JPH01243000A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- JPH01243000A JPH01243000A JP63069327A JP6932788A JPH01243000A JP H01243000 A JPH01243000 A JP H01243000A JP 63069327 A JP63069327 A JP 63069327A JP 6932788 A JP6932788 A JP 6932788A JP H01243000 A JPH01243000 A JP H01243000A
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- JP
- Japan
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- ray
- mask
- wafer
- synchrotron radiation
- mirror
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- Pending
Links
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- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＸ線露光装置に関し、ざらに詳しくは大面積の
Ｘ線マスクパターンを短時間に均一転写することのでき
るＸ線露光装置に関する。
Ｘ線マスクパターンを短時間に均一転写することのでき
るＸ線露光装置に関する。
［従来の技術］
シンクロトロン放射光を使用するＸ線露光装置の原理は
第２図に示すように、蓄積リング１中のシンクロトロン
放射光源２より発せられたシンクロトロン放射光３をＸ
線吸収材によって回路パターンが描かれたＸ線マスク４
を通して被加工物６上のレジスト膜５にパターンを転写
するものである。
第２図に示すように、蓄積リング１中のシンクロトロン
放射光源２より発せられたシンクロトロン放射光３をＸ
線吸収材によって回路パターンが描かれたＸ線マスク４
を通して被加工物６上のレジスト膜５にパターンを転写
するものである。
シンクロトロン放射光３は、電子軌道面に対して平行な
方向には均一であるが、垂直方向には鋭い角度分布を持
つため、放射光源２から約１０ｍ離れた位置でも、幅数
Ｍの均一露光領域しか得られない。従来性われてきた均
一露光領域を拡大する方法としては、例えば１９８３年
に発行された刊行物ニュークリア・インストルメンツ・
アンド・メソッズ（Ｎｕｃｌｅａｒ Ｉｎｓｔｒｕｍｅ
ｎｔｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ＞、 ２０８巻、２８
１〜２８６真に開示されている第２図に示すような振動
するＸ線ミラーによる方法が広く用いられている。すな
わち、第２図において、シンクロトロン放射光３は振動
するＸ線ミラー７によって上下方向に拡大され、Ｘ線マ
スク４を通してＸ線レジスト膜５に照射される。
方向には均一であるが、垂直方向には鋭い角度分布を持
つため、放射光源２から約１０ｍ離れた位置でも、幅数
Ｍの均一露光領域しか得られない。従来性われてきた均
一露光領域を拡大する方法としては、例えば１９８３年
に発行された刊行物ニュークリア・インストルメンツ・
アンド・メソッズ（Ｎｕｃｌｅａｒ Ｉｎｓｔｒｕｍｅ
ｎｔｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ＞、 ２０８巻、２８
１〜２８６真に開示されている第２図に示すような振動
するＸ線ミラーによる方法が広く用いられている。すな
わち、第２図において、シンクロトロン放射光３は振動
するＸ線ミラー７によって上下方向に拡大され、Ｘ線マ
スク４を通してＸ線レジスト膜５に照射される。
［発明が解決しようとする課題］
上記した（を造のＸ線露光装置において、従来、Ｘ４腺
ミラーとしては研摩した石英カラス等の表面に金や白金
を蒸着したものが多く用いられており、この場合、Ｘ線
のミラー照射角を約２度以下として全厚Ｑ」領域で使用
しな【プれば十分な反射率か得られない。そのため、Ｘ
線マスクおよびウェハはほぼ垂直に立てて使用しなけれ
ばならない。一方、Ｘ線露光ではマスクとウェハを０．
１μｍ以下の精度で位置合わぜしなければならないため
、マスクおよびウェハを上記の如く垂直に立てて使用す
ることは精度を維持するうえて非常に難しいという欠点
を有している。
ミラーとしては研摩した石英カラス等の表面に金や白金
を蒸着したものが多く用いられており、この場合、Ｘ線
のミラー照射角を約２度以下として全厚Ｑ」領域で使用
しな【プれば十分な反射率か得られない。そのため、Ｘ
線マスクおよびウェハはほぼ垂直に立てて使用しなけれ
ばならない。一方、Ｘ線露光ではマスクとウェハを０．
１μｍ以下の精度で位置合わぜしなければならないため
、マスクおよびウェハを上記の如く垂直に立てて使用す
ることは精度を維持するうえて非常に難しいという欠点
を有している。
本発明の目的は、このような従来の問題点を除去し、従
来よりも作業性良く、高精度の露光を大面積にわたって
均一に行うことのできるＸ線露光装置を提供することに
おる。
来よりも作業性良く、高精度の露光を大面積にわたって
均一に行うことのできるＸ線露光装置を提供することに
おる。
［課題を解決するための手段］
本発明は、シンクロトロン放射光源から放射されるシン
クロトロン放射光を振動するＸ線ミラーで反則させ、Ｘ
線マスクを通してＸ線レジストが塗布された被加工物上
に照射してなるＸ線露光装置において、前記Ｘ線ミラー
として重元素と軽元素を交互に積層した多層膜厚１３；
１鏡を用いることを特徴とするＸ線露光装置である。
クロトロン放射光を振動するＸ線ミラーで反則させ、Ｘ
線マスクを通してＸ線レジストが塗布された被加工物上
に照射してなるＸ線露光装置において、前記Ｘ線ミラー
として重元素と軽元素を交互に積層した多層膜厚１３；
１鏡を用いることを特徴とするＸ線露光装置である。
本発明において用いられる多層膜反射鏡は単元素、例え
ばタングステンと、軽元素、例えばベリリウムを交互に
積層したもので、その周期は故人から数十層のものが好
ましい。
ばタングステンと、軽元素、例えばベリリウムを交互に
積層したもので、その周期は故人から数十層のものが好
ましい。
［作用］
Ｘ線露光に使用されるＸ線の波長は５〜２０への間で、
物質によって非常に吸収され易いため、従来技術によっ
てＸ線ミラーで反則させるためにはミラー面に対してＸ
線を２度以下の浅い角度で照射させなければならない。
物質によって非常に吸収され易いため、従来技術によっ
てＸ線ミラーで反則させるためにはミラー面に対してＸ
線を２度以下の浅い角度で照射させなければならない。
本発明においてはＸ線ミラーの代りに多層膜反射鏡を用
いる。多層膜反射鏡はＸ線の照射角を大きくしても特定
波長のＸ線を大きな反則率で反Ｑ４させることができる
ため、マスクおよびウェハをより水平に近い角度で設置
可能となる。
いる。多層膜反射鏡はＸ線の照射角を大きくしても特定
波長のＸ線を大きな反則率で反Ｑ４させることができる
ため、マスクおよびウェハをより水平に近い角度で設置
可能となる。
［実施例］
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明に係るＸ線露光装置の一実施例を示すＮ
略構成図である。構成は第２図とほぼ同じなので、同一
構成部分には同一番号を付してその説明を省略する。た
だし、本実施例では第２図のＸ線ミラー７の代りに多層
膜反射鏡１７が用いられている。
略構成図である。構成は第２図とほぼ同じなので、同一
構成部分には同一番号を付してその説明を省略する。た
だし、本実施例では第２図のＸ線ミラー７の代りに多層
膜反射鏡１７が用いられている。
多層膜反射鏡１７は、シリコン等の母材上に重元素（例
えばタングステン）と軽元素（例えばベリリウム）の層
を数層ないし数十層周期的に積み車ねたもので、Ｘ線の
照射角を大きくしても特定波長のＸ線を３０〜５０％の
反射率で反射させることができる。照射角、Ｘ線波長お
よび反則率の関係は材料の種類と膜の積層させる周期に
よって決定される。従って、第１図に示すように、照射
角を大きくしても反則率を大きくとることができ、マス
クとウェハを水平に近い角度で設置することができる。
えばタングステン）と軽元素（例えばベリリウム）の層
を数層ないし数十層周期的に積み車ねたもので、Ｘ線の
照射角を大きくしても特定波長のＸ線を３０〜５０％の
反射率で反射させることができる。照射角、Ｘ線波長お
よび反則率の関係は材料の種類と膜の積層させる周期に
よって決定される。従って、第１図に示すように、照射
角を大きくしても反則率を大きくとることができ、マス
クとウェハを水平に近い角度で設置することができる。
例えば、照射角を４５°とすればマスクおよびウェハの
ステージを水平にすることができ、高精度の位置合わせ
をするうえで有利となる。また、この場合には従来の電
子線励起型Ｘ線露光装置で使用されている水平型のマス
クおよびウェハステージをそのまま使用できる。
ステージを水平にすることができ、高精度の位置合わせ
をするうえで有利となる。また、この場合には従来の電
子線励起型Ｘ線露光装置で使用されている水平型のマス
クおよびウェハステージをそのまま使用できる。
以上のようにしてシンクロトロン放射光を使用するＸ線
露光を大面積にわたって均一に行うことができた。
露光を大面積にわたって均一に行うことができた。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、シンクロトロン
放射光を用いて大面積の均一露光を行う際、マスクおよ
びウェハを水平置きにすることが可能となり、作業性の
向上が達成されると共に、高精度のＸ線露光を行うこと
ができる。
放射光を用いて大面積の均一露光を行う際、マスクおよ
びウェハを水平置きにすることが可能となり、作業性の
向上が達成されると共に、高精度のＸ線露光を行うこと
ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す概略構成図、第２図は
従来のＸ線露光装置の一例を示す概略構成図である。 １・・・蓄積リング ２・・・シンクロトロン放射光源 ３・・・シンクロトロン敢剣光 ４・・・Ｘ￥、泉マスク ５・・・レジスト膜６
・・・被加工物 ７・・・Ｘ線ミラー１７・・
・多層膜反Ｑ＝１鏡 代 理 人 弁理士 舘 野 千恵子＆ 第１図 第２図
従来のＸ線露光装置の一例を示す概略構成図である。 １・・・蓄積リング ２・・・シンクロトロン放射光源 ３・・・シンクロトロン敢剣光 ４・・・Ｘ￥、泉マスク ５・・・レジスト膜６
・・・被加工物 ７・・・Ｘ線ミラー１７・・
・多層膜反Ｑ＝１鏡 代 理 人 弁理士 舘 野 千恵子＆ 第１図 第２図
Claims (1)
- （１）シンクロトロン放射光源から放射されるシンクロ
トロン放射光を振動するＸ線ミラーで反射させ、Ｘ線マ
スクを通してＸ線レジストが塗布された被加工物上に照
射してなるＸ線露光装置において、前記Ｘ線ミラーとし
て重元素と軽元素を交互に積層した多層膜反射鏡を用い
ることを特徴とするＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63069327A JPH01243000A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63069327A JPH01243000A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01243000A true JPH01243000A (ja) | 1989-09-27 |
Family
ID=13399343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63069327A Pending JPH01243000A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01243000A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020025055A (ko) * | 2000-09-27 | 2002-04-03 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 노광 방법, 노광 장치, ｘ선 마스크, 레지스트, 반도체장치 및 미세 구조체 |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP63069327A patent/JPH01243000A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020025055A (ko) * | 2000-09-27 | 2002-04-03 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 노광 방법, 노광 장치, ｘ선 마스크, 레지스트, 반도체장치 및 미세 구조체 |
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