JPH01238084A

JPH01238084A - 半導体発光素子駆動回路

Info

Publication number: JPH01238084A
Application number: JP63064912A
Authority: JP
Inventors: Takashi Shiyouji; たか志荘司
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1988-03-18
Filing date: 1988-03-18
Publication date: 1989-09-22
Anticipated expiration: 2011-02-21
Also published as: US4900912A; JPH0817258B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、光走査記録装置や光通信装置等に用いられる
半導体発光素子を駆動する駆動回路、特に詳細には、光
出力の変化の応答性の向上が図られた半導体発光素子駆
動回路に関するものである。

（従来の技術）従来より、光ビームを光偏向器により偏向して感光性記
録材料上を走査させ、該記録材料に記録を行なう光走査
記録装置が広く実用に供されている。また、光信号を光
ファイバーによって伝送する光通信装置も実用化されて
いる。このような光走査記録装置や光通信装置において
光ビームを発生する光源の１つとして、半導体レーザや
発光ダイオード等の半導体発光素子が従来から用いられ
ている。この半導体発光素子は、小型、安価で消費電力
も少なく、また駆動電流を変えることによって直接変調
が可能である等、数々の長所を有している。

上述のような半導体発光素子を駆動する駆動回路におい
ては通常、光量指令信号が示す通りの光量が正確に得ら
れるように、いわゆるＡＰＣ（ＡｕｔｏＩＩａｔｉｃ　
　Ｐ　ｏｖｅｒ　　Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路を設けて光出
力安定化制御を行なうことが多い。従来のこの種のＡＰ
Ｃ回路は、半導体発光素子の後方出射光（画像記録等に
供される前方出射光とは反対の方向に出射する光ビーム
）や、あるいは上記前方出射光の一部をハーフミラ−等
で分岐させた光の光量を検出し、その検出光量と光量指
令信号が示す目標光量との差を解消する方向に半導体発
光素子の駆動電流を制御するように形成されていた。

（発明が解決しようとする課題）ところが上記後方出射光や、分岐された光の光量は、半
導体発光素子が発する全光量に比べればかなり低いので
、光出力安定化制御のためのフィードバック信号のレベ
ルが低くなりがちである。

したがってこのフィードバック信号を電気的にかなり増
幅する必要があるが、そうすると増幅器の段数が増大す
る等により制御系における位相遅れが大きくなり、その
ためフィードバックループの帯域を広くとることが難し
くなって制御の応答性が悪くなる、という問題が従来よ
り認められていた。

制御の応答性が悪くなると、たとえば光量指令信号の値
がステップ的に変化した場合等において、半導体発光素
子の発光光量が光量指令信号の値の変化に追随して変化
するまでに時間遅れが生じ、光走査記録装置や光通信装
置等の高速化への障害となる、という問題点があった。

本発明は、上記問題点に鑑み、光量指令信号の変化に追
随して半導体発光素子の発光光量が変化する際の応答速
度を向上させた半導体発光素子駆動回路を提供すること
を目的とするものである。

（課題を解決するための手段）本発明のうち第１の発明の半導体発光素子駆動回路は、
一端側が所定の電圧値に保たれた第１の抵抗体と、この
第１の抵抗体の他端側にアノード側が接続された半導体
発光素子と、この半導体発光素子のカソード側に一端側
が接続された第２の抵抗体と、出力端子が前記第２の抵
抗体の他端側と接続された電圧制御型増幅器とからなる
第１の電流経路、前記第１の抵抗体と、この第１の抵抗体の前記他端側と
前記半導体発光素子のアノード側との接続点に一端側が
接続された第３の抵抗体と、出力端子が前記第３の抵抗
体の他端側と接続された電流制御型増幅器とからなる第
２の電流経路、前記半導体発光素子の発光強度をモニタ
する光検出器、およびこの光検出器の出力側と前記電流制御型増幅器の入力側
とを接続してなる帰環経路から構成され、前記電圧制御
型増幅器が、この電圧制御型増幅器の出力電圧が入力に
応じた所定の電圧値となるように、前記半導体発光素子
を発光させる電流を吸い込むものであり、前記電流制御型増幅器が、前記発光強度を所定の強度に
保つように、入力された前記光検出器の出力と基準値と
の差に対応した量の電流を吸い込むものであることを特
徴とする。

ここで、１チップに複数個内蔵されアノードが共通に形
成された半導体発光素子を用いて、このアノードを前記
所定の電圧値に保ち、この複数個の半導体発光素子のう
ちの第１の半導体発光素子のカソード側に前記第２の抵
抗体と前記電圧制御型増幅器とを接続して前記第１の電
流経路を形成し、前記複数個の半導体発光素子のうちの
第２の半導体発光素子のカソード側に前記第３の抵抗体
と前記電流制御型増幅器とを接続して前記第２の電流経
路を形成することにより上記半導体発光素子駆動回路を
構成してもよい。

また、本発明のうち第２の発明の半導体発光素子駆動回
路は、前述した第１の発明において、半導体発光素子の
アノードとカソードとが上記第１の発明とは逆に接続さ
れ、かつ、この接続の相違に伴い、上記第１の発明とは
逆方向に電流が流れるように、前記電圧制御型増幅器が
、この電圧制御型増幅器の出力電圧が入力に応じた所定
の電圧値となるように、前記半導体発光素子を発光させ
る電流を流し出すものであり、前記電流制御型増幅器が、前記発光強度を所定の強度に
保つように、入力された前記光検出器の出力と基準値と
の差に対応した量の電流を流し出すものであることを特
徴とする。

ここで、前述した第１の発明の場合と同様に、１チップ
に複数個内蔵されカソードが共通に形成された半導体発
光素子を用いて、このカソードを前記所定の電圧値に保
ち、この複数個の半導体発光素子のうちの第１の半導体
発光素子のアノード側に前記第２の抵抗体と前記電圧制
御型増幅器とを接続して前記第１の電流経路を形成し、
前記複数個の半導体発光素子のうちの第２の半導体発光
素子のアノード側に前記第３の抵抗体と前記電流制御型
増幅器とを接続して前記第２の電流経路を形成するよう
にしてもよい。

また上記半導体発光素子としては、たとえば半導体レー
ザが用いられる。

（作　　用）本発明のうち第１の発明の半導体発光素子駆動回路にお
いては、第１の抵抗体を通って流れる電流が、半導体発
光素子を通過してこの半導体装置素子を発光させさらに
第２の抵抗体を通過して電圧制御型増幅器に吸い込まれ
る発光電流と、第３の抵抗体を通過して電流制御型増幅
器に吸い込まれる制御電流とに分かれる。

ここで、光検出器により検出された、半導体発光素子の
発光強度が増加した場合、この発光強度に対応する光検
出器の出力が帰環経路を経由して電流制御型増幅器にフ
ィードバックされ、この電流制御型増幅器が光検出器の
出力と基準値との差に対応してより多くの制御電流を吸
い込むよ°うに制御される。

制御電流が大きくなると、第１の抵抗体を流れる電流が
大きくなるため、この第１の抵抗体の両端間の電位差が
大きくなり、したがって発光電流が減少し、発光光量が
減少する。

半導体発光素子の発光光量が減少した場合には、上記と
逆方向に制御され、したがって常に所定の発光光量とな
るように制御される。この間、電流制御型増幅器に入力
される上記基準値と、電圧制御型増幅器の入力は、それ
ぞれ所定の一定値に保たれる。

ここで、半導体発光素子の発光光量をたとえばステップ
的に変化させるには、電流制御型増幅器の上記基準値と
電圧制御型増幅器の上記入力とをステップ的に変化させ
る。このようにすることにより、電圧制御型増幅器の出
力電圧がステップ的に変化して発光電流をステップ的に
変化させ、発光光量をステップ的に変化させる。このよ
うに発光光量がステップ的に変化した状況の下で電流制
御型増幅器の変化後の基準値と光検出器の出力との差が
演算され、発光光量が変化後の所定値に保たれるように
制御される。

本発明のうち第２の発明の半導体発光素子駆動回路は、
電圧制御型増幅器から流し出された発光電流が第２の抵
抗体と半導体発光素子を経由して第１の抵抗体を流れる
とともに、電流制御型増幅器から流し出された制御電流
が第３の抵抗体を経由して第１の抵抗体を流れる。した
がって、光検出器の出力と基準値との差に応じて電流制
御型増幅器から流し出す制御電流の大きさを制御するこ
とにより、第１の抵抗体の両端の電位差が変化し、発光
電流が変化し、このことにより発光光量が制御される。

半導体発光素子の発光光量をたとえばステップ的に変化
させるには、上記第１の発明と同様に電流制御型増幅器
の基準値と電圧制御型増幅器の入力とをステップ的に変
化させることにより行なわれ、上記第１の発明と同様に
電圧制御型増幅器の出力電圧がステップ的に変化するこ
とにより発光光量がステップ的に変化する。

本発明は、上記のように電圧制御型増幅器の入力の変化
に伴って発光電流が直接的に変化するため、いわゆるフ
ィードバック制御（本発明の電流制御型増幅器のみによ
る制御に対応）により発光光量を変化させる場合と比べ
、応答性を十分に向上ささせることができる。

また、１チップ内に複数個内蔵され、アノードまたはカ
ソードが共通に形成された半導体発光素子を用いて本発
明を形成することにより、このチップ内のアノードまた
はカソードが共通に形成された部分に等価的に上記第１
の抵抗体が形成されているため、上記発明を構成するの
に必要な部品点数を減らしてよりコンパクトな駆動回路
とすることができる。

また、本発明は、特に、半導体レーザの高エネルギーの
光出力を安定的に制御することができる。

（実　施　例）以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明す
る。

第１図は、本発明のうち第１の発明の一実施例を示した
回路図である。

抵抗１の一端１ａが接地されており、他端１ｂは半導体
レーザ２のアノード２ａと抵抗５の一端５ａに接続され
ている。半導体レーザ２のカソード２ｂは抵抗３の一端
３ａと接続されている。抵抗３の他端８ｂは、電圧制御
型増幅器４の出力端子４ｂと接続されている。

この電圧制御型増幅器４は、十分に早い応答性能を有し
ており、出力電圧Ｖ　ｏｕｔは、入力端子４ａから入力
される入力電圧Ｖｉｎの変化に十分早い応答速度をもっ
て応答する。また、出力電圧Ｖｏｕｔは、入力電圧Ｖｉ
ｎに応じた所定の電圧値となるように、抵抗１、半導体
レーザ２、抵抗３を経由して発光電流１１を吸い込むよ
うに作用する。発光電流１１が半導体レーザ２を流れる
ことにより、この半導体レーザ２が発光する。入力電圧
Ｖ１ｎは、光量指令信号Ｖ１が増幅器９ａに入力される
ことにより生成される。

また、抵抗５の他端５ｂは電流制御型増幅器６の出力端
子６ｂと接続されている。電流制御型増幅器６には、半
導体レーザ２から発光された光の一部を受光する光検出
器７の出力電圧（帰環電圧）Ｖｆが帰環経路８を経由し
て入力されるとともに、基準値Ｖｉｎ’が入力される。

基準値Ｖ　ｉｎ’は、光量指令信号■ｌが増幅器９ｂに
入力されることにより生成される。電流制御型増幅器６
は、入力されたｖｒとＶｉｎ’　との差を演算し、この
差に対応して制御電流１２を吸い込むように作用する。

上記増幅器９ａ、９ｂは十分早い応答速度を有している
。

ここで、半導体レーザ２の発光光量を所定値に保つため
にＶｉｎ、　Ｖｉｎ’がそれぞれ所定の一定値に保持さ
れているにもかかわらず、たとえば半導体レーザ２の発
熱等により発光光量が低下した場合、この回路は以下の
ように作用する。尚、所定の発光光量が保持されている
場合、Ｖｉｎ’　とｖｆとは同じ電圧値にある。

半導体レーザ２の発光光量が低下すると、光検出器７の
受光光量が低下し、光検出器７の出力電圧（帰環電圧）
Ｖｆが低下し、Ｖｉｎ’　−Ｖｆ’　＞０となる。この
場合、電流制御型増幅器６は、Ｖｉｎ’　−ｖｒの値に
応じて制御電流１２を減少させるように制御する。制御
電流１２が減少すると、抵抗１を流れる電流ｉ１　＋ｉ
ｚが減少し、抵抗１の両端１ａ、ｌｂ間の電位差が小さ
くなる。一方、抵抗１の一端１ａは接地電位Ｖｏに固定
されており、電圧制御型増幅器４の出力端子４ｂは所定
の電圧値Ｖｏｕｔに固定されている。したがって、抵抗
１の両端１ａ、ｌｂ間の電位差が小さくなった分だけ、
半導体レーザ２のアノード２ａと電圧制御型増幅器４の
出力端子４ｂとの間の電位差が大きくなり、発光電流１
１が増加し、発光光量が増加する。

半導体レーザ２の発光光量が所定値よりも増加した場合
も上記と同様にして発光光量が減少する方向に制御され
、結局、発光光量が所定の一定値に保持される。

光量指令信号ｖ１の値が変化することにより半導体レー
ザ２の発光光量が変化する。

光量指令信号ｖ１の値がステップ的に増加すると、それ
ぞれ増幅器９ａ、９ｂを経由してＶ　ｉｎ、　Ｖ　ｉｎ
′がステップ的に増加する。電圧制御型増幅器４の出力
電圧Ｖｏｕｔは、入力電圧Ｖ１ｎがステップ的に増加し
たことにより十分早い応答速度をもってステップ的に減
少する。このことにより抵抗１の一端１ａの接地電位Ｖ
ｏと電圧制御型増幅器４の出力電圧Ｖ　ｏｕｔとの電位
差がステップ的に大きくなり、したがって発光電流１１
がステップ的に増加し、半導体レーザ２の発光光量がス
テップ的に早い立上がり速度をもって増加する。以後、
Ｖｉｎ’とｖｆとが比較され、制御電流１２の電流値が
制御されることにより、発光光量が増加した後の所定値
に保持される。

半導体レーザ２の発光光量を減少させる方向に制御する
場合も、上記発光光量を増加させる場合と同様にして制
御することができることは上記説明から明らかであるた
め、詳しい説明は省略する。

本発明は、上記のように電圧制御型増幅器４を用いて発
光電流１１を直接的に変化させるようにしたため、電流
制御型増幅器６のみでステップ的に発光光量を変化させ
るように制御する場合（従来のいわゆるフィードバック
制御に対応）と比べ、光量変化の応答性を十分に向上さ
せることができる。

第２Ａ図は、本発明のうち第１の発明の他の実施例の主
要部を示した回路図、第２Ｂ図は、第２Ａ図に示した回
路の等価回路図である。第１図と同一の作用を行なう部
材には第１図と同様の番号を付し、説明は省略する。

第２Ａ図に示す回路には、１チップ１０に内蔵され、ア
ノードが共通に形成された２個の半導体し−ザ２，２′
が用いられている。この２個の半導体レーザ２．２′の
うちの一方２にのみ本来の半導体レーザとしての機能を
担わせ、他方２′は、たとえば遮光する、あるいはたと
えばアノードとカソードとの間に過電流を流して光学的
にのみ破壊する等の処置が施されている。このようなア
ノードが共通に形成された２個の半導体レーザ２゜２′
は、第２Ｂ図に示すように等価的な共通抵抗１を有する
。したがって、１チップＩＯに内蔵され、アノードが共
通に形成された２個の半導体レーザ２．２′を用いて、
本発明のうち第１の発明を構成することができる。

この場合、共通抵抗１は実際には接続されないため、部
品点数が減り、コンパクトにしかも高信頼の駆動回路と
することができる。

第３図は、本発明のうち第２の発明の一実施例を示した
回路図である。第１図と同一の部材には同一の番号を付
しである。

この図を第１図と比較すると、まず半導体レーザ２が逆
向きに接続されている。これに伴い、電圧制御型増幅器
４′の出力電圧ｖ　ｏｕｔは接地電位Ｖｏより高電圧に
設定され、発光電流ｉｌ′は電圧制御型増幅器４′の出
力端子４ｂ’から抵抗１の一端１ａに向かって流れる。

また、制御電流１２′も、電流制御型増幅器６′の出力
端子６ｂ′から抵抗１の一端１ａに向かって流れる。

このように第３図に示す実施例は、半導体レーザ２の接
続が逆であることと、これに伴い、電流’１＋　　ｉＺ
が逆向きに流れるように制御されることを除き、第１図
に示す実施例と同様であるため、詳細な説明は省略する
。

第４Ａ図は、本発明のうち第２の発明の他の実施例の主
要部を示した回路図、第４Ｂ図は、第４Ａ図に示した回
路の等価回路図である。第３図と同一の作用を行なう部
材には第３図と同様の番号を付しである。

第４Ａ図に示す回路には、１チップ１０′に内蔵され、
カソードが共通に形成された２個の半導体レーザ２，２
′が用いられている。この２個の半導体レーザ２，２′
のうちの一方２にのみ本来の半導体レーザとしての機能
を担わせ、他方２′は、たとえば遮光する、あるいはた
とえばアノードとカソードとの間に過電流を流して光学
的にのみ破壊する等の処置が施されている。このような
カソードが共通に形成された２個の半導体レーザ２゜２
′は、第４Ｂ図に示すように等価的な共通抵抗１を有す
る。したがって、１チップ１０′　に内蔵され、カソー
ドが共通に形成された２個の半導体レーザ２，２′を用
いて、本発明のうち第２の発明を構成することができる
。

第５図は、本発明のうち第１の発明の、さらに異なる実
施例を示した回路図である。第１図に示した実施例と同
一の作用をなす部材には同一の番号を付し、説明は省略
する。

図示しない制御用コンピュータ等から、半導体レーザ２
の発光光量を指示する光量指令信号（ディジタル信号）
１１が送出され、Ｄ／Ａ変換器■２とＬ／Ｖ変換テーブ
ル１３とに入力される。Ｄ／Ａ変換器１２では入力され
た光量指令信号１１をアナログ信号に変換し、基準値Ｖ
ｌｎ’を出力する。この基準値Ｖ１ｎ’は電流制御型増
幅器６′に入力される。

スイッチ１６は通常は図に示すように接点Ｃとａが接続
され接点Ｃとｂが切り離された状態を保持し、制御電流
１２が抵抗１、抵抗５を経由して流れ、電流制御型増幅
器６′の出力端子６ｂ′に吸い込まれる。

Ｌ／Ｖ変換テーブル１３では、入力された光量指令信号
１１を、電圧指令信号１４に変換する。このＬ／Ｖ変換
テーブル１３に書き込むテーブルの求め方については後
述する。電圧指令信号■４はＤ／Ａ変換器１５でアナロ
グ信号に変換され、このアナログ信号が電圧制御型増幅
器４の入力電圧Ｖｌｎとなる。

入力電圧ＶＩｎは、電圧制御型増幅器４により、出力電
圧Ｖ　ｏｕｔに変換される。発光電流１１は抵抗１、半
導体レーザ２、抵抗３を経由して流れ電圧制御型増幅器
４の出力端子４ｂに吸い込まれる。

この発光電流１１が半導体レーザ２を流れることにより
この半導体レーザ２が発光し、この発光光量の一部がフ
ォトダイオード１７により受光される。この受光光量に
応じてフォトダイオード１７を流れる光電流ｉ３が抵抗
１８を流れ、抵抗１８の両端に電圧Ｖを生じさせる。こ
の電圧Ｖが増幅器１９に入力され、所定の増幅率で増幅
されて帰環電圧Ｖｆが出力される。上記フォトダイオー
ド１７、抵抗１８、および増幅器１９が第１Ａ図の光検
出器７に相当する。

帰環電圧■ｆは、帰環経路８を経由して電流制御型増幅
器６″に入力されるとともにＡ／Ｄ変換器２０に入力さ
れる。Ａ／Ｄ変換器２０は、入力された帰環電圧Ｖｆを
ディジタルの光量検出信号２１に変換し、この光量検出
信号２１を、光量指令信号１１を発した制御用コンピュ
ータ等に向けて出力する。

この回路は、以下に述べる方法により調整される。まず
Ｌ／Ｖ変換テーブル１３に適当なテーブルを入力してお
く。スイッチ１６の接点Ｃとｂが接続されかつ接点Ｃと
ａが切り離された状態にし、定電流源２２により、抵抗
１、スイッチ１Ｇの接点Ｃ１ｂを経由して調整のための
電流（以下、調整電流と呼ぶ）ｉ４を流す。調整電流ｉ
４は、この回路を正常な状態に作動させたときの制御電
流１２の標準値と同一の電流値となるように調整される
。

上記のように準備されたあと、光量指令信号ＩＩが十分
にゆっくりと増加または減少される。この光量指令信号
１１はＬ／Ｖ変換テーブル１３に入力され、仮に書き込
まれたテーブルに従って電圧指令信号１４に変換される
。この電圧指令信号１４がＤ／Ａ変換器１５および電圧
制御型増幅器４を経由して出力電圧Ｖｏｕｔに変換され
、したがって半導体ダイオード２の発光光量がゆっくり
と増加または減少する。この発光光量が各時点で静止状
態とみなし得る程度に光量指令信号１１の変更速度が定
められている。

半導体レーザ２の発光光量が前述したようにフォトダイ
オード１７でモニタされ帰環電圧ｖｆに変換され、この
帰環電圧ＶｆがＡ／Ｄ変換器２０により光量検出信号２
１に変換される。

以上のようにして、光量検出信号２１と電圧指令信号１
４との関係をテーブル化し、光量検出信号２１を光量指
令信号ＩｆとしてＬ／Ｖ変換テーブル１３に入力したと
きに、この光量指令信号１１に対応する電圧指令信号１
４がＬ／Ｖ変換テーブル１３から出力され、したがって
光量指令信号１１と同一の値の光量検出信号１４がＡ／
Ｄ変換器２０から出力されるようにＬ／Ｖ変換テーブル
１３のテーブルを変更する。

次に、スイッチ１６が図に示すように、接点Ｃとａが接
続されかつ接点Ｃとｂとが切り離された状態となるよう
に切り替えられる。スイッチ１６がこのように切り替え
られたあと、光量指令信号１１が入力される。この入力
された光量指令信号１１は、上記のようにしてテーブル
が変更された後のＬ／Ｖ変換テーブル１３、Ｄ／Ａ変換
器１５、および電圧制御型増幅器４を経由して出力電圧
Ｖ　ｏｕｔに変換され、発光電流１１が流れ、半導体レ
ーザ２が発光する。一方、光量指令信号１１はＤ／Ａ変
換器１２を経由して基準値Ｖｌｎ’に変換されて電流制
御型増幅器６′にも入力される。電流制御型増幅器６″
には上記基準値Ｖ　ｉｎ’のほか帰環電圧Ｖｒが入力さ
れ、さらにバイアス電圧ｖｂも入力される。

バイアス電圧ｖｂはＶ１ｎ’　−’Ｖｒのときに制御電
流１２が上記調整電流ｉ４と同じ値となるように調整さ
れる。すなわちバイアス電圧ｖｂは、Ｖｉｎ’−ｖｒの
場合に所定量の制御電流１２−１．を流し続けておく作
用を担っており、Ｖｉｎ’　≠ｖｒの場合、制御電流１
２はｉ４の値を中心として変化する。

以上のようにして回路を調整することにより、以後光量
指令信号１１が変化したときには半導体レーザ２の発光
光量が応答性良く追随し、光量指令信号１１が変化しな
いときには半導体レーザ２の発光光量が光量指令信号１
１に応じた所定値に保持されるように制御される。

尚、第５図は、本発明のうち第１の発明についての一実
施例の回路図であるが、本発明のうち第２の発明につい
て同様の実施例を構成することができることはこれまで
の説明から既に明らかであるため、図面および説明は省
略する。

また、ここでは半導体レーザを用いた実施例について説
明したが、発光ダイオード等地の半導体発光素子を用い
ても同様に構成できることはいうまでもない。

（発明の効果）以上詳細に説明したとおり、本発明の半導体発光素子駆
動回路は、半導体発光素子から発光される発光光量を、
電流制御型増幅器を用いてフィードバック制御するとと
もに電圧制御型増幅器を用いて直接的に変更できるよう
に回路を構成したため、光量指令信号の値を変化させた
ときにこれに対応して発光光量が変化する応答性を十分
に向上させることができる。

また、１チップ内に複数個内蔵されアノードまたはカソ
ードが共通に形成された半導体発光素子を用いることに
より、抵抗体の数を減らしてコンパクトに構成すること
ができる。

また、本発明は、半導体レーザの光出力を安定的に制御
する場合に、特に有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のうち第１の発明の一実施例を示した
回路図、第２Ａ図は、本発明のうち第１の発明の他の実施例の主
要部を示した回路図、第２Ｂ図は、第２Ａ図に示した回路の等価回路図、第３図は、本発明のうち第２の発明の一実施例を示した
回路図、第４Ａ図は、本発明のうち第２の発明の他の実施例の主
要部を示した回路図、第４Ｂ図は、第４Ａ図に示した回路の等価回路図、第５図は、本発明のうち第１の発明のさらに異なる実施
例を示した回路図である。１、３．５．１８・・・抵　　抗２．２′・・・半導体レーザ４．４′・・・電圧制御型増幅器６．６’　、６’・・・電流制御型増幅器７・・・光検
出器　　８・・・帰環経路９ａ、９ｂ、１９・・・増幅
器　　　１１・・・光量指令信号１２．１５・・・Ｄ／
Ａ変換器１３・・・Ｌ／Ｖ変換テーブル１４・・・電圧指令信号　　　１６・・・ス　イ　ッ　
チ１７・・・フォトダイオード　２０・・・Ａ／Ｄ変換
器２１・・・光量検出信号第　１　区１ ’Ｖｒ＋第３図Ｖｎ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）一端側が所定の電圧値に保たれた第１の抵抗体と
、この第１の抵抗体の他端側にアノード側が接続された
半導体発光素子と、この半導体発光素子のカソード側に
一端側が接続された第２の抵抗体と、出力端子が前記第
２の抵抗体の他端側と接続された電圧制御型増幅器とか
らなる第１の電流経路、前記第１の抵抗体と、この第１の抵抗体の前記他端側と
前記半導体発光素子のアノード側との接続点に一端側が
接続された第３の抵抗体と、出力端子が前記第３の抵抗
体の他端側と接続された電流制御型増幅器とからなる第
２の電流経路、前記半導体発光素子の発光強度をモニタ
する光検出器、およびこの光検出器の出力側と前記電流制御型増幅器の入力側
とを接続してなる帰環経路から構成され、前記電圧制御
型増幅器が、この電圧制御型増幅器の出力電圧が入力に
応じた所定の電圧値となるように、前記半導体発光素子
を発光させる電流を吸い込むものであり、前記電流制御型増幅器が、前記発光強度を所定の強度に
保つように、入力された前記光検出器の出力と基準値と
の差に対応した量の電流を吸い込むものであることを特
徴とする半導体発光素子駆動回路。
（２）１チップに複数個内蔵されアノードが共通に形成
された半導体発光素子を用いて、このアノードを前記所
定の電圧値に保ち、この複数個の半導体発光素子のうち
の第１の半導体発光素子のカソード側に前記第２の抵抗
体と前記電圧制御型増幅器とを接続して前記第１の電流
経路を形成し、前記複数個の半導体発光素子のうちの第
２の半導体発光素子のカソード側に前記第３の抵抗体と
前記電流制御型増幅器とを接続して前記第２の電流経路
を形成したことを特徴とする請求項１記載の半導体発光
素子駆動回路。
（３）一端側が所定の電圧値に保たれた第１の抵抗体と
、この第１の抵抗体の他端側にカソード側が接続された
半導体発光素子と、この半導体発光素子のアノード側に
一端が接続された第２の抵抗体と、出力端子が前記第２
の抵抗体の他端側と接続された電圧制御型増幅器とから
なる第１の電流経路、前記第１の抵抗体と、この第１の
抵抗体の前記他端側と前記半導体発光素子のカソード側
との接続点に一端側が接続された第３の抵抗体と、出力
端子が前記第３の抵抗体の他端側と接続された電流制御
型増幅器とからなる第２の電流経路、前記半導体発光素
子の発光強度をモニタする光検出器、およびこの光検出器の出力側と前記電流制御型増幅器の入力側
とを接続してなる帰環経路から構成され、前記電圧制御
型増幅器が、この電圧制御型増幅器の出力電圧が入力に
応じた所定の電圧値となるように、前記半導体発光素子
を発光させる電流を流し出すものであり、前記電流制御型増幅器が、前記発光強度を所定の強度に
保つように、入力された前記光検出器の出力と基準値と
の差に対応した量の電流を流し出すものであることを特
徴とする半導体発光素子駆動回路。
（４）１チップに複数個内蔵されカソードが共通に形成
された半導体発光素子を用いて、このカソードを前記所
定の電圧値に保ち、この複数個の半導体発光素子のうち
の第１の半導体発光素子のアノード側に前記第２の抵抗
体と前記電圧制御型増幅器とを接続して前記第１の電流
経路を形成し、前記複数個の半導体発光素子のうちの第
２の半導体発光素子のアノード側に前記第３の抵抗体と
前記電流制御型増幅器とを接続して前記第２の電流経路
を形成したことを特徴とする請求項３記載の半導体発光
素子駆動回路。
（５）前記半導体発光素子が半導体レーザであることを
特徴とする請求項１〜４いずれか１項記載の半導体発光
素子駆動回路。