JPH01230445A - 光伝送体 - Google Patents
光伝送体Info
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- JPH01230445A JPH01230445A JP63057098A JP5709888A JPH01230445A JP H01230445 A JPH01230445 A JP H01230445A JP 63057098 A JP63057098 A JP 63057098A JP 5709888 A JP5709888 A JP 5709888A JP H01230445 A JPH01230445 A JP H01230445A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- interface layer
- core
- refractive index
- optical transmission
- rod
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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- C03B37/01413—Reactant delivery systems
- C03B37/0142—Reactant deposition burners
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
- C03B2201/28—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine doped with phosphorus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2203/00—Fibre product details, e.g. structure, shape
- C03B2203/10—Internal structure or shape details
- C03B2203/22—Radial profile of refractive index, composition or softening point
- C03B2203/24—Single mode [SM or monomode]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/04—Multi-nested ports
- C03B2207/06—Concentric circular ports
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、フッ素を含有させた単一モード型の光伝送体
に関するものである。
に関するものである。
近年、光伝送体を用いた伝送システムは公衆通信のみな
らず、ＬＡＮ （ローカルエリアネットワーク）やコン
ビューターネントワーク等多方面に応用されている。さ
らには国際通信の需要の増大に伴い、光海底ケーブルの
布設も進められている。
らず、ＬＡＮ （ローカルエリアネットワーク）やコン
ビューターネントワーク等多方面に応用されている。さ
らには国際通信の需要の増大に伴い、光海底ケーブルの
布設も進められている。
ところで、光海底ケーブルに使用される光伝送体には通
常の公衆通信伝送用の光伝送体よりもより低損失、大容
量のものが必要である。そこで従来から第４図に示すよ
うな屈折率分布を持つ単一モード型の光伝送体であって
、かつ超低損失の光伝送体の開発が進められてきた。
常の公衆通信伝送用の光伝送体よりもより低損失、大容
量のものが必要である。そこで従来から第４図に示すよ
うな屈折率分布を持つ単一モード型の光伝送体であって
、かつ超低損失の光伝送体の開発が進められてきた。
しかしなから、前記第４図に示す光伝送体にあってはコ
ア１とクラッド２との間の屈折率が急峻であるため、換
言すると、コア１とクラッド２との間の組成が急激に変
化しているため、母材から光伝送体を線引すると、その
際両者の界面部で欠陥が発生し易く、超低損失のものが
歩留りよく得難いという問題があった。
ア１とクラッド２との間の屈折率が急峻であるため、換
言すると、コア１とクラッド２との間の組成が急激に変
化しているため、母材から光伝送体を線引すると、その
際両者の界面部で欠陥が発生し易く、超低損失のものが
歩留りよく得難いという問題があった。
前記問題に鑑み本発明の目的は、歩留りよく、すなわち
安定して製造できる超低損失の単一モード型の光伝送体
を提供することにある。
安定して製造できる超低損失の単一モード型の光伝送体
を提供することにある。
前記目的を達成すべく本発明は、コアまたはクラッドの
少なくとも一方がフッ素を含んだ単一モード型の光伝送
体において、前記コアとクラ・７ドとの間にはその屈折
率が滑らかに減少する界面層が設けられ、かつ該界面層
では内側から外側に向かってフッ素の含有量が徐々に増
大していることを特徴とするものである。
少なくとも一方がフッ素を含んだ単一モード型の光伝送
体において、前記コアとクラ・７ドとの間にはその屈折
率が滑らかに減少する界面層が設けられ、かつ該界面層
では内側から外側に向かってフッ素の含有量が徐々に増
大していることを特徴とするものである。
（発明の実施例〕
以下に本発明の実施例を図を参照して詳細に説明する。
本発明の単一モード型の光伝送体の一実施例を第１図に
示す。本図が示すように、本発明の光伝送体は、コア１
とクラット２の間に、前記コア１の屈折率値からクラッ
ト２の屈折率値へとその屈折率が滑らかに変化する界面
層３を設けたたちので、しかも該界面層３内の屈折率分
布を前述の如く内側から外側に向かって滑らかに減少さ
せるべく、界面層３の内側から外側に向かってフッ素の
含有量を徐々に増大させたことを特徴としている。さら
にまた、例えばＰ２Ｏ６、ＧｅＯ□等のいわゆる屈折率
を高めるために使用する金属酸化物の該界面層３内にお
ｉＪる含有量分布をこの界面層３の内側から外側に向か
って徐々に減少せしめたことも特徴としている。以下の
本発明の具体例を示す。
示す。本図が示すように、本発明の光伝送体は、コア１
とクラット２の間に、前記コア１の屈折率値からクラッ
ト２の屈折率値へとその屈折率が滑らかに変化する界面
層３を設けたたちので、しかも該界面層３内の屈折率分
布を前述の如く内側から外側に向かって滑らかに減少さ
せるべく、界面層３の内側から外側に向かってフッ素の
含有量を徐々に増大させたことを特徴としている。さら
にまた、例えばＰ２Ｏ６、ＧｅＯ□等のいわゆる屈折率
を高めるために使用する金属酸化物の該界面層３内にお
ｉＪる含有量分布をこの界面層３の内側から外側に向か
って徐々に減少せしめたことも特徴としている。以下の
本発明の具体例を示す。
ます５ｉＣ１４を同心四重管バーナ中に導入し、酸素−
水素炎の中で加水分解反応をさせて石英微粒子集合体、
いわゆるＶＡＤ法にて石英微粒子集合体（以下単にスー
トという）を得た。これは外径約４５ｍｍ、長さが４５
０ｍｍであった。このようにして得たスート４を第２図
に示すように加熱炉５内に導入し、脱水、透明ガラス化
した。尚、具体的には、Ｈｅを５０ｆ ／ｍｉｎ 、
Ｃ１ｚを１．５１ ／ｍｉｎをガス導入口５から流し込
みながら、まず炉内最高温度を約１２００°Ｃに保持し
た状態で、前記スート４を２００ｍｍ／ｈで引き下げ脱
水し、該脱水が完了したらこれを引き上げ、続いて炉内
最高温度１６２０°ＣとしかつＨｅを５０ｊ！ ／ｍｉ
ｎ 、 Ｃ１ｚを１．５ Ｅ／ｍｉｎを前記同様に流し
ながら、前記スート４を２００ｍｍ／ｈで引き下げ透明
ガラス化した。次にこれを延伸して外径１５ｍｍ、長さ
２００ｍｍのロッドを２本製造した。尚、第２図におい
で符号７はガス排気口である。
水素炎の中で加水分解反応をさせて石英微粒子集合体、
いわゆるＶＡＤ法にて石英微粒子集合体（以下単にスー
トという）を得た。これは外径約４５ｍｍ、長さが４５
０ｍｍであった。このようにして得たスート４を第２図
に示すように加熱炉５内に導入し、脱水、透明ガラス化
した。尚、具体的には、Ｈｅを５０ｆ ／ｍｉｎ 、
Ｃ１ｚを１．５１ ／ｍｉｎをガス導入口５から流し込
みながら、まず炉内最高温度を約１２００°Ｃに保持し
た状態で、前記スート４を２００ｍｍ／ｈで引き下げ脱
水し、該脱水が完了したらこれを引き上げ、続いて炉内
最高温度１６２０°ＣとしかつＨｅを５０ｊ！ ／ｍｉ
ｎ 、 Ｃ１ｚを１．５ Ｅ／ｍｉｎを前記同様に流し
ながら、前記スート４を２００ｍｍ／ｈで引き下げ透明
ガラス化した。次にこれを延伸して外径１５ｍｍ、長さ
２００ｍｍのロッドを２本製造した。尚、第２図におい
で符号７はガス排気口である。
続いて片方のロッド（これをロッドＡという）上に、第
３図に示す所謂ＯＶＤ法でクラッド部９に相当するスー
トを堆積せしめた。具体的には、５ｉＣ１４を往復移動
する同心四重管バーナ９中に導入し、加水分解反応をさ
せて形成した。この外径が９０ｍｍになったときに堆積
を中止し、しかる後第２図に示す加熱炉５にて脱水、透
明ガラス化を行った。具体的には、ｌｌｅを５０ｊ２
／ｍｉｎ 、 Ｃ１ｚを１．５１／ｍｉｎをガス導入口
５から流し込みながら、まず炉内最高温度を約１２００
’Ｃに保持した状態で、前記コア部８に相当する部分に
透明な口・７ドＡを含むスートを２００ｍｍ／ｈで引き
下げ脱水し、しかる後これを引き上げ、続いて炉内最高
温度１３６０°Ｃとし、かつｌｉｅを１０１／ｍｉｎ
、 ＳｉＦ、を０．８ ｆｆｉ／ｍｉｎ、そしてＣ１ｚ
Ｏ，１ｌ／ｍｉｎをガス導入口５から流し込みながら
、スートを２００闘／ｈで引き下げクラッド部９に相当
する部分を透明ガラス化した。透明ラス化後のクラッド
２には純粋石英ガラスに対する比屈折率差（Δ−）で０
．３５％に相当するフッ素がドープされ、第４図に示す
屈折率分布を有する透明ガラスロッドが得られた。この
ような操作を繰り返し、コアークラッドの比が１０ ：
１２５になったところで、このガラスロッドを３等分
し、これを各々線引し、外径１２５μｍの光伝送体を得
、これに紫外線硬化性樹脂被覆を施し外径３８０μｍの
被覆光伝送体を３本得た。これを各々比較例１〜３とし
た。
３図に示す所謂ＯＶＤ法でクラッド部９に相当するスー
トを堆積せしめた。具体的には、５ｉＣ１４を往復移動
する同心四重管バーナ９中に導入し、加水分解反応をさ
せて形成した。この外径が９０ｍｍになったときに堆積
を中止し、しかる後第２図に示す加熱炉５にて脱水、透
明ガラス化を行った。具体的には、ｌｌｅを５０ｊ２
／ｍｉｎ 、 Ｃ１ｚを１．５１／ｍｉｎをガス導入口
５から流し込みながら、まず炉内最高温度を約１２００
’Ｃに保持した状態で、前記コア部８に相当する部分に
透明な口・７ドＡを含むスートを２００ｍｍ／ｈで引き
下げ脱水し、しかる後これを引き上げ、続いて炉内最高
温度１３６０°Ｃとし、かつｌｉｅを１０１／ｍｉｎ
、 ＳｉＦ、を０．８ ｆｆｉ／ｍｉｎ、そしてＣ１ｚ
Ｏ，１ｌ／ｍｉｎをガス導入口５から流し込みながら
、スートを２００闘／ｈで引き下げクラッド部９に相当
する部分を透明ガラス化した。透明ラス化後のクラッド
２には純粋石英ガラスに対する比屈折率差（Δ−）で０
．３５％に相当するフッ素がドープされ、第４図に示す
屈折率分布を有する透明ガラスロッドが得られた。この
ような操作を繰り返し、コアークラッドの比が１０ ：
１２５になったところで、このガラスロッドを３等分
し、これを各々線引し、外径１２５μｍの光伝送体を得
、これに紫外線硬化性樹脂被覆を施し外径３８０μｍの
被覆光伝送体を３本得た。これを各々比較例１〜３とし
た。
他方のロッド（以下これをロッドＢという）上に、第３
図に示す所謂ＯＶＤ法でクラッド部９に相当するスート
を堆積せしめた。但しこの場合は、前記四重管バーナ１
０の中央ノズルからは５ｉＣＩ４（４３°Ｃ、キャリア
ガスＡｒ８３ ｍ ｌ ／ｍ１ｎ）及びＰＯＣｌ２（０
°Ｃ、キャリアガスＡｒ２０ ｍｉ／ｍ１ｎ）を流し、
内側から２番目のノズルからは５ｉ（３５°Ｃ１キヤリ
アガスＡｒ１９８ｍ ｌ ／ｍｉｎ ）とＨ２を流した
。また３番目のノズルからはＡｒを流し、最外層のノズ
ルからは０２を流した。この条件でロンドＢ上に厚さ１
ｍｒｒｌスートを堆積せしめた。しかる後ＰＯＣｈのキ
ャリアガス流量を１５ ｍＣ’ｍｉｎに下げ、２層目と
して厚さ１ｍｍのスートを堆積させた。同様に３層目は
Ｐ。
図に示す所謂ＯＶＤ法でクラッド部９に相当するスート
を堆積せしめた。但しこの場合は、前記四重管バーナ１
０の中央ノズルからは５ｉＣＩ４（４３°Ｃ、キャリア
ガスＡｒ８３ ｍ ｌ ／ｍ１ｎ）及びＰＯＣｌ２（０
°Ｃ、キャリアガスＡｒ２０ ｍｉ／ｍ１ｎ）を流し、
内側から２番目のノズルからは５ｉ（３５°Ｃ１キヤリ
アガスＡｒ１９８ｍ ｌ ／ｍｉｎ ）とＨ２を流した
。また３番目のノズルからはＡｒを流し、最外層のノズ
ルからは０２を流した。この条件でロンドＢ上に厚さ１
ｍｒｒｌスートを堆積せしめた。しかる後ＰＯＣｈのキ
ャリアガス流量を１５ ｍＣ’ｍｉｎに下げ、２層目と
して厚さ１ｍｍのスートを堆積させた。同様に３層目は
Ｐ。
Ｃ１３のキャリアガス流量を１０ ｍで／ｍｉｎとし、
その後５ｍρ／ｍｉｎづつＰＯＣＩ＋１の導入量を下げ
つつ、本発明でいうところの界面層３に相当するスート
を形成し、５層目以降は５ｉＣ１４のみと、いわゆるク
ラッド２に相当する部分のスートを形成した。このよう
にしてその外径が９０ｍｍとなったところで堆積を中止
し、以下前記ロッドＡの場合と同様の方法、条件で脱水
、透明ガラス化を行った。その結果得られた透明ガラス
ロッドの屈折率分布を調べたら第１図に示すようになっ
ていた。これを比較例の場合と同様に３等分して線引し
、外径１２５μｍの光伝送体を得、これに紫外線硬化性
樹脂をして外径３８０μｍの被覆光伝送体を３本得た。
その後５ｍρ／ｍｉｎづつＰＯＣＩ＋１の導入量を下げ
つつ、本発明でいうところの界面層３に相当するスート
を形成し、５層目以降は５ｉＣ１４のみと、いわゆるク
ラッド２に相当する部分のスートを形成した。このよう
にしてその外径が９０ｍｍとなったところで堆積を中止
し、以下前記ロッドＡの場合と同様の方法、条件で脱水
、透明ガラス化を行った。その結果得られた透明ガラス
ロッドの屈折率分布を調べたら第１図に示すようになっ
ていた。これを比較例の場合と同様に３等分して線引し
、外径１２５μｍの光伝送体を得、これに紫外線硬化性
樹脂をして外径３８０μｍの被覆光伝送体を３本得た。
以下これらを実施例１〜３とする。
上記各々３木の被覆光伝送体の波長１．５５μｍ帯での
伝送損失は表１に示す通りであった。
伝送損失は表１に示す通りであった。
尚、表１において比１とは比較例１を、実１とは実施例
１を意味している。またカントオフ波長及びモードフィ
ールド径の単位はμｍ、伝送損失の単位はｄＢ／ｋｍで
ある。
１を意味している。またカントオフ波長及びモードフィ
ールド径の単位はμｍ、伝送損失の単位はｄＢ／ｋｍで
ある。
表１
条長 カントオ モードフィ 伝送損失（ｋｍ）
フ波長 −ルド径 比１１３．１ １．５１ １０．８ ０．１
９７比２１４．５ １．４９ １０．７ ０
．２０２比３１３．８ １．４９ １０．７
０．１７２実１１３．６ １．５０ １１．０
０．１７Ｂ実２１４．１ １．５１ １１．
１ ０．１８２実３１４．０ １．５０１１．０
０．１７５前記表１が示すように、ロッドＡから得
られた比較例のものよりも、ロッドＢがら得られた本発
明の実施例のものの方がより低損失であった。尚表１に
おける条長は、ガラスロッＩ”Ａ及びＢを共に３等分し
、かつずべて同じザイズに切り揃えたものから得られた
良品の長さを示しているが、本発明の実施例の方がより
長く良品の光伝送体を得られることが明白である。
フ波長 −ルド径 比１１３．１ １．５１ １０．８ ０．１
９７比２１４．５ １．４９ １０．７ ０
．２０２比３１３．８ １．４９ １０．７
０．１７２実１１３．６ １．５０ １１．０
０．１７Ｂ実２１４．１ １．５１ １１．
１ ０．１８２実３１４．０ １．５０１１．０
０．１７５前記表１が示すように、ロッドＡから得
られた比較例のものよりも、ロッドＢがら得られた本発
明の実施例のものの方がより低損失であった。尚表１に
おける条長は、ガラスロッＩ”Ａ及びＢを共に３等分し
、かつずべて同じザイズに切り揃えたものから得られた
良品の長さを示しているが、本発明の実施例の方がより
長く良品の光伝送体を得られることが明白である。
本発明のものにあっては、コアークラッドの界面層３に
リンが微小量存在し、このため界面層３のガラス化がそ
の他の部分よりも早く進むので、その部分のフッ素ドー
プ量がより小さくなる。その結果第１図に示すような屈
折率分布となり、フッ素ドープ量は界面層３の内側がら
外側に向かって徐々に増大していった。従って、界面層
３では組成が急激に変化していないため、線引時に界面
部に欠陥が発生しにくくなり、低損失のものがより歩留
りよく製造できるのである。
リンが微小量存在し、このため界面層３のガラス化がそ
の他の部分よりも早く進むので、その部分のフッ素ドー
プ量がより小さくなる。その結果第１図に示すような屈
折率分布となり、フッ素ドープ量は界面層３の内側がら
外側に向かって徐々に増大していった。従って、界面層
３では組成が急激に変化していないため、線引時に界面
部に欠陥が発生しにくくなり、低損失のものがより歩留
りよく製造できるのである。
尚、実施例では界面層３の部分に微小量のリンをドープ
することで、透明ガラスを促進せしめてフッ素ドープ量
を制御したが、脱水時の温度条件を選ぶことでも前記界
面層３の透明ガラス化速度を制御卸することができる。
することで、透明ガラスを促進せしめてフッ素ドープ量
を制御したが、脱水時の温度条件を選ぶことでも前記界
面層３の透明ガラス化速度を制御卸することができる。
さらにまた本実施例ではコア１の組成については純粋石
英の例のみ示しているが、コアに少なくともフッ素を含
んだ光伝送体にも本発明を応用できることは言うまでも
ない。加えて、界面層３の部分に微小量のリン（具体的
にはＰ２Ｏ５）に変えてゲルマニウム（具体的にはＧｅ
Ｏ□）を使用することも可能である。
英の例のみ示しているが、コアに少なくともフッ素を含
んだ光伝送体にも本発明を応用できることは言うまでも
ない。加えて、界面層３の部分に微小量のリン（具体的
にはＰ２Ｏ５）に変えてゲルマニウム（具体的にはＧｅ
Ｏ□）を使用することも可能である。
〔発明の効果］
前述の如く本発明によれば、低損失の単一モード型光伝
送体を歩留りよく製造することができる。
送体を歩留りよく製造することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す光伝送体の屈折率分布
を示すグラフ、第２回は脱水、透明ガラス化方法を示す
概略図、第３図はクラッド部を形成する方法を示す概略
図、第４図は従来の単一モード型光伝送体の屈折率分布
を示すグラフである。 １〜コア ２〜クラツト ３〜界面層 ４〜スート ５
〜加熱炉 特許出願人 古河電気工業株式会社第１図 ″イＬ４．−。 １Ｃ１４ 第６図 ５加熱炉 第４図
を示すグラフ、第２回は脱水、透明ガラス化方法を示す
概略図、第３図はクラッド部を形成する方法を示す概略
図、第４図は従来の単一モード型光伝送体の屈折率分布
を示すグラフである。 １〜コア ２〜クラツト ３〜界面層 ４〜スート ５
〜加熱炉 特許出願人 古河電気工業株式会社第１図 ″イＬ４．−。 １Ｃ１４ 第６図 ５加熱炉 第４図
Claims (2)
- （１）コアまたはクラッドの少なくとも一方がフッ素を
含んだ単一モード型の光伝送体において、前記コアとク
ラッドとの間にはその屈折率が滑らかに減少する界面層
が設けられ、かつ該界面層では内側から外側に向かって
フッ素の含有量が徐々に増大していることを特徴とする
光伝送体。 - （２）前記界面層では内側から外側に向かって金属酸化
物の含有量が徐々に減少していることを特徴とする請求
項１記載の光伝送体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63057098A JPH01230445A (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | 光伝送体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63057098A JPH01230445A (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | 光伝送体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01230445A true JPH01230445A (ja) | 1989-09-13 |
Family
ID=13046032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63057098A Pending JPH01230445A (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | 光伝送体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01230445A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006083354A3 (en) * | 2004-11-18 | 2006-11-30 | Nextrom Holding Sa | Low-water optical fiber preform and process for making it |
-
1988
- 1988-03-10 JP JP63057098A patent/JPH01230445A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006083354A3 (en) * | 2004-11-18 | 2006-11-30 | Nextrom Holding Sa | Low-water optical fiber preform and process for making it |
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