JPH01239846A - 反応性ガスエッチング方法 - Google Patents
反応性ガスエッチング方法Info
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- JPH01239846A JPH01239846A JP6638488A JP6638488A JPH01239846A JP H01239846 A JPH01239846 A JP H01239846A JP 6638488 A JP6638488 A JP 6638488A JP 6638488 A JP6638488 A JP 6638488A JP H01239846 A JPH01239846 A JP H01239846A
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- Japan
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- pure hydrogen
- hydrogen
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は反応性ガスによるエツチング方法に関し１
反応室内の昇温時における破処理基板の熱損傷を低減す
ることを目的とし、 反応室内に化合物半導体基板を＠置し、反応性ガスを該
基板に照射して該化合物半導体基板をエツチングする反
応性ガスエツチング方法において、該反応室内に純水素
を照射する純水素照射部を設け、該反応室内の昇温時に
おいて、該化合物半導体の表面に該純水素を照射するも
のである。
ることを目的とし、 反応室内に化合物半導体基板を＠置し、反応性ガスを該
基板に照射して該化合物半導体基板をエツチングする反
応性ガスエツチング方法において、該反応室内に純水素
を照射する純水素照射部を設け、該反応室内の昇温時に
おいて、該化合物半導体の表面に該純水素を照射するも
のである。
本発明は半導体処理方法、特に反応性ガスを用いた反応
性ガスエツチング方法に関する。
性ガスエツチング方法に関する。
近年、電子デバイスの高性能化に併ない、半導体基板の
表面を梢密にかつ清浄に加工できる反応性ガスエツチン
グ装置が注目されている。
表面を梢密にかつ清浄に加工できる反応性ガスエツチン
グ装置が注目されている。
１ｇ４（２）に従来の反応性ガスエツチング装置を示す
。
。
第４図において１は反応室、２はノズル、３は臂スフ０
−コントａ−ラー、４は基板加熱用ヒータ、５は被処理
基板（ＧａＡｓなど）、６は基板支持台、７はゲートバ
ルブ、８はターボ分子ポンプ、９は塩化水素供給源であ
る。
−コントａ−ラー、４は基板加熱用ヒータ、５は被処理
基板（ＧａＡｓなど）、６は基板支持台、７はゲートバ
ルブ、８はターボ分子ポンプ、９は塩化水素供給源であ
る。
エツチング方法としては、先ず、反応室１内の基板支持
台６に、例えばＧａＡｓ （ガリウム・砒素］からなる
被処理基板５を固定した後、ターボ分子ポンプ８によっ
て反応室１内を減圧すると共に、基板加熱ヒータ４によ
って被処理基板を５００’Ｃ程度にまで加熱する。
台６に、例えばＧａＡｓ （ガリウム・砒素］からなる
被処理基板５を固定した後、ターボ分子ポンプ８によっ
て反応室１内を減圧すると共に、基板加熱ヒータ４によ
って被処理基板を５００’Ｃ程度にまで加熱する。
矢に、反応性ガスとなる塩化水素（Ｈｃ／）をノズル２
よシ破処理基板５に照射してエツチングを行なう。
よシ破処理基板５に照射してエツチングを行なう。
上記の如き、反応性ガスエツチング装置によってエツチ
ングされた被処理基板は他のエツチング方法（ウェット
エツチングやプラズマエツチング）によって工、チング
されたものに比べて表面が非常に清浄化されていること
が確認されている。
ングされた被処理基板は他のエツチング方法（ウェット
エツチングやプラズマエツチング）によって工、チング
されたものに比べて表面が非常に清浄化されていること
が確認されている。
上記の如きエツチング方法によると、基板へのダメージ
が少なく、上述した様に非常に清浄化された基板表面が
得られるため、ＭＢＥ（ＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍ
Ｅｐｉｔａｘｙ）成長装置などと組合せて連続処理装置
を構成すれば、成長界面状能の同上が期待できる。
が少なく、上述した様に非常に清浄化された基板表面が
得られるため、ＭＢＥ（ＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍ
Ｅｐｉｔａｘｙ）成長装置などと組合せて連続処理装置
を構成すれば、成長界面状能の同上が期待できる。
しかしながら、反応性ガス（Ｈｃｌ）の照射前、被処理
基板５を室温から昇温し、安定に制御可能となるまでに
は数十分間の時間が必要であり、その間、減圧真室下に
曝された基板からは、蒸気圧の高い元素（ＧａＡｓの場
合はＡｓ元索〕が選択的に蒸発してしまい、基板の結晶
性の劣化、ひいては電子デバイスの電気的特性の劣化に
つながるという問題を有している。
基板５を室温から昇温し、安定に制御可能となるまでに
は数十分間の時間が必要であり、その間、減圧真室下に
曝された基板からは、蒸気圧の高い元素（ＧａＡｓの場
合はＡｓ元索〕が選択的に蒸発してしまい、基板の結晶
性の劣化、ひいては電子デバイスの電気的特性の劣化に
つながるという問題を有している。
本発明は上述した問題点に鑑み、反応性ガスエツチング
方法において、基板の昇は時に基板に与えられる熱ダメ
ージを低減することを目的とする。
方法において、基板の昇は時に基板に与えられる熱ダメ
ージを低減することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の反応性ガスエツチ
ング方法は、 反応室内に純水素（Ｈｚ）を照射する照射部を設け、反
応室内の昇温時において、被処理基板となる化合物半導
体基板の表面に純水素を照射するものである。
ング方法は、 反応室内に純水素（Ｈｚ）を照射する照射部を設け、反
応室内の昇温時において、被処理基板となる化合物半導
体基板の表面に純水素を照射するものである。
本発明によれば、基板の昇温時において、基板表面に水
素ガスが照射されるため、第１図に示す様に基板表面に
は水素分子が過乗供給状態となシ、基板表面に滞在する
が如きに振舞う水素分子によって基板上に蓋がなされた
様な状愈になる。
素ガスが照射されるため、第１図に示す様に基板表面に
は水素分子が過乗供給状態となシ、基板表面に滞在する
が如きに振舞う水素分子によって基板上に蓋がなされた
様な状愈になる。
このため、蒸気圧の高い元素の蒸発が抑制される。
また、水素ガスを使用しているため、反応室及びポンプ
内などにいわゆるフレークなどが発生しない。
内などにいわゆるフレークなどが発生しない。
本発明の一実施例ｔ１ｇ２図を参照して説明する。
第２因は本発明の一実施例による反応ガスエツチング装
置を説明する図でおり、第４図に示した従来技術と同部
位には同壱任号が記されている。ただし、図において２
′は水素ガス照射用ノズル、３′にマスクローコントａ
−ラ、１０は切換エハルプ、１１は純水素供給部である
。
置を説明する図でおり、第４図に示した従来技術と同部
位には同壱任号が記されている。ただし、図において２
′は水素ガス照射用ノズル、３′にマスクローコントａ
−ラ、１０は切換エハルプ、１１は純水素供給部である
。
本５Ａ施例では先ず、ＧａＡｓからなる被処理基板５を
支持台６に固定した後、反応室１内をターボ分子ポンプ
８によって減圧し、次いで純水素供給部１１から水系を
供給し、水素ガス照射ノズル２′よシＨ，（水素）ガス
を基板５に向けて１０ＣＣｎ流入、照射しつり基板５を
加熱ヒータ４にて加熱する。室温から基板が５００″Ｃ
に達して安定するまでに約２０分間必要で６−）た。
支持台６に固定した後、反応室１内をターボ分子ポンプ
８によって減圧し、次いで純水素供給部１１から水系を
供給し、水素ガス照射ノズル２′よシＨ，（水素）ガス
を基板５に向けて１０ＣＣｎ流入、照射しつり基板５を
加熱ヒータ４にて加熱する。室温から基板が５００″Ｃ
に達して安定するまでに約２０分間必要で６−）た。
次に切換えパルプ１０１に切換えて基板５にＨｃｌガス
を２ＣＣＭ流入、照射して１０分間のエツチングを行な
った。このエツチングによって基板５（ＧａＡｓ）Ｆｉ
約５０ＯＡエツチングきれたことになる。
を２ＣＣＭ流入、照射して１０分間のエツチングを行な
った。このエツチングによって基板５（ＧａＡｓ）Ｆｉ
約５０ＯＡエツチングきれたことになる。
矢に切換バルブ１０を切換えてＨ，ガスを基板に照射し
ながら、基板温ｒ！ｒ、を４５０’Ｏ以内に自然冷却し
た。その後、このエツチング室から基板を取り出し、真
土中を搬送して図示しないＭ Ｂ Ｅ装置内に導入し、
この基板上にＧａＡｓおよびＡｊ！ＧａＡｓを成長し九
。
ながら、基板温ｒ！ｒ、を４５０’Ｏ以内に自然冷却し
た。その後、このエツチング室から基板を取り出し、真
土中を搬送して図示しないＭ Ｂ Ｅ装置内に導入し、
この基板上にＧａＡｓおよびＡｊ！ＧａＡｓを成長し九
。
上述の如きにして成長したエピタキシャル層の表面は良
好なモホロジーが得られ、また、基板−成長エピタキシ
ャル層界面の界面準位は従来の水素照射を行なわないも
のに比べて１／６〜ｌ／１０に低減されていることが確
認された。
好なモホロジーが得られ、また、基板−成長エピタキシ
ャル層界面の界面準位は従来の水素照射を行なわないも
のに比べて１／６〜ｌ／１０に低減されていることが確
認された。
第３図に本発明の別の実施例を示す。第３囚において第
２図と同じ部位には同一の符号が記されている。ただし
、１２は三方バルブである。
２図と同じ部位には同一の符号が記されている。ただし
、１２は三方バルブである。
第３図に示した実施例においては、反応室内に導入され
るノズルは一本だけでちゃ、必要に応じて三方パルプに
より、基板に照射するガスを切換えることができる。
るノズルは一本だけでちゃ、必要に応じて三方パルプに
より、基板に照射するガスを切換えることができる。
上述した実施例では水素ガスはＨｃＪガスと切換えて基
板に照射していたが、Ｈｃｌガス照射時においても、同
時に水素ガスを基板に照射してもよい。
板に照射していたが、Ｈｃｌガス照射時においても、同
時に水素ガスを基板に照射してもよい。
以上説明した様に、本発明によれば反応性ガス照射前後
の基板表面からの蒸気圧の高い元素の選択的な蒸発によ
る表面モホロジーの劣化及び結晶成長後の界面準位の増
加を抑制でき、電子デバイスの特性同上に寄与すること
ができる。
の基板表面からの蒸気圧の高い元素の選択的な蒸発によ
る表面モホロジーの劣化及び結晶成長後の界面準位の増
加を抑制でき、電子デバイスの特性同上に寄与すること
ができる。
第１図は本発明の詳細な説明する図、第２図並びに第３
図は本発明の詳細な説明する図、第４図は従来の技術を
説明する囚である・ 図において、 １は反応室、２及び２′はノズル、３及び３′はマス７
ｏ−コントローラー、４は基板加熱ヒータ、５は被処理
基板、６は支持台、７はゲートバルブ、８はターボ分子
ポンプ、９は塩化水素供給源、１０は切換えバルブ、１
１は純水素供給源、１２は三方パルプである。
図は本発明の詳細な説明する図、第４図は従来の技術を
説明する囚である・ 図において、 １は反応室、２及び２′はノズル、３及び３′はマス７
ｏ−コントローラー、４は基板加熱ヒータ、５は被処理
基板、６は支持台、７はゲートバルブ、８はターボ分子
ポンプ、９は塩化水素供給源、１０は切換えバルブ、１
１は純水素供給源、１２は三方パルプである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 反応室内に化合物半導体基板を載置し、反応性ガスを
該化合物半導体基板に照射して該化合物半導体基板をエ
ツチングする反応性ガスエッチング方法において、 該反応室内に純水素を照射する照射部を設け、該反応室
内の昇温時において、該化合物半導体の表面に該純水素
を照射することを特徴とする反応性ガスエツチング方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63066384A JP2671360B2 (ja) | 1988-03-19 | 1988-03-19 | 反応性ガスエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63066384A JP2671360B2 (ja) | 1988-03-19 | 1988-03-19 | 反応性ガスエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01239846A true JPH01239846A (ja) | 1989-09-25 |
| JP2671360B2 JP2671360B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=13314275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63066384A Expired - Lifetime JP2671360B2 (ja) | 1988-03-19 | 1988-03-19 | 反応性ガスエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2671360B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6528395B2 (en) | 2000-04-27 | 2003-03-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of fabricating compound semiconductor device and apparatus for fabricating compound semiconductor device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4856598A (ja) * | 1971-11-22 | 1973-08-08 | ||
| JPS53147462A (en) * | 1977-05-26 | 1978-12-22 | Ibm | Molecular beam epitaxial device |
| JPS61183921A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レ−ザまたは光による半導体、金属の加工装置 |
-
1988
- 1988-03-19 JP JP63066384A patent/JP2671360B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4856598A (ja) * | 1971-11-22 | 1973-08-08 | ||
| JPS53147462A (en) * | 1977-05-26 | 1978-12-22 | Ibm | Molecular beam epitaxial device |
| JPS61183921A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レ−ザまたは光による半導体、金属の加工装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6528395B2 (en) | 2000-04-27 | 2003-03-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of fabricating compound semiconductor device and apparatus for fabricating compound semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2671360B2 (ja) | 1997-10-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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