JPH0124645Y2 - - Google Patents

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JPH0124645Y2
JPH0124645Y2 JP1979111748U JP11174879U JPH0124645Y2 JP H0124645 Y2 JPH0124645 Y2 JP H0124645Y2 JP 1979111748 U JP1979111748 U JP 1979111748U JP 11174879 U JP11174879 U JP 11174879U JP H0124645 Y2 JPH0124645 Y2 JP H0124645Y2
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transistor
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Description

【考案の詳細な説明】 定電圧回路は、一般に、その出力電圧と基準電
圧とを比較し、その比較出力によりその出力電圧
を安定化している。
第1図はそのような定電圧回路の一例を示すも
ので、T1は安定化されていない直流電圧が供給
される入力端子、T2は安定化された出力電圧が
取り出される出力端子である。そして、Q1〜Q4
は基準電圧を形成するためのトランジスタを示
し、トランジスタQ1,Q2は帰還回路を構成して
いるもので、トランジスタQ1のコレクタが抵抗
器R1を通じて端子T1に接続され、そのエミツタ
が接地され、トランジスタQ2のベースはトラン
ジスタQ1のコレクタに接続され、そのエミツタ
はトランジスタQ1のベースに接続されると共に、
抵抗器R2を通じて接地され、そのコレクタはト
ランジスタQ3のコレクタに接続される。
このトランジスタQ3は、これを入力側として
トランジスタQ4と共にカレントミラー回路を構
成しているもので、トランジスタQ3のコレクタ
がトランジスタQ3,Q4のベースに接続され、こ
れらのエミツタが端子T1に接続され、トランジ
スタQ4のコレクタが抵抗器R3を通じて接地され
る。
また、Q5,Q6は基準電圧と出力電圧とを比較
するためのトランジスタを示す。これらトランジ
スタQ5,Q6は差動アンプの構成とされているも
ので、これらのエミツタは抵抗器R4を通じて接
地され、トランジスタQ5のベースはトランジス
タQ4のコレクタに接続され、トランジスタQ5
コレクタは抵抗器R5を通じて端子T1に接続され、
トランジスタQ6はダイオード接続されると共に、
そのベース及びコレクタは端子T2に接続される。
さらに、Q7は比較出力に基いて出力電圧を一
定に制御するトランジスタを示し、そのエミツタ
は端子T1に接続され、そのコレクタは端子T2
接続され、そのベースはトランジスタQ5のコレ
クタに接続される。
従つて、トランジスタQ1のベース電位が例え
ば上昇すると、そのコレクタ電流が増加してトラ
ンジスタQ2のベース電位は低下し、そのコレク
タ電流が減少するので、トランジスタQ1のベー
ス電位は低下し、すなわち、トランジスタQ1
はトランジスタQ2を通じて負帰還がかかつてい
るので、トランジスタQ1のベース電位は一定に
なる。
そして、トランジスタQ1〜Q7のベース・エミ
ツタ間電圧をVBEとし、ベース電流を無視すれ
ば、抵抗器R2に流れる電流I2は、 I2=VBE/R2 となる。そして、この電流I2はトランジスタQ2
コレクタ電流でもあると共に、トランジスタQ3
Q4はカレントミラー回路を構成しているので、
トランジスタQ4のコレクタ電流I4は、 I4=I2 となる。従つて、抵抗器R3に生じる降下電圧Vr
は、 Vr=I4・R3=VBE・R3/R2 となり、これは一定レベルである。
従つて、抵抗器R3には基準電圧Vrが得られる
ことになり、この電圧VrがトランジスタQ5に供
給される。
そして、トランジスタQ5,Q6において、基準
電圧Vrと出力電圧とが比較され、出力電圧が例
えば上昇すると、トランジスタQ5のコレクタ電
流が減少するので、トランジスタQ7のコレク
タ・エミツタ間インピーダンスが大きくなつて出
力電圧は低下し、出力電圧が低下すると、トラン
ジスタQ5のコレクタ電流が増加するので、トラ
ンジスタQ7のインピーダンスが小さくなつて出
力電圧は上昇する。従つて、出力電圧は、電圧
Vrを基準として一定値に安定化される。
そして、この場合、この回路によれば、トラン
ジスタQ2のコレクタ・エミツタ間電圧をVCEとす
ると、トランジスタQ1〜Q3により入力電圧は、 2VBE+VCE1.5〜1.7〔V〕 以上であればよく、従つて、電池で動作するセ
ツトにおいて有利である。また、IC化も容易で
ある。
ところが、この回路では、トランジスタQ1
コレクタ電流をI1、その変化分をΔI1、そのベー
ス・エミツタ間の変化分をΔVBEとすると、 ΔVBE26ln(1+ΔI1/I1)[mV] の関係があると共に、電流I1は入力電圧に対応し
て変化するので、入力電圧が変化すると、基準電
圧Vrは変化してしまい、従つて、出力電圧も変
化してしまう。
そこで、第2図に示すように、トランジスタ
Q3,Q4もトランジスタQ1,Q2と同様に帰還回路
を構成すると共に、これらを継続接続することが
考えられる。
このようにすれば、抵抗器R4に流れる電流I4
は、2段にわたつて安定化されているので、基準
電圧Vrは十分に安定になり、従つて、出力電圧
も十分に安定になる。
しかし、この回路では、トランジスタQ1〜Q4
により入力電圧は、 3VBE+VCE2.2〜2.4〔V〕 以上必要となり、電池で動作するセツトには不
利である。
また、第3図に示すように、トランジスタQ3
Q4によつて帰還回路を構成すると共に、トラン
ジスタQ11,Q12及びQ13,Q14によりそれぞれカ
レントミラー回路を構成して基準電圧Vrを形成
することも考えられる。
このようにすれば、第2図の回路と同様、基準
電圧Vrは十分に安定になり、出力電圧も十分に
安定になる。しかも、入力電圧は、 2VBE+VCE1.5〜1.7〔V〕 以上であればよい。
しかし、この回路では、部品点数が多く、IC
といえども好ましくない。
この考案は、以上の問題点を一掃した基準電圧
の形成回路を提供しようとするものである。
以下その一例について説明しよう。
第4図に示す例においては、トランジスタQ1
〜Q7及び抵抗器R1〜R5が、第1図の回路と同様
に接続されると共に、トランジスタQ8が設けら
れ、そのベースがトランジスタQ1のベースに接
続され、そのコレクタがトランジスタQ4のコレ
クタに接続され、そのエミツタが抵抗器R6を通
じて接地される。
このような構成によれば、トランジスタQ2
ベース電位は、2VBEとなるので、入力電圧をV1
とすれば、トランジスタQ1のコレクタ電流I1は、 I1=(V1−2VBE)/R1 となり、これは第5図の曲線I1として示される。
また、トランジスタQ2のコレクタ電流I2は、 I2=VBE/R2 であり、トランジスタQ3,Q4はカレントミラー
回路を構成しているので、トランジスタQ4のコ
レクタ電流I4も、 I4=VBE/R2 となり、これは第5図に曲線I4として示される。
なお、この電流I4は、第1図の回路における電流
I4と全く同じである。
さらに、R6=0であるとすれば、トランジス
タQ1とQ8とは等しいベースバイアスが供給され
るので、このときのトランジスタQ8のコレクタ
電流I8はコレクタ電流I1に一致し、これは第5図
の曲線I1で示される。しかし、実際には、R6≠0
なので、トランジスタQ8のベースバイアスは、
トランジスタQ1のベースバイアスに比べ、抵抗
器R6に対応した値だけ小さく、従つて、トラン
ジスタQ8のコレクタ電流I8は、第5図に曲線I8
して示すように、コレクタ電流I1に比べて抵抗器
R6に対応した割り合いで小さくなる。そして、
この場合、抵抗器R6を所定値Rrとしておくこと
により、第5図に示すように、曲線I8を、曲線I4
にほぼ平行にすることができる。
そして、トランジスタQ4,Q8はエミツタ接地
とされているので、これは定電流源として作用
し、その出力インピーダンスは大きい。従つて、
抵抗器R3には、電流I4とI8との差の電流(I4−I8
が流れることになると共に、曲線I4とI8とはほぼ
平行なので、電流(I4−I8)は番5図に示すよう
に横軸に対してほぼ平行となり、すなわち、入力
電圧V1が変化しても、電流(I4−I8)はほぼ一定
である。
従つて、抵抗器R3には、入力電圧V1にかかわ
らず一定の基準電圧Vrが得られることになるの
で、入力電圧が変化しても出力電圧も一定に安定
化される。
こうして、この考案によれば、入力電圧V1
変動してもきわめて安定な基準電圧Vrを得るこ
とができる。すなわち、トランジスタQ8及び抵
抗器R6が接続されていない場合(第1図の回路
の場合)には、電流I4が抵抗器R3に流れて基準電
圧Vrが形成されると共に、この電流I4は第5図
に示すように、入力電圧V1の変化に対して比較
的大きく変化するので、基準電圧Vrも入力電圧
V1の変化に対して比較的大きく変化する。
しかし、この考案においては、トランジスタ
Q8及び抵抗器R6を接続しているので、電流(I4
−I8)が抵抗器R3に流れて基準電圧Vrが形成さ
れ、このとき、電流(I4−I8)は入力電圧V1の変
化に対してきわめて安定なので、基準電圧Vrも
入力電圧V1の変化に対してきわめて安定になる。
また、入力電圧V1は、 2VBE+VCE=1.5〜1.7〔V〕 以上であればよく、すなわち、最低必要電圧が
小さくなるので、電池で動作するセツトに好適で
ある。さらに、第1図の回路に比べ、トランジス
タQ8及び抵抗器R6が増加するだけで部品点数が
少なく、IC化する場合にも有利である。
第6図はこの考案の他の例を示し、この例にお
いては、トランジスタQ1のコレクタ及びベース
がトランジスタQ8のベースに接続され、抵抗器
R1とトランジスタQ1のコレクタとの間に、トラ
ンジスタQ9のコレクタ・エミツタ間が接続され
ると共に、このトランジスタQ9のコレクタ及び
ベースがトランジスタQ2のベースに接続される。
従つて、トランジスタQ2のベース電位は、ト
ランジスタQ9,Q1によつて2VBEとなるので、ト
ランジスタQ2のエミツタ電位はVBEとなる。従つ
て、トランジスタQ2のコレクタ電流I2は、 I2=VBE/R2 となるので、トランジスタQ4のコレクタ電流I4も I4=VBE/R2 となり、これは、やはり第5図の曲線I4で示され
る。
そして、トランジスタQ8のコレクタ電流I8は、
第5図の曲線I8で示されるので、抵抗器R3には電
流(I4−I8)が流れて一定の基準電圧Vrが得られ
る。
なお、上述において抵抗器R3に代えて、ある
いは抵抗器R3に直列にダイオードを接続すれば、
基準電圧Vrをより安定にできる。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第3図はこの考案を説明するための接
続図、第4図はこの考案の一例の接続図、第5図
はその説明のための図、第6図はこの考案の他の
例の接続図である。 T1は入力端子、T2は出力端子、Q1〜Q9はトラ
ンジスタである。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 所定の電圧が供給され、この供給電圧に基づい
    てベース・エミツタ間電圧が取り出される第1の
    トランジスタと、この第1のトランジスタのベー
    ス・エミツタ間電圧が供給される抵抗と、この抵
    抗に流れる電流を取り出す第2のトランジスタ
    と、この第2のトランジスタの出力により上記抵
    抗に流れる電流に対応したコレクタ電流を得る第
    3のトランジスタと、上記第1のトランジスタに
    よつて取り出されたベース・エミツタ間電圧がそ
    のベースに供給されると共に、そのエミツタに抵
    抗が接続された第4のトランジスタとを有し、上
    記一方の抵抗の値に対し他方の抵抗の値を所定値
    とすることにより上記第3のトランジスタのコレ
    クタ電流と上記第4のトランジスタのコレクタ電
    流との差電流の、上記供給電圧の変化に対する依
    存性を除去して上記差電流に基づいた基準電圧を
    得るようにした基準電圧の形成回路。
JP1979111748U 1979-08-14 1979-08-14 Expired JPH0124645Y2 (ja)

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