JPH01248043A - Nmr用高周波プローブ及びその給電回路 - Google Patents
Nmr用高周波プローブ及びその給電回路Info
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- JPH01248043A JPH01248043A JP63073164A JP7316488A JPH01248043A JP H01248043 A JPH01248043 A JP H01248043A JP 63073164 A JP63073164 A JP 63073164A JP 7316488 A JP7316488 A JP 7316488A JP H01248043 A JPH01248043 A JP H01248043A
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- coil
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、核磁気共鳴(NMR)実験などに用いられ
る高周波プローブ及びその給電回路に関し、特に高感度
でSN比の良いNMR用高周波ブロー。
る高周波プローブ及びその給電回路に関し、特に高感度
でSN比の良いNMR用高周波ブロー。
ブ及びその給電回路に関するものである。
[従来の技術]
従来より、NMR用高周波プローブては、ソレノイド形
高周波コイル又は鞍形高周波コイルが用いられている。
高周波コイル又は鞍形高周波コイルが用いられている。
ソレノイド形高周波コイルを用いた高周波プローブは、
磁場均一性が悪く直交配置しにくいが、低い静磁場内で
低周波数の高周波磁場を印加して高感度の撮影を行なう
場合に適している。一方、鞍形高周波コイルは、ソレノ
イド形高周波コイルと比べて感度が悪いが、直交配置し
易いため、直交励磁磁場により回転磁場強度が十分得ら
れ、送信効率及び受信効率が良いという利点を持ってい
る。
磁場均一性が悪く直交配置しにくいが、低い静磁場内で
低周波数の高周波磁場を印加して高感度の撮影を行なう
場合に適している。一方、鞍形高周波コイルは、ソレノ
イド形高周波コイルと比べて感度が悪いが、直交配置し
易いため、直交励磁磁場により回転磁場強度が十分得ら
れ、送信効率及び受信効率が良いという利点を持ってい
る。
第3図は、例えば、真野勇著のrNMR診断法」(19
84年4月、秀潤社発行)の第76頁に記載された、ソ
レノイド形高周波コイルを含む高周波プローブを用いた
従来のNMR装置を示す構成図である。
84年4月、秀潤社発行)の第76頁に記載された、ソ
レノイド形高周波コイルを含む高周波プローブを用いた
従来のNMR装置を示す構成図である。
図において、(1)は静磁場H0を発生する一対の電磁
石である。(2)は電磁石(1)の間に配設されたソレ
ノイド形の高周波コイルであり、静磁場H0に直交する
高周波磁場RFを発生し且つNMR信号を受信するよう
になっている。(3)は高周波コイル(2)内に挿入さ
れる人体などの被検体である。
石である。(2)は電磁石(1)の間に配設されたソレ
ノイド形の高周波コイルであり、静磁場H0に直交する
高周波磁場RFを発生し且つNMR信号を受信するよう
になっている。(3)は高周波コイル(2)内に挿入さ
れる人体などの被検体である。
(4)は高周波コイル(2)の両端間に接続された共振
用コンデンサ、(5)は共振用コンデンサ(4)の一端
に接続されたインピーダンス整合用コンデンサ、(6)
は共振用コンデンサ(4)及びインピーダンス整合用コ
ンデンサ(5)に接続された入出力端子であり、これら
は高周波コイル(2)と共にNMR用高同高周波プロー
ブ成している。又、入出力端子(6)には、給電回路を
介して送信機及び受信機(共に図示せず)が接続されて
いる。
用コンデンサ、(5)は共振用コンデンサ(4)の一端
に接続されたインピーダンス整合用コンデンサ、(6)
は共振用コンデンサ(4)及びインピーダンス整合用コ
ンデンサ(5)に接続された入出力端子であり、これら
は高周波コイル(2)と共にNMR用高同高周波プロー
ブ成している。又、入出力端子(6)には、給電回路を
介して送信機及び受信機(共に図示せず)が接続されて
いる。
次に、第3図に示した従来のNMR装宣の動作について
説明する。
説明する。
まず、共振用コンデンサ(4)及びインピーダンス整合
用コンデンサ(5)を調整し、高周波プローブの共振周
波数を所定の値に設定すると共に、そのインピーダンス
を約50Ωに変換しておく。
用コンデンサ(5)を調整し、高周波プローブの共振周
波数を所定の値に設定すると共に、そのインピーダンス
を約50Ωに変換しておく。
そして、被検体(3)の測定したい部位を高周波コイル
(2)内に挿入して、電磁石(1)から静磁場H0を発
生させる。
(2)内に挿入して、電磁石(1)から静磁場H0を発
生させる。
続いて、高周波プローブの共振周波数と等しい周波数(
例えば、10M1lz)の高周波パルスを入出力端子(
6)に送信し、高周波コイル(2)から被検体(3)に
高周波磁場RFを印加する。この高周波磁場RFは、強
度が矢印方向に単振動変化する単振動磁場である。
例えば、10M1lz)の高周波パルスを入出力端子(
6)に送信し、高周波コイル(2)から被検体(3)に
高周波磁場RFを印加する。この高周波磁場RFは、強
度が矢印方向に単振動変化する単振動磁場である。
その後、被検体(3)から誘起されたNMR信号を高周
波コイル(2)で検出し、入出力端子(6)を介して受
信機に伝送する。
波コイル(2)で検出し、入出力端子(6)を介して受
信機に伝送する。
一般に、NMR実験においては、受信信号の強度は、送
信される高周波磁場RFの回転磁場強度に直接寄与する
が、上記のような単振動磁場の場合、一方向に回転する
回転磁場成分のみが回転磁場として用られることになる
。
信される高周波磁場RFの回転磁場強度に直接寄与する
が、上記のような単振動磁場の場合、一方向に回転する
回転磁場成分のみが回転磁場として用られることになる
。
又、2つの高周波コイルを直交配置し、位相差が9G’
の高周波磁場を印加すれば、°回転磁場強度が効率良く
得られることは知られているが、ソレノイド形の高周波
コイル(2)を直交配置することは通常困難であり、従
来は考えられていない。
の高周波磁場を印加すれば、°回転磁場強度が効率良く
得られることは知られているが、ソレノイド形の高周波
コイル(2)を直交配置することは通常困難であり、従
来は考えられていない。
第4図は、例えば、特開昭62−231145号公報に
記載された、従来の直交配置形NMR用高周波プローブ
電回路を示す構成図である。
記載された、従来の直交配置形NMR用高周波プローブ
電回路を示す構成図である。
図において、(7)は3本のλ/4(4分の1波長)線
()K)〜()C)と1本の3λ/4(4分の3波長)
線()d)とをリング状に結合して形成された閉ループ
同軸線路であり、λ/4線(7a)及び(7b)の接続
点P3は第1の高周波プローブ(図示せず)の入出力端
子に直結され、λ/4線(7c)と3λ/4線(7d)
との接続点P。
()K)〜()C)と1本の3λ/4(4分の3波長)
線()d)とをリング状に結合して形成された閉ループ
同軸線路であり、λ/4線(7a)及び(7b)の接続
点P3は第1の高周波プローブ(図示せず)の入出力端
子に直結され、λ/4線(7c)と3λ/4線(7d)
との接続点P。
は第2の高周波プローブ(図示せず)の入出力端子に接
続されている。
続されている。
尚、第1及び第2の高周波プローブ内の各高周波コイル
は、直交配置されるため、通常鞍形の高周波コイルであ
る。又、閉ループ同軸線路(7)の周長は図示したよう
な3λ/2に限らず、任意に設定され得る。
は、直交配置されるため、通常鞍形の高周波コイルであ
る。又、閉ループ同軸線路(7)の周長は図示したよう
な3λ/2に限らず、任意に設定され得る。
(8)はλ/4線(7a)と3λ/4線(7d)との接
続点P。
続点P。
に接続された送信機、(9)はλ/4線()b)及び(
)C)の接続点P2に接続点された受信機、(10)は
高周波磁場検出時に送信機(8)を高周波的に分離する
ためのクロスダイオード、(11)は高周波磁場印加時
に受信機(9)を保護するためのクロスダイオードであ
る。
)C)の接続点P2に接続点された受信機、(10)は
高周波磁場検出時に送信機(8)を高周波的に分離する
ためのクロスダイオード、(11)は高周波磁場印加時
に受信機(9)を保護するためのクロスダイオードであ
る。
(12)は閉ループ同軸線路(7)と受信機(9)とを
結ぶλ/411であり、省略することもできる。 <1
3)は接続点P、に接続されたλ/4線であり、その先
端は第2の高周波プローブの入出力端子に直結されてい
る。
結ぶλ/411であり、省略することもできる。 <1
3)は接続点P、に接続されたλ/4線であり、その先
端は第2の高周波プローブの入出力端子に直結されてい
る。
第4図の動作の詳細については上記文献に記載されてい
るので説明しないが、第1及び第2の高周波プローブか
らは、例えば60MHzの直交励磁形の高周波磁場が印
加される。
るので説明しないが、第1及び第2の高周波プローブか
らは、例えば60MHzの直交励磁形の高周波磁場が印
加される。
[発明が解決しようとする課題]
従来のNMR用高同高周波プローブ上のように、一方向
のみの単振動磁場を発生するソレノイド形高周波コイル
(2)を用いて高感度化を実現しているので、回転磁場
を効率良く得られず、送信効率及び受信効率が悪く、結
局十分な高感度化が実現できないという問題点があった
。
のみの単振動磁場を発生するソレノイド形高周波コイル
(2)を用いて高感度化を実現しているので、回転磁場
を効率良く得られず、送信効率及び受信効率が悪く、結
局十分な高感度化が実現できないという問題点があった
。
又、従来のNMR用高同高周波プローブ電回路は、複数
のλ/4線(7a)〜(7d)及び(13)を用いてい
るので、たとえソレノイド形高周波コイルを直交配置で
きたとしても、ソレノイド形高周波コイルに用いられる
10MHz程度の高周波磁場に対して、閉ループ同軸線
路(7)を構成する伝送線路が非常に長くなり、実用化
が難しいという問題点があった。
のλ/4線(7a)〜(7d)及び(13)を用いてい
るので、たとえソレノイド形高周波コイルを直交配置で
きたとしても、ソレノイド形高周波コイルに用いられる
10MHz程度の高周波磁場に対して、閉ループ同軸線
路(7)を構成する伝送線路が非常に長くなり、実用化
が難しいという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、送信効率及び受信効率が良く、高感度でSN
比の良いNMR用高同高周波プローブその給電回路を得
ることを目的とする。
たもので、送信効率及び受信効率が良く、高感度でSN
比の良いNMR用高同高周波プローブその給電回路を得
ることを目的とする。
[課題を解決するための手段]
この発明に係ZNMR用高周波プローブは、直交配置さ
れた2つの高周波コイルをそれぞれソレノイド形高周波
コイルで構成したものである。
れた2つの高周波コイルをそれぞれソレノイド形高周波
コイルで構成したものである。
又、この発明に係るNMR用高同高周波プローブ電回路
は、コンデンサ及びコイルの集中定数系からなる複数の
λ/4回路を設け、これらλ/4回路の接続点から各高
周波コイルに対して直交位相差給電を行なうように構成
したものである。
は、コンデンサ及びコイルの集中定数系からなる複数の
λ/4回路を設け、これらλ/4回路の接続点から各高
周波コイルに対して直交位相差給電を行なうように構成
したものである。
[作用]
この発明においては、直交配置された2つのソレノイド
形高周波コイルに直交位相差給電を行ない、高精度で十
分な強度の回転磁場を得る。
形高周波コイルに直交位相差給電を行ない、高精度で十
分な強度の回転磁場を得る。
[実施例コ
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明の一実施例によるNMR用高同高周波プロ
ーブす構成図であり、(3)及びH。
図はこの発明の一実施例によるNMR用高同高周波プロ
ーブす構成図であり、(3)及びH。
は前述と同様のものである。
(2a)及び(2b)は互いに接続されたソレノイド形
の高周波コイルであり、高周波磁場RF、を発生するた
めの1つの分割形のソレノイド形高周波コイル(以下、
単に高周波コイルという)(2^)を構成している。
の高周波コイルであり、高周波磁場RF、を発生するた
めの1つの分割形のソレノイド形高周波コイル(以下、
単に高周波コイルという)(2^)を構成している。
(2c)及び(2d)は互いに接続されたソレノイド形
の高周波コイルであり、高周波コイル〈2^)に対して
直交配置され、高周波磁場RF、に直交する高周波磁場
RF 2を発生するための、1つの分割形のソレノイド
形高周波コイル(以下、単に高周波コイルという)(2
11)を構成している。
の高周波コイルであり、高周波コイル〈2^)に対して
直交配置され、高周波磁場RF、に直交する高周波磁場
RF 2を発生するための、1つの分割形のソレノイド
形高周波コイル(以下、単に高周波コイルという)(2
11)を構成している。
(4^)は高周波コイル(2^)に並列接続された共振
用コンデンサ、(4B)は高周波コイル(2B)に並列
接続された共振用コンデンサ、(21)は高周波コイル
(2^)と磁気結合するように配置された結合コイル、
(22)は高周波コイル(2B)と磁気結合するように
配設された結合コイルである。
用コンデンサ、(4B)は高周波コイル(2B)に並列
接続された共振用コンデンサ、(21)は高周波コイル
(2^)と磁気結合するように配置された結合コイル、
(22)は高周波コイル(2B)と磁気結合するように
配設された結合コイルである。
(5^)は結合コイル(21)に接続されたインピーダ
ンス整合用コンデンサ、(6^)は結合コイル(21)
及びインピーダンス整合用コンデンサ(5^)に接続さ
れた入出力端子、(5B)は結合コイル(22)に接続
されたインピーダンス整合用コンデンサ、(6B)は結
合コイル(22)及びインピーダンス整合用コンデンサ
(5B)に接続された入出力端子である。
ンス整合用コンデンサ、(6^)は結合コイル(21)
及びインピーダンス整合用コンデンサ(5^)に接続さ
れた入出力端子、(5B)は結合コイル(22)に接続
されたインピーダンス整合用コンデンサ、(6B)は結
合コイル(22)及びインピーダンス整合用コンデンサ
(5B)に接続された入出力端子である。
尚、電磁石(1)(第3図参照)は、各高周波コイル(
2^)及び(2B)に対して直交する方向に配置され、
静磁場H0は図面に垂直方向に印加されている。
2^)及び(2B)に対して直交する方向に配置され、
静磁場H0は図面に垂直方向に印加されている。
第2図は第1図のNMR用高同高周波プローブ電回路を
示す構成図であり、(8)〜(11)及びP1〜P4は
前述と同様のものである。
示す構成図であり、(8)〜(11)及びP1〜P4は
前述と同様のものである。
(30)は前述の閉ループ同軸線路(7)に相当する閉
ループ線路であり、各接続点P、〜P4の間に挿入され
た複数のλ/4回路(31)〜(36)を含んでいる。
ループ線路であり、各接続点P、〜P4の間に挿入され
た複数のλ/4回路(31)〜(36)を含んでいる。
各λ/4回路(31)〜(36)は、回路の両端間に挿
入されたコイルLと、このコイルLの両端とグランドと
の間に挿入された一対のコンデンサCとからなる集中定
数系で構成されている。接続点P1及びP4間の3つの
λ/4回路(34)〜(36)は直列接続されて3λ/
4回路を構成しており、又、λ/4回路(31)及び(
32)の接続点P、は、結合コイル(22)の入出力端
子(6B)となっている。
入されたコイルLと、このコイルLの両端とグランドと
の間に挿入された一対のコンデンサCとからなる集中定
数系で構成されている。接続点P1及びP4間の3つの
λ/4回路(34)〜(36)は直列接続されて3λ/
4回路を構成しており、又、λ/4回路(31)及び(
32)の接続点P、は、結合コイル(22)の入出力端
子(6B)となっている。
尚、コイルLのインダクタンスL8及びコンデンサCの
静電容量C8は、 L ” −Z o/ 2 yc f 。
静電容量C8は、 L ” −Z o/ 2 yc f 。
C”=1/2πfoZ。
但し、Zo:特性インピーダンス(ζ50Ω)ro二使
用周波数(=10MHz) を満たすように設定されている。
用周波数(=10MHz) を満たすように設定されている。
(37)はλ/4回路(32)及び(33)の接続点P
2とクロスダイオード(11)との間に挿入されたλ/
4回路であり、1つのコイルL′と、このコイルL′の
両端とグランドとの間に挿入された一対のコンデンサC
′とからなる集中定数系で構成されており、このλ/4
回路(37)は省略することもできる。
2とクロスダイオード(11)との間に挿入されたλ/
4回路であり、1つのコイルL′と、このコイルL′の
両端とグランドとの間に挿入された一対のコンデンサC
′とからなる集中定数系で構成されており、このλ/4
回路(37)は省略することもできる。
(38)はλ/4回路(33)及び(36)の接続点P
、に接続されたλ/4回路であり、λ/4回路(37)
と同様に1つのコイルL′及び一対のコンデンサC′か
ら構成されており、一端が結合コイル(21)の入出力
端子(6^)となっている。
、に接続されたλ/4回路であり、λ/4回路(37)
と同様に1つのコイルL′及び一対のコンデンサC′か
ら構成されており、一端が結合コイル(21)の入出力
端子(6^)となっている。
尚、コイルL′のインダクタンスL′+1及びコンデン
サC′の静電容量c”は、 L ”= Z 、’/2πf0 C”=1/2πfoZ0’ 但し、20′:特性インピーダンス(ニア0.5Ω)を
満たすように設定されている。
サC′の静電容量c”は、 L ”= Z 、’/2πf0 C”=1/2πfoZ0’ 但し、20′:特性インピーダンス(ニア0.5Ω)を
満たすように設定されている。
次に、第1図及び第2図に示したこの発明の一実施例の
動作について説明する。
動作について説明する。
まず、直交配置された2つの高周波コイル(2^)及び
(2B)の各分割部に被検体(3)を挿入し、共振用コ
ンデンサ(4^)及び(4B)を調整して各高周波コイ
ル(2^)及び(2B)の共振周波数を約10M■2の
使用周波数に設定すると共に、インピーダンス整合用コ
ンデンサ(5^)及び(5B)を調整して各入出力端子
(6^)及び(6B)の入力インピーダンスを約50Ω
に変換する。
(2B)の各分割部に被検体(3)を挿入し、共振用コ
ンデンサ(4^)及び(4B)を調整して各高周波コイ
ル(2^)及び(2B)の共振周波数を約10M■2の
使用周波数に設定すると共に、インピーダンス整合用コ
ンデンサ(5^)及び(5B)を調整して各入出力端子
(6^)及び(6B)の入力インピーダンスを約50Ω
に変換する。
そして、送信機(8)から閉ループ線路(30)内の接
続点P4及びP、を介して入出力端子(6^)及び(6
B)に位相が90゛異なる高周波電圧を印加する。
続点P4及びP、を介して入出力端子(6^)及び(6
B)に位相が90゛異なる高周波電圧を印加する。
これにより、各高周波コイル(2^)及び(2B)に対
して直交位相差給電が行なわれ、被検体(3)に対して
位相が互いに90°異なる高周波磁場RF、及びRF、
が印加される。
して直交位相差給電が行なわれ、被検体(3)に対して
位相が互いに90°異なる高周波磁場RF、及びRF、
が印加される。
このとき、共振用コンデンサ(4A)及び(4B)によ
り各高周波コイル(2人)及び(2B)の共振周波数が
調整され、且つ、インピーダンス整合用コンデンサ(5
^)及び(5B)並びに結合コイル(21)及び(22
)により入出力端子(6^)及び(6B)の入力インピ
ーダンスが整合されているので、入出力端子(6^)及
び(6B)に印加された高周波電力は、結合コイル(2
1)及び〈22)を介して効率良く高周波コイル(2^
)及び(2B)に伝達される。
り各高周波コイル(2人)及び(2B)の共振周波数が
調整され、且つ、インピーダンス整合用コンデンサ(5
^)及び(5B)並びに結合コイル(21)及び(22
)により入出力端子(6^)及び(6B)の入力インピ
ーダンスが整合されているので、入出力端子(6^)及
び(6B)に印加された高周波電力は、結合コイル(2
1)及び〈22)を介して効率良く高周波コイル(2^
)及び(2B)に伝達される。
又、各高周波電力の位相が90”異なるため、高層゛波
磁場は十分な強度の回転磁場となり、NMR実験で必要
な送信電力が約172に低減すると共に、高周波コイル
(2^)及び(2B)からの受信信号強度が約1.4倍
に増大する。
磁場は十分な強度の回転磁場となり、NMR実験で必要
な送信電力が約172に低減すると共に、高周波コイル
(2^)及び(2B)からの受信信号強度が約1.4倍
に増大する。
又、集中定数系のλ/4回路(31)〜(38)を用い
て給電回路を構成したので、使用周波数f0が低くても
給電回路が大形化することはない。
て給電回路を構成したので、使用周波数f0が低くても
給電回路が大形化することはない。
尚、上記実施例では、インピーダンス整合用コンデンサ
(5^)及び(5B)並びに結合コイル(21)及び(
22)を用いて磁気結合によるインピーダンス整合を行
なったが、コンデンサを用いた静電結合によるインピー
ダンス整°合を行なってもよい。
(5^)及び(5B)並びに結合コイル(21)及び(
22)を用いて磁気結合によるインピーダンス整合を行
なったが、コンデンサを用いた静電結合によるインピー
ダンス整°合を行なってもよい。
[発明の効果]
以上のようにこの発明によれば、直交配置された2つの
ソレノイド形高周波コイルを用いてNMR用高周波10
−プ成し、又、コンデンサ及びコイルの集中定数系から
なる複数のλ/4回路で給電回路を構成し、2つのソレ
ノイド形高周波コイルに直交位相差給電を行ない、十分
な強度の回転磁場を得るようにしたので、高精度でSN
比の良いNMR用高周波プローブその給電回路が得られ
る効果がある。
ソレノイド形高周波コイルを用いてNMR用高周波10
−プ成し、又、コンデンサ及びコイルの集中定数系から
なる複数のλ/4回路で給電回路を構成し、2つのソレ
ノイド形高周波コイルに直交位相差給電を行ない、十分
な強度の回転磁場を得るようにしたので、高精度でSN
比の良いNMR用高周波プローブその給電回路が得られ
る効果がある。
第1図はこの発明によるNMR用高周波プローブ実施例
を示す構成図、第2図はこの発によるNMR用高周波プ
ローブ電回路の一実施例を示す構成図、第3図は従来の
NMR用高周波プローブす構成図、第4図は従来のNM
R用高周波プローブ電回路を示す構成図である。 (2^)、(2B)・・・ソレノイド形高周波コイル(
6^)、(6B)・・・入出力端子 (30)・・・閉ループ線路 (31)〜(38)・
・・λハ回路RF、、RF2・・・高周波磁場 り、L’・・・コイル c 、c ’・・・コン
デンサp3、p、・・・接続点 尚、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 ロー q〕 工J13 手続補正書 牡6〜781箱
を示す構成図、第2図はこの発によるNMR用高周波プ
ローブ電回路の一実施例を示す構成図、第3図は従来の
NMR用高周波プローブす構成図、第4図は従来のNM
R用高周波プローブ電回路を示す構成図である。 (2^)、(2B)・・・ソレノイド形高周波コイル(
6^)、(6B)・・・入出力端子 (30)・・・閉ループ線路 (31)〜(38)・
・・λハ回路RF、、RF2・・・高周波磁場 り、L’・・・コイル c 、c ’・・・コン
デンサp3、p、・・・接続点 尚、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 ロー q〕 工J13 手続補正書 牡6〜781箱
Claims (2)
- (1)直交配置された2つの高周波コイルを備えたNM
R用高周波プローブにおいて、前記高周波コイルをそれ
ぞれソレノイド形高周波コイルで構成したことを特徴と
するNMR用高周波プローブ。 - (2)コンデンサ及びコイルの集中定数系からなる複数
のλ/4(4分の1波長)回路を備え、前記λ/4回路
の接続点から各高周波コイルに対して直交位相差給電を
行なうように構成したことを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載のNMR用高周波プローブの給電回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63073164A JPH01248043A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | Nmr用高周波プローブ及びその給電回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63073164A JPH01248043A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | Nmr用高周波プローブ及びその給電回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01248043A true JPH01248043A (ja) | 1989-10-03 |
Family
ID=13510250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63073164A Pending JPH01248043A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | Nmr用高周波プローブ及びその給電回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01248043A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2130287A1 (en) * | 2007-03-27 | 2009-12-09 | Massachusetts Institute of Technology | Wireless energy transfer |
-
1988
- 1988-03-29 JP JP63073164A patent/JPH01248043A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2130287A1 (en) * | 2007-03-27 | 2009-12-09 | Massachusetts Institute of Technology | Wireless energy transfer |
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