JPH0123551B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ガラス、セラミツク、プラスチツ
ク、及び結晶体等の絶縁体基板上にSnO₂，
In₂O₃，TiO₂等のｎ型半導体層を形成した基板上
への無電解メツキ方法に関するものである。

従来、絶縁体基板上に無電解メツキをする際、
メツキ被膜の密着性向上のために種々の処理が施
されてきた。例えば、絶縁体基板を表面を機械的
研磨すること、あるいはフツ酸、クロム混酸を使
用して化学的研磨をすること、更にはその両方の
処理をしその後、SnCl₂溶液浸漬、水洗、PdCl₂
溶液浸漬、水洗、無電解メツキ溶液浸漬というプ
ロセスでメツキ被膜を形成するものであつた。し
かし密着性の向上は絶縁体基板上への無電解メツ
キの問題点であつた。

しかし、絶縁体基板上にｎ型半導体層を形成す
ることによつてメツキ被膜の密着性は大幅に改善
されるようになつた。この場合のメツキプロセス
も前述と同様であつた。ところがメツキ被膜の密
着性は向上したものの絶縁体上へ無電解メツキす
る場合のもう１つの問題点メツキ表面が白く曇る
という問題は解決されずに残つた。白く曇る部分
はメツキ被膜がムラになつて付いた部分であり、
またその部分は肉視では見えないものの、透過型
顕微鏡ではピンホールが多数観察された。

このメツキムラは、絶縁体基板表面のパラジウ
ム層の厚さに関係しているようであり、水で濡れ
たままの絶縁体基板表面はパラジウム層が均一で
ないように思われた。そのためPdCl₂浸漬、水洗
後、回転によつて吹き飛ばし力を加えて、強制的
に余分なパラジウムを吹き飛ばし、出来るだけ均
一なパラジウム面を得ようと試みた。本発明の無
電解メツキ法によつて、得られたメツキ体は、ピ
ンホールが非常に少なくメツキムラもなく、極め
て光沢のある均一なメツキ面を持つたものとな
る。

外装部分、装飾用にメツキを使用するためには
均一な光沢のあることが必要不可欠であり、また
ピンホールがないことが、光シヤツターの部品や
フオトマスク等の光遮断部品に無電解メツキ体を
使用するための条件となる。

本発明の無電解メツキ工程は次の通りである。

絶縁体基板上に、蒸着あるいはスパツタ、
CVD、溶液浸漬法等を用いて、SnO₂、TiO₂，
In₂O₃等のｎ型半導体層を形成後、アルカリ性水
溶液例えばKOH3％水溶液にて超音波洗浄して表
面をよりきれいとした。その後水洗、酸性水溶
液、例えばH₂SO₄3％水溶液にて中和し、水洗を
行つた。次に無電解メツキにおける通常の前処理
を行つた。

即ち、塩化第一スズの酸性水溶液に絶縁体基板
を浸漬し水洗を行つた。これをセンシタイジング
といい、基板表面に２価のスズイオンを吸着させ
るものである。次に、塩化パラジウム水溶液に絶
縁体基板を浸漬し水洗を行つた。これをアクテイ
ベテイングといい、先のセンシタイジングにおけ
る２価のスズイオンが電子を２価のパラジウムイ
オンに放出することにより価のスズイオンにな
り、２価のパラジウムイオンは金属パラジウムと
して絶縁体基板表面に析出する。

Sn²＋Pd²⁺→Sn⁴⁺Pd⁰ ……(1) この金属パラジウムが以後のメツキの触媒核と
して作用するといわれている。しかし、最近の研
究報告によれば上記(1)式のような単純な反応でな
く、スズとパラジウムの組み合つたコロイド等が
触媒核となるともいわれている。

このようにして得られた絶縁体基板を、スピン
ナーで余分な触媒核を吹きとばして乾燥した後、
適当な温度に保たれた所定の無電解メツキ浴に浸
漬した。無電解メツキ浴としては、ニツケルメツ
キ浴、コバルトメツキ浴、銅メツキ浴等がある。
このようにして得られたメツキ被膜は白く曇るこ
となく、ピンホールも極めて少なかつた。

以下実施例を用いて詳細に説明する。

実施例 ホウケイ酸ガラス（80×120mm）にCVDを使用
してSnO₂膜を形成した。KOH3％、65℃の水溶
液にこのガラス基板を入れ超音波洗浄を行つた。
その後水洗し、H₂SO₄3％水溶液にて中和し水洗
を行つた。継いでSnCl₂水溶液（SnCl₂1ｇ／，
HCl1c.c.／）にガラス基板を５分間浸漬し、水
洗後PdCl₂水溶液（カニゼン社製レツドシユーマ
ー）に５分間浸漬し、水洗後スピンドライヤーに
て乾燥した。そして45℃に保たれた無電解メツケ
ル浴（カニゼン社製シユーマーS680）に10分間
浸漬したところ曇りのない美しい鏡面のニツケル
メツキ被膜が得られた。

比較例 上記実施例と同様の絶縁体基板を同様の工程で
PdCl₂水溶液浸漬まで行つた。その絶縁基板を水
洗後直ちに同様の無電解ニツケル浴に10分間浸漬
したところ、メツキ面は薄く白く曇つた。

以上からわかるように、ニツケル浴に浸漬前絶
縁体基板を乾燥すると光沢のある美しいメツキ被
膜が得られることがわかつた。ピンホールは本発
明によるプロセスで得られたメツキ体にはほとん
どなかつたが、従来通り乾燥工程のないプロセス
ではかなり多く観察された。

応用例 上記実施例と同様の方法で形成された無電解ニ
ツケルメツキ体を使用してカメラの日付け写し込
み用のパネルを作つた。第１図がその概略であ
る。１，２はそれぞれホウケイ酸ガラスによつて
なる厚さ0.4mmの前面及び背面基板である。３，
４はCVDによつて所定のパターンに形成された
透明電極（SnO₂）である。５は実施例と同様な
方法で形成されたニツケルメツキ被膜であり、
2000Åの厚さがある。６は10μのギヤツプ剤を含
んだエポキシ樹脂からなるシール剤であり、７は
通常表示体に使用される液晶である。

このパネルは第２図のように使用されるもので
あり、ニツケルメツキは図中の破線で示される光
を遮断する目的を持つ。

以上のとおり、本発明によれば、ｎ型半導体層
が形成された絶縁体基板を、アルカリ超音波処
理、酸浸漬を行つたのち、SnCl₂溶液、PdCl₂溶
液に浸漬し、さらにスピンナーを用いて水分とと
もに余分な触媒核を除去乾燥させることにより、
表面が均一且鏡面であり、何等密着性に影響のな
い無電解メツキ被膜を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は日付け写し込み用液晶パネルを示す
図。 １，２…前面背面基板、３，４…透明電極、５
…ニツケルメツキ部、６…シール材、７…液晶。 第２図はカメラの日付け写し込み機構を示す
図。 ８…ランプ（光源）、９…第１のパネル、１０
…パネル支持体、１１…写真フイルム。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 表面にｎ型半導体層が形成された絶縁体基板
   をアルカリ性溶液に浸漬、超音波照射したのち、
   水洗する工程と、 前記工程を経た絶縁体基板を酸性溶液に浸漬し
   たのち、水洗する工程と、 前記工程を経た絶縁体基板をSnCl₂水溶液に浸
   漬したのち、水洗する工程と、 前記工程を経た絶縁体基板をPdCl₂水溶液に浸
   漬したのち、水洗する工程と、 前記工程を経た絶縁体基板をスピンナーを用い
   て乾燥する工程と、 前記工程を経た絶縁体基板を無電解メツキ液に
   浸漬して、メツキをする工程とからなることを特
   徴とする無電解メツキ法。