JPH01235247A - チップの剥離方法 - Google Patents
チップの剥離方法Info
- Publication number
- JPH01235247A JPH01235247A JP63061474A JP6147488A JPH01235247A JP H01235247 A JPH01235247 A JP H01235247A JP 63061474 A JP63061474 A JP 63061474A JP 6147488 A JP6147488 A JP 6147488A JP H01235247 A JPH01235247 A JP H01235247A
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- JP
- Japan
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- tape
- chip
- wafer
- chips
- peeled
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ウェハーをフルカットした後チップをテープから剥離す
る方法に関し、 チップの分離を確実にし、且つチップのかけがなく、チ
ップ面への破片の付着がない方法を堤供することを目的
とし、テープ面にウェハーを接着した後、ウェハーをダ
イシングして各チップに分離し、次いで、細溝を有する
真空引き台にテープ裏面を接触し、該細溝内に、テープ
材を吸引することによりテープからチップを剥離する。
る方法に関し、 チップの分離を確実にし、且つチップのかけがなく、チ
ップ面への破片の付着がない方法を堤供することを目的
とし、テープ面にウェハーを接着した後、ウェハーをダ
イシングして各チップに分離し、次いで、細溝を有する
真空引き台にテープ裏面を接触し、該細溝内に、テープ
材を吸引することによりテープからチップを剥離する。
本発明は、チップの剥離方法に関し、特に半導体ウェハ
ーのフルカット後に、チップをテープから剥離する方法
に関するものである。
ーのフルカット後に、チップをテープから剥離する方法
に関するものである。
半導体ＩＣの製作において、ウェハーに対し、各種の必
要なプロセスを施した後、各チップに分離する必要があ
り、このため、ウェハーをテープに接着した後に、ダイ
シングを行ない、各チップに分離していく工程がある。
要なプロセスを施した後、各チップに分離する必要があ
り、このため、ウェハーをテープに接着した後に、ダイ
シングを行ない、各チップに分離していく工程がある。
最近では、このダイシングは、フルカットと称される方
法を採用し、ウェハーの全厚さを一度にカットする手法
が採られる。
法を採用し、ウェハーの全厚さを一度にカットする手法
が採られる。
ＩＣチップをフルカットする場合には、ダイシング時に
強い粘着力を持ち、ダイシングされた個々のチップを剥
離する場合には、弱い粘着力を持ったテープが必要であ
り、このように粘着力が変化するテープは、例えば市販
のＵＶテープで実現出来る。ＵＶテープは、紫外線硬化
型の糊を使った粘着テープのことである。
強い粘着力を持ち、ダイシングされた個々のチップを剥
離する場合には、弱い粘着力を持ったテープが必要であ
り、このように粘着力が変化するテープは、例えば市販
のＵＶテープで実現出来る。ＵＶテープは、紫外線硬化
型の糊を使った粘着テープのことである。
ＵＶテープは、初期に強い粘着力（例えばＩＫｇ／２５
ｍｍ）を持ち、紫外線を照射すると糊が化学変化で硬化
して粘着力が低下（例えば数１０ｇ／２５ｍｍ）するも
のである。
ｍｍ）を持ち、紫外線を照射すると糊が化学変化で硬化
して粘着力が低下（例えば数１０ｇ／２５ｍｍ）するも
のである。
ただし、弱い粘着力であってもＩＣチップはテープに貼
りついており、機械的に強制剥離する必要がある。
りついており、機械的に強制剥離する必要がある。
従来技術の一例として、フルカットした状態のウェハー
を１枚全部まとめてはがす方式がある。
を１枚全部まとめてはがす方式がある。
これは、第２図（ａ）に示される剣山（１）状の真空引
き台（２）の上に、ウェハー（３）接着したテープ（４
）を載せ、排気口（５）より真空引きすることで、テー
プ４を剣山１の凹部に吸引し、チップの剥離を行う（第
２図世）参照）。
き台（２）の上に、ウェハー（３）接着したテープ（４
）を載せ、排気口（５）より真空引きすることで、テー
プ４を剣山１の凹部に吸引し、チップの剥離を行う（第
２図世）参照）。
第２図に示した従来方式の問題点は、剣山の針（ピラミ
ッド状）の密度が高いと、ＵＶテープを真空引きしても
チップの背面が、はがれなく、剣山の針密度が低いとは
がれるが、チップどうしがぶつかり合って、かけが発生
することである。
ッド状）の密度が高いと、ＵＶテープを真空引きしても
チップの背面が、はがれなく、剣山の針密度が低いとは
がれるが、チップどうしがぶつかり合って、かけが発生
することである。
したがって、密度が高い小チツプ用は、はがすことが困
難となる。また剣山の針はチップサイズに完全にｌ対ｌ
に対応したものでないため、場所によって早くはがれる
所と遅れる所が出る。そのために、早くはがれた所が浮
き、遅くなる場所は沈んだ状態になり、ＩＣチップの裏
面が傾く。
難となる。また剣山の針はチップサイズに完全にｌ対ｌ
に対応したものでないため、場所によって早くはがれる
所と遅れる所が出る。そのために、早くはがれた所が浮
き、遅くなる場所は沈んだ状態になり、ＩＣチップの裏
面が傾く。
（第２図（Ｃ）参照）このような状態でチップの選別を
行おうとすると、支障が出る。
行おうとすると、支障が出る。
また、ウェハーがフルカットされた状態ではフルカット
された溝内にダイシングにより発生したシリコン破片が
たまっている場合がある。
された溝内にダイシングにより発生したシリコン破片が
たまっている場合がある。
そしてこの破片６は、チップ剥離時にチップが傾いて、
元に戻る時にはじき出されて、ＩＣチップの上に乗って
しまう。
元に戻る時にはじき出されて、ＩＣチップの上に乗って
しまう。
上記の方式での問題点は、■ＩＣチップが小さくなると
はずせない、■はがれたチップが傾くことがある、■ダ
イシングした時に発生するＳｉ片がチップの上に付着す
るなどである。
はずせない、■はがれたチップが傾くことがある、■ダ
イシングした時に発生するＳｉ片がチップの上に付着す
るなどである。
上記にて明らかとなった従来技術の問題点に鑑みて、ウ
ェハーをフルカットした状態を保ったままで、しかもチ
ップとテープの剥離を実現できれば、最も好ましい。こ
の新規且つ有用なるチップ剥離方法の実現にあたり、テ
ープ裏面からの真空吸引の手法を基本的には採用する場
合、真空吸引の方法を改善し、比較的小面積のチップに
対しても、チップ’？ｌ１Ｍが行える様にし、はがれた
チップが傾くことがなく、ダイシング時の破片が、チッ
プ上面に付着することがない、チップ剥離方法を提供せ
んとするものである。
ェハーをフルカットした状態を保ったままで、しかもチ
ップとテープの剥離を実現できれば、最も好ましい。こ
の新規且つ有用なるチップ剥離方法の実現にあたり、テ
ープ裏面からの真空吸引の手法を基本的には採用する場
合、真空吸引の方法を改善し、比較的小面積のチップに
対しても、チップ’？ｌ１Ｍが行える様にし、はがれた
チップが傾くことがなく、ダイシング時の破片が、チッ
プ上面に付着することがない、チップ剥離方法を提供せ
んとするものである。
（課題を解決するための手段〕
本発明では、テープ面にウェハーを接着した後、ウェハ
ーをダイシングして各チップに分離し、次いで、細溝を
有する真空引き台にテープ裏面を接触し、該細溝内に、
テープ材を吸引することによりテープからチップを剥離
する。
ーをダイシングして各チップに分離し、次いで、細溝を
有する真空引き台にテープ裏面を接触し、該細溝内に、
テープ材を吸引することによりテープからチップを剥離
する。
フルカットしたウェハーは、テープ面に接着されている
ので、そのテープ下面を、真空引き台に接触させる。こ
の真空引き台には細溝があり、その細溝内に、テープを
吸引させてテープからチップを剥離する様にする。
ので、そのテープ下面を、真空引き台に接触させる。こ
の真空引き台には細溝があり、その細溝内に、テープを
吸引させてテープからチップを剥離する様にする。
ここでは、フルカットを採用している場合であるが、そ
れ以外の方法であってもよい、但し、フルカットが一般
的であり、その場合、従来のＵＶテープを使用するのが
最も好ましい。
れ以外の方法であってもよい、但し、フルカットが一般
的であり、その場合、従来のＵＶテープを使用するのが
最も好ましい。
本発明の実施にあたっては、細溝は、−チップ列に対応
するものであり、ウェハー全面のチップの剥離のために
は、この吸引孔である細溝を１回だけ走査し、全チップ
列下での吸引を行えばよい。
するものであり、ウェハー全面のチップの剥離のために
は、この吸引孔である細溝を１回だけ走査し、全チップ
列下での吸引を行えばよい。
細溝内には、テープが吸引された状態で走査するため、
細溝の角部でのテープの移動をなめらかにするため、ロ
ーラ一部材を並行配置しておき、このローラ一部材間の
間隔により、細溝を作るようにしてもよい。
細溝の角部でのテープの移動をなめらかにするため、ロ
ーラ一部材を並行配置しておき、このローラ一部材間の
間隔により、細溝を作るようにしてもよい。
第１図（ａ）は、本発明の実施に用いるフルカフトチツ
ブの真空引き台２０である。
ブの真空引き台２０である。
真空引き台２０の中心に、ローラー２１の間隔で定めら
れる細溝２２があり、細溝２２の下室は密閉空間となっ
ていて、真空機器に連結される排気口２３がある。真空
排気の強さは、従来方法と同レベルでよい。
れる細溝２２があり、細溝２２の下室は密閉空間となっ
ていて、真空機器に連結される排気口２３がある。真空
排気の強さは、従来方法と同レベルでよい。
第２図の方式はウェハー全体を一度にはがすのに対して
、本発明ではＵＶ照射で粘着力を低下させたテープに対
して、ウェハ一端から線状に順次はがすものである。
、本発明ではＵＶ照射で粘着力を低下させたテープに対
して、ウェハ一端から線状に順次はがすものである。
第１図（ｂ）の如く、平面をなす台２０の上平面より高
くならない位置にテープが円滑に滑るようなローラー材
を配し、ローラーのすき間を利用して、台の下側より、
真空引き出来るようになっている。
くならない位置にテープが円滑に滑るようなローラー材
を配し、ローラーのすき間を利用して、台の下側より、
真空引き出来るようになっている。
第１図（ｂ）は、フレーム２４を固定しておいて、台２
０を、左か右の方向に移動させて、フルカットしたウェ
ハー２５に対し、チップ剥離を行っている図であり、テ
ープはローラーとローラーの間しか真空に引かれないの
で、ローラーのすき間が狭くても、チップの背のテープ
ははがせる。また、テープがはがれてもチップが傾くこ
とはない。このため、ローラー間隔は、チップサイズの
〃より小としておく、又、隣接チップのすい込みを防ぐ
ため、細溝２２が、スクライブラインと約４５°となる
様台２０を走査するのがよい。真空引きは線状なので、
ウェハー全体をはがすためには、ウェハーを真空の溝上
を移動させるが全体が剥離した状態では、チップは平面
状態となっている。
０を、左か右の方向に移動させて、フルカットしたウェ
ハー２５に対し、チップ剥離を行っている図であり、テ
ープはローラーとローラーの間しか真空に引かれないの
で、ローラーのすき間が狭くても、チップの背のテープ
ははがせる。また、テープがはがれてもチップが傾くこ
とはない。このため、ローラー間隔は、チップサイズの
〃より小としておく、又、隣接チップのすい込みを防ぐ
ため、細溝２２が、スクライブラインと約４５°となる
様台２０を走査するのがよい。真空引きは線状なので、
ウェハー全体をはがすためには、ウェハーを真空の溝上
を移動させるが全体が剥離した状態では、チップは平面
状態となっている。
すなわち、従来方式で述べた欠点を全てなくすことが出
来る。
来る。
尚、台２０を移動する代りに、フレーム２４側を移動さ
せることも可能である。
せることも可能である。
Ｉｃチップ上のＳｉ片は組立工程でのチップ表面のキズ
発生の原因となったり、ｌ！ＰＲＯＭやＣＣＤのように
ゴミが問題となる品種では、歩留低下にも結びつく。本
発明により、Ｓｉ片付着はほぼ０”となり、従来数％ま
であった不良がなくなる。
発生の原因となったり、ｌ！ＰＲＯＭやＣＣＤのように
ゴミが問題となる品種では、歩留低下にも結びつく。本
発明により、Ｓｉ片付着はほぼ０”となり、従来数％ま
であった不良がなくなる。
第１図（ａ）は、本発明の実施に用いる真空引き台の斜
視図、 第１図（′ｂ）は、真空引き台を移動させて、チップ剥
離をしている状態での断面図、 第２図（ａ）は、従来のチップ剥離に用いる剣山状真空
引き台、 第２図（ｂ）は、チップ剥離を行っている状態での断面
図、 第２図（Ｃ）は、第２図Ｃｂ）の部分拡大を示す断面図
である。 図中、 ２０−・・−・−・真空引き台 ２１−・・−−−−一ローラー ２２・−・・−・・細溝 ２３・−・−−−ｍ−排気口 ２４・−・・−・−・フレーム ２５−・−・・−フルカットしたウェハーを示す。 第 １ 図 （ａン 不発明でのテ７アｐ１難 茅１ 目 （ｂ）
視図、 第１図（′ｂ）は、真空引き台を移動させて、チップ剥
離をしている状態での断面図、 第２図（ａ）は、従来のチップ剥離に用いる剣山状真空
引き台、 第２図（ｂ）は、チップ剥離を行っている状態での断面
図、 第２図（Ｃ）は、第２図Ｃｂ）の部分拡大を示す断面図
である。 図中、 ２０−・・−・−・真空引き台 ２１−・・−−−−一ローラー ２２・−・・−・・細溝 ２３・−・−−−ｍ−排気口 ２４・−・・−・−・フレーム ２５−・−・・−フルカットしたウェハーを示す。 第 １ 図 （ａン 不発明でのテ７アｐ１難 茅１ 目 （ｂ）
Claims (1)
- テープ面にウェハーを接着した後、ウェハーをダイシ
ングして各チップに分離し、次いで、細溝を有する真空
引き台にテープ裏面を接触し、該細溝内に、テープ材を
吸収することによりテープからチップを剥離することを
特徴とするチップの剥離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63061474A JPH01235247A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | チップの剥離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63061474A JPH01235247A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | チップの剥離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01235247A true JPH01235247A (ja) | 1989-09-20 |
Family
ID=13172093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63061474A Pending JPH01235247A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | チップの剥離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01235247A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6561743B1 (en) * | 1999-11-09 | 2003-05-13 | Nec Machinery Corporation | Pellet picking method and pellet picking apparatus |
| WO2004008499A1 (en) * | 2002-07-17 | 2004-01-22 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Method and apparatus for picking up semiconductor chip and suction and exfoliation tool up therefor |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60211949A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-24 | Tokyo Sokuhan Kk | ダイボンダにおけるチツプのピツクアツプ方法 |
| JPS611842B2 (ja) * | 1980-05-26 | 1986-01-21 | Hitachi Cable | |
| JPS6247145A (ja) * | 1985-08-27 | 1987-02-28 | Fujitsu Ltd | 半導体素子剥離方法およびその装置 |
-
1988
- 1988-03-15 JP JP63061474A patent/JPH01235247A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS611842B2 (ja) * | 1980-05-26 | 1986-01-21 | Hitachi Cable | |
| JPS60211949A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-24 | Tokyo Sokuhan Kk | ダイボンダにおけるチツプのピツクアツプ方法 |
| JPS6247145A (ja) * | 1985-08-27 | 1987-02-28 | Fujitsu Ltd | 半導体素子剥離方法およびその装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6561743B1 (en) * | 1999-11-09 | 2003-05-13 | Nec Machinery Corporation | Pellet picking method and pellet picking apparatus |
| WO2004008499A1 (en) * | 2002-07-17 | 2004-01-22 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Method and apparatus for picking up semiconductor chip and suction and exfoliation tool up therefor |
| US7632374B2 (en) | 2002-07-17 | 2009-12-15 | Panasonic Corporation | Method and apparatus for picking up semiconductor chip and suction and exfoliation tool used therefor |
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