JPH01232038A - エレクトレット化高分子シート状物及びその製造方法 - Google Patents
エレクトレット化高分子シート状物及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH01232038A JPH01232038A JP63058805A JP5880588A JPH01232038A JP H01232038 A JPH01232038 A JP H01232038A JP 63058805 A JP63058805 A JP 63058805A JP 5880588 A JP5880588 A JP 5880588A JP H01232038 A JPH01232038 A JP H01232038A
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- Japan
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- polymer sheet
- electret
- film
- plasma
- charge density
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は表面高電荷密度を有する高分子シート、特に高
分子シートがポリエステルのフィルム又は織編物又は不
織布である高分子シート状物に関する。
分子シートがポリエステルのフィルム又は織編物又は不
織布である高分子シート状物に関する。
（従来の技術）
現在エレクトレット化品はマイクロホン、ヘッドホン、
補聴器、拡声電話機など静電型電気音響トランスデユー
サ−としての応用が進んでいるが、エレクトレット化す
る膜厚を薄くできればそれだけ表面電荷密度が上り、エ
レクトレットの静電場を利用するにはより効果的である
。またエレクトレットの池の大きな用途として、不織布
等をエレクトレット化したフィルターが効率よく集じん
できるということで注目をあびている。これらの用途の
なかで、従来エレクトレット化しにくいもの、又はエレ
クトレット化してもその性能の持続性が悪いものをエレ
クトレット化したいという要望もある。例えばポリエス
テルのエレクトレット化などがこの例である。
補聴器、拡声電話機など静電型電気音響トランスデユー
サ−としての応用が進んでいるが、エレクトレット化す
る膜厚を薄くできればそれだけ表面電荷密度が上り、エ
レクトレットの静電場を利用するにはより効果的である
。またエレクトレットの池の大きな用途として、不織布
等をエレクトレット化したフィルターが効率よく集じん
できるということで注目をあびている。これらの用途の
なかで、従来エレクトレット化しにくいもの、又はエレ
クトレット化してもその性能の持続性が悪いものをエレ
クトレット化したいという要望もある。例えばポリエス
テルのエレクトレット化などがこの例である。
（発明が解決しようとする課題）
即ち本発明の課題は、フィルム、織編物、不織布等の高
分子シート状物のエレクトレット化にあるが、特にその
素材がポリエステルの場合にも表面電荷密度が著しく高
（かつ持続性のあるエレクトレット化高分子シート状物
を得んとするものである。
分子シート状物のエレクトレット化にあるが、特にその
素材がポリエステルの場合にも表面電荷密度が著しく高
（かつ持続性のあるエレクトレット化高分子シート状物
を得んとするものである。
（課題を解決するための手段）
即ち、本発明は、
［ｌ 高分子シートの少な（とも片面の表面にシラン系
化合物又はフッ素系化合物よりなる膜厚０．０３〜０．
５μの架橋構造膜を有し、該薄膜がエレクトレット化し
ていることを特徴とする高分子シート状物。
化合物又はフッ素系化合物よりなる膜厚０．０３〜０．
５μの架橋構造膜を有し、該薄膜がエレクトレット化し
ていることを特徴とする高分子シート状物。
２ 高分子シートの少なくとも片面の表面にプラズマ重
合によりシラン系化合物又はフッ素系化合物を用いて架
橋構造膜を形成させ、その膜厚を０．０３〜０．５μと
し、その後直流の高電圧電源により該薄膜をエレクトレ
ット化することを特徴とする高分子シート状物の製造方
法。 」 に関する。
合によりシラン系化合物又はフッ素系化合物を用いて架
橋構造膜を形成させ、その膜厚を０．０３〜０．５μと
し、その後直流の高電圧電源により該薄膜をエレクトレ
ット化することを特徴とする高分子シート状物の製造方
法。 」 に関する。
本発明で言う高分子シートとは、フィルム、織編物、不
織布等のシート状物を言う。高分子には特に限定はなく
、天然高分子、再生高分子、合成高分子等をさす。一般
に最も汎用性に富むポリエステルはエレクトレット化し
にくくその持続性も悪いことから本発明の手法はポリエ
ステルには特に有効と考えられる。
織布等のシート状物を言う。高分子には特に限定はなく
、天然高分子、再生高分子、合成高分子等をさす。一般
に最も汎用性に富むポリエステルはエレクトレット化し
にくくその持続性も悪いことから本発明の手法はポリエ
ステルには特に有効と考えられる。
本発明で言う少なくとも片面とは、高分子シートの一表
面または両表面を言う。高分子シート表面には、電極な
どの目的として金属等の導電物質がコート、蒸着、スパ
ッタリング、イオンブレーティング等で付着していても
よい。
面または両表面を言う。高分子シート表面には、電極な
どの目的として金属等の導電物質がコート、蒸着、スパ
ッタリング、イオンブレーティング等で付着していても
よい。
本発明に使用するシラン系化合物又はフッ素系化合物モ
ノマーについて説明する。
ノマーについて説明する。
プラズマ重合法に使用されるフッ素系化合物モノマーと
は、Ｃ，Ｆ、、 Ｃ，Ｆ、で代表されるＣｎＨｍＣ＆ｐ
Ｆｔｎ−ｓ−ｐタイプ（ａ≧０、ｌ≧ｏ、 ｐ≧０．２
ｎ−ｓ−ｐ≧１の整数”） 、ＣＦ、、Ｃ，Ｆ、、Ｃ３
Ｆ＠で代表されるＣｎＨａＣ１２ｐＢｒＱＦｇｎａｔ−
１−Ｐ−Ｑタイプ （ｎ≧１． ｍ≧０、ｐ≧ｏ、
ｑ≧０． ２ｎ＋２−ｓ＋−’ｐ−ｑ≧１の整数）
、Ｃ−Ｆ３で代表されるＣｎ８ｍＣ２９Ｆ＊ｎ−ｍ−ｐ
の環状タイプ（ｎ≧３、ｍ≧０、ｐ≧０１２ｎ−ｍ−ｐ
≧ｌの整数）、Ｃ，Ｆ、で代表されるＣｎＨｍＣ１２ｐ
Ｆｔｎ−ｔ−ｍ−ｐの二重結合を有する環状タイプ（ｎ
≧４、謄≧０１門≧０．２ｎ−２−ｍ−ｐ≧１の整数）
、Ｃ−ＦｓＯで代表されるタイプ、ＮＦｌ、ＳＦ、、
ＩＩＦｇで代表されるタイプ等、各種のものが存在する
。
は、Ｃ，Ｆ、、 Ｃ，Ｆ、で代表されるＣｎＨｍＣ＆ｐ
Ｆｔｎ−ｓ−ｐタイプ（ａ≧０、ｌ≧ｏ、 ｐ≧０．２
ｎ−ｓ−ｐ≧１の整数”） 、ＣＦ、、Ｃ，Ｆ、、Ｃ３
Ｆ＠で代表されるＣｎＨａＣ１２ｐＢｒＱＦｇｎａｔ−
１−Ｐ−Ｑタイプ （ｎ≧１． ｍ≧０、ｐ≧ｏ、
ｑ≧０． ２ｎ＋２−ｓ＋−’ｐ−ｑ≧１の整数）
、Ｃ−Ｆ３で代表されるＣｎ８ｍＣ２９Ｆ＊ｎ−ｍ−ｐ
の環状タイプ（ｎ≧３、ｍ≧０、ｐ≧０１２ｎ−ｍ−ｐ
≧ｌの整数）、Ｃ，Ｆ、で代表されるＣｎＨｍＣ１２ｐ
Ｆｔｎ−ｔ−ｍ−ｐの二重結合を有する環状タイプ（ｎ
≧４、謄≧０１門≧０．２ｎ−２−ｍ−ｐ≧１の整数）
、Ｃ−ＦｓＯで代表されるタイプ、ＮＦｌ、ＳＦ、、
ＩＩＦｇで代表されるタイプ等、各種のものが存在する
。
これらの中で成膜速度が大きく工業的に好ましいものと
してはＣ，Ｆ、、Ｃ３ＦいＣ３Ｆｓ、Ｃ，Ｆ、、Ｃ，Ｆ
、ＯｌＣ，）１．Ｆ、等であるが、運搬上の安全性、成
膜速度などからさらに好ましくは、Ｃ３Ｆ、、Ｃ４Ｆｓ
、Ｃ，Ｆ、０である。
してはＣ，Ｆ、、Ｃ３ＦいＣ３Ｆｓ、Ｃ，Ｆ、、Ｃ，Ｆ
、ＯｌＣ，）１．Ｆ、等であるが、運搬上の安全性、成
膜速度などからさらに好ましくは、Ｃ３Ｆ、、Ｃ４Ｆｓ
、Ｃ，Ｆ、０である。
またこれらのフッ素系化合物の中には単独では成膜能力
の低い物も、少量の水素ガスまたは非重合性ガスと混合
してプラズマ重合させると成膜速度の著しく向上するも
のがある。水素ガスとの混合で成膜速度が著しく向上す
るものとして、ＣＦ、、Ｃ４ｓ、Ｃ，Ｆ、、ＣｔＨ−Ｆ
＊が代表的であり、非重合性ガスと混合して成膜速度が
向上するものとして、Ｃ，Ｆ、、Ｃ，Ｆ、、Ｃ４Ｆ、、
Ｃ５Ｆ−０等が代表的である。
の低い物も、少量の水素ガスまたは非重合性ガスと混合
してプラズマ重合させると成膜速度の著しく向上するも
のがある。水素ガスとの混合で成膜速度が著しく向上す
るものとして、ＣＦ、、Ｃ４ｓ、Ｃ，Ｆ、、ＣｔＨ−Ｆ
＊が代表的であり、非重合性ガスと混合して成膜速度が
向上するものとして、Ｃ，Ｆ、、Ｃ，Ｆ、、Ｃ４Ｆ、、
Ｃ５Ｆ−０等が代表的である。
非重合性ガスの内効果の大きいのは不活性ガス類であり
、アルゴンガスは特に効果的である。フッ素系化合物は
、水素、塩素、臭素等の原子を含んでもさしつかえない
。
、アルゴンガスは特に効果的である。フッ素系化合物は
、水素、塩素、臭素等の原子を含んでもさしつかえない
。
また本発明で使用するケイ素糸化合物モ／マーとは、
ｐ。
Ｋり
ＣＨ，、Ｃ山、ＣＬ＝ＣＨ，Ｈ％Ｑ。
のいずれか）で表わされるアルコキシシラン系ケイ素化
合物、 に３ ０、−ｃＩ２、Ｃｌ２ＣＨ＊のいずれか）で表わされる
クロロシラン系化合物、 れか、Ｒはアルキル基、ＸはＯＣＨ３、０ＣｔＨｓのい
ずれか） で表わされるシランカップリング系ケイ素化合物、（但
しＲ１−Ｒ１はＨ，、ＣＨ３、ＣｔＨｓ、５ｉ（ＣＨｔ
）＊、いずれか） であるシラザン系ケイ素化合物、 （但しＲは７ ／ｌ／キル基、ＸはＣＱ、 ＮＨｔ、で
ある反応性シロキサンオリゴマー系ケイ素化合物、を言
う。代表的なものに、トリメトキシシラン、トリメトキ
シビニルシラン、トリエトキシシラン、トリエトキシビ
ニルシラン、トリメトキシクロルシラン、トリメチルメ
トキシシラン、〜ジメトキシビニルシラン、ジメチルメ
トキシビニルシラン、トリメチルビニルシラン、トリエ
チルビニルシラン、ビニルトリフロロシラン、ヘキサメ
チルジシラザン、ジメチルトリメチルシリルアミン、ア
ミノシロキサン、クロロシロキサン、等がある。
合物、 に３ ０、−ｃＩ２、Ｃｌ２ＣＨ＊のいずれか）で表わされる
クロロシラン系化合物、 れか、Ｒはアルキル基、ＸはＯＣＨ３、０ＣｔＨｓのい
ずれか） で表わされるシランカップリング系ケイ素化合物、（但
しＲ１−Ｒ１はＨ，、ＣＨ３、ＣｔＨｓ、５ｉ（ＣＨｔ
）＊、いずれか） であるシラザン系ケイ素化合物、 （但しＲは７ ／ｌ／キル基、ＸはＣＱ、 ＮＨｔ、で
ある反応性シロキサンオリゴマー系ケイ素化合物、を言
う。代表的なものに、トリメトキシシラン、トリメトキ
シビニルシラン、トリエトキシシラン、トリエトキシビ
ニルシラン、トリメトキシクロルシラン、トリメチルメ
トキシシラン、〜ジメトキシビニルシラン、ジメチルメ
トキシビニルシラン、トリメチルビニルシラン、トリエ
チルビニルシラン、ビニルトリフロロシラン、ヘキサメ
チルジシラザン、ジメチルトリメチルシリルアミン、ア
ミノシロキサン、クロロシロキサン、等がある。
ケイ素化合物をプラズマ装置内に供給する場合、キャリ
アーガスとしてアルゴンチッ素等の不活性ガスと混合し
て使用してもさしつかえないし、さらに緻密な膜を形成
させるために酸素等と混合してもよい。
アーガスとしてアルゴンチッ素等の不活性ガスと混合し
て使用してもさしつかえないし、さらに緻密な膜を形成
させるために酸素等と混合してもよい。
本発明で言うプラズマ重合とは、低温プラズマ放電を利
用した重合法をいい、放電時に重合法モノマーを１種以
上供給しながら重合膜を形成させる方法を言う。
用した重合法をいい、放電時に重合法モノマーを１種以
上供給しながら重合膜を形成させる方法を言う。
低温プラズマとは、放電中に生成されるプラズマが平均
電子エネルギー１０ｅＶ （ｌｏ’〜ｌＯ’Ｋ） 、電
子密度１Ｇ”〜１Ｇ”ａｍ−’で特徴づけられると同時
に、電子温度とガス温度との間に平衡が成立しない故に
非平衡プラズマとも言われる。
電子エネルギー１０ｅＶ （ｌｏ’〜ｌＯ’Ｋ） 、電
子密度１Ｇ”〜１Ｇ”ａｍ−’で特徴づけられると同時
に、電子温度とガス温度との間に平衡が成立しない故に
非平衡プラズマとも言われる。
プラズマ重合を行う装置としては特に制約がな（、連続
式、バッチ式、内部電極式、外部７４極式いずれでも良
い。
式、バッチ式、内部電極式、外部７４極式いずれでも良
い。
通常放電時の真空度はＯ，Ｏ１＝ ０．５Ｔｏｒｒ程度
に保たれ、出力はＯ，１ｗ／ｃ＋ｉ”〜５ｗ／ａＩ１１
”程度である。処理時間は数秒〜数分が一般的であり、
膜厚を０．０３〜０５μ程度にすることが望ましい。膜
厚が０．０３μ以下だとエレクトレット効果が少なく、
膜厚が０．５μをこえると膜自体が硬くもろくなる傾向
にあり望ましくない。
に保たれ、出力はＯ，１ｗ／ｃ＋ｉ”〜５ｗ／ａＩ１１
”程度である。処理時間は数秒〜数分が一般的であり、
膜厚を０．０３〜０５μ程度にすることが望ましい。膜
厚が０．０３μ以下だとエレクトレット効果が少なく、
膜厚が０．５μをこえると膜自体が硬くもろくなる傾向
にあり望ましくない。
膜厚の測定はスライドガラス上にカバーグラスをおいた
ものを、プラズマ処理装置のサンプルをセットした電極
上におき、プラズマ、重合後カバーグラスを除去し、ス
ライドグラスにできた段差を干渉顕微鏡により測定する
。
ものを、プラズマ処理装置のサンプルをセットした電極
上におき、プラズマ、重合後カバーグラスを除去し、ス
ライドグラスにできた段差を干渉顕微鏡により測定する
。
エレクトレット化はプラズマ薄膜をエレクトレット化す
るものであり、高分子シートの両面にプラズマ薄膜が存
在する場合は、両面を同極性にエレクトレット化しても
、異極性にエレクトレット化してもよ（、さらに−面の
みをエレクトレット化してもよい。また高分子シートの
一表面のみにプラズマ薄膜が存在す、る場合はその薄膜
をエレクトレット化する。
るものであり、高分子シートの両面にプラズマ薄膜が存
在する場合は、両面を同極性にエレクトレット化しても
、異極性にエレクトレット化してもよ（、さらに−面の
みをエレクトレット化してもよい。また高分子シートの
一表面のみにプラズマ薄膜が存在す、る場合はその薄膜
をエレクトレット化する。
エレクトレット化する装置は通常のもので良い。
すなわち数十ｋｖの高電圧を発生させる直流電源と、試
料が接触するロール状電極（適状アースされる）と対電
極（針状電極）よりな条装置で行われる。
料が接触するロール状電極（適状アースされる）と対電
極（針状電極）よりな条装置で行われる。
エレクトレット化の効率を上げるためにロールは加熱で
きるようになっているものが良い。また簡便タイプとし
て、コロナ放電が行われる装置でもよい。
きるようになっているものが良い。また簡便タイプとし
て、コロナ放電が行われる装置でもよい。
エレクトレットの程度は、被処理物と電圧、処理速度、
電極間距−、ロール温度により任意に選択できるが、高
電圧をかけすぎると、シートが破れたり溶融したりする
ので注意が必要である。エレクトレット化の程度として
は、表面電荷密度としてｌＸｌ０″１０ｃ／ｃｌ！以上
好ましくは３Ｘ １Ｇ−１０ｃ／ｃ＋ａ’が好ましい。
電極間距−、ロール温度により任意に選択できるが、高
電圧をかけすぎると、シートが破れたり溶融したりする
ので注意が必要である。エレクトレット化の程度として
は、表面電荷密度としてｌＸｌ０″１０ｃ／ｃｌ！以上
好ましくは３Ｘ １Ｇ−１０ｃ／ｃ＋ａ’が好ましい。
表面電荷密度の測定は第１図の方法により行なった。試
料ｌをアースした金属板２上に置き、他の金属電極板（
４ｃｍ径）３を上方から試料ｌに接触させて、試料電荷
を金属電極板３に誘導させて、それを既知コンデンサー
４にためて、コンデンサー４の電位を電位計５で測定す
る。
料ｌをアースした金属板２上に置き、他の金属電極板（
４ｃｍ径）３を上方から試料ｌに接触させて、試料電荷
を金属電極板３に誘導させて、それを既知コンデンサー
４にためて、コンデンサー４の電位を電位計５で測定す
る。
表面電荷密度（ｃ／ａｍ’） ＝ Ｃｘ Ｖ ｘ ＳＣ
：コンデンサー容量（ファラッド） ■＝電圧（ボルト） Ｓ：金属電極板面接（ａｍ”） 以下実施例にしたがって説明する。
：コンデンサー容量（ファラッド） ■＝電圧（ボルト） Ｓ：金属電極板面接（ａｍ”） 以下実施例にしたがって説明する。
実施例１
ポリエチレンテレフタレートからなる２軸延伸フイルム
（厚さｌＯμ）の両面にＣ，Ｆ、モノマ−３０ＣＣ／分
の流量で真空度６．３Ｔｏｒｒ出力０．１７７）／ｃａ
＋”で１２０秒間プラズマ重合処理を行ない、膜厚Ｏ，
ｔＳμの架橋された薄膜を形成させた。
（厚さｌＯμ）の両面にＣ，Ｆ、モノマ−３０ＣＣ／分
の流量で真空度６．３Ｔｏｒｒ出力０．１７７）／ｃａ
＋”で１２０秒間プラズマ重合処理を行ない、膜厚Ｏ，
ｔＳμの架橋された薄膜を形成させた。
高周波電源： １３．５６ＭＨｚ
電極 ：平行平板電極
このシートの片面に、５０ＫＶの直流電源により■の電
荷をもたせた。
荷をもたせた。
電極開用ｌ１ｌｌ ５ｃｍ
シートが接する側の電極温度 １２ Ｇ ’Ｃ処理時間
５秒 印加電圧 ３０ＫＶ 次にフィルムを裏返しにし同様の要領で１つの電荷を持
たせるように電源部を一部調整しエレクトレット化した
。
５秒 印加電圧 ３０ＫＶ 次にフィルムを裏返しにし同様の要領で１つの電荷を持
たせるように電源部を一部調整しエレクトレット化した
。
比較例としてプラズマ重合処理してないポリエチレンテ
レフタレートフィルムを同様に裏表エレクトレット化し
た。
レフタレートフィルムを同様に裏表エレクトレット化し
た。
プラズマ重合薄膜を有するフィルムの表面電荷密度は＠
７Ｘ １０−＠ｃ／ｃ＋＊’、（９６，５Ｘ １０−
”ｃ／ｃｏ＋”であり、プラズマ重合処理していないフ
ィルムの表面電荷密度はｅ５ｘ １０−”ｃ／ａｍ”、
θ４Ｘ １０−”ｃ／ｃ１１”であった。
７Ｘ １０−＠ｃ／ｃ＋＊’、（９６，５Ｘ １０−
”ｃ／ｃｏ＋”であり、プラズマ重合処理していないフ
ィルムの表面電荷密度はｅ５ｘ １０−”ｃ／ａｍ”、
θ４Ｘ １０−”ｃ／ｃ１１”であった。
プラズマ重合薄膜のエレクトレット化維持性を調べるた
めに、１０ Ｇ ’Ｃの雰囲気中に１００時間入れてお
いた後表面電荷密度を測定したが、Φ６．７ｘ１０−’
ｃ／ｃｍ”、ｅ ６．４Ｘ １０−”ｃ／ｃｍ”と初期
性能を維持していた。
めに、１０ Ｇ ’Ｃの雰囲気中に１００時間入れてお
いた後表面電荷密度を測定したが、Φ６．７ｘ１０−’
ｃ／ｃｍ”、ｅ ６．４Ｘ １０−”ｃ／ｃｍ”と初期
性能を維持していた。
実施例２
ポリエチレンテレフタレートの５０デニール９６フイラ
メントよりなる延伸糸をタテ糸、ココ糸に用い高密度タ
ック織物を繊った。この織物を糊抜き−精練−プリセッ
ト（ｔｇｏ℃１分間）−染色−仕上と従来の工程を通し
た。
メントよりなる延伸糸をタテ糸、ココ糸に用い高密度タ
ック織物を繊った。この織物を糊抜き−精練−プリセッ
ト（ｔｇｏ℃１分間）−染色−仕上と従来の工程を通し
た。
この織物をビニルトリメトキシシランモノマーによりプ
ラズマ重合薄膜を一表面に施こした。
ラズマ重合薄膜を一表面に施こした。
プラズマ重合条件、装置は実施例１と同様のものを使用
した。この時の膜厚は０．１２μであった。
した。この時の膜厚は０．１２μであった。
この織物を実施例１と同様の条件でエレクトレット化し
た。エレクトレット化とはプラズマ重合表面のみとし、
■の電荷をもたせた。
た。エレクトレット化とはプラズマ重合表面のみとし、
■の電荷をもたせた。
この織物を使用し、防塵衣を作成した。エレクトレット
化した面が外側（体にされらない面）になるように服を
作った。対照にプラズマ重合処理をしてい゛ない織物を
使い同様にエレクトレット化防塵衣を作成した。
−これらの服を着て１時間デスクワークを
した時の体からの発塵量をはだかで行なった場合と比較
して調べた。発しん量は、はだかでデスクワークした時
をｌＯＯとすると、プラズマ重合処理せスニエレクトレ
ット化した服を着用した場合がｌｏｌ プラズマ重合処
理してエレクトレット化した服を着用した場合が２、と
著しくからだからの発塵量を ゛おさえることができた
。
化した面が外側（体にされらない面）になるように服を
作った。対照にプラズマ重合処理をしてい゛ない織物を
使い同様にエレクトレット化防塵衣を作成した。
−これらの服を着て１時間デスクワークを
した時の体からの発塵量をはだかで行なった場合と比較
して調べた。発しん量は、はだかでデスクワークした時
をｌＯＯとすると、プラズマ重合処理せスニエレクトレ
ット化した服を着用した場合がｌｏｌ プラズマ重合処
理してエレクトレット化した服を着用した場合が２、と
著しくからだからの発塵量を ゛おさえることができた
。
第１図は表面電荷密度の測定を行なうための説明図であ
る。 特許出願人 株式会社 り ラ し 代 理 人 弁理士 本多 堅
る。 特許出願人 株式会社 り ラ し 代 理 人 弁理士 本多 堅
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 高分子シートの少なくとも片面の表面にシラン系化
合物又はフッ素系化合物よりなる膜厚０．０３〜０．５
μの架橋構造膜を有し、該薄膜がエレクトレット化して
いることを特徴とする高分子シート状物。 ２ 高分子シートの少なくとも片面の表面にプラズマ重
合によりシラン系化合物又はフッ素系化合物を用いて架
橋構造膜を形成させ、その膜厚を０．０３〜０．５μと
し、その後直流の高電圧電源により該薄膜をエレクトレ
ット化することを特徴とする高分子シート状物の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63058805A JPH01232038A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | エレクトレット化高分子シート状物及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63058805A JPH01232038A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | エレクトレット化高分子シート状物及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01232038A true JPH01232038A (ja) | 1989-09-18 |
Family
ID=13094813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63058805A Pending JPH01232038A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | エレクトレット化高分子シート状物及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01232038A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0523503A3 (ja) * | 1991-07-15 | 1994-02-16 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | |
| US6397458B1 (en) | 1998-07-02 | 2002-06-04 | 3M Innovative Properties Company | Method of making an electret article by transferring fluorine to the article from a gaseous phase |
| US6419871B1 (en) * | 2000-05-25 | 2002-07-16 | Transweb, Llc. | Plasma treatment of filter media |
| US6524360B2 (en) | 2000-02-15 | 2003-02-25 | Hollingsworth & Vose Company | Melt blown composite HEPA filter media and vacuum bag |
| US7244292B2 (en) * | 2005-05-02 | 2007-07-17 | 3M Innovative Properties Company | Electret article having heteroatoms and low fluorosaturation ratio |
| US7244291B2 (en) * | 2005-05-02 | 2007-07-17 | 3M Innovative Properties Company | Electret article having high fluorosaturation ratio |
-
1988
- 1988-03-11 JP JP63058805A patent/JPH01232038A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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