JPH01246251A - フエニルエーテル誘導体 - Google Patents
フエニルエーテル誘導体Info
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- JPH01246251A JPH01246251A JP63073366A JP7336688A JPH01246251A JP H01246251 A JPH01246251 A JP H01246251A JP 63073366 A JP63073366 A JP 63073366A JP 7336688 A JP7336688 A JP 7336688A JP H01246251 A JPH01246251 A JP H01246251A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は下記式(I)
式中、2はCXまたは窒素原子を示し、ここで、Xは水
素原子またはハロゲン原子を示し、R1及びR3はそれ
ぞれ独立して低級アルキル基を示し R2は水素原子ま
たは低級アルキルを示す、 で表わされる従来の文献に未載のフェニルエーテル誘導
体に関する。上記式(I)の新規な化合物は除草剤とし
て非常に有用な下記式(n)で表わされるフェニルエー
テル類を製造するための重要な中間体である。
素原子またはハロゲン原子を示し、R1及びR3はそれ
ぞれ独立して低級アルキル基を示し R2は水素原子ま
たは低級アルキルを示す、 で表わされる従来の文献に未載のフェニルエーテル誘導
体に関する。上記式(I)の新規な化合物は除草剤とし
て非常に有用な下記式(n)で表わされるフェニルエー
テル類を製造するための重要な中間体である。
上記式(n)において、ZはCXまたは窒素原子を示し
、ここで、Xは水素原子またはハロゲン原子を示し、R
4及びR″はそれぞれ独立して低級アルキル基、低級ア
ルケニル基、低級アルキニル基、置換されていてR’0 し、ここで、R6は水素原子または低級アルキルを示し
、YはOR’またはSR’を示し、ここでR7は置換さ
れていてもよい低級アルキル基、置換されていてもよい
シクロアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基
、置換されていてもよいアルキニル基、水素原子または
農学的可溶性塩イオンを示し R8は低級アルキル基を
示す。
、ここで、Xは水素原子またはハロゲン原子を示し、R
4及びR″はそれぞれ独立して低級アルキル基、低級ア
ルケニル基、低級アルキニル基、置換されていてR’0 し、ここで、R6は水素原子または低級アルキルを示し
、YはOR’またはSR’を示し、ここでR7は置換さ
れていてもよい低級アルキル基、置換されていてもよい
シクロアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基
、置換されていてもよいアルキニル基、水素原子または
農学的可溶性塩イオンを示し R8は低級アルキル基を
示す。
参照:特開昭62−201860号公報、特願昭61−
315442号、 特願昭61−315443号。
315442号、 特願昭61−315443号。
前記式(I[)の化合物は低減された施用量で高い殺草
活性を示し広い殺草スペクトラム、優れた選択的除草作
用を有する優れた除草活性化合物である。
活性を示し広い殺草スペクトラム、優れた選択的除草作
用を有する優れた除草活性化合物である。
先行技術
従来、前記式(n)の化合物の製造方法として下記反応
式Aに示す工程に従い合成する方法が知られている[J
、E、J 0HNSON et al、、 J 。
式Aに示す工程に従い合成する方法が知られている[J
、E、J 0HNSON et al、、 J 。
Org、Chem、36 、284 、 l 971
、特開昭62−201860号公報参照]。
、特開昭62−201860号公報参照]。
しかしながら、アミド化の工程において使用する原料の
アルコキシアミン(NH,R’)は、入手が困難であり
、又は高価である。さらに、上記アルキル化の工程にお
いて、塩基の存在下でハロゲン化合物を反応させる方法
では、0−アルキル化の選択性が悪く非常に低収率であ
るという欠点を有している。
アルコキシアミン(NH,R’)は、入手が困難であり
、又は高価である。さらに、上記アルキル化の工程にお
いて、塩基の存在下でハロゲン化合物を反応させる方法
では、0−アルキル化の選択性が悪く非常に低収率であ
るという欠点を有している。
また、アルキル化の工程において前記式中R5がメチル
基の場合には、ジアゾメタンを用いることが可能である
が、ジアゾメタンは高価であり、毒性、爆発性が強く工
業的には使用できないとい゛う欠点を有している。
基の場合には、ジアゾメタンを用いることが可能である
が、ジアゾメタンは高価であり、毒性、爆発性が強く工
業的には使用できないとい゛う欠点を有している。
解決すべき課題
本発明の目的は、優れた除草活性化合物である前記式(
n)の化合物を、入手し易い安価な原料を用いて、短い
反応工程で製造する方法を見い出すことである。
n)の化合物を、入手し易い安価な原料を用いて、短い
反応工程で製造する方法を見い出すことである。
発明の要旨
本発明者らは、少ない施用量で高い除草活性を示し、殺
草スペクトラムが広く且つ主要作物に良好な選択性を有
する前記式(II)で表わされるジフェニルエーテル類
の工業的製法を確立すべく鋭意研究努力を重ねた。
草スペクトラムが広く且つ主要作物に良好な選択性を有
する前記式(II)で表わされるジフェニルエーテル類
の工業的製法を確立すべく鋭意研究努力を重ねた。
その結果、前記式(1)で表わされる従来の文献に未載
の化合物が、除草剤として非常に有用な前記式(II)
で表わされるジフェニルエーテル類を工業的に製造する
上で、重要な中間体であることを見い出した。
の化合物が、除草剤として非常に有用な前記式(II)
で表わされるジフェニルエーテル類を工業的に製造する
上で、重要な中間体であることを見い出した。
かくして、本発明によれば、下記式(I)式中、2はC
Xまたは窒素原子を示し、ここで、Xは水素原子または
ハロゲン原子を示し、R1及びR3はそれぞれ独立して
低級アルキル基を示し R2は水素原子または低級アル
キル基を示す、 で表わされるフェニルエーテル誘導体が提供される。
Xまたは窒素原子を示し、ここで、Xは水素原子または
ハロゲン原子を示し、R1及びR3はそれぞれ独立して
低級アルキル基を示し R2は水素原子または低級アル
キル基を示す、 で表わされるフェニルエーテル誘導体が提供される。
本発明の上記式(I)で表わされるフェニルエーテル誘
導体は、ベンゼン環上(B環と呼ぶことがある)の置換
アリールオキシ基のメタ位にヒドロキシム酸部分が結合
している点に構造上の特徴を有しており、例えば、ニト
ロ化することによりl工程で、前記式(II)で表わさ
れるフェニルエーテル類を製造することができるという
非常に有用な中間体である。
導体は、ベンゼン環上(B環と呼ぶことがある)の置換
アリールオキシ基のメタ位にヒドロキシム酸部分が結合
している点に構造上の特徴を有しており、例えば、ニト
ロ化することによりl工程で、前記式(II)で表わさ
れるフェニルエーテル類を製造することができるという
非常に有用な中間体である。
発明の詳細な説明
本発明の前記式(I)で表わされるフェニルエーテル誘
導体において、Xのハロゲン原子としてはたとえばフッ
素、塩素、臭素またはヨウ素原子が挙げられる。これら
の中でも特にフッ素または塩素原子が好ましい。
導体において、Xのハロゲン原子としてはたとえばフッ
素、塩素、臭素またはヨウ素原子が挙げられる。これら
の中でも特にフッ素または塩素原子が好ましい。
本明細書において「低級」なる語はこの語が付された原
子団または化合物の炭素原子数が6個以下、好ましくは
4個以下であることを意味する。
子団または化合物の炭素原子数が6個以下、好ましくは
4個以下であることを意味する。
かくして、前記式(1)においてR1、R2またはR3
によって示される「低級アルキル基」は直鎖状または分
岐鎖状のいずれのタイプのものであってもよく、例えば
メチル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、n−ブ
チル、S−ブチル、l−ブチル、E−ブチル、n−アミ
ル基等が挙げられる。
によって示される「低級アルキル基」は直鎖状または分
岐鎖状のいずれのタイプのものであってもよく、例えば
メチル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、n−ブ
チル、S−ブチル、l−ブチル、E−ブチル、n−アミ
ル基等が挙げられる。
前記式(I)で表わされる化合物は立体異性体(Syn
型及びAnti型)として存在しうるが、これらはいず
れも本発明の範囲内にあることを理解すべきである。
型及びAnti型)として存在しうるが、これらはいず
れも本発明の範囲内にあることを理解すべきである。
前記式(1)で表わされる本発明の化合物は例えば下記
に示す反応により製造することができる。
に示す反応により製造することができる。
反応式B
式中、Z、R’、R”及びR3は前記定義と同じであり
、Lは脱離性基を示す。
、Lは脱離性基を示す。
即ち、3−(置換アリールオキシ)ベンゾヒドロキシム
酸○−アルキルエーテル誘導体(II[) 、!:化合
物(IV)を、塩基の存在下に有機溶媒中で反応させる
ことにより本発明の化合物(I)を製造することができ
る。
酸○−アルキルエーテル誘導体(II[) 、!:化合
物(IV)を、塩基の存在下に有機溶媒中で反応させる
ことにより本発明の化合物(I)を製造することができ
る。
上記反応式Bに示す反応は化合物(■)1モル当り化合
物(IV)を一般に1〜5モル、好ましくは1〜3モル
用い、通常−50℃乃至溶媒の還流温度、好ましくは一
10℃乃至80度付近の温度で、通常0.5乃至20時
間行われる。
物(IV)を一般に1〜5モル、好ましくは1〜3モル
用い、通常−50℃乃至溶媒の還流温度、好ましくは一
10℃乃至80度付近の温度で、通常0.5乃至20時
間行われる。
上記化合物CN)における脱離性基りとしては、例えば
塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子、ベンゼンスル
ホニルオキシTi、p−hルエンスルホニルオキシ基、
メタンスルホニルオキシ基、トリプルオロメタンスルホ
ニルオキシ基等を挙げることができる。
塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子、ベンゼンスル
ホニルオキシTi、p−hルエンスルホニルオキシ基、
メタンスルホニルオキシ基、トリプルオロメタンスルホ
ニルオキシ基等を挙げることができる。
また、上記反応において使用される溶媒としては、例え
ばメタノール、エタノール等のアルコール類;ベンゼン
、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素:テトラヒド
ロフラン、ジオキサン等のエーテル類;クロロホルム、
塩化メチレン等のハロゲン化炭化水素;アセトン、アセ
トニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド、N−メチルピロリドン等の有機溶媒及びこれらの
溶媒と水との混合溶媒が挙げられる。
ばメタノール、エタノール等のアルコール類;ベンゼン
、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素:テトラヒド
ロフラン、ジオキサン等のエーテル類;クロロホルム、
塩化メチレン等のハロゲン化炭化水素;アセトン、アセ
トニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド、N−メチルピロリドン等の有機溶媒及びこれらの
溶媒と水との混合溶媒が挙げられる。
さらに、使用しうる塩基としては、ナトリウムメトキサ
イド、ナトリウムニドキサイド、水素化ナトリウム、カ
リウムt−ブトキサイドなどのアルコキサイド類;水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸
カリウムなどのアルカリ類等を例示することができる。
イド、ナトリウムニドキサイド、水素化ナトリウム、カ
リウムt−ブトキサイドなどのアルコキサイド類;水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸
カリウムなどのアルカリ類等を例示することができる。
上記反応は2層系中で行うこともでき、その場合は、テ
トラブチルアンモニウムブロマイド、べンジルトリエチ
ルアンモニウムクロライド、ベンジルトリブチルアンモ
ニウムクロライド等の四級アンモニウム塩:ベンジルト
リフェニルホスホニウムブロマイド等の四級ホスホニウ
ム塩等の相間移動触媒を化合物(IV)に対して一般に
1〜60重量%、好ましくは5〜40重量%用いて行な
うのが好都合である。
トラブチルアンモニウムブロマイド、べンジルトリエチ
ルアンモニウムクロライド、ベンジルトリブチルアンモ
ニウムクロライド等の四級アンモニウム塩:ベンジルト
リフェニルホスホニウムブロマイド等の四級ホスホニウ
ム塩等の相間移動触媒を化合物(IV)に対して一般に
1〜60重量%、好ましくは5〜40重量%用いて行な
うのが好都合である。
反応終了後、反応混合物を例えば、水中にあけ、有機溶
媒で抽出、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の常法
に従って処理することにより、本発明の化合物を単離す
ることができる。
媒で抽出、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の常法
に従って処理することにより、本発明の化合物を単離す
ることができる。
前記反応式Bで示される本発明の化合物の製造法におい
て出発原料として使用される式(I[I)の化合物は新
規なものであり、例えば下記反応式C反応式〇 上記各式中、R′及びXは前記の定義と同じである、 に従い、第1工程において、3−(置換アリールオキシ
)安息香酸エステル誘導体(V)と硫化剤(Vl)を不
活性溶媒中で反応させ、3−(置換アリールオキシ)チ
オ安息香酸O−アルキルエステル誘導体(■)を第2工
程において、ヒドロキシルアミン(■)を有機溶媒中で
反応させることにより製造することができる。
て出発原料として使用される式(I[I)の化合物は新
規なものであり、例えば下記反応式C反応式〇 上記各式中、R′及びXは前記の定義と同じである、 に従い、第1工程において、3−(置換アリールオキシ
)安息香酸エステル誘導体(V)と硫化剤(Vl)を不
活性溶媒中で反応させ、3−(置換アリールオキシ)チ
オ安息香酸O−アルキルエステル誘導体(■)を第2工
程において、ヒドロキシルアミン(■)を有機溶媒中で
反応させることにより製造することができる。
第1工程において用いられる硫化剤(Vl)としては、
例えば、2.4−ビス(4−メトキシフェニル)−t、
3−ジチア−2,4−ジフオスフエタンー2.4−ジス
ルフィド、ジエチルジチオ7オスフエイト、三硫化リン
等が挙げられる。
例えば、2.4−ビス(4−メトキシフェニル)−t、
3−ジチア−2,4−ジフオスフエタンー2.4−ジス
ルフィド、ジエチルジチオ7オスフエイト、三硫化リン
等が挙げられる。
上記反応式〇の第1工程に示す反応は、化合物(V)1
モル当り硫化剤(VI)を一般に1〜50モル、好まし
くは1〜20モル用い、室温乃至溶媒の還流温度、好ま
しくは室温乃至やく150度の範囲内の温度で、通常1
時間乃至10日間、好ましくは3時間乃至7日間行われ
る。
モル当り硫化剤(VI)を一般に1〜50モル、好まし
くは1〜20モル用い、室温乃至溶媒の還流温度、好ま
しくは室温乃至やく150度の範囲内の温度で、通常1
時間乃至10日間、好ましくは3時間乃至7日間行われ
る。
この反応において施用しうる不活性溶媒としては、例え
ば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
:テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類:ク
ロルベンゼン、アセトニトリル等が挙げられる。
ば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
:テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類:ク
ロルベンゼン、アセトニトリル等が挙げられる。
反応終了後、例えば、溶媒を留去した後カラムクロマト
グラフィーにより処理するか、或いは反応混合物にペン
タン、ヘキサン、石油エーテル等の非極性溶媒を加えて
沈澱を生じさせ、濾過するなどの方法により、化合物(
■)を充分な純度で単離することができる。・ 次に、上記反応式Cの第2工程に示す反応は、化合物(
■)1モル当り、ヒドロキシルアミン(■)を一般に1
〜5モル、好ましくは1〜2モル用い、通常氷冷下乃至
200°C1好ましくは室温乃至120℃の範囲内の温
度で、通常5分間乃至lO日日間好ましくは15分間乃
至3日間行なわれる。
グラフィーにより処理するか、或いは反応混合物にペン
タン、ヘキサン、石油エーテル等の非極性溶媒を加えて
沈澱を生じさせ、濾過するなどの方法により、化合物(
■)を充分な純度で単離することができる。・ 次に、上記反応式Cの第2工程に示す反応は、化合物(
■)1モル当り、ヒドロキシルアミン(■)を一般に1
〜5モル、好ましくは1〜2モル用い、通常氷冷下乃至
200°C1好ましくは室温乃至120℃の範囲内の温
度で、通常5分間乃至lO日日間好ましくは15分間乃
至3日間行なわれる。
この反応において使用される溶媒としては、例えば、メ
タノール、エタノール等のアルコ′−ル類:ベンゼン、
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素:エーテル、テ
トラヒドロ7ラン、ジオキサン等のエーテル類ニジクロ
ルメタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭
化水素類;アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルスルホキシド等の有機溶媒及びこれらの溶媒と水
の混合溶媒が挙げられる。
タノール、エタノール等のアルコ′−ル類:ベンゼン、
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素:エーテル、テ
トラヒドロ7ラン、ジオキサン等のエーテル類ニジクロ
ルメタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭
化水素類;アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルスルホキシド等の有機溶媒及びこれらの溶媒と水
の混合溶媒が挙げられる。
また、ヒドロキシルアミン(■)の溶液を調製するに際
して、ヒドロキシルアミンの塩酸塩、硫酸塩、シュウ酸
塩などの塩を用いる場合には、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、酢酸ナト
リウム、酢酸カリウム、ナトリウムメトキサイド、ナト
リウムエトキサイド等の塩基を用いて予め処理するのが
好都合である。
して、ヒドロキシルアミンの塩酸塩、硫酸塩、シュウ酸
塩などの塩を用いる場合には、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、酢酸ナト
リウム、酢酸カリウム、ナトリウムメトキサイド、ナト
リウムエトキサイド等の塩基を用いて予め処理するのが
好都合である。
反応終了後、反応混合物を例えば溶媒を留去した後、水
と有機溶媒での抽出、再結晶、カラムクロマトグラフィ
ー等の常法に従って処理することにより、化合物(II
I)を単離することができる。
と有機溶媒での抽出、再結晶、カラムクロマトグラフィ
ー等の常法に従って処理することにより、化合物(II
I)を単離することができる。
次に実施例により本発明の化合物の製造法をさらに具体
的に説明する。
的に説明する。
■)の製造
メチル 3− (2−り四ロー4−トリフルオロメチル
フェノキシ)ベンゾヒドロキシメート3゜46g(0,
01モル)のDMF(30mf2)溶液に、水素化ナト
リウム(60% in oil) 0.44g (0,
011モル)を少しずつ添加後、室温で30分間撹拌し
、得られた溶液にブロモ酢酸メチル1.68 g (0
,011モル)を室温で加え、さらに室温で3時間撹拌
した。反応混合物を氷水60mQに注ぎ、エーテル40
mQで2回抽出し、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシ
ウムで乾燥した。乾燥剤を濾過後、溶媒を留去し得られ
る油状物質をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル/
n−ヘキサン−酢酸エチル5:1)で精製し、目的の化
合物No、1を得た(収量3.8g、収率91%、Sy
n:Anti−約4:6)。
フェノキシ)ベンゾヒドロキシメート3゜46g(0,
01モル)のDMF(30mf2)溶液に、水素化ナト
リウム(60% in oil) 0.44g (0,
011モル)を少しずつ添加後、室温で30分間撹拌し
、得られた溶液にブロモ酢酸メチル1.68 g (0
,011モル)を室温で加え、さらに室温で3時間撹拌
した。反応混合物を氷水60mQに注ぎ、エーテル40
mQで2回抽出し、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシ
ウムで乾燥した。乾燥剤を濾過後、溶媒を留去し得られ
る油状物質をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル/
n−ヘキサン−酢酸エチル5:1)で精製し、目的の化
合物No、1を得た(収量3.8g、収率91%、Sy
n:Anti−約4:6)。
これをざらにカラムクロマトグラフィー(シリカゲル/
n−ヘキサン−クロロホルム2 : 3)で注意深く精
製することにより、Anti体(化合物No、2)及び
Syn体(化合物No−3)を得ることができた。
n−ヘキサン−クロロホルム2 : 3)で注意深く精
製することにより、Anti体(化合物No、2)及び
Syn体(化合物No−3)を得ることができた。
ピリジン−2−イルオキシ)ベンゾヒドロキシメート(
化合物No、7)の製造 メチル 3−(3−クロロ−5−トリフルオロメチルピ
リジン−2−イルオキシ)ベンゾヒドロキシメート1.
04g(3ミリモル)の塩化メチレン(4,5m12)
溶液に、ベンジルトリエチルアンモニウムクロライド0
.20 g (0,88ミリモル)を添加後、冷却し、
−5〜0℃で50%NaOH水溶液1.72m12を滴
下し、次に同温度でブロモ酢酸メチル0.92g(6ミ
リモル)を滴下し、さらに同温度で20分間撹拌した。
化合物No、7)の製造 メチル 3−(3−クロロ−5−トリフルオロメチルピ
リジン−2−イルオキシ)ベンゾヒドロキシメート1.
04g(3ミリモル)の塩化メチレン(4,5m12)
溶液に、ベンジルトリエチルアンモニウムクロライド0
.20 g (0,88ミリモル)を添加後、冷却し、
−5〜0℃で50%NaOH水溶液1.72m12を滴
下し、次に同温度でブロモ酢酸メチル0.92g(6ミ
リモル)を滴下し、さらに同温度で20分間撹拌した。
反応混合物を氷水30mQに注ぎ、希塩酸で中和した後
、エーテル20mQ、で3回抽出し、飽和食塩水で洗浄
後、硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤を濾別後、溶
媒を留去し得られる油状物質をカラムクロマトグラフィ
ー(シリカゲル/n−ヘキサン−酢酸エチル5:l)で
精製し、目的の化合物No。
、エーテル20mQ、で3回抽出し、飽和食塩水で洗浄
後、硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤を濾別後、溶
媒を留去し得られる油状物質をカラムクロマトグラフィ
ー(シリカゲル/n−ヘキサン−酢酸エチル5:l)で
精製し、目的の化合物No。
7を得た。(収量1.17g、収率90%、S yn
:Anti−約4:6) 上記実施例と同様の方法により下記表−■に示す本発明
のジフェニルエーテル誘導体を合成した。
:Anti−約4:6) 上記実施例と同様の方法により下記表−■に示す本発明
のジフェニルエーテル誘導体を合成した。
参考例1:式(III)の化合物の製造メチル 3−(
2−クロロ−4−トリフルオロメチルフェノキシ)ベン
ゾエート24.4g(0゜074モル)をキシレン80
mQに溶解し、2゜4−ビス(4−メトキシフェニル)
−1,3−ジチア−2,4−ジフオスフエタンー2.4
−ジスルフィド400g(0,099モル)を添加した
後、還流温度で20時間撹拌し、キシレンを留去した。
2−クロロ−4−トリフルオロメチルフェノキシ)ベン
ゾエート24.4g(0゜074モル)をキシレン80
mQに溶解し、2゜4−ビス(4−メトキシフェニル)
−1,3−ジチア−2,4−ジフオスフエタンー2.4
−ジスルフィド400g(0,099モル)を添加した
後、還流温度で20時間撹拌し、キシレンを留去した。
得られる残渣をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル
/n−ヘキサン−エーテル98:2)で精製し、目的の
化合物■aを得た(収量23゜0g、収率90%)。
/n−ヘキサン−エーテル98:2)で精製し、目的の
化合物■aを得た(収量23゜0g、収率90%)。
上記(A)と同様の方法により下記表−2に示す式(■
)の化合物を合成した。
)の化合物を合成した。
CB) メチル 3−(2−クロロ−4−トリ7ヒド
ロギシルアミン塩酸塩1.s 3 g (0,022モ
ル)をメタノール21m(!に溶解し、28%ナトリウ
ムメトキサイド/メタノール溶液4.24g(0,02
2モル)を水冷下で加えた。同温度で15分間撹拌後、
吸引濾別してヒドロキシルアミンのメタノール溶液を得
た。
ロギシルアミン塩酸塩1.s 3 g (0,022モ
ル)をメタノール21m(!に溶解し、28%ナトリウ
ムメトキサイド/メタノール溶液4.24g(0,02
2モル)を水冷下で加えた。同温度で15分間撹拌後、
吸引濾別してヒドロキシルアミンのメタノール溶液を得
た。
0−メチル 3−(2−クロロ−4−トリフルオロメチ
ルフェノキシ)チオベンゾエート6.59g(0,01
9モル)のメタノール(15mC)溶液に先に得たヒド
ロキシルアミンのメタノール溶液を加え、還流温度で1
.5時間撹拌した。溶媒を留去し得られる油状混合物を
カラムクロマトグラフィー(シリカゲル/n−ヘキサン
−酢酸エチル4:1)で精製し、目的の化合物Inaを
得た(収ff15.56g 収率85% Syn:A
nti−約4:6)。
ルフェノキシ)チオベンゾエート6.59g(0,01
9モル)のメタノール(15mC)溶液に先に得たヒド
ロキシルアミンのメタノール溶液を加え、還流温度で1
.5時間撹拌した。溶媒を留去し得られる油状混合物を
カラムクロマトグラフィー(シリカゲル/n−ヘキサン
−酢酸エチル4:1)で精製し、目的の化合物Inaを
得た(収ff15.56g 収率85% Syn:A
nti−約4:6)。
これをさらにカラムクロマトグラフィー(シリカゲル/
クロロホルム)で注意深く精製することにより、Ant
i体(化合物mb)及びSyn体(化合物111c)を
得ることができた。
クロロホルム)で注意深く精製することにより、Ant
i体(化合物mb)及びSyn体(化合物111c)を
得ることができた。
上記(B)と同様の方法により下記表−3に示す式(I
[I)の化合物を合成した。
[I)の化合物を合成した。
手続補正書印発)
昭和64年1月5日
特許庁長官 吉 1)文 毅 殿
■、事件の表示
事件との関係 特許出願人
名称 (605)三菱油化株式会社
4、代理人 〒107
5、補正命令の日付 なし
6、補正の対象
明細書の「発明の詳細な説明」の欄
(1) 明細書第4頁末行の構造式中右端に「R1」
とあるをrR’jと訂正する。
とあるをrR’jと訂正する。
(2)同第5頁第3行にr(NH2Rつ」とあるをr
(NH,OR’)Jと訂正する。
(NH,OR’)Jと訂正する。
(3)同第14頁第1行に「濾過する」とあるを「濾過
し、濾液を濃縮する」と訂正する。
し、濾液を濃縮する」と訂正する。
以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・(
I ) 式中、ZはCXまたは窒素原子を示し、ここで、Xは水
素原子またはハロゲン原子を示し、R^1及びR^3は
それぞれ独立して低級アルキル基を示し、R^2は水素
原子または低級アルキル基を示す、 で表わされるフェニルエーテル誘導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63073366A JPH01246251A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | フエニルエーテル誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63073366A JPH01246251A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | フエニルエーテル誘導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01246251A true JPH01246251A (ja) | 1989-10-02 |
Family
ID=13516108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63073366A Pending JPH01246251A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | フエニルエーテル誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01246251A (ja) |
-
1988
- 1988-03-29 JP JP63073366A patent/JPH01246251A/ja active Pending
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