JPH01230258A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH01230258A JPH01230258A JP63055819A JP5581988A JPH01230258A JP H01230258 A JPH01230258 A JP H01230258A JP 63055819 A JP63055819 A JP 63055819A JP 5581988 A JP5581988 A JP 5581988A JP H01230258 A JPH01230258 A JP H01230258A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- lead wires
- thermistor
- semiconductor device
- lead wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体素
子がガラス封入された、たとえばラジアルタイプのリー
ド線付半導体装置の製造方法に関する。
子がガラス封入された、たとえばラジアルタイプのリー
ド線付半導体装置の製造方法に関する。
この種の製造方法の一例が、たとえば特公昭５２−７５
３５公報において開示されている。この従来技術は、サ
ーミスタ素子をガラス容器に封入する際の加熱によって
、サーミスタ素子の電極材料である導電性塗料の焼付を
行うようにし、ガラス封入とリード線およびサーミスタ
素子の接続固定とを同時に行う方法である。
３５公報において開示されている。この従来技術は、サ
ーミスタ素子をガラス容器に封入する際の加熱によって
、サーミスタ素子の電極材料である導電性塗料の焼付を
行うようにし、ガラス封入とリード線およびサーミスタ
素子の接続固定とを同時に行う方法である。
従来の製造方法では、ガラス封入するときに導電性塗料
の焼付も同時に行うので、導電性塗料からのガスが発生
し、そのガスがガラス内に気泡ないしボイドして残るこ
とがあった。このように、ガラス内にボイドが残ると、
ガラス内部に空気や湿気が侵入してサーミスタの耐湿性
が著しく低下し、特に、高温域における安定性が経時的
に低下してしまうという問題があった。
の焼付も同時に行うので、導電性塗料からのガスが発生
し、そのガスがガラス内に気泡ないしボイドして残るこ
とがあった。このように、ガラス内にボイドが残ると、
ガラス内部に空気や湿気が侵入してサーミスタの耐湿性
が著しく低下し、特に、高温域における安定性が経時的
に低下してしまうという問題があった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、耐湿性が向上し
、安定性に優れたリード線付半導体装置が得られる、半
導体装置の製造方法を提供することである。
、安定性に優れたリード線付半導体装置が得られる、半
導体装置の製造方法を提供することである。
この発明は、金属ろう材でコーティングされたリード線
を半導体素子の電極にろう付けし、次いで半導体素子と
リード線の一部とをガラス容器に封入するようにした、
半導体装置の製造方法である。
を半導体素子の電極にろう付けし、次いで半導体素子と
リード線の一部とをガラス容器に封入するようにした、
半導体装置の製造方法である。
半導体素子の電極には、金属ろう材がコーティングされ
たリード線（たとえばジュメット線）が予めろう付けさ
れる。その後、リード線の一部が半導体素子とともに封
入されるように、半導体素子をガラスで封入する。たと
えば、リード線をろう付けした半導体素子がガラス管に
入れられ、そのガラス管の両端開口をたとえばカーボン
ヒータによって溶融することによって半導体素子をガラ
ス封入して、ラジアルタイプのリード線付半導体装置が
得られる。
たリード線（たとえばジュメット線）が予めろう付けさ
れる。その後、リード線の一部が半導体素子とともに封
入されるように、半導体素子をガラスで封入する。たと
えば、リード線をろう付けした半導体素子がガラス管に
入れられ、そのガラス管の両端開口をたとえばカーボン
ヒータによって溶融することによって半導体素子をガラ
ス封入して、ラジアルタイプのリード線付半導体装置が
得られる。
この発明によれば、リード線を半導体素子の電極にろう
付けした後に、半導体素子をガラス封入するので、ガラ
ス封入時に従来の方法のようにガスが発生しないので、
ガラス内部にボイドのような欠陥が残ることがない。し
たがって、ボイドによる耐湿性、耐酸性の劣化ないし低
下を防止することができ、特に高温域においても非常に
安定性のよい半導体装置が得られる。
付けした後に、半導体素子をガラス封入するので、ガラ
ス封入時に従来の方法のようにガスが発生しないので、
ガラス内部にボイドのような欠陥が残ることがない。し
たがって、ボイドによる耐湿性、耐酸性の劣化ないし低
下を防止することができ、特に高温域においても非常に
安定性のよい半導体装置が得られる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
〔実施例］
第１図〜第３図はこの発明の一実施例を示す図解図であ
る。なお、以下においては、この発明がサーミスタの製
造に適用されたものとして説明されるが、この発明は、
他の任意の半導体素子を用いる半導体装置の製造方法に
も等しく適用できることを予め指摘しておく。
る。なお、以下においては、この発明がサーミスタの製
造に適用されたものとして説明されるが、この発明は、
他の任意の半導体素子を用いる半導体装置の製造方法に
も等しく適用できることを予め指摘しておく。
第１図を参照して、両面に電極１４が付与されたサーミ
スタ素子１２を、たとえば以下の方法によって準備する
。
スタ素子１２を、たとえば以下の方法によって準備する
。
Ｍｎ、Ｎｉ、ＣｏおよびＡｆ等の酸化物を所定の割合で
配合し、ボールミルなどによって湿式混合する。その後
、それを脱水して乾燥させた後、８５０°Ｃで２時間程
度仮焼する。湿式粉砕後、蒸発乾燥させ、それに有機バ
インダを添加してスラリ状にする。そのようにして得ら
れたセラミックスラリをドクタブレード法によって塗布
し、厚さ２００μｍのセラミック生シートを形成する。
配合し、ボールミルなどによって湿式混合する。その後
、それを脱水して乾燥させた後、８５０°Ｃで２時間程
度仮焼する。湿式粉砕後、蒸発乾燥させ、それに有機バ
インダを添加してスラリ状にする。そのようにして得ら
れたセラミックスラリをドクタブレード法によって塗布
し、厚さ２００μｍのセラミック生シートを形成する。
セラミック生シートを、たとえば２７Ｘ３６ｍｍの大き
さにカントし、そのカットされたシートを３枚重ねて熱
圧着し、厚さ５００μｍ程度のセラミック生シートを得
る。
さにカントし、そのカットされたシートを３枚重ねて熱
圧着し、厚さ５００μｍ程度のセラミック生シートを得
る。
次いで、厚さ５００μｍのセラミック生シートの両面に
は、電極１４となるべきＡｕあるいはＰｔ系の導電ペー
ストが塗布され、１２００〜１３００°Ｃで２時間程度
焼成される。焼成を終えたセラミックシートを０．５８
角にカットして、第１図に断面図を示すようなサーミス
タ素子１２を得る。
は、電極１４となるべきＡｕあるいはＰｔ系の導電ペー
ストが塗布され、１２００〜１３００°Ｃで２時間程度
焼成される。焼成を終えたセラミックシートを０．５８
角にカットして、第１図に断面図を示すようなサーミス
タ素子１２を得る。
第１図において、サーミスタ素子１２の両面には、電極
１４と対向するように、たとえばｐｔまたはジュメット
線等からなるリード線１６が配置される。リード線１６
の先端部には、たとえば銀ろう等の金属ろう材１８がコ
ーティングされている。
１４と対向するように、たとえばｐｔまたはジュメット
線等からなるリード線１６が配置される。リード線１６
の先端部には、たとえば銀ろう等の金属ろう材１８がコ
ーティングされている。
次いで、第２図に示すように、リード線１６がそれぞれ
対応の電極１４に接続される。すなわち、リード線１６
の先端にコーティングされている金属ろう材１８を溶か
すことにより、リード線１６と電極１４とを一体固定す
る。
対応の電極１４に接続される。すなわち、リード線１６
の先端にコーティングされている金属ろう材１８を溶か
すことにより、リード線１６と電極１４とを一体固定す
る。
その後、第３図に示すように、リード線１６が固着され
たサーミスタ素子１２をガラスキャップ２２に入れ、カ
ーボンヒータ２４によってガラスキャップ２２を溶融す
ることによって、第４図に示すように、ガラス被覆２２
′で封止されたラジアルタイプのサーミスタ１０が得ら
れる。このようなガラス封止工程においては、リード線
１６はすでに電極１４に固着されているので、従来のよ
うにガスの発生するおそれはなく、したがって、ガラス
被覆２２′内にボイドなどが形成されるのが有効に防止
される。なお、ガラスキャップ２２の代わりにガラス管
を用いてもよい。
たサーミスタ素子１２をガラスキャップ２２に入れ、カ
ーボンヒータ２４によってガラスキャップ２２を溶融す
ることによって、第４図に示すように、ガラス被覆２２
′で封止されたラジアルタイプのサーミスタ１０が得ら
れる。このようなガラス封止工程においては、リード線
１６はすでに電極１４に固着されているので、従来のよ
うにガスの発生するおそれはなく、したがって、ガラス
被覆２２′内にボイドなどが形成されるのが有効に防止
される。なお、ガラスキャップ２２の代わりにガラス管
を用いてもよい。
なお、上述の実施例では、電極１４はサーミスタ素子１
２との一体焼成によって形成されるものとして説明した
が、電極１４は、サーミスタ素子１２を焼成した後に導
電ペーストを印刷して焼付けることによって形成するこ
ともできる。
２との一体焼成によって形成されるものとして説明した
が、電極１４は、サーミスタ素子１２を焼成した後に導
電ペーストを印刷して焼付けることによって形成するこ
ともできる。
第１図〜第３図はこの発明の一実施例を示す図解図であ
る。 第４図は第１図〜第３図の工程を経て製造されたサーミ
スタを示す断面図解図である。 図において、１０はサーミスタ、１２はサーミスタ素子
、１４は電極、１６はリード線、１８は金属ろう材、２
２はガラスキャップ、２２′はガラス被覆を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 山 １） 義 火 弟 １ 図 ′ｓ２図第３図
第４図
る。 第４図は第１図〜第３図の工程を経て製造されたサーミ
スタを示す断面図解図である。 図において、１０はサーミスタ、１２はサーミスタ素子
、１４は電極、１６はリード線、１８は金属ろう材、２
２はガラスキャップ、２２′はガラス被覆を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 山 １） 義 火 弟 １ 図 ′ｓ２図第３図
第４図
Claims (1)
- 金属ろう材でコーティングされたリード線を半導体素
子の電極にろう付けし、次いで前記半導体素子と前記リ
ード線の一部とをガラス容器に封入するようにした、半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63055819A JPH01230258A (ja) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63055819A JPH01230258A (ja) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01230258A true JPH01230258A (ja) | 1989-09-13 |
Family
ID=13009556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63055819A Pending JPH01230258A (ja) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01230258A (ja) |
-
1988
- 1988-03-09 JP JP63055819A patent/JPH01230258A/ja active Pending
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