JPH01245165A - 電圧検出回路 - Google Patents
電圧検出回路Info
- Publication number
- JPH01245165A JPH01245165A JP63074002A JP7400288A JPH01245165A JP H01245165 A JPH01245165 A JP H01245165A JP 63074002 A JP63074002 A JP 63074002A JP 7400288 A JP7400288 A JP 7400288A JP H01245165 A JPH01245165 A JP H01245165A
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- JP
- Japan
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- resistance
- resistor
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- laser beam
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/22—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming
- H01C17/24—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming by removing or adding resistive material
- H01C17/242—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming by removing or adding resistive material by laser
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/80—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple passive components, e.g. resistors, capacitors or inductors
- H10D86/85—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple passive components, e.g. resistors, capacitors or inductors characterised by only passive components
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電圧検出回路の調整法に関するものである。
本発明は、従来の電圧検出回路の調整法であるアルミ配
線部分のエツチングの換わりに、ポリシリコン抵抗もし
くは、アルミ配線をレーザー光線によって、切断する調
整法を提供するものであり、これによって歩留りの高い
電圧検出回路を供給するものである。
線部分のエツチングの換わりに、ポリシリコン抵抗もし
くは、アルミ配線をレーザー光線によって、切断する調
整法を提供するものであり、これによって歩留りの高い
電圧検出回路を供給するものである。
従来の電圧検出回路の回路図を第２図に示す。
基準電圧回路ｌと抵抗群２から取り出された電圧は、コ
ンパレータ３で比較され、インバータ４及び５によって
増幅される。したがって、抵抗群２から取り出された電
圧が、基準電圧より小さければ、出力６には低電圧が、
逆に抵抗群２から取り出された電圧が基準電圧より大き
ければ、出力６には高電圧が出力される。
ンパレータ３で比較され、インバータ４及び５によって
増幅される。したがって、抵抗群２から取り出された電
圧が、基準電圧より小さければ、出力６には低電圧が、
逆に抵抗群２から取り出された電圧が基準電圧より大き
ければ、出力６には高電圧が出力される。
本電圧検出回路を、集積回路（以下、ＩＣと呼ぶ）化し
た場合、次のような問題点が発生する。
た場合、次のような問題点が発生する。
前記出力６が、低電圧から高電圧に変化する時の端子６
に印加される電圧を解除電圧Ｖｄｅｔ”と呼ぶと、Ｖｄ
ｅｔ’は式＋１１のように表わされる。
に印加される電圧を解除電圧Ｖｄｅｔ”と呼ぶと、Ｖｄ
ｅｔ’は式＋１１のように表わされる。
Ｒ１＋ Ｒｚ
Ｖｄｅｔ’″＝ Ｘ Ｖ ｒｅｆ −・
−（１）ｚ ここでＲ１は、第２図の抵抗Ｒ１であり、Ｒ２は第２図
の抵抗Ｒ２であり、Ｖｒｅｆは、基準電圧回路１の出力
電圧である。
−（１）ｚ ここでＲ１は、第２図の抵抗Ｒ１であり、Ｒ２は第２図
の抵抗Ｒ２であり、Ｖｒｅｆは、基準電圧回路１の出力
電圧である。
弐＋１１から明らかなように、ある所望のＶｄｅｔ’値
を得るためには、Ｒ，、Ｒｚ、Ｖｒｅｆを適当な値に設
定すれば良い。しかし、ＩＣ化した場合には、Ｒ，、Ｒ
ｇ及びＶｒｅｆの絶対値は、プロセスが変動することに
より、ねらい値から大きくずれてしまうことは周知のこ
とである。とりわけ本電圧検出回路をＩＣ化した場合に
は、式ｆｌｌ中の基準電圧Ｖｒｅｆが大きく変動してし
まい、所望のＶｄｅｔ”が得られない。そこで、式ｆｉ
ｌ中の抵抗Ｒ１の値を調整することにより、所望のＶｄ
ｅｔ’値を得ている。
を得るためには、Ｒ，、Ｒｚ、Ｖｒｅｆを適当な値に設
定すれば良い。しかし、ＩＣ化した場合には、Ｒ，、Ｒ
ｇ及びＶｒｅｆの絶対値は、プロセスが変動することに
より、ねらい値から大きくずれてしまうことは周知のこ
とである。とりわけ本電圧検出回路をＩＣ化した場合に
は、式ｆｌｌ中の基準電圧Ｖｒｅｆが大きく変動してし
まい、所望のＶｄｅｔ”が得られない。そこで、式ｆｉ
ｌ中の抵抗Ｒ１の値を調整することにより、所望のＶｄ
ｅｔ’値を得ている。
以下、前記抵抗Ｒ１の従来の調整法を説明する。
第３図に、従来の抵抗Ｒ１だけを抜き出した回路図を示
す。抵抗Ｒａ、 Ｒｈ、 Ｒｅ、 Ｒｄ、 Ｒｅ、 Ｒ
ｆは直列に接続され、かつ、それぞれの抵抗に並列にア
ルミ配線が施されている。ＩＣ化プロセスによって基準
電圧回路が形成された後、基準電圧Ｖｒｅｆを測定し、
その値を式（１１に代入し、所望の％Ｉｄｅｔ”値が得
られる抵抗比（Ｒ＋ ＋ Ｒｚ）／ＲｚＯ値を求める。
す。抵抗Ｒａ、 Ｒｈ、 Ｒｅ、 Ｒｄ、 Ｒｅ、 Ｒ
ｆは直列に接続され、かつ、それぞれの抵抗に並列にア
ルミ配線が施されている。ＩＣ化プロセスによって基準
電圧回路が形成された後、基準電圧Ｖｒｅｆを測定し、
その値を式（１１に代入し、所望の％Ｉｄｅｔ”値が得
られる抵抗比（Ｒ＋ ＋ Ｒｚ）／ＲｚＯ値を求める。
この抵抗比の値から、抵抗Ｒ１の値を換算し、切断すべ
きアルミ配線の箇所を決める０例えば、抵抗Ｒ１の値が
、Ｒｅ＋ＲｆＯ値が必要だとすると、エツチング処理に
より抵抗ＲｅとＲｆに並列に接続されたアルミ配線部分
を切断する。これにより抵抗Ｒ５の値は、Ｒｅ＋Ｒｆの
ｆ直になる。
きアルミ配線の箇所を決める０例えば、抵抗Ｒ１の値が
、Ｒｅ＋ＲｆＯ値が必要だとすると、エツチング処理に
より抵抗ＲｅとＲｆに並列に接続されたアルミ配線部分
を切断する。これにより抵抗Ｒ５の値は、Ｒｅ＋Ｒｆの
ｆ直になる。
しかし、上記のようなアルミ配線のエツチングによる調
整方法をとると、ＩＣウェハー上にすべての千ノブの抵
抗しの値が、Ｒｅ＋Ｒｆの値になってしまう。これは、
歩留りを悪くするという問題を引き起こす。この理由は
、前記プロセスの変動がＩＣウェハー内でも発生するた
めである。例えば、ウェハー内の右側と左側のチップで
は、前記基準電圧νｒｅｆから決めた抵抗値Ｒ，の値が
、左側のチップでは適用できないためである。
整方法をとると、ＩＣウェハー上にすべての千ノブの抵
抗しの値が、Ｒｅ＋Ｒｆの値になってしまう。これは、
歩留りを悪くするという問題を引き起こす。この理由は
、前記プロセスの変動がＩＣウェハー内でも発生するた
めである。例えば、ウェハー内の右側と左側のチップで
は、前記基準電圧νｒｅｆから決めた抵抗値Ｒ，の値が
、左側のチップでは適用できないためである。
本発明は、従来の技術の課題を解決することを目的とし
、とりわけ、歩留りの高い電圧検出回路を提供できた。
、とりわけ、歩留りの高い電圧検出回路を提供できた。
具体的には、従来アルミ配線のエツチングによる調整法
の換わりに、抵抗Ｒ１に付加されたポリシリコン抵抗も
しくはアルミ配線を、レーザー光線（例えば、テラダイ
ン社のＭ１１８レーザリペア装置）によって、所望の箇
所だけ切断することによって、抵抗Ｒ１の値を調整し、
所望のＶｄｅｔ”値を得るものである。
の換わりに、抵抗Ｒ１に付加されたポリシリコン抵抗も
しくはアルミ配線を、レーザー光線（例えば、テラダイ
ン社のＭ１１８レーザリペア装置）によって、所望の箇
所だけ切断することによって、抵抗Ｒ１の値を調整し、
所望のＶｄｅｔ”値を得るものである。
以下、図面に従って本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は、第２図の抵抗Ｒ１の部分だけを抜き出し、か
つ、本発明のポリシリコン抵抗または、アルミ配線の部
分を付加した回路図である。
つ、本発明のポリシリコン抵抗または、アルミ配線の部
分を付加した回路図である。
抵抗Ｒａ−Ｒｆは、第３図と同様である。さらに、各抵
抗Ｒａ”Ｒｆのそれぞれの接続点と抵抗Ｒａの一端がポ
リシリコン抵抗、もしくはアルミ配線で形成されたレー
ザー光線で切断できるリンク部材１５〜２０で接続され
ている。
抗Ｒａ”Ｒｆのそれぞれの接続点と抵抗Ｒａの一端がポ
リシリコン抵抗、もしくはアルミ配線で形成されたレー
ザー光線で切断できるリンク部材１５〜２０で接続され
ている。
以下、調整法について説明する。形成された基準電圧回
路１の基準電圧Ｖｒｅｆを測定し、式（１）から所望の
Ｖｄｅｔ”値が得られる抵抗比（Ｒ１＋Ｉｈ）／Ｒ２を
求め、その抵抗比から抵抗Ｒ１の値を計算するまでは従
来と同様である。例えば、抵抗Ｒ０の値として、前記の
例のようにＲｅ ＋ Ｒｆの値が必要になったとすると
、レーザー光線によってリンク部材１９．２０を切断す
る。ここで、各リンク部材１５〜２０の抵抗値は抵抗Ｒ
ａ＝Ｒｆの抵抗値より小さい値にしておけば抵抗Ｒ１の
値はほとんどＲｅ ＋ Ｒｆの値になる。実際には、抵
抗ＲａｗＲｆの値は数十にΩ〜数ＭΩの値であり、一方
、リンク部材１５〜２０の抵抗値は、数十Ωのオーダー
である。上記説明では、リンク部材としてポリシリコン
抵抗を用いた場合を想定したが、リンク部材にアルミを
用いれば、抵抗Ｒ１の値は、よりＲｅ ＋ Ｒｆの値に
近づくわけである。
路１の基準電圧Ｖｒｅｆを測定し、式（１）から所望の
Ｖｄｅｔ”値が得られる抵抗比（Ｒ１＋Ｉｈ）／Ｒ２を
求め、その抵抗比から抵抗Ｒ１の値を計算するまでは従
来と同様である。例えば、抵抗Ｒ０の値として、前記の
例のようにＲｅ ＋ Ｒｆの値が必要になったとすると
、レーザー光線によってリンク部材１９．２０を切断す
る。ここで、各リンク部材１５〜２０の抵抗値は抵抗Ｒ
ａ＝Ｒｆの抵抗値より小さい値にしておけば抵抗Ｒ１の
値はほとんどＲｅ ＋ Ｒｆの値になる。実際には、抵
抗ＲａｗＲｆの値は数十にΩ〜数ＭΩの値であり、一方
、リンク部材１５〜２０の抵抗値は、数十Ωのオーダー
である。上記説明では、リンク部材としてポリシリコン
抵抗を用いた場合を想定したが、リンク部材にアルミを
用いれば、抵抗Ｒ１の値は、よりＲｅ ＋ Ｒｆの値に
近づくわけである。
以上の調整法をＩＣウェハーの各チップ毎に実装すれば
、ウェハー内で基準電圧Ｖｒｅｆが変動しても、それに
合ったＲ１の値をレーザー光線によるリンク部材の切断
で得ることができる。
、ウェハー内で基準電圧Ｖｒｅｆが変動しても、それに
合ったＲ１の値をレーザー光線によるリンク部材の切断
で得ることができる。
本発明の他の実施例を第４図に示す。抵抗Ｒａ〜Ｒｆと
並列に、リンク部材１５〜２０が接続されている。
並列に、リンク部材１５〜２０が接続されている。
調整法については、実施例１と同様に所望の抵抗値を持
つ抵抗と並列に接続されているリンク部材を、レーザー
光線によって切断するφ 〔発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば、抵抗に付加されたリ
ンク部材を基準電圧値から算出された箇所だけ、レーザ
ー光線によって切断することによって、所望のＶｄｅｔ
“値を得ることができる。これを１チツプ毎に行なうこ
とによって、歩留りの良い電圧検出回路を提供できると
いう効果がある。
つ抵抗と並列に接続されているリンク部材を、レーザー
光線によって切断するφ 〔発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば、抵抗に付加されたリ
ンク部材を基準電圧値から算出された箇所だけ、レーザ
ー光線によって切断することによって、所望のＶｄｅｔ
“値を得ることができる。これを１チツプ毎に行なうこ
とによって、歩留りの良い電圧検出回路を提供できると
いう効果がある。
第１図は本発明の抵抗部の回路図、第２図は従来の電圧
検出回路図、第３図は第２図の抵抗部の詳細図、第４図
は本発明の抵抗部の回路図である。 １５〜２０・・・・リンク部材 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 本完明ρ抵抗Ｒ１の一冥お１列の回路図第１図 従来の電圧イ突出回路の回路図 第２図
検出回路図、第３図は第２図の抵抗部の詳細図、第４図
は本発明の抵抗部の回路図である。 １５〜２０・・・・リンク部材 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 本完明ρ抵抗Ｒ１の一冥お１列の回路図第１図 従来の電圧イ突出回路の回路図 第２図
Claims (1)
- 基準電圧回路と、抵抗からなる電圧検出回路において
、前記抵抗に、レーザー光線によって切断できる複数の
部材を付加し、前記基準電圧回路から出力される基準電
圧値に応じて、前記部材をレーザー光線によって、全部
もしくはその一部を切断することを特徴とした電圧検出
回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63074002A JPH01245165A (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 電圧検出回路 |
| KR1019890003821A KR890015030A (ko) | 1988-03-28 | 1989-03-27 | 전압 검출회로 |
| EP19890303003 EP0335634A3 (en) | 1988-03-28 | 1989-03-28 | Integrated circuit incorporating a voltage detector circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63074002A JPH01245165A (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 電圧検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01245165A true JPH01245165A (ja) | 1989-09-29 |
Family
ID=13534433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63074002A Pending JPH01245165A (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 電圧検出回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0335634A3 (ja) |
| JP (1) | JPH01245165A (ja) |
| KR (1) | KR890015030A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100346164C (zh) * | 2002-11-14 | 2007-10-31 | 精工电子有限公司 | 电压检测电路 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3030620A1 (de) * | 1980-08-13 | 1982-03-11 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Anordnung zur aenderung der elektrischen schaltungskonfiguration von integrierten halbleiterschaltkreisen |
| JPS58500820A (ja) * | 1981-05-27 | 1983-05-19 | マステク、コ−パレイシヤン | 集積回路作動方法および集積回路作動電力制御回路 |
-
1988
- 1988-03-28 JP JP63074002A patent/JPH01245165A/ja active Pending
-
1989
- 1989-03-27 KR KR1019890003821A patent/KR890015030A/ko not_active Abandoned
- 1989-03-28 EP EP19890303003 patent/EP0335634A3/en not_active Ceased
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100346164C (zh) * | 2002-11-14 | 2007-10-31 | 精工电子有限公司 | 电压检测电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0335634A3 (en) | 1990-11-28 |
| KR890015030A (ko) | 1989-10-28 |
| EP0335634A2 (en) | 1989-10-04 |
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