は厚さｉｏｏｎｍで（Ｚｎ （１，０６−ｘ）
Ｓｂｘ ） ｏ、ｑＧｅ＋ｏ Ｘ −４（Ｌ ５０の組
成であり、これは三元同時真空蒸着により作成した。こ
の試料をオーブン中で２００°Ｃ，１時間加熱し、記録
層を結晶化させた後、波長８３０ｎｍの半導体レーザー
光を開口率０．５のレンズで約１，２ｎφのスポットに
絞りガラス基板側から記録膜に照射し、記録、消去の実
験を行った。又、同時にレーザー光照射部を顕微鏡で観
察した。
面図を示す０図において、ｌは透明基板で、１．２ｎφ
厚のガラスまたはプラスチック板、２は記録層、３は透
明保護層で厚さ３００＋ｖの５ｉｆｔの蒸着膜、４は透
明下地層で厚さｌｏｏｎｍのＳｉｎｇ蒸着膜である。２
の記録層は厚さｉｏｏｎｍで（Ｚｎ （１，０６−ｘ）
Ｓｂｘ ） ｏ、ｑＧｅ＋ｏ Ｘ −４（Ｌ ５０の組
成であり、これは三元同時真空蒸着により作成した。こ
の試料をオーブン中で２００°Ｃ，１時間加熱し、記録
層を結晶化させた後、波長８３０ｎｍの半導体レーザー
光を開口率０．５のレンズで約１，２ｎφのスポットに
絞りガラス基板側から記録膜に照射し、記録、消去の実
験を行った。又、同時にレーザー光照射部を顕微鏡で観
察した。
媒体上のレーザーパワー１５ｍＷ、パルス幅１００ｎｓ
ｅｃで非晶質化した（記録できた）。これにパワー０．
４１の連続発振レーザー光を照射し、記録情報の読み出
しを行うことができた。なおこの間に記録状態に変化は
なかった。次にパワー７．５ｍＪパルス幅５００ｎｓｅ
ｃの条件で記録ピントの消去を行うことができた。更に
同じ条件で記録と消去をｔｏ” ｉり返したところ記録
状態に変化は、見られなかった。
ｅｃで非晶質化した（記録できた）。これにパワー０．
４１の連続発振レーザー光を照射し、記録情報の読み出
しを行うことができた。なおこの間に記録状態に変化は
なかった。次にパワー７．５ｍＪパルス幅５００ｎｓｅ
ｃの条件で記録ピントの消去を行うことができた。更に
同じ条件で記録と消去をｔｏ” ｉり返したところ記録
状態に変化は、見られなかった。
また、上記の媒体を透明電極でできたヒーター上に固定
し、基板側から加熱し、一定昇温させながら（１０°Ｃ
／ｗｉｎ）記録状態の観察を行ったところ、いずれの試
料も１１０°Ｃまで結晶化が起こらず室温に於ける記録
状態は、充分に安定であることが判った。
し、基板側から加熱し、一定昇温させながら（１０°Ｃ
／ｗｉｎ）記録状態の観察を行ったところ、いずれの試
料も１１０°Ｃまで結晶化が起こらず室温に於ける記録
状態は、充分に安定であることが判った。
また、Ｇｏの代わりにＧａ、 Ｉｎを１０ａｔ％又はＡ
ｓを２０ａｔ％添加しても同様の効果が得られた。
ｓを２０ａｔ％添加しても同様の効果が得られた。
（実施例２）
実施例１と同様の媒体構成で記録膜に（Ｚｎ（＋、。。
−１゜Ｓｂｘ ｌ ｏ、５ｓｓ６＋ｓ Ｘ −４０＋
５０の組成での組成合金膜を用いて実施例１と同様の
実験を行った。媒体上のレーザーパワー１３１．パルス
幅１００ｎｓｅｃで非晶質化し、これにレーザーパワー
０．４ｍＷの連続発振光を照射し記録情報の読み出しを
行うことができた。
５０の組成での組成合金膜を用いて実施例１と同様の
実験を行った。媒体上のレーザーパワー１３１．パルス
幅１００ｎｓｅｃで非晶質化し、これにレーザーパワー
０．４ｍＷの連続発振光を照射し記録情報の読み出しを
行うことができた。
なお、この間に記録状態に変化はなかった０次にレーザ
ーパワー０．５ｍＷ、パルス幅３００ｎｓｅｃの条件で
記録ピットの消去を行うことができた。更に同じ条件で
記録と消去を１０’操り返したところ記録状態に変化は
、見られなかった。
ーパワー０．５ｍＷ、パルス幅３００ｎｓｅｃの条件で
記録ピットの消去を行うことができた。更に同じ条件で
記録と消去を１０’操り返したところ記録状態に変化は
、見られなかった。
また、上記の媒体を透明電極でできたヒーター上に固定
し、基板側から加熱し一定昇温させながら（１０°Ｃ／
ｌｌ１ｉｎ）記録状態の観察を行ったところいずれの試
料も１１０°Ｃまで結晶化が起こらず室温に於ける記録
状態は、充分に安定であることが判った。
し、基板側から加熱し一定昇温させながら（１０°Ｃ／
ｌｌ１ｉｎ）記録状態の観察を行ったところいずれの試
料も１１０°Ｃまで結晶化が起こらず室温に於ける記録
状態は、充分に安定であることが判った。
また、８８０代わりにＴｅ、 Ｐｂ、 Ｓｎを２０ａ
ｔ％添加しても同様の効果が得られた。
ｔ％添加しても同様の効果が得られた。
第２図は５ｂ−Ｚｎの二元状態図を示す。しかして曲線
Ａの下側は固相、上側は液相を示す。
Ａの下側は固相、上側は液相を示す。
非晶質を結晶化させる場合、単体組成及び化合物組成付
近での結晶成長速度が速く、また化学的に安定である。
近での結晶成長速度が速く、また化学的に安定である。
５ｂ−Ｚｎ系は、原子数比？’Ｓｂ ： Ｚｎ＝４０
： ６０〜５０ ：５０の組成範囲に於イテ、Ｚｎ５ｂ
、 ＺｎａＳｂｓ＋ Ｚｎ５Ｓ’ｂｘ等の化合物相を持
つ。
： ６０〜５０ ：５０の組成範囲に於イテ、Ｚｎ５ｂ
、 ＺｎａＳｂｓ＋ Ｚｎ５Ｓ’ｂｘ等の化合物相を持
つ。
このため、５ｂ−Ｚｎ系は、この組成付近（Ｓｂ ：
Ｚｎ−３５： ６５〜５５ ： ４５）での成長速度が
速（、がっ、化学的に安定である。
Ｚｎ−３５： ６５〜５５ ： ４５）での成長速度が
速（、がっ、化学的に安定である。
従って、Ｓｂ ： Ｚｎ＝３５ ： ６５〜５５ ：
４５の範囲の組成の合金膜を相変化型光記録媒体として
用いた場合、高速で消去が可能で、かつ書き込み消去の
繰り返し性に優れた特性を持たせることができる。
４５の範囲の組成の合金膜を相変化型光記録媒体として
用いた場合、高速で消去が可能で、かつ書き込み消去の
繰り返し性に優れた特性を持たせることができる。
一方、媒体への記録、即ち非晶質化は、溶融状態を経て
行われる。即ちパルスレーザ−光による融点を上回る昇
温を行う。
行われる。即ちパルスレーザ−光による融点を上回る昇
温を行う。
Ｓｂ −Ｚｎ系の化合物相は、原子数比Ｓｂ ： Ｚｎ
−４０：６０〜５０ ： ５０の組成範囲にあるが、こ
れらの融点は５４６°Ｃ〜５６６”Ｃの範囲と極めて近
い値を持つ。
−４０：６０〜５０ ： ５０の組成範囲にあるが、こ
れらの融点は５４６°Ｃ〜５６６”Ｃの範囲と極めて近
い値を持つ。
このため、上述組成範囲内であれば、はぼ等しいパワー
のレーザ光により非晶質化させることができる。
のレーザ光により非晶質化させることができる。
従って、このような広い組成範囲に於いて優れた消去特
性繰り返し特性を持つだけではなく、等しい記録感度を
有する。これにより記録膜作製時の組成制御の困難性が
緩和される。
性繰り返し特性を持つだけではなく、等しい記録感度を
有する。これにより記録膜作製時の組成制御の困難性が
緩和される。
またＳｂとＺｎの含有比率が３５ ： ６５〜５５ ：
４５の範囲の外側では、化合物相から組成が大きく外
れるので、結晶化速度が遅く、また化学的にも不安定で
ある。このため、ここでは消去速度が遅く、繰り返し書
き込み消去を行った場合、より安定な相に相分離してし
まう。
４５の範囲の外側では、化合物相から組成が大きく外
れるので、結晶化速度が遅く、また化学的にも不安定で
ある。このため、ここでは消去速度が遅く、繰り返し書
き込み消去を行った場合、より安定な相に相分離してし
まう。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば主成分としてＳｂ
、 Ｚｎを用い、組成を５ｂＺｎと５ｂｚＺｎｌの間と
することで繰り返し書き込み消去を行っても初期の特性
を損なわない、また、この組成では融点が約６００°Ｃ
と比較的高いため記録状態が室温で安定でかつレーザー
光の照射による消去時には１μｓｅｃ以下の素早い結晶
化を行うことができた。さらに、狭い組成領域に融点の
近い多数の化合物を作るため、少しの組成ずれに対して
は核形成頻度の変化や融点の変化が小さくこの範囲内で
あれば媒体特性に大きな変化が無く、従って媒体作製時
の困難 ゛さを回避できた。これらが利点である。
、 Ｚｎを用い、組成を５ｂＺｎと５ｂｚＺｎｌの間と
することで繰り返し書き込み消去を行っても初期の特性
を損なわない、また、この組成では融点が約６００°Ｃ
と比較的高いため記録状態が室温で安定でかつレーザー
光の照射による消去時には１μｓｅｃ以下の素早い結晶
化を行うことができた。さらに、狭い組成領域に融点の
近い多数の化合物を作るため、少しの組成ずれに対して
は核形成頻度の変化や融点の変化が小さくこの範囲内で
あれば媒体特性に大きな変化が無く、従って媒体作製時
の困難 ゛さを回避できた。これらが利点である。
第１図は本発明の記録媒体の断面図、第２図はＳｂ −
Ｚｎの化合物の状態図を示す。 １・・・・・透明基板 ２・・・・・記録層 ３・・・・・透明保護層 ４・・・・・透明下地層 特許出願人 日本電信電話株式会社 第１図 １・−決、朗基ネ仄 ２− 記且層 計・−丘＠保言１ ４−・１曳、明王を乞層
Ｚｎの化合物の状態図を示す。 １・・・・・透明基板 ２・・・・・記録層 ３・・・・・透明保護層 ４・・・・・透明下地層 特許出願人 日本電信電話株式会社 第１図 １・−決、朗基ネ仄 ２− 記且層 計・−丘＠保言１ ４−・１曳、明王を乞層
Claims (3)
- （１）透明基板とその上に設けられた光記録層とを具備
し、光記録層がＳｂとＺｎを主に含むことを特徴とする
書換え可能型相変化記録媒体。 - （２）書換え可能型相変化記録媒体に於てＳｂとＺｎの
含有比率が３５：６５〜５５：４５であることを特徴と
する請求項１記載の書換え可能型相変化記録媒体。 - （３）書換え可能型相変化記録媒体に於てＳｂとＺｎ以
外にＳｅ、Ａｓ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｐｂ
から選ばれる少なくとも一種の元素を２〜３０ａｔ％含
むことを特徴とする請求項２記載の書換え可能型相変化
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63051258A JPH01224940A (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | 書換え可能型相変化記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63051258A JPH01224940A (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | 書換え可能型相変化記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01224940A true JPH01224940A (ja) | 1989-09-07 |
Family
ID=12881921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63051258A Pending JPH01224940A (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | 書換え可能型相変化記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01224940A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005044576A1 (ja) * | 2003-11-05 | 2005-05-19 | Ricoh Company, Ltd. | 光記録媒体及びその製造方法、スパッタリングターゲット、並びに光記録媒体の使用方法及び光記録装置 |
| US7083894B2 (en) | 2002-06-14 | 2006-08-01 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| WO2008018225A1 (en) * | 2006-08-08 | 2008-02-14 | Panasonic Corporation | Information recording medium, its manufacturing method, and sputtering target |
-
1988
- 1988-03-04 JP JP63051258A patent/JPH01224940A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7083894B2 (en) | 2002-06-14 | 2006-08-01 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| WO2005044576A1 (ja) * | 2003-11-05 | 2005-05-19 | Ricoh Company, Ltd. | 光記録媒体及びその製造方法、スパッタリングターゲット、並びに光記録媒体の使用方法及び光記録装置 |
| WO2008018225A1 (en) * | 2006-08-08 | 2008-02-14 | Panasonic Corporation | Information recording medium, its manufacturing method, and sputtering target |
| US8133566B2 (en) | 2006-08-08 | 2012-03-13 | Panasonic Corporation | Information recording medium, its manufacturing method, and sputtering target |
| JP4996607B2 (ja) * | 2006-08-08 | 2012-08-08 | パナソニック株式会社 | 情報記録媒体とその製造方法、及びスパッタリングターゲット |
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