JPH01241278A - 電荷注入装置イメージ・センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 この発明は電荷注入装置（ＣＩＤ）イメージ・センサミ
更に具体的に云えば、感知配列の各行に沿った全てのセ
ルの！１し列読出しを持つ新規な集積ＣＩＤイメージ・
センサに関する。

電荷注入装置（ＣＩ　Ｄ）センサの感度が、装置の信号
の信号対雑音比によって制限されることがよく知られて
いる。感度を改善して、ダイナミック・レンジを一層広
くとることが出来る様にすると共に、−層低い入射光レ
ベルで動作出来る様にする為には、時間的な雑音レベル
をかなり下げることが必要である。ＣＩＤイメージ・セ
ンサの時間的な雑音は、典型的には、行選択マルチプレ
クサ及びビデオ増幅器の両方のジョンソン雑音と、信号
感知線に関連する静電容量とによって決定される。現在
のＣＩＤイメージ・センサは電流感知方式を取入れてい
るが、これは比較的高い周波数で雑ｇ電流がピークにな
る傾向を持つ。行の選択が多重化によって行なわれ、マ
ルチプレクサが１個のビデオ増幅器の入力に対（７、行
線の内の異なる１つを接続するから、信号線に帰因する
静電容量が比較的大きい。配列の各行の端に前置増幅器
のトランジスタを使うことが、任意の特定の時点に出力
を発生する為に、ＣＩＤ感知配列の１つのセルを選択す
る為の周辺回路に関連する静電容量並びに／又は雑音特
性を下げる上で非常にａ効であることが実証されている
。時間的な雑音レベルを下げ、こうして感度を高めると
共にダイナミック・レンジを拡げるこの構成が、１９８
７年８月２５日に付与された米国特許第４，６８９，６
８８号に記載されている。ＣＩＤイメー　ジ・センサの
時間的な雑音を更に減少し、感度を改溌し、ダイナミッ
ク・レンジを拡大することが依然として望ましい。

発明の要約 この発明では、感度・１しびにダイナミック・レンジを
高めた電荷注入装置（ＣＩ　Ｄ）イメージ豐センザが、
ｎ個の列に配置された同じ複数個（ｎ個）のセルを夫々
持つ複に個（ｍ個）の行をｑするセルの２次元配列と、
（イ）複数個（ｎ個）の列の全てに沿って全てのセルを
リセットし、（ロ）その後１（数個（ｍ個）の行の各々
を逐次的に走査して、その時走査している行に沿った複
数個（ｎ個）のセルの全部から略同時に、リセット後の
そのセルに入射した光子束の強度に応答する信号電圧を
関連する列線に発生させる動作を循環的に逐次的に行な
う周辺手段と、何れも関連した１つの列線の信号電圧を
増幅する腹数ｌ（ｎ個）の電圧前置増幅器手段と、何れ
も関連した１つの列線前置増幅器手段からの増幅された
信号電圧を記憶する複数個（ｎ個）の手段と、複数個（
ｎ個）の記憶手段の逐次的な手段に記憶された、増幅さ
れた信号電圧を逐次的に読出して、セルの配列が応答す
る光子束の強度を表わす少なくとも１つのビデオ信号を
発生する手段とをｑする。

この発明の現在好ましいと考えられる実施例のイメージ
壷センサでは、選ばれた１つの行に沿ったｉＭ数個（ｎ
個）のセルの全部が同時に並列に、夫々同じ複数個（ｎ
個）の記憶手段の関連した１つに読出され、この時、ｎ
個の記憶手段の各々を逐次的に読取ることにより、その
行に対するビデオ信号が得られる。各列に於けるＫＴＣ
雑音に関係する、行が選択されなかった１組の信号も読
出す。外部の光入力が存在しない状態で、配列を読出し
、一定パターンの雑音に関係するビデオ電圧信号を求め
る。この代りに、注入の直後、光によって発生される信
号を積分する前に、任意の行からこの一定パターンの雑
音を読出すことが出来る。

この後の減算及び／又は相関−２倍化−標本化手段か、
こう云う信号を使って、最終的な処理済みのビデオ出力
信号に対するこの一定パターンの雑音及びＫＴＣ雑音の
寄与を減少する。

従って、この発明の目的は、センサ配列内のセルの各行
に於ける電荷の並列読出し、を利用した、新規な電荷注
入装置イメージ・センサを提供することである。

この発明の上記並びにその他の目的は、以下図面につい
て詳しく説明する所を読めば、明らかになろう。

発明の詳細な説明 最初に第１図について説明すると、ＣＩＤイメージ・セ
ンサ１０が、ｍ行に分けて配置された複数個のセルで形
成された配列１１を有する。各々の行は別の１！数個（
ｍ個）の個別のセルを持っている。即ちセルＣ１，１乃
至Ｃｍ、ｎからなるｍ×且配列である。配列１１と共に
周辺電子回路手段１２及び複数個（ｎ個）のビデオ増幅
手段１４を利用する。その各々が、配列１１の二個の列
の内の１つに割当てられている。各々のセルＣ１゜Ｊ　
（行について１５１５ｍ１列について１≦ｊ≦ｎ）は、
ＣＩＤ作像の分野で周知の様に、１対の結合電極を絶縁
して重ねた半導体部材の領域で構成される。各々の行電
極、図面では各セルの左側にある電極１１ａが、複数個
（ｍ個）の行線Ｒ１゜Ｒ２，・・・・・・、　Ｒｉ、・
・・・・・、Ｒｍの１つに接続され、各々の他方の７１
ｉ極、図面では右側の電極１１’ｂが列電極であって、
複数個（二個）の列線Ｃ１，Ｃ２、・・・・・・、Ｃｊ
、・・・・・・、Ｃｎの関連した１つに接続される。

周辺電子回路手段１２が垂直（行）走査手段１６を持ち
、これが循環的に行ストローブＳｒパルスを（センサ人
力１０ａに）受取って、個別の出力１６ａ、　１６ｂ、
　−・−、１６ｉ、　−−−−−−、１６ｍの逐次的な
付勢を開始し、関連する行線Ｒ１，Ｒ２、・・・・・・
、　Ｒｉ、・・・・・・、Ｒｍを保持振幅（例えば、電
￥！ｉ＋１１ａの一■ｒボルト）から転送振幅（例えば
＝０ボルト）へ作動する。水平（列）走査手段１８が列
ストローブＳｃを（センサ人力１６ｂに）受取る。この
信号は、（イ）全ての列出力１８ａ。

１８ｂ、・・・・・・、１８ｊ、・・・・・・、１８ｎ
をリセット振幅（例えば、電極１１ｂのさ０ボルト）に
付能し、各セルの列部分（右側部分）からの全ての電荷
を注入し、次の後続の走査の為に配列の行（これは転送
振幅を持つ）をクリアし、（ロ）その後、全ての列線Ｃ
１，Ｃ２，・・・・・・、Ｃｊ、・・・・・・、　　Ｃ
ｎを同時に動作振幅Ｖｃ　（ここで０≦ＶＣ≦Ｖｒ）に
戻すか又は浮動させる。この後、任意の行線が転送振幅
に付勢される度に、記憶されている、光子によって誘起
された電荷（各セルの最後のリセット以降に収集された
）が、その行の全てのセルの各々の行電極１１ａ（この
時転送振幅に付勢されている）の下にある電位井戸から
、同じセルの列電極１１ｂの下にある電位井戸へ並列に
転送される。関連する列線に電圧変化が起り、この変化
は、セルＣｉ、ｊによって列線ｎに誘起された信号電荷
を列線の静電容量で除した値と略等しい振幅を持つ。信
号電圧のこの変化が関連した列増幅器手段１４によって
増幅される。

この発明の１つの原理として、全ての増幅器が４に列に
動作するから、特定の行に沿った任意の画素に誘起され
た信号電圧の増幅に利用し得る時点は行走査時間と等し
い。増幅時間を最大にすることにより、雑音帯域幅が最
小限に抑えられるから、イメージ・センサの感度が一層
高くなる。ＣＩＤイメージ・センサの時間的な雑音は、
典型的には、増幅器の雑音レベルによって左右される。

ＭＯＳＦＥＴ増幅器装置を使う場合、雑音レベルは基本
的にはジョンソン（抵抗性）雑音電圧Ｅｎ−（４ＫＴΔ
Ｆ／Ｇｌ、ｌ）１／２によって決定される。こ＼でＫは
ボルツマン定数、Ｔは絶対温度、ΔＦは増幅器の雑音帯
域幅、Ｇ□は前置増幅器全体の等価順方向トランスコン
ダクタンスである。トランスコンダクタンスと雑音帯域
幅が、周囲温度で動作する作像装置の設計で選択するこ
とが出来る只２つのパラメータであることが理解されよ
う。装置のＧｍはドレイン電流の平方根に比例し、増幅
器の（り得（Ｇｍ　ｘＲＬ　１こ’　でＲＬ　は負荷抵
抗）はドレイン電流の平方根に反比例するから、増幅器
の負荷抵抗を増加すると共に、増幅器の利得を増加する
ことによって、実効雑音帯域幅を減少するだけでなく、
同時に増幅器の消費電力を減少することも可能である。

１００程度の利得を持つ典型的な集積回路増幅器を用い
ると、増幅４当たりの消費電力は約５０マイクロワツト
にすることが出来る。ｎ−１，３００個の増幅器を侍つ
作（象装置では、全ての増幅器に対して６５ミリワツト
の合計消費電力にすることは完全に受入れられるもので
ある。例として云うと、この同じ１，３００個の列を持
つセンサでは、合計量−１，０００個（’）行を用いる
。

この発明の別の考えとして、各々の列前買増幅器手段１
４の出力が、線記憶及び多重化手段２０の同様な入力２
０ａ、２０ｂ、・・・・・・、２０ｊ、・・・・・・、
２０ｎに接続される。手段２０は、実質的に各々の行選
択期間の終りに（並列読出し信号電圧の最大増幅時間が
起った後に）発生する（センサ人力１０ｃに）記憶スト
ローブＳＴＲ信号パルスに応答して、その時選択された
行に対するｎ個の列信号電圧の各々を記憶する。記憶ス
トローブ信号が逐次的な多重化動作をも開始する。この
時、関連する記憶位置から記憶されている信号振幅が逐
次的に読出される。即ち、第１の入力２０ａに対応する
第１の記憶位置が読出され、第２の人力２０ｂに対応す
る第２の記憶位置が読出されると云う様になる。ｊ番目
の人力２０ｊに対応する３番目の位置がこの後で読出さ
れる。最後の列信号人力２Ｏｎに対応する最後の記憶位
置が読出されるまで、この過程が続けられる。この様に
逐次的に読出された信号が、センサ出力１０ｄに現れる
出力ビデオ信号である。従って、各々の行（例えば、ｋ
番Ｌ１の行）に対するビデオ信号を形成する直列の逐次
的な信号の読出しが、それからのビデオ信号を求めた特
定の行が非選択になった後、そ１、てその次の、垂直方
向に下側にある行（例えば、（ｋ＋１）番ｌ」の行）が
選択されて、その信号が増幅される期間中に行なイつれ
る。

関連する行線Ｒ１，Ｒ２，・・・・・・、　Ｒｉ、・・
・・・・。

Ｒｍに友々接続された複数個（ｍ個）の出力２２ａ、２
２ｂ、・・・・・・、２２ｉ、・・・・・・、２２ｍを
持つ行注入走査手段２２を１１用して、各々のセルＣ１
゜Ｘからの電荷を注入することが出来る。こ＼でＸは、
１番目の行に沿って０列の全部であり、こうしてセルは
その１番目の行に対する読出し期ｍ）が終了した直後に
、電荷の注入によってクリアされる。こうして、循環的
な電荷注入により、複数個（ｍ個）の行の各々のセルに
光子によって誘起された電荷を収集する為の時間が略同
じになる。

次に第２図について現在好ましいと考えられる実施例を
史に詳しく説明するが、センサ１０′は、画素Ｃ１，１
乃至Ｃｍ、ｎの４×４の配４ダリ１１だけを持つ場合が
示されている。各々の行線Ｒ１゜Ｒ２，・・・・・・、
Ｒｉ、・・・・・・、Ｒｍが、複数個（ｍ個）の行スイ
ッチング装置２４ａ、２４ｂ、　・・・・・・、２４１
、・・・・・・、２４ｎの関連した１つのソース電極に
結合され、これらのスイッチング装置のドレイン電極が
並列に行駆動入力１０′　ｅに結合されている。各々の
装置２４のゲート電極が行（線）走査手段１６の関連す
る出力１６ａ、１６ｂ、・・・・・・。

１６１、・・・・・・、１６ｎに結合されていて、垂直
走査入力１０′　ａの垂直人力パルスに応答して、循環
的な順序で互いに排他的に付勢される。行線Ｒは行電圧
で動作するが、この行電圧は列線見の電圧の大きさより
も大きさが大きく、この為、選択されていない全ての行
にある、行に接続された電極（左側の行電位井戸１１ａ
に関連した）の下に信号電荷が記憶される。特定の１つ
の行走査出力、例えば、出力１６ｉが選択された時にだ
け、関連する行スイッチング装２（２４ｉ）が関連する
行線（Ｒｉ、）の電位を略ゼロの大きさに変え（これは
セルＣｉ、ｘ　（１≦Ｘ≦ｎ）の電位井戸１１ａ′に対
して示す）、これにより行電極の下に記憶された信号型
ＣＩが、列に接続された電極１１ｂの下の位置まで右向
きに移動する。

各々の列線Ｃ１，Ｃ２，・・・・・・、Ｃｊ、・・・・
・・、Ｃｎに列リセット装置２６ａ、２６ｂ、　・・・
・・・、２６ｊ、・・・・・・、２６ｎが接続されてお
り、各々の列リセット装置の制御電極が制御人力１０′
　ｆに接続され、その被制御導電回路が関連する列線か
ら、列駆動電位入力端子１０′　ｇに並列に接続されて
いる。記憶手段が動作した後、列は全て中間電位レベル
Ｖｃにリセットされる。こ＼で０≦ｖｃ≦■１であり、
電位Ｖｃが、端子１０′　ｆのリセット制御パルスによ
り、列駆動人力に供給される。

全ての列電極をリセットした後、列電極は副電圧ＶＣで
浮動するに任せる。列リセット動作により、列電極Ｃに
導入されたＫＴＣ雑音のサンプルが、この後でビデオ出
力信号から減算する為に、相関二重標本化手段（図面に
示してないが、周知である）によって求められる。雑音
標本化動作を、ｍ行の毎回の走査が終了した時、次のｍ
行の走査を開始する前に実施することが出来るのがを利
である。

任意の特定の行が選択される時、行電極の電位を略ゼロ
に下げることにより、第２図の１番目の行について示す
様に、その同じ行に沿った全てのセルに対し、行電極の
下にある電荷が列電極の下の位置（即ち、列電荷記憶キ
ャパシタ）に転送される。この時、各々の列線に電圧が
存在するが、これは（イ）行キャパシタから列キャパシ
タに転送された電荷と、（ロ）列の静電界ごとの商によ
って実質的に決定される。この電圧が各々の前置増幅器
１４にある１対のカスケード接続のＭＯＳＦＥＴ　　３
０の入力ゲート電極に印加される。即ち、セルＣ４，１
からの信号電圧が列線Ｃ１及び増幅器１４−１のＦＥＴ
カスコード３０ａのゲート電極に現れ、セルＣｉ、２か
らの信号電圧が、増幅器１４−２の装置３０ｂの入力ゲ
ートに接続された列線Ｃ２に現れると云う様になる。全
ての第２段装置のゲート電極が略一定の電位Ｖｇ２に並
列に接続される。増幅された信号が関連する１つの負荷
抵抗３２　ａ　ｒ’ｒ至３２ｎの両端に現れる。

この各々の抵抗は負荷抵抗ＲＬを持っている。この発明
でカスコード接続を選んだのは、ソース共通形ＦＥＴ増
幅器に較べて、人力の静電８瓜が一層小さく、出力イン
ピーダンスが一層大きいからである。増幅された信号が
関連する１つの記憶手段の入力２０ａ乃至２０ｎに結合
される。各々の増幅２″ｉ１４の雑音帯域幅は、作像セ
ンサ１０′を用いる装置の行（線）読取期間に見合って
、最小値に抑えられる。

大体各々の線読取期間の終りに発生する、入力１０′　
Ｃの共通に印加される記憶ストローブＳＴＲ信号パルス
により、入力２０の増幅された画素信号が関連する画素
記憶手段２０−１乃至２０−ｎに夫々ストローブされる
。記憶された後、列リセット制御端子１０′　ｆが付勢
され、全ての列線がリセットされる。この後、次の行（
例えば、（ｉ＋１）番ｌ」の行）線が付勢され、その行
に沿ったセルが増幅する為の信号を発生している間、前
の（例えば、１番１１の）行からの値が、逐次的な夫々
１つの画素記憶手段の出力２Ｏ−１ｂ乃至２Ｏ−ｎｂを
、多重化切換え手段３４の逐次的に互いに排他的に付能
される１つを介して、ビデオ出力端子１０′　ｄに逐次
的に結合することによって、画素記憶手段２０から逐次
的に読Ｉ＋：される。

この為、水平入力端子１０′　ｂの水平入力パルスに応
答して、列画素走査手段１８が逐次的に、且つ互いに排
他的にその出力１８ａ、１８ｂ、・・・・・・。

１８ｊ、・・・・・・、１８ｎを付勢し、互いに排他的
に、最初は装置３４ａを導電させて、１番目の画素記憶
手段の出力２４−１ｂをビデオ出力に結合し、その後、
互いに排他的に、２番目の多重化切換え装置３４ｂを付
能して導電させ、２番目の画素記憶手段の出力２４−２
ｂをビデオ出力に接続すると云う様にする。列走査手段
１８の多重化パルスの速度を調節して、人力１０′　ｃ
の次の記憶ストローブＳＴＲパルスより前に、ｎ個の列
記憶手段の全部を走査する。第１図に示す行注入走査手
段２２等を利用した注入動作等により、全ての信号電荷
がクリアされた後に配列から読取られる雑音を減算する
ことにより、ビデオ信号から一層パターンの雑音が除か
れることが理解されよう。別個の行注入走査手段２２を
使うことは、積分期間（電荷注入時刻と読取時刻の間の
期間）を電子的に制御して、電子露出制御及び同様な作
用を行なうことが出来る点でも、有利である。第１図に
見られる様に、カラー・フィルタを配列と一体化して、
種々の色信号がチップ上で分離されていて、別々の出力
に取出される様な１個の集積回路チップカラー・センサ
を形成することにより、カラー・ビデオ信号を発生する
ことも可能であることが理解されよう。追加の線記憶及
び多重化手段２０′及び２０′を利用して、追加のビデ
オ信号出力１０ｄ−１乃至１０ｄ−２に追加の２つのカ
ラー・ビデオ信号の各々を発生する。この為、赤−青−
緑のカラー・ストリップ系を利用する場合、別々の赤−
青一緑のカラー・ビデオ信号の各々が夫々のビデオ出力
端子１０ｄ、１０ｄ−１又は１０ｄ−２に得られる。各
々の行の読取に対する出力ポートを指定し直すことによ
り、集積回路チップ内でチエッカ−盤のカラー・フィル
タ信号を分離することも可能である。並列出力ボートを
使うことにより、１個の出力ポートを使う場合よりも動
作周波数が低くなり、これは雑音帯域幅が史に減少する
ので、更に有利である。

感知配列の各行にある全てのセルを並列に読出す様にし
た、この発明の現在好ましいと考えられる１実施例のＣ
ＩＤイメージ・センサをかなり詳しく説明したが、当業
者にはいろいろな変更が考えられよう。従って、この発
明は特許請求の範囲の記載のみによって限定されるもの
であって、こ−で例として説明した好ましい実施例の特
定の細部及び計器によって制約されるものではないこと
を承知されたい。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明のＣＩＤ作像配列及び周辺電子回路の
簡略ブロック図、 第２図はこの発明の現在好ましいと考えられる実施例の
ＣＩＤイメージ・センサの更に詳しいブロック図である
。 主な符号の説明 Ｃｉｊ：セル １１：配列 １４；ビデオ増幅手段 １６：行選択手段 １８：列選択手段 Ｒ１：行線 Ｃｊ：列線 ２０：記憶及び多重化手段

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、入射光子束に対する感度及びダイナミック・レンジ
   を高くした電荷注入装置（ＣＩＤ）イメージ・センサに
   於て、 何れもｎ列に分けて配置された複数個（ｎ）のセルを持
   つ複数個（ｍ）の行に配置されていて、何れも当該セル
   に入射する光子束の大きさに応答して発生される電荷を
   一時的に記憶するセルの２次元配列と、 （イ）前記複数個（ｎ個）の列の全部に沿って、全ての
   セルをリセットし、（ロ）その後、前記複数個（ｍ個）
   の行の各々を逐次的に走査して、その時選択された該行
   に沿った複数個（ｎ個）のセルの全部から並列に且つ略
   同時に、前記セルがリセットされた後に該セルが受取っ
   た光子束の強度に応答する信号電圧を関連する列線に発
   生させる動作を循環的に逐次的に行なう周辺電子回路手
   段何れも関連する１つの列線の信号電圧を増幅する複数
   個（ｎ個）の電圧前置増幅器手段と、何れも関連する前
   置増幅器手段からの増幅された信号を記憶する複数個（
   ｎ個）の記憶手段と、全ての記憶手段の逐次的なものに
   記憶されている増幅された信号電圧を逐次的に読出して
   、配列に入射した光パターンを表わす少なくとも１つの
   ビデオ信号を発生する手段とを有する電荷注入装置イメ
   ージ・センサ。 ２、各々の前置増幅器手段が、少なくとも１つのＭＯＳ
   ＦＥＴ装置と、少なくとも１つの該装置に結合されてい
   て、その両端に該列からの増幅された信号が現れる負荷
   抵抗とを有する請求項１記載の電荷注入装置イメージ・
   センサ。 ３、前置増幅器手段の等価トランスコンダクタンス（Ｇ
   ＿ｍ）及び前記負荷抵抗の大きさが、各々の前置増幅器
   に、利得、実効雑音帯域幅及び消費電力の内の少なくと
   も２つからなる所望の１組が得られる様に選ばれている
   請求項１記載の電荷注入装置イメージ・センサ。 ４、各々の前置増幅器手段が、逐次的に接続された複数
   個のＭＯＳＦＥＴ装置と、最後の前記装置に結合されて
   いて、その両端に該列からの増幅された信号が現れる負
   荷抵抗とを有する請求項１記載の電荷注入装置イメージ
   ・センサ。 ５、前置増幅器手段の等価トランスコンダクタンス（Ｇ
   ＿ｍ）及び負荷抵抗の大きさが、各々の前置増幅器手段
   に、利得、実効雑音帯域幅及び消費電力の内の少なくと
   も２つからなる所望の１組が得られる様に選ばれている
   請求項４記載の電荷注入装置イメージ・センサ。 ６、各々の前置増幅器手段がカスコード形式に接続され
   た１対のＭＯＳＦＥＴ装置で構成される請求項４記載の
   電荷注入装置イメージ・センサ。 ７、前置増幅器手段の等価トランスコンダクタンス（Ｇ
   ＿ｍ）及び負荷抵抗の大きさが、各々の前置増幅器手段
   に、利得、実効雑音帯域幅及び消費電力の少なくとも２
   つからなる所望の１組が得られる様に選ばれている請求
   項６記載の電荷注入装置イメージ・センサ。 ８、全ての記憶手段が、共通の記憶ストローブ信号に応
   答して、関連した増幅された信号を記憶する請求項１記
   載の電荷注入装置イメージ・センサ。 ９、共通のストローブ信号が、任意の行に沿ったセルか
   ら電荷を読出す各々の期間の略終りに共通のストローブ
   信号が発生される請求項８記載の電荷注入装置イメージ
   ・センサ。 １０、逐次的に読出す手段が、共通のストローブ信号が
   発生される度に、その後１回付能される請求項９記載の
   電荷注入装置イメージ・センサ。 １１、任意の選択された行に沿った各々のセルの中に記
   憶される電荷を注入する手段を有する請求項１記載の電
   荷注入装置イメージ・センサ。 １２、行に注入する手段が、読出されたばかりの行を逐
   次的に注入する為に選択する請求項１１記載の電荷注入
   装置イメージ・センサ。 １３、行に注入する手段が、注入の時刻と読出す時刻の
   間に、可変の積分期間を設定する様に制御可能である請
   求項１２記載の電荷注入装置イメージ・センサ。 １４、前記配列の少なくとも一部分を、入射光子束の複
   数個の異なる波長の各々に感度を持つ様にする手段を有
   し、異なる波長に感度を持つ配列のセルに関連した各々
   の前置増幅器手段及び記憶手段は、記憶されて増幅され
   た信号の同じ複数個の異なる組が利用出来る様にし、更
   に、各々の異なる組の信号を別々のビデオ・カラー信号
   として別々に読出される様にする手段を有する請求項１
   記載の電荷注入装置イメージ・センサ。 １５、３種類の可視波長に感度を持つ請求項１４記載の
   電荷注入装置イメージ・センサ。 １６、配列がｍ＝１，０００行及びｎ＝１，３００列程
   度である請求項１記載の電荷注入装置イメージ・センサ
   。 １７、前記配列と、前記周辺電子回路手段、電圧前置増
   幅器手段、記憶手段及び逐次的に読出す手段の内の少な
   くとも一部分とが、１個の半導体回路チップに集積され
   ている請求項１記載の電荷注入装置イメージ・センサ。