JPH0122977B2 - - Google Patents
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- JPH0122977B2 JPH0122977B2 JP55500330A JP50033080A JPH0122977B2 JP H0122977 B2 JPH0122977 B2 JP H0122977B2 JP 55500330 A JP55500330 A JP 55500330A JP 50033080 A JP50033080 A JP 50033080A JP H0122977 B2 JPH0122977 B2 JP H0122977B2
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、投影コピー装置、特に、半導体基板
上にマスクを投影コピーするコピー装置において
像面および被写体面を調整する方法および装置で
あつて、像面およびまたは被写体面は少くとも１
つの調整用マークを関連させ、投影された該マー
クの像を評価して調整誤差を求めるようにしてた
式のものに関する。
上にマスクを投影コピーするコピー装置において
像面および被写体面を調整する方法および装置で
あつて、像面およびまたは被写体面は少くとも１
つの調整用マークを関連させ、投影された該マー
クの像を評価して調整誤差を求めるようにしてた
式のものに関する。
集積回路の作製時に半導体基板上にマスクを投
影コピーするために、通常、回路パターンの結像
前に、像面または被写体面内でマスクと半導体基
板とを相互に調整する。
影コピーするために、通常、回路パターンの結像
前に、像面または被写体面内でマスクと半導体基
板とを相互に調整する。
このために、例えば、透明な窓から成る調整用
マークをマスクに関連させ、当該の短線マークを
半導体基板に関連させることは公知である。窓お
よび短線マークは、投影光学系を介して結像さ
せ、判断装置の回転プリズムによつて走査する。
この判断装置は、窓のエツジから短線マークまで
の走査到達時間間隔を測定し、短線マークがマス
クの結像された窓の中心に来るまで、半導体基板
を移動する調節モータに制御信号を与える。
マークをマスクに関連させ、当該の短線マークを
半導体基板に関連させることは公知である。窓お
よび短線マークは、投影光学系を介して結像さ
せ、判断装置の回転プリズムによつて走査する。
この判断装置は、窓のエツジから短線マークまで
の走査到達時間間隔を測定し、短線マークがマス
クの結像された窓の中心に来るまで、半導体基板
を移動する調節モータに制御信号を与える。
投影コピー装置では、像面または被写体面の
XY座標における上記調整工程以外に、光学系の
合焦操作を行うことも必要である。即ち、上述の
使用例では、マスク層および半導体基板の感光層
によつて与えられる像面および被写体面を像平面
および被写体平面内に正確に配置することが必要
である。
XY座標における上記調整工程以外に、光学系の
合焦操作を行うことも必要である。即ち、上述の
使用例では、マスク層および半導体基板の感光層
によつて与えられる像面および被写体面を像平面
および被写体平面内に正確に配置することが必要
である。
この、いわゆる、Ｚ軸調節を自動的に行うため
に、合焦せる光束を被写体平面および像平面内で
円軌道に沿つて運動せしめて光束の合焦状態を自
動的に監視することは、西独特許第2427323号か
ら公知である。ピントが外れている場合には、調
整誤差を修正するために、位置依存の信号を発生
する。この方法には、合焦誤差の測定・修正のた
めに、別個の調整操作と比較的高価な装置とが必
要であると云う欠点がある。
に、合焦せる光束を被写体平面および像平面内で
円軌道に沿つて運動せしめて光束の合焦状態を自
動的に監視することは、西独特許第2427323号か
ら公知である。ピントが外れている場合には、調
整誤差を修正するために、位置依存の信号を発生
する。この方法には、合焦誤差の測定・修正のた
めに、別個の調整操作と比較的高価な装置とが必
要であると云う欠点がある。
更に、XY軸調節に使用する半導体基板の調節
マークをＺ軸調節にも使用することは、西独公開
第2633297号から公知である。このために、調節
マークから反射される光束を光感素子に偏向さ
せ、光感素子に受光された反射光が最小になるま
で、投影対物レンズを光軸に沿つて移動させる。
しかしながら、この場合、この種の方法には、比
較的大面積の調節マークが必要であり、達成可能
な精度が、しばしば、不十分であると云う欠点が
ある。
マークをＺ軸調節にも使用することは、西独公開
第2633297号から公知である。このために、調節
マークから反射される光束を光感素子に偏向さ
せ、光感素子に受光された反射光が最小になるま
で、投影対物レンズを光軸に沿つて移動させる。
しかしながら、この場合、この種の方法には、比
較的大面積の調節マークが必要であり、達成可能
な精度が、しばしば、不十分であると云う欠点が
ある。
従つて、本発明の目的は、像面およびまたは被
写体面を光軸方向に極めて正確に配列できる、冒
頭に述べた種類の方法および装置を創生すること
にある。更に目的とするところは、上記方法にお
いて、XY軸調節用に設けた調整用マークも使用
できるようにすることにある。
写体面を光軸方向に極めて正確に配列できる、冒
頭に述べた種類の方法および装置を創生すること
にある。更に目的とするところは、上記方法にお
いて、XY軸調節用に設けた調整用マークも使用
できるようにすることにある。
このために、本発明にをとづき、少くとも１つ
の調整用マークの像の光度分布を測定し、１つま
たは複数の強度変化に依存する信号を発生し、該
信号を、像面およびまたは被写体面の光軸方向の
修正に使用する。像の鮮明さは合焦状態の関数と
して表わせるので、Ｚ軸方向の誤調節を容易に検
知、修正できる。
の調整用マークの像の光度分布を測定し、１つま
たは複数の強度変化に依存する信号を発生し、該
信号を、像面およびまたは被写体面の光軸方向の
修正に使用する。像の鮮明さは合焦状態の関数と
して表わせるので、Ｚ軸方向の誤調節を容易に検
知、修正できる。
このため、調整用マークを、それ自体は公知の
態様で、少くとも１つの平行エツジから形成され
た窓として、被写体面内に構成し、像面内に投影
された窓の像を、上記窓のエツジに直角な方向に
走査するのが、好ましい。
態様で、少くとも１つの平行エツジから形成され
た窓として、被写体面内に構成し、像面内に投影
された窓の像を、上記窓のエツジに直角な方向に
走査するのが、好ましい。
さらに、調整用マークに関連し窓のエツジに平
行に延びる線要素を像面内に設け、窓のエツジの
像から線要素までの間の距離に対応して、線要素
に直角な方向における像面およびまたは被写体面
の調整に使用する信号を発生し、窓のエツジまた
は線要素の像の鮮明さに対応して、光軸方向にお
ける像面およびまたは被写体面の焦点合わせに使
用する信号を発生するようにすれば、有利であ
る。
行に延びる線要素を像面内に設け、窓のエツジの
像から線要素までの間の距離に対応して、線要素
に直角な方向における像面およびまたは被写体面
の調整に使用する信号を発生し、窓のエツジまた
は線要素の像の鮮明さに対応して、光軸方向にお
ける像面およびまたは被写体面の焦点合わせに使
用する信号を発生するようにすれば、有利であ
る。
好ましい実施例では、被写体面内で相互に離隔
した少くとも３つの調整用マークを配置し、光軸
方向における像面およびまたは被写体面の修正の
ために、少くとも３つの独立の移動装置を設け
る。かくして、調整用マークの像から得られる信
号の差から角度位置を修正でき、それぞれの信号
を平均値した値から被写体面と像面との間の平行
距離を修正できる。
した少くとも３つの調整用マークを配置し、光軸
方向における像面およびまたは被写体面の修正の
ために、少くとも３つの独立の移動装置を設け
る。かくして、調整用マークの像から得られる信
号の差から角度位置を修正でき、それぞれの信号
を平均値した値から被写体面と像面との間の平行
距離を修正できる。
像平面内の調整用マークの像を、結像光学系を
介して逆投影し、被写体平面の範囲に配置したミ
ラー等によつて判断装置に放射し、窓のエツジに
直角度な判断装置の検知平面内の各像を走査し、
光度に比例する電気信号を発生せしめて像面およ
びまたは被写体面の修正に使用するのが、好まし
い。
介して逆投影し、被写体平面の範囲に配置したミ
ラー等によつて判断装置に放射し、窓のエツジに
直角度な判断装置の検知平面内の各像を走査し、
光度に比例する電気信号を発生せしめて像面およ
びまたは被写体面の修正に使用するのが、好まし
い。
光度分布の測定のために、判断装置によつて調
整用マークの像を所定速度で走査し、窓のエツジ
に対応する信号が２つの境界値を通過する間の時
間差を求めれば、適切であり、この場合、時間差
に対応して、移動装置を作動して、像面およびま
たは被写体面の位置修正を行う。
整用マークの像を所定速度で走査し、窓のエツジ
に対応する信号が２つの境界値を通過する間の時
間差を求めれば、適切であり、この場合、時間差
に対応して、移動装置を作動して、像面およびま
たは被写体面の位置修正を行う。
調整用マークの像のピント外れをまず求め、像
面およびまたは被写体面を光軸に沿つて所定方向
に移動し、次いで、ピント外れの第２の測定を行
い、合焦誤差が拡大された場合には、即ち、像の
鮮明さが劣化した場合には、光軸に沿う修正方向
を反転することによつて、修正方向を定めれば有
利である。
面およびまたは被写体面を光軸に沿つて所定方向
に移動し、次いで、ピント外れの第２の測定を行
い、合焦誤差が拡大された場合には、即ち、像の
鮮明さが劣化した場合には、光軸に沿う修正方向
を反転することによつて、修正方向を定めれば有
利である。
本発明を、実施例および図面を参照して以下に
詳細に説明する。
詳細に説明する。
〔発明を実施するための最良の形態〕
第１図に、集積回路作製用の投影コピー装置の
本質的構成部分を示した。投影コピー装置は、本
質的に、露出装置１と、マスク用ステージ４と、
投影対物レンズ５と、座標テーブル１０とから成
つている。結像すべきマスク２は、投影対物レン
ズ５の被写体平面内にあるマスク用ステージ４に
載つており、半導体基板は、像平面内で３つの移
動装置９′〜９上に配置してある。
本質的構成部分を示した。投影コピー装置は、本
質的に、露出装置１と、マスク用ステージ４と、
投影対物レンズ５と、座標テーブル１０とから成
つている。結像すべきマスク２は、投影対物レン
ズ５の被写体平面内にあるマスク用ステージ４に
載つており、半導体基板は、像平面内で３つの移
動装置９′〜９上に配置してある。
座標テーブル１０は、基板６を段階的に移動し
て、ステツプ・アンド・リピート法にもとづき、
マスク２の回路パターンを所定範囲７に順次に結
像するために、公知の態様で設けてある。各結像
操作前に、投影光学系に関して基板６およびマス
ク２を正確に配列できるよう、マスクには調整用
マーク３が割付けてあり、基板の範囲７には線要
素である短線マーク８が割付けてある。当該の調
整誤差に対応して、例えば、マスク用ステージは
被写体平面の座標XY，内を移動させることが
でき、基板は系の光軸に沿つて移動させることが
できる。投影対物レンズ５の像平面で基板を正確
に角度調節できるよう、別個に制御できる３つの
移動装置９′，９″，９が設けてある。
て、ステツプ・アンド・リピート法にもとづき、
マスク２の回路パターンを所定範囲７に順次に結
像するために、公知の態様で設けてある。各結像
操作前に、投影光学系に関して基板６およびマス
ク２を正確に配列できるよう、マスクには調整用
マーク３が割付けてあり、基板の範囲７には線要
素である短線マーク８が割付けてある。当該の調
整誤差に対応して、例えば、マスク用ステージは
被写体平面の座標XY，内を移動させることが
でき、基板は系の光軸に沿つて移動させることが
できる。投影対物レンズ５の像平面で基板を正確
に角度調節できるよう、別個に制御できる３つの
移動装置９′，９″，９が設けてある。
第１ａ図に、調整誤差を求めるために必要な装
置を模式的に示した。この場合、マスク２は、マ
スク層１３を相互間に含む２つのガラス板１２′，
１２″から成つている。マスク２の上方には、露
出装置１が設けてある。露出装置１から、少くと
も１つの平行エツジを備えた窓３として構成した
調整用マーク３に入射する光束は、マスク２の下
方に配置したハーフミラー１５で反射され、ガラ
ス１２′の下面に設けたミラー１４によつて、基
板６の当該の短線マーク８の範囲に偏向される。
基体上面の窓の像および短線マーク８は、投影対
物レンズ５によつて逆投影され、ミラー１４から
ハーフミラー１５を介して制御装置２１に放射さ
れる。
置を模式的に示した。この場合、マスク２は、マ
スク層１３を相互間に含む２つのガラス板１２′，
１２″から成つている。マスク２の上方には、露
出装置１が設けてある。露出装置１から、少くと
も１つの平行エツジを備えた窓３として構成した
調整用マーク３に入射する光束は、マスク２の下
方に配置したハーフミラー１５で反射され、ガラ
ス１２′の下面に設けたミラー１４によつて、基
板６の当該の短線マーク８の範囲に偏向される。
基体上面の窓の像および短線マーク８は、投影対
物レンズ５によつて逆投影され、ミラー１４から
ハーフミラー１５を介して制御装置２１に放射さ
れる。
この制御装置２１に入射した光は回転プリズム
２９によつて、短線マーク８に平行に延びる隙間
が前置してある光電素子を有する光電変換器３０
に光束を放射し、走査を行なう。この走査は光電
素子で検知平面を構成し、検知平面の前で間隙を
振動変位させてもよい。ここで第２図に第１ａ図
の光路の一部を示した。短線マーク８は、本事例
では、第２ａ図から明らかな如く、マスク２の窓
３の２つのエツジに平行に延びるように構成して
ある。この短線マーク８は、基板６が目標位置に
ある場合には、調整誤差を求める方向に直角に延
びる。光電変換器３０の検知平面２４上に放射さ
れた窓３の像および短線マーク８の光度分布は、
線２５として表わされる。この光度分布２５は、
短線マーク８または窓３の対応するエツジに直角
な方向に走査された結果である。そして、所定目
標を経過する間の時間差を測定して、窓３の対応
するエツジに直角方向の調整誤差および合焦誤差
を求めることができる。それはまず、前記光電変
換器３０によつて光度変化に対応する電気信号が
発生され、パルス間隔測定比較器３１によつて該
電気信号のうち、窓３の第１エツジに対応するパ
ルスから短線マーク８に対応するパルスが現れる
間の時間T1と、短線マーク８に対応するパルス
から窓３の第２エツジに対応するパルスが現れる
間の時間T2とを比較し、T1＝T2の場合には、被
写体面および像面はその平面内で対応する方向に
正確に配列されていると判断される。また投影対
物レンズ５の像平面および被写体平面内の被写体
面または像面の光軸Ｚに沿う合焦度は、窓のエツ
ジの像の立上り時間T3を設定光度境界間時間測
定比較器３３において測定することによつて求め
ることができる。
２９によつて、短線マーク８に平行に延びる隙間
が前置してある光電素子を有する光電変換器３０
に光束を放射し、走査を行なう。この走査は光電
素子で検知平面を構成し、検知平面の前で間隙を
振動変位させてもよい。ここで第２図に第１ａ図
の光路の一部を示した。短線マーク８は、本事例
では、第２ａ図から明らかな如く、マスク２の窓
３の２つのエツジに平行に延びるように構成して
ある。この短線マーク８は、基板６が目標位置に
ある場合には、調整誤差を求める方向に直角に延
びる。光電変換器３０の検知平面２４上に放射さ
れた窓３の像および短線マーク８の光度分布は、
線２５として表わされる。この光度分布２５は、
短線マーク８または窓３の対応するエツジに直角
な方向に走査された結果である。そして、所定目
標を経過する間の時間差を測定して、窓３の対応
するエツジに直角方向の調整誤差および合焦誤差
を求めることができる。それはまず、前記光電変
換器３０によつて光度変化に対応する電気信号が
発生され、パルス間隔測定比較器３１によつて該
電気信号のうち、窓３の第１エツジに対応するパ
ルスから短線マーク８に対応するパルスが現れる
間の時間T1と、短線マーク８に対応するパルス
から窓３の第２エツジに対応するパルスが現れる
間の時間T2とを比較し、T1＝T2の場合には、被
写体面および像面はその平面内で対応する方向に
正確に配列されていると判断される。また投影対
物レンズ５の像平面および被写体平面内の被写体
面または像面の光軸Ｚに沿う合焦度は、窓のエツ
ジの像の立上り時間T3を設定光度境界間時間測
定比較器３３において測定することによつて求め
ることができる。
この焦点調整を詳述する。
第３図に、検知平面２４上の窓３の像のX′方
向の光度分布を示した。理論的、理想的分布は、
矩形２６で示され、一方、像面および被写体面の
合焦位置において実際に測定される分布は、
ΔI／ΔXのフランクを有する光度分布２７であ
る。例えば、基体表面が像平面から離れている場
合には、窓３のエツジは、像平面上に不鮮明に結
像され、つまり、検知平面をX′方向に走査すれ
ば、光度値に対応する電気信号が発生し、光度境
界間時間測定比較器３３によつて設定されている
下限値および上限値を通過する間の時間差T3を
測定する。この時間差は、窓の像の鮮明度に直接
比例し、従つて、像面のピント外れの尺度とな
る。そして、光度分布２７の最も急勾配の立上り
フランクが得られるところの下限値および上限値
を通過する間の時間差T3が最も短くなるまで、
Ｚ方向調節装置３４によつて像面を光軸方向にず
らす。第４図に、強度プロフイルの立上りフラン
クの巾と像平面からの基板表面のズレとの関係を
示した。基板表面が像面に一致すれば、最小の巾
ΔX′が現れ、一方、基板表面が正または負のＺ軸
方向にずれた場合には、巾ΔX′が増加する。
向の光度分布を示した。理論的、理想的分布は、
矩形２６で示され、一方、像面および被写体面の
合焦位置において実際に測定される分布は、
ΔI／ΔXのフランクを有する光度分布２７であ
る。例えば、基体表面が像平面から離れている場
合には、窓３のエツジは、像平面上に不鮮明に結
像され、つまり、検知平面をX′方向に走査すれ
ば、光度値に対応する電気信号が発生し、光度境
界間時間測定比較器３３によつて設定されている
下限値および上限値を通過する間の時間差T3を
測定する。この時間差は、窓の像の鮮明度に直接
比例し、従つて、像面のピント外れの尺度とな
る。そして、光度分布２７の最も急勾配の立上り
フランクが得られるところの下限値および上限値
を通過する間の時間差T3が最も短くなるまで、
Ｚ方向調節装置３４によつて像面を光軸方向にず
らす。第４図に、強度プロフイルの立上りフラン
クの巾と像平面からの基板表面のズレとの関係を
示した。基板表面が像面に一致すれば、最小の巾
ΔX′が現れ、一方、基板表面が正または負のＺ軸
方向にずれた場合には、巾ΔX′が増加する。
少くとも３つの窓および当該の短線マークを設
ければ、独立の移動装置Z1，Z2，Z3を対応して作
動することによつて、基板表面の凹凸を補償する
ことができる。
ければ、独立の移動装置Z1，Z2，Z3を対応して作
動することによつて、基板表面の凹凸を補償する
ことができる。
従つて１回の走査による光電変換器３０からの
信号を、同時にパルス間隔測定比較器３１と設定
光度境界間時間測定比較器３３とに送ることによ
つて、窓３のエツジに直角方向の調整誤差調節と
合焦誤差調節を同時に行うことができる。
信号を、同時にパルス間隔測定比較器３１と設定
光度境界間時間測定比較器３３とに送ることによ
つて、窓３のエツジに直角方向の調整誤差調節と
合焦誤差調節を同時に行うことができる。
本発明に係る方法の他の特別な利点は、露光中
でも、即ち、回路パターンの結像操作の間にも、
調節誤差の測定を行い得ると云うことにある。従
つて、合焦状態の監視と修正とを同時に行うこと
ができる。更に、XY軸調節のために設けた手段
によつても処置できるので、個有のマークまたは
装置を設ける必要はない。例えば、測定前後にお
いて基板６を光軸に沿つて僅かに移動して合焦誤
差を２回測定することによつて、修正運動の方向
を定めることができる。更に、短線マークの像か
ら方向を定めることができる。
でも、即ち、回路パターンの結像操作の間にも、
調節誤差の測定を行い得ると云うことにある。従
つて、合焦状態の監視と修正とを同時に行うこと
ができる。更に、XY軸調節のために設けた手段
によつても処置できるので、個有のマークまたは
装置を設ける必要はない。例えば、測定前後にお
いて基板６を光軸に沿つて僅かに移動して合焦誤
差を２回測定することによつて、修正運動の方向
を定めることができる。更に、短線マークの像か
ら方向を定めることができる。
第１図は、集積回路を作製するための投影コピ
ー装置の本質的要素の公知の配置を示す斜視図、
第１ａ図は調整の制御を示すチヤート図、第２図
は、第１ａ図の部分図、第２ａ図は、検知平面を
示す図面、第３図は、調整用マークの強度プロフ
イルを示す図面、第４図は、ピント外れの関数と
しての、調整用マークの像の鮮明さを示す図面で
ある。
ー装置の本質的要素の公知の配置を示す斜視図、
第１ａ図は調整の制御を示すチヤート図、第２図
は、第１ａ図の部分図、第２ａ図は、検知平面を
示す図面、第３図は、調整用マークの強度プロフ
イルを示す図面、第４図は、ピント外れの関数と
しての、調整用マークの像の鮮明さを示す図面で
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 投影コピー装置における被写体面と像面の配
列を行なう方法において、被写体面上の少なくと
も１対の平行エツジを持つ窓の像が半透明ミラー
で反射し、次に半透明ミラーに対向し被写体面に
近接して配置されている全反射ミラーで反射し、
被写体面と像面との間にある投影対物レンズを通
り、窓の像に対応して像面上で窓の平行エツジに
平行にデザインされた短線マークのある範囲に投
影され、該短線マークと投影された窓の像との重
ね合わされた像が投影対物レンズを通り全反射ミ
ラーで反射し更に半透明ミラーを通つて検出面上
に逆投影し、短線マークと平行エツジをそれらに
垂直な方向へ一定速度で走査し、該走査された像
の光度に対応する電気信号を発生し、平行エツジ
の一方及び短線マークそれぞれの光度分布を表す
第一パルス及び第二パルス間の経過時間間隔と該
平行エツジの他方の光度分布を表す第三パルスと
前記第二パルス間の経過時間間隔とを前記窓に関
する短線マークの位置の測定として比較し、該窓
の逆投影像内で短線マークの像を中心に置くこと
で被写体面と像面とを配列し、それと同時に前記
パルスの内の１つに対して得られるあらかじめ決
定された低光度境界と高光度境界間での走査時間
を焦点あわせの測定として用い、該走査時間が最
小値となるまで対物レンズの光学軸に沿つて被写
体面と像面との距離を変化させることを特徴とす
る投影コピー装置の像面および被写体面の配列方
法。 ２ 焦点合わせの測定として用いられる前記パル
スの内の１つは前記平行エツジの対の一方で発生
されるパルスであることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の方法。 ３ 投影コピー装置において、少なくとも１対の
平行エツジを持つ窓を有する被写体面と、平行エ
ツジに平行な短線マークを有して被写体面に平行
である像面と、被写体面と像面との間に配置され
窓の像を反射する半透明ミラーと、該半透明ミラ
ーに対向し被写体面に近接して配置されて窓の像
を像面方向に反射する全反射ミラーと、被写体面
と像面との間で両面に垂直の光学軸を有し該全反
射ミラーから入射する窓の像をこれに対応する前
記短線マークのある範囲に投影する投影対物レン
ズと、短線マークと投影された窓の像との重ね合
わされた像が投影対物レンズを通り全反射ミラー
で反射しさらに半透明ミラーを通つて逆投影され
る検出面と、該検出面で短線マークと平行エツジ
に垂直な方向で前記重ね合わされた像を一定速度
で走査し該像の光度分布に対応した電気信号に変
換する光電変換手段と、前記電気信号が示す平行
エツジの各エツジと短線マークとの間の２つの走
査時間を同時間として短線マークを窓の像内の中
心に配列する被写体面と像面との位置調節を行う
配列調節手段と、前記電気信号に応答してあらか
じめ決定された信号境界間で走査時間が最小とな
る位置を合焦位置とする被写体面と像面との距離
調節を行う焦点調節手段とを備えていることを特
徴とする投影コピー装置。 ４ 前記焦点調節手段が像面を形成する基板の異
なる位置に配置されている少なくとも３つの移動
部材を有することを特徴とする特許請求の範囲第
３項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2905635A DE2905635C2 (de) | 1979-02-14 | 1979-02-14 | Einrichtung zum Positionieren eines Werkstückes in Z-Richtung beim Projektionskopieren |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56500196A JPS56500196A (ja) | 1981-02-19 |
| JPH0122977B2 true JPH0122977B2 (ja) | 1989-04-28 |
Family
ID=6062917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55500330A Expired JPH0122977B2 (ja) | 1979-02-14 | 1980-02-06 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4496241A (ja) |
| EP (1) | EP0025036B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0122977B2 (ja) |
| DE (1) | DE2905635C2 (ja) |
| WO (1) | WO1980001721A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4425037A (en) * | 1981-05-15 | 1984-01-10 | General Signal Corporation | Apparatus for projecting a series of images onto dies of a semiconductor wafer |
| CH678666A5 (ja) * | 1981-05-15 | 1991-10-15 | Gen Signal Corp | |
| US4431304A (en) * | 1981-11-25 | 1984-02-14 | Mayer Herbert E | Apparatus for the projection copying of mask patterns on a workpiece |
| EP0148477B1 (en) * | 1983-12-26 | 1991-09-04 | Hitachi, Ltd. | Exposure apparatus and method of aligning exposure mask with workpiece |
| DE3402177A1 (de) * | 1984-01-23 | 1985-07-25 | Werner Dr. Vaduz Tabarelli | Einrichtung zum kopieren einer maske auf ein halbleitersubstrat |
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| US4780616A (en) * | 1986-09-25 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K. K. | Projection optical apparatus for mask to substrate alignment |
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| CN113267865B (zh) * | 2021-04-12 | 2023-02-07 | 浙江舜宇光学有限公司 | 镜筒及镜头 |
| CN118328907B (zh) * | 2024-06-14 | 2024-10-25 | 江苏省计量科学研究院(江苏省能源计量数据中心) | 一种梯形活塞环梯形角的分段式测量系统及方法 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1250257B (ja) * | ||||
| DE1087372B (de) * | 1954-09-04 | 1960-08-18 | Voigtlaender A G | Verfahren und Einrichtung zur vollautomatischen Scharfeinstellung optischer Geraete |
| US3029348A (en) * | 1959-10-02 | 1962-04-10 | Western Electric Co | Electro-optical servo system for coarse and fine positioning of transistors |
| US3729966A (en) * | 1972-02-02 | 1973-05-01 | Ibm | Apparatus for contouring the surface of thin elements |
| DE2259892A1 (de) * | 1972-12-07 | 1974-06-12 | Rodenstock Optik G | Verfahren und anordnung zur automatischen fokussierung von objektiven vorzugsweise reproduktionsobjektiven |
| US3943359A (en) * | 1973-06-15 | 1976-03-09 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for relatively positioning a plurality of objects by the use of a scanning optoelectric microscope |
| JPS5548693B2 (ja) * | 1973-06-26 | 1980-12-08 | ||
| US3989385A (en) * | 1974-09-16 | 1976-11-02 | International Business Machines Corporation | Part locating, mask alignment and mask alignment verification system |
| US4052603A (en) * | 1974-12-23 | 1977-10-04 | International Business Machines Corporation | Object positioning process and apparatus |
| US4000417A (en) * | 1975-08-25 | 1976-12-28 | Honeywell Inc. | Scanning microscope system with automatic cell find and autofocus |
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1979
- 1979-02-14 DE DE2905635A patent/DE2905635C2/de not_active Expired
-
1980
- 1980-02-06 US US06/476,249 patent/US4496241A/en not_active Expired - Fee Related
- 1980-02-06 JP JP55500330A patent/JPH0122977B2/ja not_active Expired
- 1980-02-06 WO PCT/AT1980/000007 patent/WO1980001721A1/de not_active Ceased
- 1980-08-25 EP EP80900263A patent/EP0025036B1/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1980001721A1 (fr) | 1980-08-21 |
| DE2905635C2 (de) | 1987-01-22 |
| US4496241A (en) | 1985-01-29 |
| EP0025036A1 (de) | 1981-03-18 |
| JPS56500196A (ja) | 1981-02-19 |
| EP0025036B1 (de) | 1984-01-18 |
| DE2905635A1 (de) | 1980-08-21 |
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