JPH01242495A - β−BaB↓2O↓4単結晶の育成方法 - Google Patents
β−BaB↓2O↓4単結晶の育成方法Info
- Publication number
- JPH01242495A JPH01242495A JP6818188A JP6818188A JPH01242495A JP H01242495 A JPH01242495 A JP H01242495A JP 6818188 A JP6818188 A JP 6818188A JP 6818188 A JP6818188 A JP 6818188A JP H01242495 A JPH01242495 A JP H01242495A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- crystal
- bab2o4
- growing
- bab2o
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、非線形光学結晶である
β−BaB2O+単結晶の育成方法に関する。
(従来の技術)
ある種の結晶に光を照射すると、照射した光の高調波が
得られる現象はいわゆる5HG(Secondary
HarlIlonic Generation )と
して知られている。この様な結晶は非線形光学結晶と呼
ばれる。例えば、YAGレーザの10.6μmの赤外光
を非線形光学結晶に照射すると、1/2の波長の緑の光
が得られる。
得られる現象はいわゆる5HG(Secondary
HarlIlonic Generation )と
して知られている。この様な結晶は非線形光学結晶と呼
ばれる。例えば、YAGレーザの10.6μmの赤外光
を非線形光学結晶に照射すると、1/2の波長の緑の光
が得られる。
SHGの性能を示す指標としては、■変換効率が高いこ
と、■位相整合角(基本波と高調波の位相速度が一致す
る角)が使い易い範囲にあり、しかもそれが広いこと、
■透明で安定であること、等がある。
と、■位相整合角(基本波と高調波の位相速度が一致す
る角)が使い易い範囲にあり、しかもそれが広いこと、
■透明で安定であること、等がある。
SHG結晶として従来知られているものに、KDP、L
iNbO3,β−3aB2O4等がある。しかしこれら
の結晶には一長一短がある。例えば、KDPは水溶性が
あり1.不安定である。
iNbO3,β−3aB2O4等がある。しかしこれら
の結晶には一長一短がある。例えば、KDPは水溶性が
あり1.不安定である。
LiNbO3単結晶は良質のものが得られているが変換
効率が低い。
効率が低い。
これらに対し、β−3a32O4単結晶は、吸湿性がな
く破壊しきい値が2OW/cm2と高く、しかも波長0
.19〜2.5μmまで透明で優れた変換効率を示す(
例えば、C,Chen et al ;Sci、 S
1nica B28 (1985) 235参照)。
く破壊しきい値が2OW/cm2と高く、しかも波長0
.19〜2.5μmまで透明で優れた変換効率を示す(
例えば、C,Chen et al ;Sci、 S
1nica B28 (1985) 235参照)。
ところがこのβ−BaB2O+単結晶は、融点が110
5℃であり、この融点に近い925±5℃にα→βの構
造相転移点をもつ。そして低温相の β−BaB2O+単結晶が前述の優れた特性を示す。こ
のため従来は、この相転移による光学的品質劣化を避け
るため、Na2OまたはNaBO2をフラックスとして
用いて、相転移温度以下で結晶育成を行なっていた。し
かし、フラックスを用いると、どうしても不純物の混入
が避けられず、この結果光学特性の劣化や破壊しきい値
の低下等をもたらす、という問題があった。
5℃であり、この融点に近い925±5℃にα→βの構
造相転移点をもつ。そして低温相の β−BaB2O+単結晶が前述の優れた特性を示す。こ
のため従来は、この相転移による光学的品質劣化を避け
るため、Na2OまたはNaBO2をフラックスとして
用いて、相転移温度以下で結晶育成を行なっていた。し
かし、フラックスを用いると、どうしても不純物の混入
が避けられず、この結果光学特性の劣化や破壊しきい値
の低下等をもたらす、という問題があった。
以上のように、β−BaB2O+単結晶は優れた非線形
光学結晶として注目されているが、従来は相転移を避け
るためフラックス法により育成されており、不純物混入
が避けられないという問題があった。
光学結晶として注目されているが、従来は相転移を避け
るためフラックス法により育成されており、不純物混入
が避けられないという問題があった。
本発明は上記の点に鑑みなされたもので、フラックスレ
スで相転移を生じることなく β−BaB2O4単結晶を育成する方法を提供すること
を目的とする。
スで相転移を生じることなく β−BaB2O4単結晶を育成する方法を提供すること
を目的とする。
[発明の構成]
(1題を解決するための手段)
本発明は、BaOが55.0〜78,0wt%、残部力
82O3である融液を用いてβ−BaB2O+単結晶を
育成し、これを構造相転移温度前後において、10℃/
H以下の冷却速度で徐冷することを特徴とする。
82O3である融液を用いてβ−BaB2O+単結晶を
育成し、これを構造相転移温度前後において、10℃/
H以下の冷却速度で徐冷することを特徴とする。
(作用)
本発明によれば、フラックスレスで
3aB2O+単結晶を育成し、これをその相転移温度前
後で徐冷することによって、 α−BaB2O+を含まない良質の β−BaB2O+単結晶を得ることができる。
後で徐冷することによって、 α−BaB2O+を含まない良質の β−BaB2O+単結晶を得ることができる。
(実施例)
以下、本発明の詳細な説明する。
第1図は、一実施例の結晶引上げ装置を示す。
1は、アルミナで構成された炉体であり、2はヒータ、
3は白金ルツボ、4はルツボ支持台、5はルツボ支持棒
である。ルツボ支持棒5は、炉体1を貫通してルツボの
支持と回転および上下動を行なうものである。6は熱電
対、7は原料融液、8は種結晶9の支持棒である。種結
晶支持棒8は、種結晶9の回転、上下動を行なう。10
は内部観察用窓であり、11は炉内雰囲気制御用ガスの
導入管である。
3は白金ルツボ、4はルツボ支持台、5はルツボ支持棒
である。ルツボ支持棒5は、炉体1を貫通してルツボの
支持と回転および上下動を行なうものである。6は熱電
対、7は原料融液、8は種結晶9の支持棒である。種結
晶支持棒8は、種結晶9の回転、上下動を行なう。10
は内部観察用窓であり、11は炉内雰囲気制御用ガスの
導入管である。
この様な装置を用い、下表の重量比となるように、原料
としてBaCo3と82O3を秤量調合し、これを約2
50CC白金ルツボ3に収容する。
としてBaCo3と82O3を秤量調合し、これを約2
50CC白金ルツボ3に収容する。
そして1150℃で24時間保持した後、この融液にβ
−3a32O+単結晶を種結晶9として接触させ、1時
間当り1℃の割合いで冷却を行ない、結晶を引上げる。
−3a32O+単結晶を種結晶9として接触させ、1時
間当り1℃の割合いで冷却を行ない、結晶を引上げる。
このとき種結晶9は30 rpmで回転させた。そして
引上げ結晶を、950℃から900℃までの範囲を10
時間で、即ち5℃/Hの冷却速度で冷却して、25Ij
!RφX50i*の単結晶を得た。
引上げ結晶を、950℃から900℃までの範囲を10
時間で、即ち5℃/Hの冷却速度で冷却して、25Ij
!RφX50i*の単結晶を得た。
実施例1〜5では全て、β−BaB2O+単結晶が得ら
れた。得られたβ−3aB2O4単結晶は、波長0.1
9〜2.5μ卯で透明であり、アルゴンイオンレーザ光
を照射したところ、0.2573〜0.2273μmの
第2高調波が得られた。比較例1゜2ではβ−3aB2
O+単結晶は得られなかった。
れた。得られたβ−3aB2O4単結晶は、波長0.1
9〜2.5μ卯で透明であり、アルゴンイオンレーザ光
を照射したところ、0.2573〜0.2273μmの
第2高調波が得られた。比較例1゜2ではβ−3aB2
O+単結晶は得られなかった。
また実施例において、結晶引上げ後、950〜900℃
の範囲の冷却を0.5℃/Hで行なった場合、10’C
/l−1で行なった場合とも、良好なβ−BaB2O+
単結晶が得られた。10℃/Hを越える冷却速度で95
0〜900℃の範囲を通過させた場合には、α−BaB
2O4とβ−BaB2O4とからなる多結晶となった。
の範囲の冷却を0.5℃/Hで行なった場合、10’C
/l−1で行なった場合とも、良好なβ−BaB2O+
単結晶が得られた。10℃/Hを越える冷却速度で95
0〜900℃の範囲を通過させた場合には、α−BaB
2O4とβ−BaB2O4とからなる多結晶となった。
なお、原料としては上記実施例で説明したものの他、B
ad、H3803等、高温でBad。
ad、H3803等、高温でBad。
82O3に転化するものであれば、用いることができる
。
。
[発明の効果]
以上述べたように本発明によれば、フラックスレスでB
aB2O+単結晶を引上げ、かつ引上げ結晶を冷却する
際、構造相転移温度前後の範囲を徐冷することによって
、非線形光学結晶として】れた性能を示す良質のβ−8
8B2O4単結晶を得ることができる。
aB2O+単結晶を引上げ、かつ引上げ結晶を冷却する
際、構造相転移温度前後の範囲を徐冷することによって
、非線形光学結晶として】れた性能を示す良質のβ−8
8B2O4単結晶を得ることができる。
第1図は、本発明の一実施例に用いた単結晶引上げ装置
を示す図である。 1・・・アルミナ炉体、2・・・ヒータ、3・・・白金
ルツボ、4・・・ルツボ支持台、5・・・ルツボ支持棒
、6・・・熱電対、7・・・融液、8・・・種結晶支持
棒、9・・・種結晶、10・・・観察用窓、11・・・
ガス導入管。
を示す図である。 1・・・アルミナ炉体、2・・・ヒータ、3・・・白金
ルツボ、4・・・ルツボ支持台、5・・・ルツボ支持棒
、6・・・熱電対、7・・・融液、8・・・種結晶支持
棒、9・・・種結晶、10・・・観察用窓、11・・・
ガス導入管。
Claims (1)
- BaOが55.0〜78.0wt%、残部がB_2O_
3である融液からBaB_2O_4単結晶を引上げ、得
られた結晶をその構造相転移温度前後において10℃/
H以下の速度で徐冷することを特徴とするβ−BaB_
2O_4単結晶の育成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6818188A JPH01242495A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | β−BaB↓2O↓4単結晶の育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6818188A JPH01242495A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | β−BaB↓2O↓4単結晶の育成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01242495A true JPH01242495A (ja) | 1989-09-27 |
Family
ID=13366353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6818188A Pending JPH01242495A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | β−BaB↓2O↓4単結晶の育成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01242495A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02279583A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-15 | Nec Corp | 単結晶育成方法 |
| JPH06252495A (ja) * | 1993-02-24 | 1994-09-09 | Nec Corp | 非線形光学レーザ素子 |
-
1988
- 1988-03-24 JP JP6818188A patent/JPH01242495A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02279583A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-15 | Nec Corp | 単結晶育成方法 |
| JPH06252495A (ja) * | 1993-02-24 | 1994-09-09 | Nec Corp | 非線形光学レーザ素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ballman et al. | Growth of potassium titanyl phosphate (KTP) from molten tungstate melts | |
| US20180202069A1 (en) | Lead oxychloride, infrared nonlinear optical crystal, and preparation method thereof | |
| CN110396721B (zh) | 氟硼铝酸铯化合物、氟硼铝酸铯非线性光学晶体及其制备方法和用途 | |
| Markgraf et al. | Top-seeded solution growth of LiB3O5 | |
| JP3403212B2 (ja) | カリウム−リチウム−ニオブ酸塩結晶の製造方法 | |
| Feigelson et al. | Growth of nonlinear crystals for frequency conversion | |
| US3933990A (en) | Synthesization method of ternary chalcogenides | |
| JPH01241529A (ja) | 非線形光学結晶 | |
| JPH0618949A (ja) | セリウム‐ドープされた光学デバイス | |
| JP2507910B2 (ja) | 酸化物単結晶の製造方法 | |
| Pasupathi et al. | Crystal growth, thermal, optical and microhardness studies of tris (thiourea) magnesium sulphate: a semiorganic nlo material | |
| JP3763423B2 (ja) | 非線形光学材料およびその製造方法 | |
| JPH05270992A (ja) | 光損傷のないニオブ酸リチウム単結晶 | |
| JP3261649B2 (ja) | 光学用四ほう酸リチウム単結晶の育成方法 | |
| JPH03279298A (ja) | NaC1を融剤とするβ―BaB↓2O↓4単結晶の育成法 | |
| JP3317338B2 (ja) | 波長変換結晶及びその製造方法並びにこれを用いたレーザ装置 | |
| JP2807282B2 (ja) | ベータ型メタホウ酸バリウム単結晶の製造方法 | |
| JPS63195198A (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法 | |
| CN120443338A (zh) | 化合物硼酸硝酸锶和硼酸硝酸锶非线性光学晶体及制备方法和用途 | |
| JPH0297490A (ja) | SrB2O4単結晶の製造方法 | |
| JP2773468B2 (ja) | 非線形光学素子およびその加工方法 | |
| Wacker) et al. | Synthesis, crystal growth and characterization of Tl3BX4‐compounds (B= V, Nb, Ta; X= S, Se) | |
| Rudolph | What do we want with fiber crystals? An introductory overview | |
| JP2822543B2 (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| Isaacs et al. | Crystal growth of Tl3VS4 |