JPH0123554B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0123554B2 JPH0123554B2 JP59076657A JP7665784A JPH0123554B2 JP H0123554 B2 JPH0123554 B2 JP H0123554B2 JP 59076657 A JP59076657 A JP 59076657A JP 7665784 A JP7665784 A JP 7665784A JP H0123554 B2 JPH0123554 B2 JP H0123554B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- nickel
- layer
- electronic component
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
- C23G1/02—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions
- C23G1/10—Other heavy metals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Weting (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、電子部品に形成された薄いニツケル
層の表面に生成した酸化被膜を取り除く方法に関
する。
層の表面に生成した酸化被膜を取り除く方法に関
する。
（従来技術）
従来、IC（Integrated Circuit）や受、発光素
子、あるいはリードスイツチ等の電子部品のパツ
ケージから導出したリードには金メツキが施され
ていた。金メツキは、耐食性が大きく、ハンダと
のぬれ性も良いからである。しかしながら近年、
コスト低減の為、金メツキの代わりにハンダメツ
キが用いられる様になつてきた。金メツキもハン
ダメツキも、通常下地メツキ層としてニツケル薄
膜層を使用するが、ハンダメツキの場合はこれら
電子部品を製造する為の熱処理に耐えられない。
従つてハンダメツキはこれら熱処理工程後に行な
われ、ニツケル薄膜層を露出させたまま熱処理が
行なわれることとなる。
子、あるいはリードスイツチ等の電子部品のパツ
ケージから導出したリードには金メツキが施され
ていた。金メツキは、耐食性が大きく、ハンダと
のぬれ性も良いからである。しかしながら近年、
コスト低減の為、金メツキの代わりにハンダメツ
キが用いられる様になつてきた。金メツキもハン
ダメツキも、通常下地メツキ層としてニツケル薄
膜層を使用するが、ハンダメツキの場合はこれら
電子部品を製造する為の熱処理に耐えられない。
従つてハンダメツキはこれら熱処理工程後に行な
われ、ニツケル薄膜層を露出させたまま熱処理が
行なわれることとなる。
熱処理工程としては、ICを例とすればICチツ
プをパツケージにダイスボンドする工程、あるい
はパツケージにキヤツプをかぶせる、いわゆるシ
ールする工程がある。これら熱処理工程でニツケ
ル薄膜層には薄い酸化被膜が生成する。酸化被膜
はハンダに対するぬれ性が悪いことや導電性が悪
い等電子部品にとつて好ましくない性質を有する
ので除去しなければならない。
プをパツケージにダイスボンドする工程、あるい
はパツケージにキヤツプをかぶせる、いわゆるシ
ールする工程がある。これら熱処理工程でニツケ
ル薄膜層には薄い酸化被膜が生成する。酸化被膜
はハンダに対するぬれ性が悪いことや導電性が悪
い等電子部品にとつて好ましくない性質を有する
ので除去しなければならない。
ニツケル酸化被膜を除去する方法としては、従
来金属便覧（日本金属学会編）P967の表３・236
に記載された酸洗い液が用いられている。ニツケ
ル酸化被膜が酸により除去されるときの反応は例
えばシユウ酸の場合NiO＋（COOH）2→2CO2＋
H2O＋Niである。又、多くのピンホールを有し
ており、このピンホールから浸入した酸がアンダ
ーエツチをして酸化被膜と残りのニツケル層とを
分離させるからである。この様に、ニツケル層表
面の酸化被膜は酸で食刻され、化学的に除去され
る。しかしながら金属層もまた酸により食刻され
るのでニツケル面は粗化される。
来金属便覧（日本金属学会編）P967の表３・236
に記載された酸洗い液が用いられている。ニツケ
ル酸化被膜が酸により除去されるときの反応は例
えばシユウ酸の場合NiO＋（COOH）2→2CO2＋
H2O＋Niである。又、多くのピンホールを有し
ており、このピンホールから浸入した酸がアンダ
ーエツチをして酸化被膜と残りのニツケル層とを
分離させるからである。この様に、ニツケル層表
面の酸化被膜は酸で食刻され、化学的に除去され
る。しかしながら金属層もまた酸により食刻され
るのでニツケル面は粗化される。
ニツケル酸化被膜はこの様にして取り除く為、
ニツケル層が厚い場合は問題ないが、電子部品の
リードに施されたニツケル薄膜層の様に薄い場合
は問題が生ずる。すなわち、上記酸洗い液やカル
ボン酸等の有機酸のみによる酸化被膜の除去方法
では完全に酸化膜を除去することはできない。反
面、食刻時間を長くしたりして酸化膜を完全に除
去するとニツケル層が薄くなりすぎたり、ニツケ
ル薄膜層がはがされ下層の表面が露出したりす
る。従がつていずれにしてもハンダのぬれ性が悪
い等という欠点を有していた。
ニツケル層が厚い場合は問題ないが、電子部品の
リードに施されたニツケル薄膜層の様に薄い場合
は問題が生ずる。すなわち、上記酸洗い液やカル
ボン酸等の有機酸のみによる酸化被膜の除去方法
では完全に酸化膜を除去することはできない。反
面、食刻時間を長くしたりして酸化膜を完全に除
去するとニツケル層が薄くなりすぎたり、ニツケ
ル薄膜層がはがされ下層の表面が露出したりす
る。従がつていずれにしてもハンダのぬれ性が悪
い等という欠点を有していた。
（発明の目的）
本発明は、以上の様な欠点を解消する為になさ
れたもので、その目的は電子部品に被着されたニ
ツケル層表面に生成した酸化被膜をニツケル層の
食刻深さを小さく留めつつ除去する方法を得るこ
とにある。
れたもので、その目的は電子部品に被着されたニ
ツケル層表面に生成した酸化被膜をニツケル層の
食刻深さを小さく留めつつ除去する方法を得るこ
とにある。
（発明の構成）
本発明は、電子部品のパツケージから導出した
リードに被着され、表面に酸化被膜が生成してい
るニツケル薄膜層から前記酸化被膜を除去する方
法において、 前記電子部品のリードを有機酸液に浸漬する工
程と、その後前記電子部品のリードを過酸化水素
とフツ化アンモニウムを主成分とする化学研磨液
に浸漬する工程とを有することを特徴とするニツ
ケル酸化被膜除去方法である。
リードに被着され、表面に酸化被膜が生成してい
るニツケル薄膜層から前記酸化被膜を除去する方
法において、 前記電子部品のリードを有機酸液に浸漬する工
程と、その後前記電子部品のリードを過酸化水素
とフツ化アンモニウムを主成分とする化学研磨液
に浸漬する工程とを有することを特徴とするニツ
ケル酸化被膜除去方法である。
（実施例）
以下本発明の実施例をICのリード下地層とし
て形成されたニツケルメツキ層の表面に生成した
酸化被膜を例にとつて説明する。第１図は、本発
明の一実施例における断面図である。
て形成されたニツケルメツキ層の表面に生成した
酸化被膜を例にとつて説明する。第１図は、本発
明の一実施例における断面図である。
第１図は２〜3μｍ厚のニツケルメツキ層１が
形成されたリード２を拡大した断面図である。ニ
ツケルメツキ層１には、大気中の酸素等により酸
化被膜３が生成している。４は、ICパツケージ
５の内部から引き出されたメタライズ層であり、
ここにリード２が銀ロウ６により接着されてい
る。
形成されたリード２を拡大した断面図である。ニ
ツケルメツキ層１には、大気中の酸素等により酸
化被膜３が生成している。４は、ICパツケージ
５の内部から引き出されたメタライズ層であり、
ここにリード２が銀ロウ６により接着されてい
る。
この酸化被膜３を除去するにはリード２をシユ
ウ酸液に浸漬する。シユウ酸の反応は常温では緩
慢なので、ほぼ沸点近くに加熱して約80℃の温度
に保つとよい。
ウ酸液に浸漬する。シユウ酸の反応は常温では緩
慢なので、ほぼ沸点近くに加熱して約80℃の温度
に保つとよい。
ここで、下から加熱すると対流により流れが発
生するので液をかきまぜる必要がなく、好都合で
ある。
生するので液をかきまぜる必要がなく、好都合で
ある。
シユウ酸等の有機酸は、ニツケルメツキ層１を
緩慢に食刻するので、ニツケルメツキ層１の食刻
状態を容易に管理することができる。すなわち、
ニツケルメツキ層１の食刻を不動態である酸化層
がはがれ落ちたところで止めることができる。
尚、シユウ酸に代わる有機酸としては酪酸、酢酸
がある。
緩慢に食刻するので、ニツケルメツキ層１の食刻
状態を容易に管理することができる。すなわち、
ニツケルメツキ層１の食刻を不動態である酸化層
がはがれ落ちたところで止めることができる。
尚、シユウ酸に代わる有機酸としては酪酸、酢酸
がある。
シユウ酸液処理工程が終了してもニツケルメツ
キ層１には、酸化被膜３が残る。このままシユウ
酸液に浸漬し続けるとニツケルメツキ層１を食刻
し続けるので好ましくない。シユウ酸は等方的エ
ツチングをするからである。その為、次に化学研
磨を行なう。
キ層１には、酸化被膜３が残る。このままシユウ
酸液に浸漬し続けるとニツケルメツキ層１を食刻
し続けるので好ましくない。シユウ酸は等方的エ
ツチングをするからである。その為、次に化学研
磨を行なう。
化学研磨は、過酸化水素とフツ化アンモニウム
を主成分とする化学研磨剤の50％水溶液に常温で
1.5分程度浸漬することにより行なう。この化学
研磨液は、ニツケルメツキ層１の面に垂直の方向
より面に沿つた方向の食刻速度が大きい為、酸化
被膜３を完全に除去し、表面を研磨することが可
能となる。
を主成分とする化学研磨剤の50％水溶液に常温で
1.5分程度浸漬することにより行なう。この化学
研磨液は、ニツケルメツキ層１の面に垂直の方向
より面に沿つた方向の食刻速度が大きい為、酸化
被膜３を完全に除去し、表面を研磨することが可
能となる。
次に、シユウ酸液の好ましい濃度について説明
する。第２図はシユウ酸濃度（規定度）とハンダ
歩留のグラフ、第３図はシユウ酸濃度（規定度）
と食刻厚さのグラフである。これらは、いずれも
80℃のシユウ酸に５分間浸漬し、化学研磨を行な
つた後のデーターである。
する。第２図はシユウ酸濃度（規定度）とハンダ
歩留のグラフ、第３図はシユウ酸濃度（規定度）
と食刻厚さのグラフである。これらは、いずれも
80℃のシユウ酸に５分間浸漬し、化学研磨を行な
つた後のデーターである。
第２図により、ニツケルメツキ層１上にハンダ
メツキをする為には、酸化被膜３を除去する場
合、約１〜３規定が好ましいことがわかる。
メツキをする為には、酸化被膜３を除去する場
合、約１〜３規定が好ましいことがわかる。
第３図により、２〜３規定で約1.1μｍとなつて
いる。第２図を考えれば規定前後が食刻速度が速
く、歩留りが良く好ましいことがわかる。
いる。第２図を考えれば規定前後が食刻速度が速
く、歩留りが良く好ましいことがわかる。
ところで、シユウ酸を代表する有機酸による食
刻の代わりに、SO4 2-やNO3 -オイン等を含む無
機酸による食刻を行なうと以下の様な問題が生ず
る。それは、パツケージ５の内部には、ICチツ
プが搭載され、アルミ配線がなされているが、ア
ルミニウムはわずかに存在するSO4 2-イオンや
NO3 -イオンとでも極めて反応しやすいので、内
部に浸入してきたこれらイオンと反応してアルミ
断線が生じやすくなるからである。又、リード２
とメタライズ層４とを接着する銀ロウ６に含まれ
る銀はマイグレーシヨンを起こしやすい。
刻の代わりに、SO4 2-やNO3 -オイン等を含む無
機酸による食刻を行なうと以下の様な問題が生ず
る。それは、パツケージ５の内部には、ICチツ
プが搭載され、アルミ配線がなされているが、ア
ルミニウムはわずかに存在するSO4 2-イオンや
NO3 -イオンとでも極めて反応しやすいので、内
部に浸入してきたこれらイオンと反応してアルミ
断線が生じやすくなるからである。又、リード２
とメタライズ層４とを接着する銀ロウ６に含まれ
る銀はマイグレーシヨンを起こしやすい。
ニツケルメツキ層１は、このマイグレーシヨン
防止の役割も果している為、無機酸によりニツケ
ルメツキ層１がはがされ、更に、ここにSO4 2-や
NO3 -等のイオンが残つていると、銀ロウ６に含
まれる銀は、これらイオンに誘発され、極めてマ
イグレーシヨンが発生しやすくなる。マイグレー
シヨンが発生するとリード間あるいはメタライズ
層間の短絡等、ICにおいて好ましくない現象が
生ずるのである。
防止の役割も果している為、無機酸によりニツケ
ルメツキ層１がはがされ、更に、ここにSO4 2-や
NO3 -等のイオンが残つていると、銀ロウ６に含
まれる銀は、これらイオンに誘発され、極めてマ
イグレーシヨンが発生しやすくなる。マイグレー
シヨンが発生するとリード間あるいはメタライズ
層間の短絡等、ICにおいて好ましくない現象が
生ずるのである。
尚、シユウ酸による食刻をしないで、化学研磨
液のみによつてニツケル酸化被膜除去を行なうの
も可能であるが、過酸化水素とフツ化アンモニウ
ムを主成分とする化学研磨液は劣化が速く、この
液だけで酸化被膜除去を行なうとしばしば取り換
える必要が生ずる。この様に取り換えの回数が多
いと、取り換えがわずらわしいだけでなく、化学
研磨液は高価な為に非常なコスト高になるのであ
る。更に、酸化被膜の除去が均一に行なわれずに
むらになつてしまうという欠点も有するのであ
る。
液のみによつてニツケル酸化被膜除去を行なうの
も可能であるが、過酸化水素とフツ化アンモニウ
ムを主成分とする化学研磨液は劣化が速く、この
液だけで酸化被膜除去を行なうとしばしば取り換
える必要が生ずる。この様に取り換えの回数が多
いと、取り換えがわずらわしいだけでなく、化学
研磨液は高価な為に非常なコスト高になるのであ
る。更に、酸化被膜の除去が均一に行なわれずに
むらになつてしまうという欠点も有するのであ
る。
（発明の効果）
以上説明した様に本発明によれば電子部品に被
着され、表面に酸化被膜が生成しているニツケル
薄膜層から、酸化被膜を除去するのに有機酸液に
浸漬し、過酸化水素とフツ化アンモニウムとを主
成分とする化学研磨液に浸漬するので、次の様な
効果がある。
着され、表面に酸化被膜が生成しているニツケル
薄膜層から、酸化被膜を除去するのに有機酸液に
浸漬し、過酸化水素とフツ化アンモニウムとを主
成分とする化学研磨液に浸漬するので、次の様な
効果がある。
第１に、有機酸によりある程度酸化被膜を除去
し、上記化学研磨液で残りの酸化被膜を完全に取
り去るので、所定のニツケル層厚を残しつつ酸化
被膜を除去することができる様になる。これは、
酸化被膜除去の効率を最大限ならしめるものであ
る。第２に、これら食刻液、研磨液は配像の切断
やマイグレーシヨンを誘発するイオンを含んでい
ないので電子部品の信頼性に影響を及ぼさない。
し、上記化学研磨液で残りの酸化被膜を完全に取
り去るので、所定のニツケル層厚を残しつつ酸化
被膜を除去することができる様になる。これは、
酸化被膜除去の効率を最大限ならしめるものであ
る。第２に、これら食刻液、研磨液は配像の切断
やマイグレーシヨンを誘発するイオンを含んでい
ないので電子部品の信頼性に影響を及ぼさない。
第３に、浸漬するだけで良く、相互に絶縁され
たリードを有していて電解研磨ができない形状で
あつても電子部品のリードに形成された酸化被膜
を除去することができる。
たリードを有していて電解研磨ができない形状で
あつても電子部品のリードに形成された酸化被膜
を除去することができる。
本実施例ではICのリードを例にとつて説明し
たが、IC以外でも受、発光ダイオードや、リー
ドスイツチ等、ニツケル薄膜層を有していれば広
く実施することができる。
たが、IC以外でも受、発光ダイオードや、リー
ドスイツチ等、ニツケル薄膜層を有していれば広
く実施することができる。
第１図は本発明のニツケル酸化被膜除去方法の
一実施例の側面図、第２図はシユウ酸濃度とハン
ダ歩留の関係を示す図表、第３図はシユウ酸濃度
と食刻厚さの関係を示す図表である。 １…ニツケルメツキ層、２…リード、３…ニツ
ケル酸化被膜。
一実施例の側面図、第２図はシユウ酸濃度とハン
ダ歩留の関係を示す図表、第３図はシユウ酸濃度
と食刻厚さの関係を示す図表である。 １…ニツケルメツキ層、２…リード、３…ニツ
ケル酸化被膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電子部品のパツケージから導出したリードに
被着され、表面に酸化被膜が生成しているニツケ
ル薄膜層から前記酸化被膜を除去する方法におい
て、 前記電子部品のリードを有機酸液に浸漬する工
程と、その後前記電子部品のリードを過酸化水素
とフツ化アンモニウムを主成分とする化学研磨液
に浸漬する工程とを有することを特徴とするニツ
ケル酸化被膜除去方法。 ２ 特許請求の範囲第１項において、前記有機酸
液はほぼ沸点に加熱されたシユウ酸水溶液である
ニツケル酸化被膜除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59076657A JPS60221585A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | ニツケル酸化被膜除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59076657A JPS60221585A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | ニツケル酸化被膜除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60221585A JPS60221585A (ja) | 1985-11-06 |
| JPH0123554B2 true JPH0123554B2 (ja) | 1989-05-02 |
Family
ID=13611474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59076657A Granted JPS60221585A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | ニツケル酸化被膜除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60221585A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4026573B2 (ja) * | 2003-09-24 | 2007-12-26 | 株式会社デンソー | 電子装置を収納するパッケージの製造方法 |
-
1984
- 1984-04-18 JP JP59076657A patent/JPS60221585A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60221585A (ja) | 1985-11-06 |
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