JPH01227521A - 電圧駆動素子の駆動回路 - Google Patents

電圧駆動素子の駆動回路

Info

Publication number
JPH01227521A
JPH01227521A JP63053370A JP5337088A JPH01227521A JP H01227521 A JPH01227521 A JP H01227521A JP 63053370 A JP63053370 A JP 63053370A JP 5337088 A JP5337088 A JP 5337088A JP H01227521 A JPH01227521 A JP H01227521A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
source
circuit
drive
gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP63053370A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0779230B2 (ja
Inventor
Yoshio Suzuki
義雄 鈴木
Mikio Ito
幹雄 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Origin Electric Co Ltd
Original Assignee
Origin Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Origin Electric Co Ltd filed Critical Origin Electric Co Ltd
Priority to JP63053370A priority Critical patent/JPH0779230B2/ja
Publication of JPH01227521A publication Critical patent/JPH01227521A/ja
Publication of JPH0779230B2 publication Critical patent/JPH0779230B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/689—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
    • H03K17/691—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit using transformer coupling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は電圧駆動素子の駆動回路に関し、詳しくは保護
回路を設けた電圧駆動素子の駆動回路に関する。
(従来技術及び発明が解決しようとする課題)従来の電
圧駆動素子の駆動回路(以下単に駆動回路という、)は
オン・オフ期間の全期間に対応して正負の駆動信号を印
加するのが一般的である。
しかし、起動時等に電圧駆動素子例えば電解効果トラン
ジスタ(以下FETという)のゲート・ソース間電圧が
零で、駆動回路のスイッチ素子がすべてオフ状態でゲー
ト・ソース間が開放のとき、dv/dtの大きい電圧を
印加すると、FETの分布容量を介してゲート・ソース
間電圧が上昇し、誤動作する問題があり、この誤動作を
防止するためにはゲート・ソース間に数10オームの低
抵抗を挿入したり、リレー回路を挿入してインピーダン
スを下げることが考えられる。
例えば、第4図(a)に示す駆動回路では第4図(b)
で示す駆動信号が印加される。これらの図においてJ 
FETQのゲートGとソースS間に抵抗Rを介して信号
v、sが印加され、FETQは信号v6゜が正の期間に
オンし、信号VCSが負の期間オフする。この駆動回路
において抵抗Rは数lOΩの抵抗値であるため、オン・
オフの全期間にわたって信号V。を印加する必要があり
、駆動パワーが増大し、電圧駆動素子の特徴が生かされ
ず、パルストランス(図示せず)で絶縁した駆動回路に
おいてはパルストランスが大形となる欠点がある。
また、第5図に示す駆動回路では、起動時の誤動作防止
を図るために、シーケンス回路SCを設け、入力電圧、
制御電圧等を監視し、各電圧が確立した時点で、接点R
Y、をオフし、第1信号としてオフ信号を入力してから
オン信号を印加する。
しかし、このような駆動回路ではシーケンス回路SCを
必要とし、またリレー回路は機械的であり、信鎖性の問
題と半導体部品に較べ高価であるなど種々の問題点があ
る。
本発明は上記問題点に鑑み、電圧駆動素子の特徴を生か
し小パワーで、かつ起動時等の誤動作防止を図った保護
回路を具備した駆動回路を提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段) 本発明は上記目的を達成するために、電圧駆動素子のゲ
ートとソース間にトランジスタとダイオードとの直列回
路を接続し、前記トランジスタのベースとエミッタ間に
ダイオードを接続し、前記トランジスタのベースとソー
ス間にコンデンサと抵抗との並列回路を接続し、前記コ
ンデンサと抵抗との並列回路の両端にオン駆動信号を、
前記トランジスタとダイオードとの直列回路の両端にオ
フ駆動信号を印加することを特徴とする電圧駆動素子の
駆動回路を要旨とする。
(作用) 本発明の駆動回路は全てのスイッチ素子がオフのとき、
ドレイン・ソース間にd v / d tの大きい電圧
が印加され、分布容量を介してゲート・ソース間に電圧
が発生しようとするとゲート・ソース間に挿入したトラ
ンジスタがオンして電圧上昇をクランプして誤動作を防
止するための保護回路を有する駆動回路である。
(実施例) 以下、図面に沿って本発明の実施例について説明する。
なお、実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸
脱しない範囲で種々の変更あるいは改良を行いうろこと
は言うまでもない。
第1図は本発明の一実施例を示す回路図である。
図において、Qは電圧駆動素子、例えばFET、lは駆
動回路電源、2は信号ONにより駆動される駆動用スイ
ッチ素子、3は絶縁用のパルストランス、4は前記信号
ONと同期してオンするスイッチ素子、例えばトランジ
スタ、5は保護回路、6は信号OFFにより駆動される
駆動用スイッチ素子、7は絶縁用のパルストランス、8
は前記信号OFFと同期してオンするスイッチ素子、例
えばトランジスタである。
以下に第2図の各部波形図を参照して回路動作について
説明する。第2図の(A)は信号ON、(B)は信号O
FF、(C)の実線はコンデンサCO3破線はゲートG
とソースS間の電圧波形である。
いま、起動特等駆動回路の全てのスイッチ素子がオフの
とき、ドレイン・ソース間にdv/dtの大きい電圧が
FETQに印加され、分布容量を介してゲートGとソー
スS間に電圧が発生しようとするとダーリントン接続さ
れたトランジスタQOとQlとがオンし電圧上昇をクラ
ンプして誤動作を防止する。定常動作時は信号ONによ
りスイッチ素子2がオンするとトランジスタ4も同期し
てオンしコンデンサCOの充電とダイオードDOを介し
てFETQのゲートGとソースS間の容量C、を充電ア
ップしてFETQを導通させ、スイッチ素子2がオフ後
はトランジスタ4も同期してオフし、コンデンサCOと
抵抗ROの時定数で減少するが動作周波数に較べて充分
大きく設定すれば、導通を保持する。このときトランジ
スタQO。
Qlのベース・エミッタ電圧は逆バイアス状態、又は順
方向オン電圧以下でオフ状態を保持し、ゲートGとソー
スS間のインピーダンスはコンデンサCOと抵抗ROが
接続されたのと等価である。
次に信号OFFによりスイッチ6がオンするとトランジ
スタ8も同期してオンし、ダイオードDOを介してコン
デンサCOを逆充電し、またゲートGとソースS間の容
量C11を逆充電してF ETQを非導通にする。 ′ スイッチ6がオフ後はトランジスタ8も同期してオフし
、コンデンサCO3破線C□と抵抗R0の時定数で減少
する。このときダイオードD1は逆バイアスされオフを
維持しゲートGとソースS間のインピーダンスはコンデ
ンサCO9抵抗ROが接続されたのと等価である。この
ように、動作状態に於いてはトランジスタQO,Q1.
ダイオードDIの直列回路は常にオフ状態でゲートGと
ソースS間のインピーダンスの低下を招かず駆動パワー
を増大させる必要がない。
なお、第1図の実施例はNチャンネルの電圧駆動素子に
ついて説明したが、第3図に示すようにPチャンネルの
電圧駆動素子について、トランジスタの選択とダイオー
ドの組合せを変更することにより実施できることは明ら
かである。また、第3図において、第1図と同一機能を
有する素子は同一符号を付したので説明は省略する。
なお、トランジスタQO及びQlをダーリントン接続し
たのは設計上の問題で必要に応じて1個のトランジスタ
とすることも可能である。
(発明の効果) 以上説明したように、本発明によれば電圧駆動素子のゲ
ートとソース間にトランジスタとダイオードとの直列回
路を接続し、前記トランジスタのベースとエミッタ間に
ダイオードを接続し、前記トランジスタのベースとソー
ス間にコンデンサと抵抗との並列回路を接続し、前記コ
ンデンサと抵抗との並列回路の両端にオン駆動信号を、
前記トランジスタとダイオードとの直列回路の両端にオ
フ駆動信号を印加することにより、小パワーによる電圧
駆動素子の駆動を損なうことなく、起動時等の誤動作の
防止を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図は第1図の
各部波形図、第3図は本発明の他の実施例、第4図(a
)及びら)は従来の駆動回路の一例、第 5図は従来の
駆動回路の他の例である。 Q・・・電圧駆動素子、1・・・駆動回路電源、2.6
・・・駆動用スイッチ素子、3.7・・・パルストラン
ス、4,8・・・スイッチ素子、5・・・保護回路。 し 2  L

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 電圧駆動素子のゲートとソース間にトランジスタとダイ
    オードとの直列回路を接続し、前記トランジスタのベー
    スとエミッタ間にダイオードを接続し、前記トランジス
    タのベースとソース間にコンデンサと抵抗との並列回路
    を接続し、前記コンデンサと抵抗との並列回路の両端に
    オン駆動信号を、前記トランジスタとダイオードとの直
    列回路の両端にオフ駆動信号を印加することを特徴とす
    る電圧駆動素子の駆動回路。
JP63053370A 1988-03-07 1988-03-07 電圧駆動素子の駆動回路 Expired - Lifetime JPH0779230B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63053370A JPH0779230B2 (ja) 1988-03-07 1988-03-07 電圧駆動素子の駆動回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63053370A JPH0779230B2 (ja) 1988-03-07 1988-03-07 電圧駆動素子の駆動回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01227521A true JPH01227521A (ja) 1989-09-11
JPH0779230B2 JPH0779230B2 (ja) 1995-08-23

Family

ID=12940930

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63053370A Expired - Lifetime JPH0779230B2 (ja) 1988-03-07 1988-03-07 電圧駆動素子の駆動回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0779230B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001024492A (ja) * 1999-07-08 2001-01-26 Toyota Autom Loom Works Ltd Mosトランジスタのドライブ回路
JP2014150654A (ja) * 2013-01-31 2014-08-21 Kikusui Electr0Nics Corp ゲート駆動回路
GB2511846A (en) * 2013-03-15 2014-09-17 Eisergy Ltd A gate drive circuit for a semiconductor switch

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57168524A (en) * 1981-01-02 1982-10-16 Sperry Rand Corp High speed switching field effect transistor drive circuit

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57168524A (en) * 1981-01-02 1982-10-16 Sperry Rand Corp High speed switching field effect transistor drive circuit

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001024492A (ja) * 1999-07-08 2001-01-26 Toyota Autom Loom Works Ltd Mosトランジスタのドライブ回路
JP2014150654A (ja) * 2013-01-31 2014-08-21 Kikusui Electr0Nics Corp ゲート駆動回路
GB2511846A (en) * 2013-03-15 2014-09-17 Eisergy Ltd A gate drive circuit for a semiconductor switch
GB2511846B (en) * 2013-03-15 2017-07-26 Eisergy Ltd A gate drive circuit for a semiconductor switch

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0779230B2 (ja) 1995-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4748351A (en) Power MOSFET gate driver circuit
US5506539A (en) IGFET power semiconductor circuit with GAE control and fault detection circuits
US4970420A (en) Power field effect transistor drive circuit
JPH04337919A (ja) パワー素子の過電流保護装置
KR950015989A (ko) 캐패시터와 트랜지스터를 사용하는 지연 회로
GB1385691A (en) Dc static switch circuit
KR970005567B1 (ko) 단락 보호 회로
US20230291399A1 (en) Miller clamping device for parallel switching transistors and driver comprising same
US4914540A (en) Overvoltage-protective device
JPH02504694A (ja) 高速でターンオフするダーリントン増幅器
US4547686A (en) Hybrid power semiconductor switch
US4371841A (en) Circuit arrangement for eliminating turn-on and turn-off clicks in an amplifier
KR910008953A (ko) 캐패시턴스 디바이스 구동용 cmos 집적 회로
US4117351A (en) Transistor switching circuit
JP3528854B2 (ja) 電力mosトランジスタを高電位側駆動構成において駆動するためのブートストラップ回路
KR920003660A (ko) 구동기 회로
US4800294A (en) Pin driver circuit
US3135874A (en) Control circuits for electronic switches
US5027020A (en) Zero voltage switching AC relay circuit
US4323789A (en) Sequencer for power supply voltages
EP0468209B1 (en) Single-drive level shifter, with low dynamic impedance
US4302791A (en) Power supply sequencing apparatus
US5440440A (en) High current solid state AC relay with low EMI emission
US4588902A (en) Analog switching circuit with Zener diode input clamp
JPH0779230B2 (ja) 電圧駆動素子の駆動回路

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080823

Year of fee payment: 13