JPH01224949A - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ガスレーザ、半導体レーザ等の集束光を照射
させて光学的に情報の記録・再生、あるいは記録・再生
・消去を行う光ディスク、光磁気ディスク等光記録媒体
に係わり、特に、基板のトラック溝にのみ選択的に記録
層が設けられた光記録媒体の製造方法に関するものであ
る。

［従来の技術１ 従来の光記録媒体は、片面側に記録層を備えるタイプを
例に挙げて説明すると、第３図〜第４図に示ずようにフ
ォーカシング及びトラッキングサーボ用のプリグループ
（ｐｒｅ−ａｒｏｏｖｅ）　　（ａ　）が施された透明
基板（ｂ）と、この基板（ｂ）全面に設けられた記録層
（Ｃ）と、この記録層（Ｃ）全面に設けられた保１層（
ｄ）とでその主要部が構成され、かつ、この光記録媒体
（ｅ）への記録情報の入力は、第５図に示すように集光
レンズ（ｆ）により集光された半導体レーザ等光源から
の記録用集束光（Ｑ）を上記記録層（Ｃ）の所定部位へ
照射し、その照射部位について記録層（Ｃ）の相変化、
磁化反転、あるいは変形等を起こさせ非照射部とは反射
率、若しくはカー回転角の異なる記録ドツト（ｈ）　（
第４図参照）を形成して行なわれるものである。この場
合、光源からの集束光（Ｑ）を上記記録層（Ｃ）の所定
部位へ確実に照射させるため上記プリグループ（ａ＞を
利用してフォーカシング、並びにトラッキングサーボ制
御を行うと共に、上記記録ドツト（ｈ）の幅寸法（Ｂ）
を第６図に示すように記録用集束光スポット（＋）にお
ける強度変化が最も急峻な値を示す半値幅（Ω２）程度
に設定し、略同−サイズの記録ドツト（ｈ）が安定して
形成されるように調整されている。

一方、上記記録情報の再生時においては、第７図〜第８
図に示すように再生用集束光（ｑ）を光記録媒体（ｅ）
の記録面へ照射し、この反射光を光ダイオード等受光素
子（ｊ）へ入力させて再生するものである。この場合、
再生用集束光スポット全体の光が再生に利用されており
、第６図に示すように代表的には再生用集束光スポット
（＋）における１／ｅ２全幅くΩｅ）領域の光が再生信
号に寄与するものと考えられる。尚、第３図中（ｐ）は
再生用の光ヘッドを示しており、半導体レーザ（ｐｌ）
と、このレーザ光を光記録媒体（ｅ）面へ結像させる集
光レンズ（ｐ２）と、光記録媒体（ｅ）からの反射ビー
ムを偏光させるビームスプリッタ（ｐ３）、ハーフミラ
−（ｐ４）と、サーボ信号検出器（ｐ５）並びに再生信
号受光器（ｐ６）とでその主要部が構成されているもの
である。

ところで、従来の光記録媒体（ｅ）は上述のように基板
（ｂ）の全面に記録ＦＪ（ｃ）を備えているため、以下
に示すような種々の欠点を有するものであった。

先ず、光記録媒体（ｅ）におけるトラックピッチ（ＴＰ
）は再生信号に隣接トラック上の信号が混入しないとこ
ろまで狭く設定することができ、その最小値（ＴＰ、。

）は再生時における隣接トラックとのクロストークのみ
を考慮すると、第９図（ｄ）から （ＴＰ、、ｏ） 一８／２＋　（Ωｅ−Ｂ）／２＋８／２−（Ｂ＋Ωｅ）
／２ により求めることができる。

但し、（Ｂ）は記録ドツト（ｈ）の幅寸法、（Ωｅ）は
再生用集束光スポット（ｉ）における１／ｅ２全幅を示
している。

一方、従来において記録ドツト（ｈ）の幅寸法（Ｂ）は
上述のように記録用集束光スポット（ｉ）の半値幅（Ω
２）程度に設定されているため、光記録媒体におけるト
ラック密度を向上させるには、結局上記集束光（Ｑ）の
スポット径（Ωｅ、Ω２）を小さく設定するといった方
法しか無く、かつ、上記スポット径（Ω２）についても
これを余り小さく設定すると基板表面の僅かな寸法誤差
で記録誤動作を起こすことから一定以下に設定できない
制約があるため、上記密度向上には一定の限界を有する
欠点があった。

また、上記記録層（Ｃ）を構成する記録材料は通常熱伝
導性を有しているため、この熱伝導性の影響により記録
スポットの走査が進むにつれ熱が周辺に漏れ易くなって
記録幅が増大し、第１０図に示すように記録ドツト（ｈ
）の形状が所謂「涙滴形ドツト」となる場合があった。

このため、第１１図においてαで示すように再生信号が
歪んでしまって大きなジッターが発生し易いと共に、Ｃ
／Ｎ比が低下するといった欠点があった。

更に、再生用集束光スポット（＋）の径寸法（Ωｅ）は
上述のように記録ドツト（ｈ）の径寸法（Ｂ）より大き
く、しかも、上記光記録媒体（ｅ）についてはその基板
（ｂ）全面に記録層（Ｃ）が設けられているため、再生
時において光記録媒体（ｅ）ノイズが再生信号に大きく
影響を及ぼすといった欠点があった。すなわち、第１１
図に示すように光記録媒体（ｅ）の記録層（Ｃ）面には
、媒体自体の欠陥、結晶粒等に基因する反射率の異なる
ノイズ発生部位（ｎｌ）〜（ｎｌ）が多数存在し、かつ
、上記記録ドツト（１１）の周縁部にもドツト形状のむ
らに基因するノイズ発生部位（ｎ２）〜（ｎ２）が存在
してこれ等ノイズが再生信号に混入するため、再生信号
におけるＣ／Ｎ比向上の大きな障害となっていた（第１
９図においてαで示されたＣ／Ｎ比参照。但し、Ｃはキ
ャリア信号レベル、Ｎはノイズ信号レベルを夫々示して
いる）。

更にまた、記録・再生・消去用の光記録媒体においては
、記録情報を消去する場合、経時劣化を基因とする記録
層の感度低下、消去用集束光の出力変動、並びにトラッ
キングずれ等の原因によって第１２図に示すように記録
情報を完全に消去できなくなるといった欠点があり、一
方、この欠点を解消するため消去用集束光のスポット径
（Ω）を記録用集束光のスポット径（Ω２）より大きく
設定すると、トラック密度の低下を招くといった欠点が
あった。

また、従来の光記録媒体においてはその基板（ｂ）全面
に記録［１（Ｃ）が形成されているため、記録１（ｃ）
形成時におけるストレスや基板（ｂ）と記録層（Ｃ）と
の膨張率の違い等によって、第１３図に示すように記録
層（Ｃ）に二次元的な内部ストレス（Ｓｔ）が加わり易
く経時的に記録性能が劣化し易い欠点があった。

そこで、本件出願人は上記諸欠点を解決すべく鋭意研究
を重ねた結果、トラック密度、Ｃ／Ｎ比等が高く、かつ
、再生ノイズ、サーボ信号ノイズが小さく、しかも長期
に亘って記録性能が劣化しない光記録媒体を既に提案し
ている。

すなわちこの光記録媒体（ｅ”）は、第１４図に示すよ
うに基板（ｂｏ）と、この基板（ｂｏ）の−面上に複数
間隔を介して設けられたトラック溝（ａｏ）と、このト
ラック溝（ａｏ）内に設けられた記録層（Ｃｏ）と、必
要に応じ上記記録層（Ｃｏ）側に設けられた保１ｆｆｉ
（ｄ’）とでその主要部を構成し、かつ、上記トラック
溝（ａｏ）の幅寸法が記録用集束光スポットの半値幅程
度以下に設定されていることを特徴とするもの′である
。

そして、第１４図〜第１５図に示すように上記トラック
溝（ａｏ）を利用しフォーカシング、並びにトラッキン
グ制御を行いながら記録層（Ｃｏ）の所定部位に記録用
集束光を照射し、その径が記録用集束光スポットの半値
幅（Ω２）程度の記録ドツト（ｈｏ）を形成すると共に
、この記録ドツト（ｈｏ）を再生用集束光により読取っ
て再生信号を得るものである。

このように構成された光記録媒体（ｅｏ）においては、
第１５図（ｂ）及び（ｄ）に示すように上記記録ドツト
（ｈｏ）の幅寸法（Ｂ）がトラック溝（ａｏ）の幅寸法
（Ｔ）と同一となっており、かつ、この幅寸？ｆ（Ｔ）
は、記録用集束光スポットの半値幅（Ω２）以下に設定
されているため、この光記録媒体（ｅｏ）のトラックピ
ッチの最小値（丁Ｐ゛　、　）と、従来における光記録
媒体のトラックピッチの最小値（ＴＰ　　・　）との関
係は、１１ｎ （ＴＰ’　　　　、　　　）　　　　＜　　　　（ＴＰ
　　　、　　　）ｍａｎ　　　　　　　　　　　　　　
　ｍａｎとなり、トラックピッチ（ＴＰ＞を小さく設定
することが可能となって、トラック密度の向上が図れる
利点を有している。

また、この光記録媒体（ｅ’）においてはその記録層（
Ｃｏ）がトラック溝（ａｏ）の形状にＭＷ）されるため
、第１８図に示すように従来の「涙滴形状」と異なって
矩形状に近い形状の記録ドツト（ｈｏ）を形成すること
ができる。

従って、第１７図においてβで示すように再生時におけ
る再生信号波形が歪まないため、Ｃ／Ｎ比、及びジッタ
ー共向上する利点を有している。

更に、この光記録媒体（０゛）においては上記トラック
１ｌ（ａ’）以外の部位に記録層（Ｃｏ）を有していな
いため、媒体ノイズが低減し、かつ、記録ドツト（ｈｏ
）の形状はトラック溝（ａｏ）により規制されてばらつ
かないため、記録ドツト（ｈｏ）の境界部における反射
率むらや磁区分布むらが低減して再生信号におけるＣ／
Ｎ比が向上する長所を有している。すなわち、再生時に
おける再生信号ノイズは、半導体レーザ等光源のノイズ
を充分に押えた場合、一般的には光記録媒体の欠陥、結
晶粒等に基因する媒体ノイズと、記録ドツト形状のむら
に基因する記録ノイズとが支配的となる。そしてこの光
記録媒体（ｅｏ）においては、トラック溝（ａｏ）以外
の部位に記録層（Ｃｏ）を有していないため上記媒体ノ
イズが低減すると共に、第１８図に示すように記録層（
Ｃｏ）の両側縁は高い精度で形成されたトラック溝（ａ
ｏ）により規制されて記録ドツト（ｈｏ）の形状むらが
起こり難いため記録ノイズも低減する。従って、再生信
号に上記のノイズ信号が混入し難くなるため、第１９図
においてβにて示すようにＣ／Ｎ比が著しく向上する長
所を有している。

また更に、従来の記録・再生・消去用の光記録媒体にお
いては、経時劣化を基因とする記録層の感度低下、消去
用集束光の出力変動、並びにトラッキングずれ等の原因
によって記録情報を完全に消去できなくなるといった欠
点が存したが、第２０図に示すように消し残りが発生す
る領域には記録層（Ｃｏ）が存在しないため、消し残り
が生じない長所を有している。

また、トラック溝（ａｏ）内の記録層（Ｃｏ）は、その
長さ方向においてのみ連続し幅方向においては連続して
いないため、第２０図に示すように記録層（Ｃ’）の内
部ストレス（Ｓｔ）が−次元的となって大幅に緩和され
ると共に、記録材料が相変化タイプの場合、記録消去工
程における結晶化、アモルファス化という原子移動過程
も一次元的に進行するため、記録層（Ｃｏ）内の組成変
動や組成の面内ばらつきが生じ難くなり、記録層（Ｃｏ
）や記録ビットの安定性のに他、繰返し書換え性も改善
され長期に亘って記録性能が安定する長所を有しており
、かつ、−次元的に記録・消去の過程が進行するため、
各過程の高速化が図れて高速の記録・消去が可能となる
客種々の長所を有して゛いる。

［発明が解決しようとする課題］ ところで、この改良された光記録媒体を製造するに当っ
ては、基板全面に記録層を設ける従来の光記録媒体と異
なり、基板に設けられたトラック溝にのみ選択的に記録
層を形成する必要があった。

しかし、上記トラック溝の幅寸法については極めて小さ
な値に設定されているため、上記記録層の形成操作には
困難が伴い、精度良く、かつ、効率的に製造し難いとい
った問題点があった。

しかも、誤って上記トラック溝以外の部位にも記録層が
形成された場合、この部位の記録層が上記媒体ノイズ、
記録ノイズを引起こす原因となるため、従来における光
記録媒体と同様、Ｃ／Ｎ比が低下するといった問題点が
あった。

［課題を解決するための手段］ 本発明は以上の問題点に着目してなされたもので、その
課題とするところは、生産性が良好で、しかも記録精度
良好な光記録媒体の製造方法を提供することにある。

すなわち本発明は、集束光を照射させて光学的に情報の
記録再生、あるいは記録再生消去を行う光記録媒体であ
って、基板と、この基板の少なくとも一面に複数間隔を
介し形成されたトラック溝と、このトラック溝内に形成
された記録層とを備えた光記録媒体の製造方法を前提と
し、基板上に５條用皮膜を形成する皮膜形成工程、上記
白蝶用度膜上にこの皮膜を保護するための保護樹脂層を
、上記５條用皮膜を部分的に露出させた状態で形成する
樹脂層形成工程、 上記５條用皮膜の露出部分をエツチングしてトラック溝
形成用の凸條を形成する凸條形成工程、上記凸條により
形成されるトラック溝と保護樹脂層上に記録層形成膜を
形成する記録膜形成工程、及び、 上記保護樹脂層とこの上面に形成された記録層形成膜と
を除去して上記凸條を露出させると共に、この凸條によ
り形成されるトラック溝内の記録層形成膜を残して記録
層とする記録層形成工程、の各工程を具備することを特
徴とするものである。

この様な技術的手段において、上記皮膜形成工程におけ
る基板としては、この基板側から集束光を照射させる関
係上光透過性の材料が望ましく、例えば、ガラス、ポリ
カーボネート、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリル
酸メチル、エポキシ樹脂、ポリペンテン等が挙げられる
。また、単一の光透過性材料でもって上記基板を構成し
てもよく、あるいは上記光透過性材料を複数積層して基
板としても当然のことながらよい。更に、上記基板の形
状については通常円形状とするが、カード型の光記録媒
体とする場合には矩形状とするのが好ましい。尚、基板
の反対側から集束光を照射させて記録・再生、あるいは
記録・再生・消去を行う光記録媒体においては、当然の
ことながら上記光透過性以外の光不透過性の材料でもっ
て基板を構成してもよい。

また、この皮膜形成工程における凸條用皮膜形成材料と
しては、適度な機械的強度を有し、かつ、以下の凸條形
成工程においてエツチング可能な材料であることを要し
、例えば、５１０２、Ｓｉ　　Ｎ　　、ＺｎＳ、ＺｒＯ
□等の無機材料が適するが、基板材料とエツチングレー
トが異なれば樹脂材料でもよい。またその形成方法につ
いても使用する材料に適した方法が適用可能で、例えば
、蒸着法、スパッタリング法、スピンコード法等、上記
基板上に均一皮膜を形成できる形成方法が利用できる。

更に、この凸條用皮膜の厚さ寸法がトラック溝の深さ寸
法となるものであるが、通常、その寸法値は３００〜３
０００オングストローム程庭に設定される。

次に、上記樹脂層形成工程は、５條用度膜上にパターン
状に保護樹脂層を形成し、以下の凸條形成工程における
エツチングに対して保護樹脂層下の凸條用皮膜を保護す
るための処理工程で、この工程に適する保護樹脂層形成
用の材料としては、以下の記録層形成工程によって容易
に除去できる材料が好ましく、具体的には、ノボラック
樹脂と０−キノンジアジドの混合物からなるフォトレジ
スト材料等がある。また、上記凸條用皮膜を部分的に露
出させた状態でもって保護樹脂層を形成する方法として
は、例えば、５條用度膜上にフォトレジスト材料をスピ
ンコード法により塗布形成し、この樹脂面上にフォトマ
スクを介しパターン状に光照射を行い、露光部位を現像
液であるアルカリ水溶液可溶性に変質させて現像除去し
保護樹脂層を形成したり、あるいは、熱、若しくは光硬
化型の樹脂を同様に塗布形成し、この樹脂面上に予めレ
ーザカッティングマシーン等の精密機器により作成した
マスター盤を密着させてその溝パターンを転写形成し、
次いで、上記樹脂を硬化させて保護樹！を層を形成する
方法等がある。

また、上記凸條用皮膜の露出部位については最終的にト
ラック溝を構成する部位となるものである。そしてこの
露出形状については、上記基板が円形の場合、渦巻き状
、若しくは同心円状に形成され、一方、矩形基板におい
ては互いに平行に形成された直線状に形成されるもので
ある。更に、トラック溝の幅寸法Ｔを決定する上記露出
部の幅寸法は、トラック密度、Ｃ／Ｎ比等を上げるため
には記録用集束光スポットの半値幅（Ω２）程度以下、
好ましくはΩ２／３〜２×Ω２／３程度に設定するとよ
く、一方上記トラック溝間距離ＴＰを決定する凸條用皮
膜の各露出部間距離については、記録用集束光スポット
の１／ｅ２全幅をΩｅとした場合において、トラック密
度を上げるためには略（Ｔ＋Ωｅ）／２に設定すること
が望ましい。但し、記録層の内部ストレスを低減し記録
性能の安定化のみを図るような目的の場合には、当然の
ことながら上記設定範囲に限定されるものではない。更
に、上記保護樹脂層の厚さ寸法については、以下凸條形
成工程における凸條用皮膜のエツチング処理中において
、残留してその下方側の凸條用皮膜を保護するに充分な
厚さを必要とし、その深さ寸法値は、使用する保護樹脂
層の種類やエツチング材料の種類等で異なるが、通常５
００〜７０００オングストローム、好ましくは２０００
〜５０００オングストローム程度に設定するものである
。

次に、上記凸條形成工程におけるエツチング処理は、凸
條用皮膜の露出部分を除去してトラック溝形成用の凸條
を形成するもので、この工程におけるエツチング法とし
てはエツチング材料として、ＣＦ　　、ＣＣＩ　　Ｈ１
若しくは、ＣＣｌ４をべ一スにＯ、Ｈ、Ｎ２が適量添加
されたガス等を使用するドライエツチング法が適してい
る。

次に、上記記録膜形成工程における記録材料としては、
光記録材料として広く知られている全ての材料を使用す
ることができる。

すなわち、Ｔｅ、５ｅＳＳ、Ｓｂ、Ａｓ、Ｐ。

Ｐｂ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｓ　ｉ、ＴＩ、Ｉｎ、Ｇａ。

ＡＩ、Ｚｎ、ＡＵ、ＡＱ、Ｃｌ、Ｐｔ、ＭＯｌＴ　ｉ　
、Ｎ　＋　ｓ　Ｃｒ　、及びＷ等の元素のうち少なくと
も一成分以上を含む単体、若しくは化合物、あるいはそ
れらが他の材料中に分散された材料を使用することがで
きる。このうちＴｅ、５ｅ−Ｔｅ。

Ｐｂ−３ｅ−Ｔｅ、Ｔｅ−Ｃ等は書換不能な記録・再生
タイプである穴開は形の材料に適しており、ＴｅＯ、Ｔ
ｅａｘ　（Ｇｅ、Ｓｎ添加）、Ｉｎ−Ｓｅ、Ｉｎ−８ｂ
、Ｉｎ−Ｔｅ１Ｓｂ２　Ｓｅ。

Ｔｅ−Ｇｅ−８ｎ、Ｔｅ−Ｇｅ−８ｎ−Ａｕ。

Ａｓ　　　Ｓ　　　、５ｂ−Ｔｅ１　Ｔｅ−Ｎ、Ｇｅ−
Ｔｅ。

Ａｇ−１ｎ、Ａｇ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ａ　Ｉ、Ａｇ−Ａｊ−
Ｃｕ、Ｃｕ−Ａｌ−Ｎ１５Ａｕ−Ｔｉ、及びＣｒ−Ｔｉ
等は書換可能な記録・再生・消去タイプである相変化形
記録材料に適している。

また、書換可能な光磁気記録材料としては、１”ｅ、Ｃ
ｏ、Ｎ　ｉ　、Ｍｎ等の遷移金属、及びＴｂ。

Ｇｄ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、ＥｎｌＤｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔ
ｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の希土類元素のうち少なくとも一成分
以上を含む磁気材料、代表的にはＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔ
Ｉ）＝Ｆｅ、Ｄｙ−Ｆｅ。

Ｍｎ−Ｂ　ｉ　、　Ｐｔ−Ｍｎ−８ｂ等が適用できる。

更に、記録層を構成する材料としては、上記以外にシア
ニン色素、フタロシアニン、ナフトキノン、スクアリリ
ウム、ポリチオフェン、ポリジアセチレンに代表される
有機色素材料、及びスピロピラン、フルギド、アゾベン
ゼン等に代表されるフォトクロミック材料等が使用可能
である。

また、上記凸條により形成されるトラック溝と保護樹脂
層上に厚さが略均−の記録層形成膜を形成する手段とし
ては、例えば、上記記録材料を直接形成する蒸着法、ス
パッタリング法等のドライプロセスが適用できる。尚、
基板と記録材料との親和性が弱い場合には、必要に応じ
基板上に記録材料と親和性を有する下地材料を予め塗布
形成するとよい。

更に、記録層形成工程において保護樹脂層とこの上面に
形成された記録層形成膜とを除去して上記凸條を露出さ
せると共に、この凸條により形成されるトラック溝内の
記録層形成膜を残して記録層とする手段としては、上記
保護樹脂層を溶解し記録材料を溶解しない溶媒を用いた
溶出法や、上記基材の保護樹脂層面上をパフ研磨しトラ
ック溝以外の部位の記録層形成膜等を除去する機械的研
磨法等が適しており、上記溶出法に適した溶媒としてア
セトン等の有機溶剤がある。

またこの技術的手段は、片面側にのみ記録層を備える光
記録媒体の製造方法に適用できる他、両面側に記録層を
備える光記録媒体の製造方法にも適用できる。この場合
後者のものは、記録層を向い合せにし接着剤を介し、あ
るいはスペーサを介し２枚貼り合せて形成することがで
き、また、この接着剤としては、ウレタン系接着剤、エ
ポキシ系接着剤、硬化性シリコーン樹脂、エチレン−酢
酸ビニル樹脂等のホットメルト型接着剤、ポリ塩化ビニ
ル樹脂等の高周波接着剤等が利用できる。

また、この製造方法により得られた光記録媒体の記録層
へ集束光を照射させて情報の記録・再生、あるいは記録
・再生・消去を行う光源としては、従来法において利用
されている光源が使用でき、具体的にはＧａＡｌＡｓ系
半導体レーザ、ＧａＡ　Ｉ　ＩｎＰ系半導体レーザ、Ｇ
ａ１ｎＡＳＰ系半導体レーザ等の半導体レーザや、Ｈｅ
−Ｎｅレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザ等のガス
レーザ等が挙げられる。

更に、本発明により製造された光記録媒体は、コンパク
トディスク等の音楽用、ビデオデスク等の画像用に加え
て計算機用光デイ°スク等各種用途に適用できる。

［作用］ 上述したような技術的手段によれば、基板上に５條用皮
膜を形成する皮膜形成工程、この凸條用度膜上にこの一
部を露出させて保護樹脂層を形成する樹脂層形成工程、
及び５條用皮膜の露出部分をエツチングする凸像形成工
程により基板上にトラック溝が形成され、記録膜形成工
程により上記トラック溝内に記録層形成膜が設けられ、
更に、記録層形成工程により保護樹脂層とこの上面に形
成された記録層形成膜が除去されて、トラック溝内にの
み高精度でもって、かつ、確実に記録層を形成すること
が可能となる。

［実施例］ 以下、片面側に記録層を備える光記録媒体に本発明を適
用した実施例について図面を参照して詳細に説明する。

まず、円形状でポリメタクリル酸メチル製の板材（１０
）上に、スパッタリング法にてＳｉｏ２を着膜させて厚
さ１０００オングストロームの５條用皮膜（１１）を形
成し、更にこの面上にスピンコード法によりフォトレジ
スト材料（ヘキスト社製　商品名ＡＺ　１３５０Ｊ）を
塗布し、３０００オングストローム厚のフォトレジスト
層（１２）を形成する（第１図ａ−ｂ参照）。

次いで、Ｃｒｙ膜をバターニングして作成したフォトマ
スク（図示せず）を上記フォトレジスト層（１２）上に
密着させた状態でもってＫｒＦを用いたエキシマ−レー
ザ光（波長２４９０オングストローム）を照射し、露光
部位のフォトレジスト層（１２）を変質させ現像剤であ
るアルカリ水溶液に可溶性とすると共に、その露光部位
をアルカリ水溶液により溶解除去して幅Ｔが５ｏｏｏオ
ングストローム、深さが約３０００オンゲストＯ−ムの
トラックパターンを形成する（第１図Ｃ参照）。

次に、上記５條用皮膜（１１）面に設けられたフォトレ
ジストＩＩ（１２）をマスクとし、ＣＦ４をエツチング
ガスとして使用したドライエツチング法により５條用皮
膜（１１）の露出面をエツチングし、トラック状に凸條
（１３）を形成してトラック溝（３）を有する基板（２
）を作成する（第１図Ｃ参照）。

次いで、この基板（２）の凸條（１３）形成面上に３０
０オングストローム厚のＴｅｏｘＷＩ層（１４）を蒸着
法により均一に形成する（第１図Ｃ参照）。

尚、この薄層（１４）の層厚は記録材料の種類により異
なるが、通常１００〜２０００オングストローム程度に
設定される。また、上記板材（１０）面と記録材料との
親和性が弱い場合には、必要に応じ板材（１０）面上に
下地材料を塗布形成するとよい。

そして、アセトン等の有機溶剤にて上記凸條（１３）面
上に残留するフォトレジスト１ｉｄ（１２）を溶解し、
第１図（ｆ）に示すようにフォトレジスト層（１２）と
このフォトレジスト層（１２）上に形成されたＴｅｏｘ
ＷＸ層（１４）とを除去すると共に、トラック溝（３）
内のＴｅＯｘ薄層（１４）を残して記録層（４）とした
後、この記録層（４）側基板（２）面上にＳ　ｉ　Ｏ２
にて構成される保１１ＪＩ（５）を均一に形成し、第１
図（Ｃ））及び第２図に示すようにトラック溝（３）に
のみ記録層（４）を有する光記録媒体（１）を製造した
。

［発明の効果］ 本発明によれば、基板上に５條用皮膜を形成する皮膜形
成工程、この凸條用度膜上にこの一部を露出させて保ｍ
樹脂層を形成する樹脂層形成工程、及び５條用皮膜の露
出部分をエツチングする凸像形成工程により基板上にト
ラック溝が形成され、記録膜形成工程により上記トラッ
ク溝内に記録層形成膜が設けられ、更に、記録層形成工
程により保護樹脂層とこの上面に形成された記録層形成
膜が除去されて、トラック溝内にのみ高精度でもって、
かつ、確実に記録層を形成することが可能となる。

従って、トラック溝内にのみ記録層を有する光記録媒体
を簡便に、かつ、効率的に製造できる効果を有している
。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第２図は本発明の実施例を示しており、第１図
（ａ）〜（Ｑ）はこの実施例に係る光記録媒体の製造工
程を示す工程説明図、第２図はこの光記録媒体の部分断
面斜視図であり、また、第３図〜第１３図は従来におけ
る光記録媒体を示しており、第３図はその斜視図、第４
図及び第７図はその部分断面斜視図、第５図は半導体レ
ーザ等光源の照度分布とその収束光スポットの照度分布
、第６図は第５図における１部分の拡大図、第８図は光
記録媒体の再生時における説明図、第９図（ａ）は光記
録媒体の部分断面図、第９図（ｂ）はその部分平面図、
第９図（Ｃ）は記録、再生用半導体レーザスポットの照
度分布、第９図（ｄ）はトラックピッチを最小にした場
合の光記録媒体の部分平面図、第１０図〜第１２図はト
ラック、記録層、及び記録ドツトの形状を示す平面図、
第１３図は記録層に加わる内部ストレスを示す説明図、
また、第１４図〜第２０図は他の従来にお【プる光記録
媒体を示しており、第１４図はこの部分断面斜視図、第
１５図（ａ）はこの光記録媒体の部分断面図、第１５図
（ｂ）はその部分平面図、第１５図（Ｃ）は記録、再生
用半導体レーザスポットの照度分布、第１５図（ｄ）は
トラックピッチを最小にした場合の光記録媒体の部分平
面図、第１６図、第１８図、及び第２０図はトラック溝
、記録層、及び記録ドツトの形状を示す平面図、第１７
図は再生信号レベルと時間との関係図、第１９図は再生
信号におけるキャリア信号レベルとノイズ信号レベルと
の関係を示す関係図を夫々示している。 ［符号説明］ （１）・・・光記録媒体 （２）・・・基板 （３）・・・トラック溝 （４）・・・記録層 （５）・・・保護層 特　許　出　願　人　富士ゼロックス株式会社代　　理
　　人　　弁理士　　中　　村　　智　　廣　（外３名
）第１図 第２図 第３図 Ｐ’６　Ｐ’１ 第４図 第１０図 り 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図 第１６図 第１７図 再生信号 時間

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）集束光を照射させて光学的に情報の記録再生、あ
   るいは記録再生消去を行う光記録媒体であって、基板と
   、この基板の少なくとも一面に複数間隔を介し形成され
   たトラック溝と、このトラック溝内に形成された記録層
   とを備えた光記録媒体の製造方法において、基板上に凸
   條用皮膜を形成する皮膜形成工程、上記凸條用皮膜上に
   この皮膜を保護するための保護樹脂層を、上記凸條用皮
   膜を部分的に露出させた状態で形成する樹脂層形成工程
   、 上記凸條用皮膜の露出部分をエッチングしてトラック溝
   形成用の凸條を形成する凸條形成工程、上記凸條により
   形成されるトラック溝と保護樹脂層上に記録層形成膜を
   形成する記録膜形成工程、及び、 上記保護樹脂層とこの上面に形成された記録層形成膜と
   を除去して上記凸條を露出させると共に、この凸條によ
   り形成されるトラック溝内の記録層形成膜を残して記録
   層とする記録層形成工程、の各工程を具備することを特
   徴とする光記録媒体の製造方法。
2. （２）上記記録膜形成工程が、記録材料の蒸着法により
   構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の光記録媒体の製造方法。
3. （３）上記記録膜形成工程が、記録材料のスパッタリン
   グ法により構成されていることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の光記録媒体の製造方法。
4. （４）上記記録層形成工程が、記録材料を溶解しない溶
   媒により保護樹脂層を溶出する溶出法により構成されて
   いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記
   録媒体の製造方法。