JPH01230782A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH01230782A JPH01230782A JP63054079A JP5407988A JPH01230782A JP H01230782 A JPH01230782 A JP H01230782A JP 63054079 A JP63054079 A JP 63054079A JP 5407988 A JP5407988 A JP 5407988A JP H01230782 A JPH01230782 A JP H01230782A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- discharge electrode
- discharge
- electrodes
- substrate
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 8
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910003828 SiH3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N [SiH2] Chemical compound [SiH2] XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- OLRJXMHANKMLTD-UHFFFAOYSA-N silyl Chemical compound [SiH3] OLRJXMHANKMLTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/50—Fuel cells
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、例えば燃料電池の多孔性基板上に薄膜を形成
するような場合等に用いられるプラズマＣＶＤ装置に関
し、特に放電々極の構成に関する。
するような場合等に用いられるプラズマＣＶＤ装置に関
し、特に放電々極の構成に関する。
［従来の技術］
第４図は従来の磁場変調プラズマＣＶＤ装置の構成を示
す断面図であり、第５図はその放電電極の構成を示す斜
視図である。
す断面図であり、第５図はその放電電極の構成を示す斜
視図である。
第４図に示すように、この磁場変調プラズマＣＶＤ装置
１０は、真空容器１１の外周に巻装された磁界変調用コ
イル１２に対し、図示しない交流電源から所定の電力を
供給することにより励磁を行ない、容器１１内に変調磁
場Ｎ１を発生させ得るものとなっている。容器１１の内
部の不要ガスはガス排出孔１３を通して外部へ排気され
、その後、反応ガス導入孔１４を通して所要の反応ガス
が容器１１内に導入される。容器１１の内部には放電々
極１５か配設されており、この放電々極１５には容器外
に設置されている低周波電源１６から所定電圧が印加さ
れるものとなっている。なお、容器１１内の放電々極１
５と対向する位置には成膜を行なうべき基板１７が配置
される。
１０は、真空容器１１の外周に巻装された磁界変調用コ
イル１２に対し、図示しない交流電源から所定の電力を
供給することにより励磁を行ない、容器１１内に変調磁
場Ｎ１を発生させ得るものとなっている。容器１１の内
部の不要ガスはガス排出孔１３を通して外部へ排気され
、その後、反応ガス導入孔１４を通して所要の反応ガス
が容器１１内に導入される。容器１１の内部には放電々
極１５か配設されており、この放電々極１５には容器外
に設置されている低周波電源１６から所定電圧が印加さ
れるものとなっている。なお、容器１１内の放電々極１
５と対向する位置には成膜を行なうべき基板１７が配置
される。
かくして上記磁場変調プラズマＣＶ装置１０を作動させ
ると、放電々極１５によるグロー放電と反応ガスとの反
応作用によりグロー放電プラズマＧＰが発生し、分解し
たガスの一部か成膜粒子Ｒとなって基板１７の表面に蒸
着する。
ると、放電々極１５によるグロー放電と反応ガスとの反
応作用によりグロー放電プラズマＧＰが発生し、分解し
たガスの一部か成膜粒子Ｒとなって基板１７の表面に蒸
着する。
ところで上記従来の装置１０における放電々極１５は、
第５図に示すように鉛直に設置された複数枚の平板電極
１５ａ〜１５ｆにより構成されている。そして電源であ
る低周波電源１６に対して各仮状電極１５ａ〜１５ｆが
一枚毎に交互に接続されている。
第５図に示すように鉛直に設置された複数枚の平板電極
１５ａ〜１５ｆにより構成されている。そして電源であ
る低周波電源１６に対して各仮状電極１５ａ〜１５ｆが
一枚毎に交互に接続されている。
［発明が解決しようとする課題］
上記の如く、従来の放電々極１５は、鉛直に設置された
複数枚の平板電極１５ａ〜１５ｆにより構成されており
、かつ極性を有さない低周波の交流電源１６によりプラ
ズマを発生させる如く設けられている。上記構成の放電
々極１５では、平板電ｂ １５ ａ〜１５ｆの長手方向
の方位にバラツキが生じ易く、電界方向との差異に起因
する異方性か成膜に生じ、膜質悪化の原因となるおそれ
がある。また平板電極１５ａ〜１．５ ｆの枚数を多く
できないため、投入し得る電力が制限され、エネルギー
密度の大きなプラズマを作ることができない。
複数枚の平板電極１５ａ〜１５ｆにより構成されており
、かつ極性を有さない低周波の交流電源１６によりプラ
ズマを発生させる如く設けられている。上記構成の放電
々極１５では、平板電ｂ １５ ａ〜１５ｆの長手方向
の方位にバラツキが生じ易く、電界方向との差異に起因
する異方性か成膜に生じ、膜質悪化の原因となるおそれ
がある。また平板電極１５ａ〜１．５ ｆの枚数を多く
できないため、投入し得る電力が制限され、エネルギー
密度の大きなプラズマを作ることができない。
従って、成膜速度の増大をはかることができないという
問題があった。
問題があった。
そこで本発明は、放電々極の方位と電界方向との差異に
起因する成膜異方性の発生を防止でき、均一で安定な膜
質の薄膜を形成可能である上、エネルギー密度の大きな
プラズマを発生させることができ、成膜所要時間を短縮
可能なプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的とする
。
起因する成膜異方性の発生を防止でき、均一で安定な膜
質の薄膜を形成可能である上、エネルギー密度の大きな
プラズマを発生させることができ、成膜所要時間を短縮
可能なプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的とする
。
［課題を解決するための手段］
本発明は上記課題を解決し目的を達成するために次のよ
うな手段を講じた。すなわち、円柱状ないし正多角柱状
をなす多数本の棒状電極を、互いに平行でかつ等距離に
あるように規則性をもって配列し、隣接する棒状電極ど
うしが互いに異極となるように、配列されている各棒状
電極を電源の両端子に対し交互に接続してなる放電電極
を備えるようにした。
うな手段を講じた。すなわち、円柱状ないし正多角柱状
をなす多数本の棒状電極を、互いに平行でかつ等距離に
あるように規則性をもって配列し、隣接する棒状電極ど
うしが互いに異極となるように、配列されている各棒状
電極を電源の両端子に対し交互に接続してなる放電電極
を備えるようにした。
［作用］
上記手段を講じたことにより次のような作用を呈する。
すなわち、放電々極が多数本の棒状電極により構成され
ているので、板状のものとは異なり放電々極の方位にバ
ラツキがほとんど生じない。
ているので、板状のものとは異なり放電々極の方位にバ
ラツキがほとんど生じない。
このため放電々極の向きと電界方向との差異に起因する
成膜異方性の発生を防止できる。したがって膜質が均一
で安定な薄膜を形成することが可能となる。また棒状電
極の場合、限られた空間内に多数本の電極を整然と配列
し得るので、従来の板状電極に比べると相当大きな電力
供給が可能となる。その結果、大きなエネルギー密度を
有するプラズマを発生させることができ、成膜速度を高
め得、成膜所要時間を短縮することが可能となる。
成膜異方性の発生を防止できる。したがって膜質が均一
で安定な薄膜を形成することが可能となる。また棒状電
極の場合、限られた空間内に多数本の電極を整然と配列
し得るので、従来の板状電極に比べると相当大きな電力
供給が可能となる。その結果、大きなエネルギー密度を
有するプラズマを発生させることができ、成膜速度を高
め得、成膜所要時間を短縮することが可能となる。
［実施例コ
第１図は本発明の一実施例である磁場変調プラズマＣＶ
Ｄ装置の構成を示す断面図である。なお第４図に示した
従来装置と同一部分には同一符号を付し、基本的な構成
部分についての説明は省略する。図中、２０は本発明の
主要部である放電々極であり、容器１１外の低周波電極
１６に接続されている。なお上記電源１−６としては直
流または交流いずれのものでも使用できる。
Ｄ装置の構成を示す断面図である。なお第４図に示した
従来装置と同一部分には同一符号を付し、基本的な構成
部分についての説明は省略する。図中、２０は本発明の
主要部である放電々極であり、容器１１外の低周波電極
１６に接続されている。なお上記電源１−６としては直
流または交流いずれのものでも使用できる。
第２図は放電々極２０の構成を、低周波電源１６との接
続関係と共に示す斜視図である。放電々極２０は、図示
の如く円柱状をなす棒状電極２１ａ、 ２１ｂ、
２１ｃ、 ２１ｄ、 ・−２６ａ。
続関係と共に示す斜視図である。放電々極２０は、図示
の如く円柱状をなす棒状電極２１ａ、 ２１ｂ、
２１ｃ、 ２１ｄ、 ・−２６ａ。
２６ｂ、２６ｃ、２６ｄが、その長手方向を鉛直方向に
した状態で４列−６行のマトリクス状に配列されたもの
となっている。そして図示の如く、その半数に点々を施
して識別を容易化したように、縦・溝に隣接する棒状電
極どうしが互いに異極となるように、配列されている各
棒状電極が低周波電源１６の異なる電源端子ＶまたはＷ
に対し、交互に接続されている。
した状態で４列−６行のマトリクス状に配列されたもの
となっている。そして図示の如く、その半数に点々を施
して識別を容易化したように、縦・溝に隣接する棒状電
極どうしが互いに異極となるように、配列されている各
棒状電極が低周波電源１６の異なる電源端子ＶまたはＷ
に対し、交互に接続されている。
第３図（ａ）は第２図の棒状電極群を真横から見た図、
第３図（ｂ）は同棒状電極群を真上から見た図である。
第３図（ｂ）は同棒状電極群を真上から見た図である。
同図（ｂ）から明らかなように棒状電極群は基盤目状に
設置されているが、配列状況は必ずしもこのような配列
でなくてもよく、千鳥状に配列してもよい。
設置されているが、配列状況は必ずしもこのような配列
でなくてもよく、千鳥状に配列してもよい。
第３図（ｃ）は千鳥状に配列された放電電極群の配置関
係を示す図である。要するに、棒状電極が互いに平行で
かつ等距離にあるように規則性をもって配列されていれ
ばよい。
係を示す図である。要するに、棒状電極が互いに平行で
かつ等距離にあるように規則性をもって配列されていれ
ばよい。
次に上記のように構成された本実施例の装置の作用を説
明する。真空ポンプ（不図示）を駆動して真空容器１１
内の不要ガスをガス排出孔１３を通して排気した後、反
応ガス導入孔１４より所定の反応ガス、例えばモノシラ
ンガス、ジボラン。
明する。真空ポンプ（不図示）を駆動して真空容器１１
内の不要ガスをガス排出孔１３を通して排気した後、反
応ガス導入孔１４より所定の反応ガス、例えばモノシラ
ンガス、ジボラン。
メタンなどの反応ガスを導入する。そして圧力を０．１
〜０．５Ｔｏｒｒに保ち、低周波電源１６から棒状電極
群に対し、隣合うもの同士の間にグロー放電が発生する
様に電圧を印加する。一方、磁界変調用コイル１２には
低周波交流電圧を印加し、電極間に発生する電界と直交
する方向の磁界Ｍを発生させる。そうすると、反応ガス
導入孔１４から１共給されたガスのうち、モノシランガ
スはグロー放電プラズマＧＰとなり、Ｓｉ、ＳｉＨ。
〜０．５Ｔｏｒｒに保ち、低周波電源１６から棒状電極
群に対し、隣合うもの同士の間にグロー放電が発生する
様に電圧を印加する。一方、磁界変調用コイル１２には
低周波交流電圧を印加し、電極間に発生する電界と直交
する方向の磁界Ｍを発生させる。そうすると、反応ガス
導入孔１４から１共給されたガスのうち、モノシランガ
スはグロー放電プラズマＧＰとなり、Ｓｉ、ＳｉＨ。
ＳｉＨ２，ＳｉＨ３等の反応化学種（ラジカル）に分解
され、成膜粒子Ｒとなって基板１７に蒸着する。ジボラ
ン、フォスフイン、メタン等もラジカルとなり、同様に
基板１７に蒸着する。なお如何なる原料ガスを成膜の際
に用いるかは薄膜に如何なる機能と作用を期待するかに
よる。アルゴンガスをプラズマ化する場合に生じるイオ
ンＩは電界と磁界の影響を受けてドリフト運動を起こす
。
され、成膜粒子Ｒとなって基板１７に蒸着する。ジボラ
ン、フォスフイン、メタン等もラジカルとなり、同様に
基板１７に蒸着する。なお如何なる原料ガスを成膜の際
に用いるかは薄膜に如何なる機能と作用を期待するかに
よる。アルゴンガスをプラズマ化する場合に生じるイオ
ンＩは電界と磁界の影響を受けてドリフト運動を起こす
。
このドリフト運動によって初速を与えられたイオンは電
界の外の磁場の影響でサイクロトロン運動を起こし、Ｌ
ａ ｒｍｏ ｒ軌道を描いて飛んでいく。
界の外の磁場の影響でサイクロトロン運動を起こし、Ｌ
ａ ｒｍｏ ｒ軌道を描いて飛んでいく。
これによりイオンなどの荷電粒子か基板１７へ直撃する
ことがなくなり、所謂イオンダメージか減少し、膜質劣
化が防止される。なお基板１７は裏面からヒータ（不図
示）により加熱され、蒸着膜の表面反応の加速がはから
れる。
ことがなくなり、所謂イオンダメージか減少し、膜質劣
化が防止される。なお基板１７は裏面からヒータ（不図
示）により加熱され、蒸着膜の表面反応の加速がはから
れる。
本実施例によれば放電々極２０か多数本の棒状電極２１
ａ〜２６ｄにより構成されているので、板状の電極とは
異なり放電々極２０の方位にバラツキがほとんど生しな
い。このため放電々極２０の向きと電界方向との差異に
起因する成膜異方性の発生を防止できる。したがって膜
質が均一で安定な薄膜を形成することが可能となる。ま
た棒状電極２１ａ〜２６ｄの場合、限られた空間内に多
数本の電極を整然と配列し得るので、従来の板状電極１
５ａ〜１５ｆに比べると相当大きな電力供給か可能とな
る。その結果、大きなエネルギー密度を有するプラズマ
を発生させることができ、成膜速度を高め得、成膜所要
時間を短縮することが可能となる。
ａ〜２６ｄにより構成されているので、板状の電極とは
異なり放電々極２０の方位にバラツキがほとんど生しな
い。このため放電々極２０の向きと電界方向との差異に
起因する成膜異方性の発生を防止できる。したがって膜
質が均一で安定な薄膜を形成することが可能となる。ま
た棒状電極２１ａ〜２６ｄの場合、限られた空間内に多
数本の電極を整然と配列し得るので、従来の板状電極１
５ａ〜１５ｆに比べると相当大きな電力供給か可能とな
る。その結果、大きなエネルギー密度を有するプラズマ
を発生させることができ、成膜速度を高め得、成膜所要
時間を短縮することが可能となる。
なお本発明は上述した実施例に限定されるものではない
。例えば前記実施例では棒状電極２１ａ〜２６ｄとして
断面が円形をなす円柱状のものを例示したが、これに限
らず例えば断面が三角、四角、〜をなす正多角柱状のも
のであってもよい。
。例えば前記実施例では棒状電極２１ａ〜２６ｄとして
断面が円形をなす円柱状のものを例示したが、これに限
らず例えば断面が三角、四角、〜をなす正多角柱状のも
のであってもよい。
このほか本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施
可能であるのは勿論である。
可能であるのは勿論である。
［発明の効果コ
本発明によれば、円柱状ないし正多角柱状をなす多数本
の棒状電極を、互いに平行でかつ等距離にあるように規
則性をもって配列し、隣接する棒状電極どうしが互いに
異極となるように、配列されている各棒状電極を電源の
両端子に対し交互に接続してなる放電々極を備えるよう
にしたので、放電々極の方位と電界方向との差異に起因
する成膜異方性の発生を防止でき、均一で安定な膜質の
薄膜を形成可能である上、エネルギー密度の太きなプラ
ズマを発生させることができ、成膜所要時間を短縮可能
なプラズマＣＶＤ装置を提供できる。
の棒状電極を、互いに平行でかつ等距離にあるように規
則性をもって配列し、隣接する棒状電極どうしが互いに
異極となるように、配列されている各棒状電極を電源の
両端子に対し交互に接続してなる放電々極を備えるよう
にしたので、放電々極の方位と電界方向との差異に起因
する成膜異方性の発生を防止でき、均一で安定な膜質の
薄膜を形成可能である上、エネルギー密度の太きなプラ
ズマを発生させることができ、成膜所要時間を短縮可能
なプラズマＣＶＤ装置を提供できる。
第１図〜第３図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を示
す図で、第１図は磁場変調プラズマＣＶＤ装置の構成゛
を示す断面図、第２図は放電々極の構成を示す斜視図、
第３図（ａ）および（ｂ）は放電々極を真横および真上
から見た図、第３図（ｃ）は電極配列の変形例を示す図
である。第４図は従来の磁場変調プラズマＣＶＤ装置の
構成を示す断面図、第５図は同従来例の放電々極の構成
を示す斜視図である。 １０・・・真空容器、１１・・・磁界変調用コイル、］
３・・・ガス排出孔、１４・・・反応ガス導入孔、１５
゜２０・・・放電々極、１５ａ〜１．５ ｆ・・・板状
電極、１６・・・低周波電源、１７・・・基板、２１ａ
〜２６ｂ・・・棒状電極。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図
す図で、第１図は磁場変調プラズマＣＶＤ装置の構成゛
を示す断面図、第２図は放電々極の構成を示す斜視図、
第３図（ａ）および（ｂ）は放電々極を真横および真上
から見た図、第３図（ｃ）は電極配列の変形例を示す図
である。第４図は従来の磁場変調プラズマＣＶＤ装置の
構成を示す断面図、第５図は同従来例の放電々極の構成
を示す斜視図である。 １０・・・真空容器、１１・・・磁界変調用コイル、］
３・・・ガス排出孔、１４・・・反応ガス導入孔、１５
゜２０・・・放電々極、１５ａ〜１．５ ｆ・・・板状
電極、１６・・・低周波電源、１７・・・基板、２１ａ
〜２６ｂ・・・棒状電極。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図
Claims (1)
- 円柱状ないし正多角柱状をなす多数本の棒状電極を、互
いに平行でかつ等距離にあるように規則性をもって配列
し、隣接する棒状電極どうしが互いに異極となるように
、配置されている各棒状電極を電源の両端子に対し交互
に接続してなる放電電極を備えたことを特徴とするプラ
ズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63054079A JPH01230782A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63054079A JPH01230782A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01230782A true JPH01230782A (ja) | 1989-09-14 |
Family
ID=12960606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63054079A Pending JPH01230782A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01230782A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04314863A (ja) * | 1991-04-11 | 1992-11-06 | Mitsutoyo Corp | プラズマ反応装置 |
| US5225375A (en) * | 1991-05-20 | 1993-07-06 | Process Technology (1988) Limited | Plasma enhanced chemical vapor processing of semiconductor substrates |
| JP2001274101A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 棒状電極を有するプラズマ化学蒸着装置 |
| US6779482B2 (en) * | 2000-03-23 | 2004-08-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma deposition device for forming thin film |
| US20140083977A1 (en) * | 2012-09-26 | 2014-03-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
-
1988
- 1988-03-08 JP JP63054079A patent/JPH01230782A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04314863A (ja) * | 1991-04-11 | 1992-11-06 | Mitsutoyo Corp | プラズマ反応装置 |
| US5225375A (en) * | 1991-05-20 | 1993-07-06 | Process Technology (1988) Limited | Plasma enhanced chemical vapor processing of semiconductor substrates |
| US6779482B2 (en) * | 2000-03-23 | 2004-08-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma deposition device for forming thin film |
| JP2001274101A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 棒状電極を有するプラズマ化学蒸着装置 |
| US20140083977A1 (en) * | 2012-09-26 | 2014-03-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US10381198B2 (en) * | 2012-09-26 | 2019-08-13 | Toshiba Memory Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100436072B1 (ko) | 박막 형성용 플라즈마 성막 장치 | |
| CN105103269A (zh) | 基板加工设备 | |
| JP2001508923A (ja) | 容量結合ｒｆプラズマ反応室 | |
| US4985213A (en) | Exhaust gas treating apparatus | |
| JPH01230782A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2785442B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2989279B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS60123032A (ja) | プラズマ処理方法および装置 | |
| KR101507390B1 (ko) | 용량 결합 플라즈마 반응기 | |
| JPH0682635B2 (ja) | 半導体処理装置 | |
| JPH01148329A (ja) | 排ガスの放電処理装置 | |
| JPH03151022A (ja) | 排ガス処理装置 | |
| JPH04220957A (ja) | 固体高分子電解質の処理方法 | |
| KR101542897B1 (ko) | 표면 처리를 위한 유전체 장벽 방전 반응기 | |
| JPH10241899A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0760798B2 (ja) | 非晶質薄膜形成方法および装置 | |
| CN107267957B (zh) | 一种用于化学气相沉积的装置以及化学气相沉积方法 | |
| JPH01181513A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS62263235A (ja) | 非晶質薄膜形成装置 | |
| JPH0697657B2 (ja) | 非晶質薄膜形成装置 | |
| JPH04120277A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0576549B2 (ja) | ||
| CN113630948A (zh) | 一种栅格阵列式均匀等离子体器件 | |
| JPH02253823A (ja) | 排ガス処理装置 | |
| JPS5848416A (ja) | 量産型薄膜生成装置 |