JPH01232756A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH01232756A JPH01232756A JP5900688A JP5900688A JPH01232756A JP H01232756 A JPH01232756 A JP H01232756A JP 5900688 A JP5900688 A JP 5900688A JP 5900688 A JP5900688 A JP 5900688A JP H01232756 A JPH01232756 A JP H01232756A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- data
- sensor
- circuit
- storage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（目 次〕
概要
産業上の利用分蝉
従来の技術
発明が解決しようとする課題
課題を解決するための手段
作用
実施例
本発明の第１実施例 （第１〜１０図）本発明の第２実
施例 （第１１〜１５図）本発明の第３実施例 （第１
６図） 本発明の第４実施例 （第１７〜２１図）発明の効果 〔概 要〕 半導体集積回路装置に関し、 使用中の環境条件変化に応じて予め記憶されていた既知
のデータを取り出してこれを表示若しくは補正データと
して活用できるようにすることを目的とし、 周辺環境の変動に応じた信号を出力するセンサ部と、既
知の環境条件下で得られたセンサ部からの信号値を、該
環境条件の既知データと関連づけて記憶する記憶部と、
未知の環境条件下で得られたセンサ部からの信号値に基
づいて記憶部内のデータを検索し、関連する既知データ
を出力する出力手段と、を備えて構成している。
施例 （第１１〜１５図）本発明の第３実施例 （第１
６図） 本発明の第４実施例 （第１７〜２１図）発明の効果 〔概 要〕 半導体集積回路装置に関し、 使用中の環境条件変化に応じて予め記憶されていた既知
のデータを取り出してこれを表示若しくは補正データと
して活用できるようにすることを目的とし、 周辺環境の変動に応じた信号を出力するセンサ部と、既
知の環境条件下で得られたセンサ部からの信号値を、該
環境条件の既知データと関連づけて記憶する記憶部と、
未知の環境条件下で得られたセンサ部からの信号値に基
づいて記憶部内のデータを検索し、関連する既知データ
を出力する出力手段と、を備えて構成している。
本発明は、半導体集積回路装置に関し、特に電子回路が
形成されたチップの温度および電源電圧変動といった環
境条件を測定する装置に関する。
形成されたチップの温度および電源電圧変動といった環
境条件を測定する装置に関する。
一般に、電子回路の使用条件は多様であり、極めて悪条
件下であっても所期の性能を発揮することが要求される
。
件下であっても所期の性能を発揮することが要求される
。
例えば、高温から低温までの広範囲な温度域で使用され
る電子回路では、回路素子に温度依存性の少ないものを
用いたり、あるいは、温度補正機能を組み込んだりして
性能の安定化を図っている。
る電子回路では、回路素子に温度依存性の少ないものを
用いたり、あるいは、温度補正機能を組み込んだりして
性能の安定化を図っている。
しかしながら、この種の温度対策を施しても回路素子の
温度依存性にはある程度のバラツキが避けられないので
、回路素子の選沢何如によっては回路の温度特性が大幅
に変化し、所期の性能を安定して発揮できないといった
問題点があった。
温度依存性にはある程度のバラツキが避けられないので
、回路素子の選沢何如によっては回路の温度特性が大幅
に変化し、所期の性能を安定して発揮できないといった
問題点があった。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、
回路素子の温度若しくは電源変動に対する依存性を、予
めデータとして記憶することにより、使用中の環境条件
変化に応じて該記憶データを取り出してこれを表示若し
くは補正データとして活用できるようにすることを目的
としている。
回路素子の温度若しくは電源変動に対する依存性を、予
めデータとして記憶することにより、使用中の環境条件
変化に応じて該記憶データを取り出してこれを表示若し
くは補正データとして活用できるようにすることを目的
としている。
本発明では、上記目的を達成するために、周辺環境の変
動に応じた信号を出力するセンサ部と、既知の環境条件
下で得られたセンサ部からの信号値を、該環境条件の既
知データと関連づけて記憶する記憶部と、未知の環境条
件下で得られたセンサ部からの信号値に基づいて記憶部
内のデータを検索し、関連する既知データを出力する出
力手段と、を備えて構成している。
動に応じた信号を出力するセンサ部と、既知の環境条件
下で得られたセンサ部からの信号値を、該環境条件の既
知データと関連づけて記憶する記憶部と、未知の環境条
件下で得られたセンサ部からの信号値に基づいて記憶部
内のデータを検索し、関連する既知データを出力する出
力手段と、を備えて構成している。
本発明では、予め既知の環境条件下に置かれたセンサ部
からの出力信号が、該既知データと関連づけて記憶部に
記憶される。そして、未知の環境条件下に置かれた上記
センサ部からの出力信号に基づいて記憶部が検索され、
該当する既知のデータが取り出される。
からの出力信号が、該既知データと関連づけて記憶部に
記憶される。そして、未知の環境条件下に置かれた上記
センサ部からの出力信号に基づいて記憶部が検索され、
該当する既知のデータが取り出される。
したがって、センサ部を構成する回路素子の環境依存性
に従って既知データを取り出すことができ、この既知デ
ータを例えば補正データとして活用することにより、上
記センサ部と環境を同一にして作動する他の電子回路の
性能を安定して発揮させることが可能になる。
に従って既知データを取り出すことができ、この既知デ
ータを例えば補正データとして活用することにより、上
記センサ部と環境を同一にして作動する他の電子回路の
性能を安定して発揮させることが可能になる。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１〜ｌＯ図は本発明に係る半導体集積回路装置の第１
実施例を示す図である。
実施例を示す図である。
第１図において、１は半導体集積回路装置（以下、測定
装置という）であり、測定装置１はセンサ部２、Ａ／Ｄ
変換部３、記憶部４、制御部５、補間回路（出力手段）
６、表示部７を有している。
装置という）であり、測定装置１はセンサ部２、Ａ／Ｄ
変換部３、記憶部４、制御部５、補間回路（出力手段）
６、表示部７を有している。
センサ部２は少な（とも温度若しくは電源電圧の変動に
対して所定の依存性を有する回路素子を含み、例えば、
第２図に示すように定電流源■とグランド間に接続され
た抵抗Ｒを含んで構成されている。一般に、抵抗は温度
によってその抵抗値が若干変化するといった温度依存性
を持つから、抵抗Ｒから取り出される電圧ｉＲは、抵抗
の温度依存特性に従って変化したものとなる。また、図
示は略すが定電流源■に代えて他の抵抗Ｒ′を接続した
場合は、定電源ＶＩｌｌＤの変動によっても取り出され
る電圧が変化する。なお、第３図に示すように、光の照
射量に応じた電流ｉを発生するフォトダイオードＤを抵
抗Ｒに並列に接続してセンサ部２を構成してもよい。第
４図はセンサ部２の温度依存特性の一例を示す図である
。第４図におし）で、センサ部２周辺の温度がＴｏのと
き、センサ部２から取り出される電圧は■。となり、ま
た、温度Ｔ１のときは電圧ｖｌ、温度Ｔ！のときは電圧
Ｖｔとなる。
対して所定の依存性を有する回路素子を含み、例えば、
第２図に示すように定電流源■とグランド間に接続され
た抵抗Ｒを含んで構成されている。一般に、抵抗は温度
によってその抵抗値が若干変化するといった温度依存性
を持つから、抵抗Ｒから取り出される電圧ｉＲは、抵抗
の温度依存特性に従って変化したものとなる。また、図
示は略すが定電流源■に代えて他の抵抗Ｒ′を接続した
場合は、定電源ＶＩｌｌＤの変動によっても取り出され
る電圧が変化する。なお、第３図に示すように、光の照
射量に応じた電流ｉを発生するフォトダイオードＤを抵
抗Ｒに並列に接続してセンサ部２を構成してもよい。第
４図はセンサ部２の温度依存特性の一例を示す図である
。第４図におし）で、センサ部２周辺の温度がＴｏのと
き、センサ部２から取り出される電圧は■。となり、ま
た、温度Ｔ１のときは電圧ｖｌ、温度Ｔ！のときは電圧
Ｖｔとなる。
再び第１図において、Ａ／Ｄ変換部３は、センサ部２か
ら取り出された電圧（アナログ的に変化する電圧）をデ
ジタル電圧に変換する。記憶部４はＥ Ｅ Ｐ ＲＯＭ
（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｐ
ＲＯＭ）を含んで構成され、記憶部４は制御部５から
の制御を受け、例えば前述の第４図で示したＴｏＶｏ
、ＴＩ Ｖ＋ 、Ｔｔ ＶＺのデータを記憶する。な
お、この記憶に際し、■。〜■２はＥＥＰＲＯＭのアド
レスデータとして用いられ、Ｔ０〜Ｔ！は■。〜ｖ２に
よりアドレス指定された場所に格納される。例えば、■
。＝Ｘ （Ｖ）、 Ｔｏ ＝ｙ （’Ｃｌ Ｔ：あれば
、ＥＥＰＲＯＭ（７）Ｘ番地Ｇコｙが格納される。
ら取り出された電圧（アナログ的に変化する電圧）をデ
ジタル電圧に変換する。記憶部４はＥ Ｅ Ｐ ＲＯＭ
（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｐ
ＲＯＭ）を含んで構成され、記憶部４は制御部５から
の制御を受け、例えば前述の第４図で示したＴｏＶｏ
、ＴＩ Ｖ＋ 、Ｔｔ ＶＺのデータを記憶する。な
お、この記憶に際し、■。〜■２はＥＥＰＲＯＭのアド
レスデータとして用いられ、Ｔ０〜Ｔ！は■。〜ｖ２に
よりアドレス指定された場所に格納される。例えば、■
。＝Ｘ （Ｖ）、 Ｔｏ ＝ｙ （’Ｃｌ Ｔ：あれば
、ＥＥＰＲＯＭ（７）Ｘ番地Ｇコｙが格納される。
補間回路６は、記憶部４に記憶されたデータが複数ポイ
ントのサンプリングデータであることから、これらサン
プリングデータの間を補間するためのものであり、詳細
には後述される。なお、表示部７は記憶部からのデータ
あるいは補間されたデータを表示する。
ントのサンプリングデータであることから、これらサン
プリングデータの間を補間するためのものであり、詳細
には後述される。なお、表示部７は記憶部からのデータ
あるいは補間されたデータを表示する。
このような構成において、記憶部４へのデータの書き込
みは、以下のようにして行われる。
みは、以下のようにして行われる。
まず、既知の温度でセンサ部２を加温あるいは冷却する
。例えば、既知の温度Ｔ０でセンサ部２を加温すると、
センサ部２からはｖｏに相当するアナログ電圧が信号と
して取り出され、この■。
。例えば、既知の温度Ｔ０でセンサ部２を加温すると、
センサ部２からはｖｏに相当するアナログ電圧が信号と
して取り出され、この■。
はデジタル変換されて記憶部４のアドレス指定に用いら
れる。すなわち、■。で指定されたアドレスにこのとき
の既知の温度Ｔ０が格納される。この動作をＴ Ｉ、
Ｔ ｚについて繰り返した結果記憶部４内のアドレスｖ
０にＴｏが、アドレス■１にＴ、が、そしてアドレスＶ
ｔにＴ２が格納される。
れる。すなわち、■。で指定されたアドレスにこのとき
の既知の温度Ｔ０が格納される。この動作をＴ Ｉ、
Ｔ ｚについて繰り返した結果記憶部４内のアドレスｖ
０にＴｏが、アドレス■１にＴ、が、そしてアドレスＶ
ｔにＴ２が格納される。
次いで、センサ部２を未知の温度条件下に置いた場合、
例えば、センサ部２からｖｌに相当する電圧の信号値が
取り出されたとすると、記憶部４からはアドレスｖＩに
格納されたＴ１が読出され、表示部７に表示される。す
なわち、未知の’ＩＡＫがＴ、として測定される。なお
、未知の温度がＴｏとＴ、の間、あるいはＴ１とＴ２の
間にある場合、補間回路６は記憶部４から読出されたＴ
ｏ、Ｔ。
例えば、センサ部２からｖｌに相当する電圧の信号値が
取り出されたとすると、記憶部４からはアドレスｖＩに
格納されたＴ１が読出され、表示部７に表示される。す
なわち、未知の’ＩＡＫがＴ、として測定される。なお
、未知の温度がＴｏとＴ、の間、あるいはＴ１とＴ２の
間にある場合、補間回路６は記憶部４から読出されたＴ
ｏ、Ｔ。
あるいはＴ、 、Ｔ、に基づいて温度補間値を求め、こ
の補間値を測定温度とする。
の補間値を測定温度とする。
このような構成によれば、センサ部２を構成する回路素
子の温度依存特性が記憶部４に記憶され、この記憶デー
タに基づいて未知の温度が測定される。したがって、回
路素子個々の温度依存特性にバラツキがあっても、これ
に左右されない正確な温度の測定ができる。あるいは、
使用環境を同一にする他の回路の回路素子とほぼ同一の
温度依存性を持つものをセンサ部２の構成に含めること
で、他の回路の温度補正を正確に行うための温度データ
を得ることができる。
子の温度依存特性が記憶部４に記憶され、この記憶デー
タに基づいて未知の温度が測定される。したがって、回
路素子個々の温度依存特性にバラツキがあっても、これ
に左右されない正確な温度の測定ができる。あるいは、
使用環境を同一にする他の回路の回路素子とほぼ同一の
温度依存性を持つものをセンサ部２の構成に含めること
で、他の回路の温度補正を正確に行うための温度データ
を得ることができる。
第５図は補間回路６の具体的な構成を示す図である。第
５図において、補間回路６は、ＭＰＵ６ａｓ ＲＯＭ６
ｂ、ＲＡＭ６ ｃ、アドレスデコーダ６ｄおよびトラ
イステートバッファ６ｅを含んで構成されている。ＭＰ
Ｕ６ａｓ、所定のプログラムを実行し、アドレスデコー
ダ６ｄをコントロールしたり、記憶部４へのデータの書
き込みや読み出しを行ったりしながら必要な補間処理を
実行する。ＲＯＭ６ｂは、上記所定のプログラムを格納
し、ＲＡＭ６Ｃは補間処理中の演算結果を一時的に格納
する。アドレスデコーダ６ｄはトライステートバッファ
６ｅをコントロールし、Ａ／Ｄ変ｔａ部から３の出力を
必要に応じて補間回路６に取り込む。なお、６ｆはデー
タバス、６ｇはコントロールバス、６ｈはアドレスバス
であり、また、８は補間処理結果や記憶部４からの読み
出しデータ等を表示部に出力したり、あるいは外部のホ
ストコンピュータからの書き込み温度情報を補間回路６
内に取り込むＩ１０バッファである。
５図において、補間回路６は、ＭＰＵ６ａｓ ＲＯＭ６
ｂ、ＲＡＭ６ ｃ、アドレスデコーダ６ｄおよびトラ
イステートバッファ６ｅを含んで構成されている。ＭＰ
Ｕ６ａｓ、所定のプログラムを実行し、アドレスデコー
ダ６ｄをコントロールしたり、記憶部４へのデータの書
き込みや読み出しを行ったりしながら必要な補間処理を
実行する。ＲＯＭ６ｂは、上記所定のプログラムを格納
し、ＲＡＭ６Ｃは補間処理中の演算結果を一時的に格納
する。アドレスデコーダ６ｄはトライステートバッファ
６ｅをコントロールし、Ａ／Ｄ変ｔａ部から３の出力を
必要に応じて補間回路６に取り込む。なお、６ｆはデー
タバス、６ｇはコントロールバス、６ｈはアドレスバス
であり、また、８は補間処理結果や記憶部４からの読み
出しデータ等を表示部に出力したり、あるいは外部のホ
ストコンピュータからの書き込み温度情報を補間回路６
内に取り込むＩ１０バッファである。
このような補間回路６の動作は次のようにして行われる
。第６図は記憶部４にデータを書き込むプログラムのフ
ローチャートである。第６図において、マス、ｖｌ゛で
Ｍ Ｐ Ｕ ５ ａ内のアドレスデコーダＡＤＤＲを０
にセットする。次いで、Ｐ２〜Ｐ、でセンサ部２を含む
ｌＣチップ全体をｔｌ（’Ｃ）に加温し、そのときのＡ
／Ｄ変換部３の出力（すなわち、センサ部２から取り出
された電圧）Ｖｉおよび温度ｔ、を記憶部４に書き込む
。
。第６図は記憶部４にデータを書き込むプログラムのフ
ローチャートである。第６図において、マス、ｖｌ゛で
Ｍ Ｐ Ｕ ５ ａ内のアドレスデコーダＡＤＤＲを０
にセットする。次いで、Ｐ２〜Ｐ、でセンサ部２を含む
ｌＣチップ全体をｔｌ（’Ｃ）に加温し、そのときのＡ
／Ｄ変換部３の出力（すなわち、センサ部２から取り出
された電圧）Ｖｉおよび温度ｔ、を記憶部４に書き込む
。
具体的には、Ｐ３でＡＤＤＲの示すアドレス（このとき
ＡＤＤＲ＝Ｏ）内に■１を格納し、Ｐ４でＡＤＤＲを＋
１してＰ、でＡＤＤＲの示すアドレス（このときＡＤＤ
Ｒ＝１ ）内にｔ８を格納する。そして、Ｐ６でＡＤＤ
Ｒを＋１した後、測定ポイント数ｎだけ上記Ｐ２〜Ｐ＆
を繰り返す。その結果、記憶部４内には、第７図に示す
ような測定回毎のＶ、、ｔ、のデータが格納される。な
お、第８図はｎ−１回目のｖ８をＶｉ−１とし、同様に
ｎ−１回目のｔｌを’ｉ−１として図示したものである
。
ＡＤＤＲ＝Ｏ）内に■１を格納し、Ｐ４でＡＤＤＲを＋
１してＰ、でＡＤＤＲの示すアドレス（このときＡＤＤ
Ｒ＝１ ）内にｔ８を格納する。そして、Ｐ６でＡＤＤ
Ｒを＋１した後、測定ポイント数ｎだけ上記Ｐ２〜Ｐ＆
を繰り返す。その結果、記憶部４内には、第７図に示す
ような測定回毎のＶ、、ｔ、のデータが格納される。な
お、第８図はｎ−１回目のｖ８をＶｉ−１とし、同様に
ｎ−１回目のｔｌを’ｉ−１として図示したものである
。
また、この例ではアドレス順にＶｉ−１％ｔ＋−＋ 、
Ｖ、、ｔ、を順次格納しているが、これに限らず例えば
、測定回毎のＶ直をアドレスとしてこの■ｌに示された
アドレス内に１．を格納してもよい。
Ｖ、、ｔ、を順次格納しているが、これに限らず例えば
、測定回毎のＶ直をアドレスとしてこの■ｌに示された
アドレス内に１．を格納してもよい。
しかし、メモリ空間の有効活用の面からは、上述の例（
第７．８図）のようにした方が好ましい。
第７．８図）のようにした方が好ましい。
第９図は記憶部４からデータを取り出すプログラムのフ
ローチャートである。第９図において、まず、ｐＨでＡ
ＤＤＲを０にセットする。次いで、ＰＩ！”’Ｐ１４で
記憶部４のＶ、テーブルを検索し、現在のＡ／Ｄ変換部
３の出力ＶＸとテーブル内の各Ｖ、の関係が、Ｖ、、＜
Ｖ、＜Ｖ、となるような■五をサーチする。ｐｔｓでは
、求められた■２、Ｖｉ−１、Ｌｉ 、ＬＬ−１に基づ
いて、次式■を実行し、補間温度Ｌ８を求める。但し、
（Ｌｔ−＋＜ｔ、 ＜ｔｉ ）。
ローチャートである。第９図において、まず、ｐＨでＡ
ＤＤＲを０にセットする。次いで、ＰＩ！”’Ｐ１４で
記憶部４のＶ、テーブルを検索し、現在のＡ／Ｄ変換部
３の出力ＶＸとテーブル内の各Ｖ、の関係が、Ｖ、、＜
Ｖ、＜Ｖ、となるような■五をサーチする。ｐｔｓでは
、求められた■２、Ｖｉ−１、Ｌｉ 、ＬＬ−１に基づ
いて、次式■を実行し、補間温度Ｌ８を求める。但し、
（Ｌｔ−＋＜ｔ、 ＜ｔｉ ）。
・・・・・・・・・■ □
このような補間動作の結果、予め記憶部４に格納された
サンプリングデータ（ｖｉ、Ｖｔ−、゛・・・・・・Ｖ
、、）と■８が一致しない場合でも、第１０図に示すよ
うに、正確なｔ８を求めることができる。
サンプリングデータ（ｖｉ、Ｖｔ−、゛・・・・・・Ｖ
、、）と■８が一致しない場合でも、第１０図に示すよ
うに、正確なｔ８を求めることができる。
なお、上述のサーチの結果、■、と所定の■。
とが一致した場合には補間の必要がないので、この場合
ＰＩ＆に進み、一致した■えの次のアドレスに格納され
ているｔｌを取り出し、これをｔ８とする。
ＰＩ＆に進み、一致した■えの次のアドレスに格納され
ているｔｌを取り出し、これをｔ８とする。
このように本実施例では、既知の温度をセンサ部２に与
え、そのときのセンサ部２から取り出された信号を上記
既知の温度と関連づけて記憶部４に格納し、そして、未
知の温度がセンサ部２に与えられたとき、そのときのセ
ンサ部２から取り出された信号値に基づいて記憶部４を
サーチして既知の温度を取り出している。あるいは、一
致する既知の温度が格納されていない場合には、補間処
理演算を実行し、既知の温度を計算で求めている。
え、そのときのセンサ部２から取り出された信号を上記
既知の温度と関連づけて記憶部４に格納し、そして、未
知の温度がセンサ部２に与えられたとき、そのときのセ
ンサ部２から取り出された信号値に基づいて記憶部４を
サーチして既知の温度を取り出している。あるいは、一
致する既知の温度が格納されていない場合には、補間処
理演算を実行し、既知の温度を計算で求めている。
したがって、センサ部２個々の温度特性にバラツキがあ
った場合でも、これの影響を受けることなく、正しい温
度を検出することができる。すなわち、測定装置１毎の
バラツキが抑えられ、品質の向上と均一化を図ることが
できる。また、測定精度を向上させるためには、単にサ
ンプリング数（すなわち、記憶部４に格納するデータ数
）を増加させるだけでよく、希望した精度を容易に得る
ことができる。なお、このような測定装置１で測定され
た温度データを用いて、同一環境下で動作する他の回路
の温度補正を行うことも可能であり、このようにすると
、他の回路の性能が環境条件の変化に拘らず安定して発
揮されるので、好ましいものとなる。
った場合でも、これの影響を受けることなく、正しい温
度を検出することができる。すなわち、測定装置１毎の
バラツキが抑えられ、品質の向上と均一化を図ることが
できる。また、測定精度を向上させるためには、単にサ
ンプリング数（すなわち、記憶部４に格納するデータ数
）を増加させるだけでよく、希望した精度を容易に得る
ことができる。なお、このような測定装置１で測定され
た温度データを用いて、同一環境下で動作する他の回路
の温度補正を行うことも可能であり、このようにすると
、他の回路の性能が環境条件の変化に拘らず安定して発
揮されるので、好ましいものとなる。
玉又去施■
第１１図は予め製造段階で補間データを記憶部４に書き
込む例を示す。第１１図において、Ａ／Ｄ変換部３の出
力はトライステートバッファ６ｅを通して記憶部４のア
ドレス端子に印加されるようになっている。また、この
アドレス端子にはチップ外部からも信号の印加が可能に
なっている。さらに、記憶部４のデータ端子はチップ外
部に引き出されている。
込む例を示す。第１１図において、Ａ／Ｄ変換部３の出
力はトライステートバッファ６ｅを通して記憶部４のア
ドレス端子に印加されるようになっている。また、この
アドレス端子にはチップ外部からも信号の印加が可能に
なっている。さらに、記憶部４のデータ端子はチップ外
部に引き出されている。
このような構成において、温度情報の書き込みは次のよ
うにして行われる。第１２図において、センサ部２を２
０℃で加温したとき、Ａ／Ｄ変換部３からデータｒ１５
８ Ｊが取り出されたとすると、記憶部４のアドレス指
定はｒ１５８ Ｊとなる。そして、記ｔα部４のアドレ
スｒ１５８ Ｊにデータｒ２０Ｊ （温度２０℃）を
書き込む。この動作を他の数ポイントの温度に対して繰
り返す。その結果記憶部４のメモリ空間には第１３図に
示すように空きエリアが発生する。この空きエリアは両
側が測定ポイントで挟まれており、空きエリアのアドレ
スは未測定の温度に相当している。次いでこの空きエリ
アに別途ホストコンピュータ等によって求めた補間温度
データを書き込む。この書き込みに際しては、第１４図
に示すように補間回路６ｅをハイインピーダンスにし、
外部からアドレス指定をしながら補間データの書き込み
を行う。その結果、記憶部４内のテーブルの空きエリア
には、第１５図に示すように補間データが格納される。
うにして行われる。第１２図において、センサ部２を２
０℃で加温したとき、Ａ／Ｄ変換部３からデータｒ１５
８ Ｊが取り出されたとすると、記憶部４のアドレス指
定はｒ１５８ Ｊとなる。そして、記ｔα部４のアドレ
スｒ１５８ Ｊにデータｒ２０Ｊ （温度２０℃）を
書き込む。この動作を他の数ポイントの温度に対して繰
り返す。その結果記憶部４のメモリ空間には第１３図に
示すように空きエリアが発生する。この空きエリアは両
側が測定ポイントで挟まれており、空きエリアのアドレ
スは未測定の温度に相当している。次いでこの空きエリ
アに別途ホストコンピュータ等によって求めた補間温度
データを書き込む。この書き込みに際しては、第１４図
に示すように補間回路６ｅをハイインピーダンスにし、
外部からアドレス指定をしながら補間データの書き込み
を行う。その結果、記憶部４内のテーブルの空きエリア
には、第１５図に示すように補間データが格納される。
策主去隻炎
第１６図において、１０は測定装置１と環境を同一にし
て動作するその他の回路、すなわち、補正を用する被補
正回路であり、被補正回路１０の出力Ｖ１は環境条件（
例えば温度の高低）の変化に伴って所定の変動傾向を示
す。一般に、このような変動は回路性能を不安定にする
ので好ましくない。
て動作するその他の回路、すなわち、補正を用する被補
正回路であり、被補正回路１０の出力Ｖ１は環境条件（
例えば温度の高低）の変化に伴って所定の変動傾向を示
す。一般に、このような変動は回路性能を不安定にする
ので好ましくない。
そこで本実施例では補正手段１１により■、を補正した
後ｖｔとして出力している。
後ｖｔとして出力している。
補正手段１１は例えば可変ゲイン増幅器が用いられ、可
変ゲイン増幅器の増幅度は、記憶部４から読み出された
温度データＤ２によって制御される。
変ゲイン増幅器の増幅度は、記憶部４から読み出された
温度データＤ２によって制御される。
例えば、環境温度が上昇して■、が増大する傾向にあれ
ば、補正手段１１はこの温度に応じてｖｌを減少させる
方向に動作し、ｖｌの補正を行い正しいｖ２を出力する
。
ば、補正手段１１はこの温度に応じてｖｌを減少させる
方向に動作し、ｖｌの補正を行い正しいｖ２を出力する
。
なお、上述の被補正回路１０および補正手段１１は、例
えば被補正回路１０がＡ／Ｄ変換器の基準電圧■ＲＥＦ
を発生する回路、あるいは発振回路（発振周波数の振幅
補正）であれば可変ゲイン増幅器が用いられるが、例え
ば、発振回路の周波数補正の場合には、補正手段１１に
可変制御型分周回路を用いる。あるいは、被補正回路１
０をアンプやフィルタとした場合、この被補正回路１０
からの不要なオフセット電圧ｖ０１．を補正するため、
補正手段１１を加算器とＤ／Ａ変換器で構成し、記憶部
４からの温度データＤ２をアナログ変換してオフセット
補正値−Ｖ 、、ｆ ｆを生成し、この−■。１１と被
補正回路１０からのＶ＋ ＜Ｖｏｔｔが含まれている
）とを加算して■。、ｔを除去するようにしてもよい。
えば被補正回路１０がＡ／Ｄ変換器の基準電圧■ＲＥＦ
を発生する回路、あるいは発振回路（発振周波数の振幅
補正）であれば可変ゲイン増幅器が用いられるが、例え
ば、発振回路の周波数補正の場合には、補正手段１１に
可変制御型分周回路を用いる。あるいは、被補正回路１
０をアンプやフィルタとした場合、この被補正回路１０
からの不要なオフセット電圧ｖ０１．を補正するため、
補正手段１１を加算器とＤ／Ａ変換器で構成し、記憶部
４からの温度データＤ２をアナログ変換してオフセット
補正値−Ｖ 、、ｆ ｆを生成し、この−■。１１と被
補正回路１０からのＶ＋ ＜Ｖｏｔｔが含まれている
）とを加算して■。、ｔを除去するようにしてもよい。
茅土去隻炎
第１７図は記憶部４に格納するデータに、電源電圧の変
動も加えた例である。この例では、電源電圧の変動に応
じた電圧を出力する電源電圧センサ２０を備えるととも
に、この電源電圧センサ２０の出力をデジタル値Ｄ２に
変換するＡ／Ｄ変換器２１を有している。なお、センサ
部２および電源電圧センサ２０の具体的な例は第１８〜
２１図に示される。
動も加えた例である。この例では、電源電圧の変動に応
じた電圧を出力する電源電圧センサ２０を備えるととも
に、この電源電圧センサ２０の出力をデジタル値Ｄ２に
変換するＡ／Ｄ変換器２１を有している。なお、センサ
部２および電源電圧センサ２０の具体的な例は第１８〜
２１図に示される。
第１８図は、温度係数Ｋｒの違った抵抗Ｒ＋ 、Ｒｚに
より電源電圧■。を分圧した例であり、温度が変化する
と、Ｒ＋、Ｒｚの抵抗変化に差が生じることを利用して
いる。第１９図は、温度係数ＫＴの大きい抵抗Ｒ８に定
電源■、を流したものであり、温度変化によって抵抗Ｒ
１の値が変化し、出力電圧ｖ０が変化することを利用し
ている。第２０図は、温度係数に７が同じ抵抗Ｒ４、Ｒ
５で電源電圧Ｖ。。を分圧したものであり、この場合温
度の影響は受けず、電源電圧■。の変化に従って出力電
圧■。が変化することを利用している。第２１図は、温
度係数に１の小さい抵抗Ｒ１と定電流Ｉｂを組み合わせ
たものであり、電源電圧ＶＤｔｌの変動がそのまま出力
電圧■。の変化として現われることを利用している。
より電源電圧■。を分圧した例であり、温度が変化する
と、Ｒ＋、Ｒｚの抵抗変化に差が生じることを利用して
いる。第１９図は、温度係数ＫＴの大きい抵抗Ｒ８に定
電源■、を流したものであり、温度変化によって抵抗Ｒ
１の値が変化し、出力電圧ｖ０が変化することを利用し
ている。第２０図は、温度係数に７が同じ抵抗Ｒ４、Ｒ
５で電源電圧Ｖ。。を分圧したものであり、この場合温
度の影響は受けず、電源電圧■。の変化に従って出力電
圧■。が変化することを利用している。第２１図は、温
度係数に１の小さい抵抗Ｒ１と定電流Ｉｂを組み合わせ
たものであり、電源電圧ＶＤｔｌの変動がそのまま出力
電圧■。の変化として現われることを利用している。
本発明によれば、回路素子の温度若しくは電源変動に対
する依存性を、予めデータとして記憶しているので、使
用中の環境変化に応じて該記憶データを取り出してこれ
を表示若しくは補正データとして活用することができる
。
する依存性を、予めデータとして記憶しているので、使
用中の環境変化に応じて該記憶データを取り出してこれ
を表示若しくは補正データとして活用することができる
。
第１〜１０図は本発明の第１実施例を示す図であり、
第１図はその全体構成図、
第２図はそのセンサ部の回路図、
第３図はそのセンサ部の他の例を示す回路図、第４図は
そのセンサ部の温度依存性を示す特性図、 第５図はその補間回路を具体的に示す図、第６図はその
書き込みプログラムのフローチャート、 第７．８図はその記憶部内のテーブルを示す図、第９図
はその読み出しプログラムのフローチャート、 第１０図はその補間動作を説明するための図である。 第１１〜１５図は本発明の第２実施例を示す図であり、 第１１図はその構成図、 第１２図は第１１図におけるデータの書き込みを説明す
る図、 第１３図は第１１図における記憶部内のテーブルを示す
図、 第１４図は第１１図における補間データの書き込みを説
明する図、 第１５図は第１１図における補間データが書き込まれた
記憶部のテーブルを示す図である。 第１６図は本発明の第３実施例を示すその構成図である
。 第１７〜２１図は本発明の第４実施例を示す図であり、 第１７図はその構成図、 第１８．１９図はそのセンサ部をそれぞれ示す回路図、 第２０．２１図はその電源電圧センサをそれぞれ示す回
路図である。 ２・・・・・・センサ部、 ４・・・・・・記憶部、 ６・・・・・・補間回路（出力手段）。
そのセンサ部の温度依存性を示す特性図、 第５図はその補間回路を具体的に示す図、第６図はその
書き込みプログラムのフローチャート、 第７．８図はその記憶部内のテーブルを示す図、第９図
はその読み出しプログラムのフローチャート、 第１０図はその補間動作を説明するための図である。 第１１〜１５図は本発明の第２実施例を示す図であり、 第１１図はその構成図、 第１２図は第１１図におけるデータの書き込みを説明す
る図、 第１３図は第１１図における記憶部内のテーブルを示す
図、 第１４図は第１１図における補間データの書き込みを説
明する図、 第１５図は第１１図における補間データが書き込まれた
記憶部のテーブルを示す図である。 第１６図は本発明の第３実施例を示すその構成図である
。 第１７〜２１図は本発明の第４実施例を示す図であり、 第１７図はその構成図、 第１８．１９図はそのセンサ部をそれぞれ示す回路図、 第２０．２１図はその電源電圧センサをそれぞれ示す回
路図である。 ２・・・・・・センサ部、 ４・・・・・・記憶部、 ６・・・・・・補間回路（出力手段）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 周辺環境の変動に応じた信号を出力するセンサ部と、 既知の環境条件下で得られたセンサ部からの信号値を、
該環境条件の既知データと関連づけて記憶する記憶部と
、 未知の環境条件下で得られたセンサ部からの信号値に基
づいて記憶部内のデータを検索し、関連する既知データ
を出力する出力手段と、 を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5900688A JPH01232756A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5900688A JPH01232756A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01232756A true JPH01232756A (ja) | 1989-09-18 |
Family
ID=13100767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5900688A Pending JPH01232756A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01232756A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08204610A (ja) * | 1994-10-13 | 1996-08-09 | Bio Medic Data Syst Inc | 再プログラム可能な移植可能トランスポンダを監視するシステムおよびその校正方法 |
| WO2000026965A1 (en) * | 1998-10-30 | 2000-05-11 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device and ic card |
-
1988
- 1988-03-11 JP JP5900688A patent/JPH01232756A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08204610A (ja) * | 1994-10-13 | 1996-08-09 | Bio Medic Data Syst Inc | 再プログラム可能な移植可能トランスポンダを監視するシステムおよびその校正方法 |
| WO2000026965A1 (en) * | 1998-10-30 | 2000-05-11 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device and ic card |
| US6420883B1 (en) | 1998-10-30 | 2002-07-16 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device and IC card |
| US6686750B2 (en) | 1998-10-30 | 2004-02-03 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device and IC card |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4327416A (en) | Temperature compensation system for Hall effect element | |
| US20110057709A1 (en) | Pade' approximant based compensation for integrated sensor modules and the like | |
| JPH04504910A (ja) | モノリシック比率計式温度測定回路 | |
| EP1598940B1 (en) | A/d converter, d/a converter and voltage source | |
| CN114035024B (zh) | 一种实时时钟芯片的测试系统及其方法 | |
| JP3502423B2 (ja) | 信号処理回路補正装置 | |
| CN111189561A (zh) | 超高温远端温度测量校准方法、测量校准电路及介质 | |
| JP2002107256A (ja) | 圧力センサ回路 | |
| JPH0440007A (ja) | 温度補償装置と温度補償用データの作成方法 | |
| JP2006105870A (ja) | 温度センサおよび温度センサの補正方法 | |
| JPH0545231A (ja) | 温度測定装置 | |
| JP2975411B2 (ja) | 温度補償圧電発振器 | |
| JP2869910B2 (ja) | 磁気センサ装置 | |
| JP2973048B2 (ja) | 温度センサのリニアライズ処理方法 | |
| JP2569924B2 (ja) | 温度センサ感度可変回路 | |
| US20240097632A1 (en) | Integrated circuit and semiconductor device | |
| JPS6156930B2 (ja) | ||
| JP3195640B2 (ja) | 熱電対温度計 | |
| CN117490859B (zh) | 一种用于辐射温度计的环境温度补偿方法及装置 | |
| KR100213941B1 (ko) | 디지탈방식 열전쌍 신호변환기 증폭에러 보정방법 | |
| RU1788446C (ru) | Многоканальный измеритель температуры | |
| CN121114901A (zh) | 信号源大电流校准方法、电路和设备 | |
| JPH01142909A (ja) | 電圧基準回路 | |
| KR900003065Y1 (ko) | 센서의 신호특성 보상회로 | |
| JPH02173534A (ja) | 温度測定装置 |