JPH01234356A - ムライト磁器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明ムライト磁器は、ＩＣパッケージ、プリント配線
基板等の電気絶縁体に好適に利用される。

「従来の技術」 従来のムライト磁器は、カオリン、粘土など比較的不純
物の多い原料を用いていた。

「発明が解決しようとする課題」 しかし、近年、配線の高密度化、使用周波数の高領域化
に伴い、従来のムライト磁器では電気特性、機械的強度
、メタフィズ強度、クリストバライトの副成分等の点で
不十分な水準にあった。

本発明は、かかる要請に応じるムライト磁器を提供する
ことを目的とする。

「課題を解決する几めの手段」 その第一の手段は、磁器の組成を重量基準で。

Ｋ、００．２〜１％、ＢａＯ及びＭｇＯのうちから選ば
れる一種以上１〜８％、ＮａＩＱ　ｏ、　５％以下並び
に残部主としてムライトとするところにあり、同じく第
二〇主段は、第一〇主段においてＮａｚＯを含ませない
ところにある。

「作用」 ＫｓＯは適量の存在によってメタツイズの密着強度を肱
めるもので、０．２　％に満たないとその作用に乏しく
、ｔＳをこえると機械的強度の低下をも友らす。ＢａＯ
及びＭｇＯはいずれもムライトの結晶化を促進するとと
もに、機械的強度を高めるほか、就中ＢａＯは誘電損失
を下げる。

但し、これらの含量が１％に満たないとクリストパフイ
トの残存をまねくほか、上記の作用に乏しく、８％をこ
えると却りて強度が低下する。

ＮａｚＯは０．６％までなら悪影響を及ぼさないが、０
．５％をこえると誘電損質を大きくし、強度を低下させ
る。

なお、ムライトの原料は合成ムライト磁器に限定される
ことなく、シリカとアルミナの各粉末を使用しても良い
。この場合、シリカとアルミナの比率は理論組成に限定
されず、（Ａｈ　Ｏｓ　／５ｔ（ｈ）モル比≦２を満比
す範囲でＡｌｇＯｓが過剰であっても良い。

「実施例」 平均粒径０．５μ、純度９９．９％のアルミナ７１２、
平均粒径０．６μ、純度９９．９チの無水ケイ酸８２２
、乳酸カリウム、乳酸ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭
酸バリウム及び炭酸マグネシウムを第１表に示す調合組
成に応じて各所定量、ポリビニルアルコ−／１／１．５
を並びに水８０ｍｆｔをアルミナ磁器ボールミρにて１
８時間混合粉砕し・、噴霧乾燥によって平均粒径１００
μの顆粒に造粒し、圧力１５００Ｋｔ／ｄで加圧成形後
、第１表に示す温度で焼成することによってムライト磁
器−１〜ｒｋ１８及び−１９を製造した。

各ムライト磁器について、−δ、抗折力、メタフイズ強
度及び鉱物組成を測定した結果を併せて第１表に示す。

／ ／／ ／ ／ １．／ ／′ ７／′ ／″ ／ なお、メタライズ強度の肝価は、磁器板上２ｒｔｘ　Ｘ
　８　ｍの長方形に、タングステン系メタフィズインク
を１４００°Ｃで焼き付け、Ｎｉメツキを行い１０００
　”Ｃで熱処理し次後、Ｎ１線を半田付かし、垂直上方
に引張り上げ、メタツイズの剥離強度を測定することに
よって行っ九。

「発明の効果」 一δ６×１０以下、抗折力２０００Ｋｔ／ｄ、メタライ
ズ強度５縁／−以上の優れたムフィト磁器となる。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）重量基準で、Ｋ＿２Ｏ０．２〜１％、ＢａＯ及び
   ＭｇＯのうちから選ばれる一種以上１〜８％、Ｎａ＿２
   Ｏ０．５％以下並びに残部主としてムライトよりなるム
   ライト磁器。
2. （２）重量基準で、Ｋ＿２Ｏ０．２〜１％、ＢａＯ及び
   ＭｇＯのうちから選ばれる一種以上１〜８％並びに残部
   主としてムライトよりなるムライト磁器。