JPH01250077A - 回路ボードと試験治具間の接続性を確認する方法およびその装置 - Google Patents
回路ボードと試験治具間の接続性を確認する方法およびその装置Info
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- JPH01250077A JPH01250077A JP63319718A JP31971888A JPH01250077A JP H01250077 A JPH01250077 A JP H01250077A JP 63319718 A JP63319718 A JP 63319718A JP 31971888 A JP31971888 A JP 31971888A JP H01250077 A JPH01250077 A JP H01250077A
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06794—Devices for sensing when probes are in contact, or in position to contact, with measured object
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、一般に試験治具を介して電子回路基板をテス
ト装置に接続することによって、基板をテストする技術
分野に関する。
ト装置に接続することによって、基板をテストする技術
分野に関する。
[従来技術の説明コ
電子製造産業では、回路基板が素子を塔載したとき、適
切に動作するかどうかを確認するため、回路基板のテス
トは日常的に行なわれている。このようなテストは通常
、複数のダブルエンドビンを有する試験治具に、回路基
板を配置することによって行なわれる。各ビンは回路基
板の下面の所定節点に接触する第1端を有し、他端は電
気的に公知の自動テスト装置に接続されている。この自
動テスト装置は、試験治具を介してテスト信号を回路基
板に入力し、テスト信号に応答して基板から戻ってきた
信号を検知することによって、回路基板をテストする。
切に動作するかどうかを確認するため、回路基板のテス
トは日常的に行なわれている。このようなテストは通常
、複数のダブルエンドビンを有する試験治具に、回路基
板を配置することによって行なわれる。各ビンは回路基
板の下面の所定節点に接触する第1端を有し、他端は電
気的に公知の自動テスト装置に接続されている。この自
動テスト装置は、試験治具を介してテスト信号を回路基
板に入力し、テスト信号に応答して基板から戻ってきた
信号を検知することによって、回路基板をテストする。
回路基板から戻ってきた信号のレベルをモニターするこ
とによって、回路基板が適切に動作しているかどうかを
表わす兆候が得られる。 回路基板の適切なテストには
、電気的な接続が回路基板の節点と試験治具のビンとの
間に確実に行われることが必要である。そうでなければ
、回路基板とテスト装置との間に信号の適切な伝達が行
われない。試験治具のビンと回路基板の節点との間の1
つでも不良接続があると、良い基板を欠陥品に、あるい
は不良品に、また逆に欠陥品を良品として判断する可能
性がある。
とによって、回路基板が適切に動作しているかどうかを
表わす兆候が得られる。 回路基板の適切なテストには
、電気的な接続が回路基板の節点と試験治具のビンとの
間に確実に行われることが必要である。そうでなければ
、回路基板とテスト装置との間に信号の適切な伝達が行
われない。試験治具のビンと回路基板の節点との間の1
つでも不良接続があると、良い基板を欠陥品に、あるい
は不良品に、また逆に欠陥品を良品として判断する可能
性がある。
これまで、回路基板と試験治具との間の接続性の確認は
、試験治具のビンの1対に直流電圧を与え、他のビンを
接地することによって行なわれていた。ビンの6対が、
基板上の素子によって構成される回路パスによって互い
に接続される回路基板の節点の1対に接触すると、ビン
の間に電流が流れる。2つのビンの間に電流が流れるこ
とは、各ビンが対応する回路基板の節点に接触している
ことを示す。試験治具の他のビン対と対応する回路基板
の節点対との接続性は同じ方法でテストされる。
、試験治具のビンの1対に直流電圧を与え、他のビンを
接地することによって行なわれていた。ビンの6対が、
基板上の素子によって構成される回路パスによって互い
に接続される回路基板の節点の1対に接触すると、ビン
の間に電流が流れる。2つのビンの間に電流が流れるこ
とは、各ビンが対応する回路基板の節点に接触している
ことを示す。試験治具の他のビン対と対応する回路基板
の節点対との接続性は同じ方法でテストされる。
不適当なことは、上述の方法は常に正確な結果をもたら
すものではないということである。試験治具の6対がビ
ンの節点の6対に接触していても、もし回路基板の節点
が非常に高いインピーダンスを有する素子によって接続
されているなら、わずかな電流しかビンの間に流れない
。従って、ビンの間に有意電流が流れがないことは、ビ
ンと回路基板の節点との間に接続性がないことを表わす
こともあるが、実際にはそうではないこともある。
すものではないということである。試験治具の6対がビ
ンの節点の6対に接触していても、もし回路基板の節点
が非常に高いインピーダンスを有する素子によって接続
されているなら、わずかな電流しかビンの間に流れない
。従って、ビンの間に有意電流が流れがないことは、ビ
ンと回路基板の節点との間に接続性がないことを表わす
こともあるが、実際にはそうではないこともある。
従って、節点が高いインピーダンス回路パスで接続され
ていても、試験治具の6対のビンが回路基板の節点の6
対に接触しているかどうかを正確に検知する技術が必要
とされている。
ていても、試験治具の6対のビンが回路基板の節点の6
対に接触しているかどうかを正確に検知する技術が必要
とされている。
(発明の概要)
試験治具のビンの6対と回路基板の相互接続された節点
の対との接続性の確認は、試験治具のビンの1対を第1
電位(例えば、回路グランド)にまず接続することによ
って行なわれる。試験治具のビンの他の対は、選択的に
電界効果トランジスタ(FET)のゲートに接続され、
このFETのゲート−ソース間はコンデンサによって分
路接続されている。FETのドレインソース部分は、抵
抗と直列に回路グランドと電圧源(第1電位より小さい
電位)との間に接続される。
の対との接続性の確認は、試験治具のビンの1対を第1
電位(例えば、回路グランド)にまず接続することによ
って行なわれる。試験治具のビンの他の対は、選択的に
電界効果トランジスタ(FET)のゲートに接続され、
このFETのゲート−ソース間はコンデンサによって分
路接続されている。FETのドレインソース部分は、抵
抗と直列に回路グランドと電圧源(第1電位より小さい
電位)との間に接続される。
試験治具の2個の各ビンが回路基板の2個の節点のそれ
ぞれに接触すると、コンデンサ両端の電圧がFETのし
きい値電圧を超える。すると、このFETは導通し、抵
抗の両端に電圧V。が現れる。もし試験治具の1つのビ
・ンのいずれかが対応する節点に接触していなければ、
FETのゲート電圧はこのデバイスのしきい値以下に落
ち、FETは非導通状態になる。従って抵抗両端には小
さい電圧しか現れない。抵抗両端の電圧をモニターする
ことによって、例えば、電圧計あるいは他の表示デバイ
スを接続することによって、試験治具のビンの対が回路
基板の相互接続された節点対に接触しているかどうか表
わす徴候が得られる。
ぞれに接触すると、コンデンサ両端の電圧がFETのし
きい値電圧を超える。すると、このFETは導通し、抵
抗の両端に電圧V。が現れる。もし試験治具の1つのビ
・ンのいずれかが対応する節点に接触していなければ、
FETのゲート電圧はこのデバイスのしきい値以下に落
ち、FETは非導通状態になる。従って抵抗両端には小
さい電圧しか現れない。抵抗両端の電圧をモニターする
ことによって、例えば、電圧計あるいは他の表示デバイ
スを接続することによって、試験治具のビンの対が回路
基板の相互接続された節点対に接触しているかどうか表
わす徴候が得られる。
本技術の利点は、節点が非常に高いインピーダンスによ
って相互接続されていても、節点と試験治具のビンとの
間の接続性が確認できることである。これは、FETが
ゲート端で非常に高い入力インピーダンスををし、それ
が一般に相互接続されている節点対間の回路パスのイン
ピーダンスよりはるかに高いからである。従って、試験
治具のビンが回路基板の節点に接触すると、(しきい値
電圧を超える)電圧がFETのゲート・ソース接合端に
現れる。このような条件では、ゲート・ソース間電圧は
節点間の回路パス両端の電圧より大きい。このように、
FETの導通は、節点間の回路パスのインピーダンスの
如何にかかわらず保証される。
って相互接続されていても、節点と試験治具のビンとの
間の接続性が確認できることである。これは、FETが
ゲート端で非常に高い入力インピーダンスををし、それ
が一般に相互接続されている節点対間の回路パスのイン
ピーダンスよりはるかに高いからである。従って、試験
治具のビンが回路基板の節点に接触すると、(しきい値
電圧を超える)電圧がFETのゲート・ソース接合端に
現れる。このような条件では、ゲート・ソース間電圧は
節点間の回路パス両端の電圧より大きい。このように、
FETの導通は、節点間の回路パスのインピーダンスの
如何にかかわらず保証される。
(実施例の説明)
第1図は、回路基板12を公知のタイプの自動回路基板
テスト装置(図示せず)電気的に接続されている移動基
板14に接続するための従来の“釘ベット2型試験治具
10の断面図である。試験治具10は絶縁基板16から
なり、この基板16は複数のばね俳画サイド導電ビン1
8を支持し、これらの導電ビン18は基板16の両面か
ら突出している。各導電ビン18は、回路基板12の底
面にある複数の節点22に電気的及び機械的に接触する
ための第1端20を有する。各節点22は典型的には、
回路基板12上の電子部品24によって形成される回路
パスを介して、回路基板12上の少なくとも1つの他の
節点に接続されている。
テスト装置(図示せず)電気的に接続されている移動基
板14に接続するための従来の“釘ベット2型試験治具
10の断面図である。試験治具10は絶縁基板16から
なり、この基板16は複数のばね俳画サイド導電ビン1
8を支持し、これらの導電ビン18は基板16の両面か
ら突出している。各導電ビン18は、回路基板12の底
面にある複数の節点22に電気的及び機械的に接触する
ための第1端20を有する。各節点22は典型的には、
回路基板12上の電子部品24によって形成される回路
パスを介して、回路基板12上の少なくとも1つの他の
節点に接続されている。
各導電ビン18は、移動基板14上の節点28に電気的
及び機械的に接触するための第2端2Bを有する。
及び機械的に接触するための第2端2Bを有する。
移動基板上の節点28は導体30を介して自動テスト装
置に接続される。この自動テスト装置は、移動基板14
及び試験治具10を介して回路基板12にテスト信号を
入力し、次にテスト信号が入力された後の回路基板から
戻ってきた応答信号のレベルをモニターすることによっ
て回路基板をテストする。
置に接続される。この自動テスト装置は、移動基板14
及び試験治具10を介して回路基板12にテスト信号を
入力し、次にテスト信号が入力された後の回路基板から
戻ってきた応答信号のレベルをモニターすることによっ
て回路基板をテストする。
回路基板12を正確にテストするには、導電ビン18の
それぞれの端20と26が回路基板及び移動基板上の節
点22と28にそれぞれ接触していることが必要である
。そうでなければ、回路基板と自動テスト装置との間に
は信号が伝達されない可能性かあり、これはテストにエ
ラーを生じさせる。試験治具IOのたった1つの導電ピ
ン18が適当な節点22と28との接触に失敗したとし
ても、誤ったテスト結果が現れてしまう。
それぞれの端20と26が回路基板及び移動基板上の節
点22と28にそれぞれ接触していることが必要である
。そうでなければ、回路基板と自動テスト装置との間に
は信号が伝達されない可能性かあり、これはテストにエ
ラーを生じさせる。試験治具IOのたった1つの導電ピ
ン18が適当な節点22と28との接触に失敗したとし
ても、誤ったテスト結果が現れてしまう。
第2図には、6対の導電ピン18とそれに対応する節点
22及び28との間の接続性(例えば、電気接触)を確
認するための本発明の回路32が示されてイル。回路3
2はnチャネル・エンハンスメント型MO3FET34
からなり、このFET34は、抵抗38と直列に回路の
グランドと電圧v 1典型的には−4ボルトの直流電圧
を提供する電圧源(図示せず)との間に接続されるドレ
イン・ソース端を有する。小電流(直流)阻止コンデン
サ38がFET34のゲートとソース間に接続されてい
る。実際には、コンデンサ38は、そのインピーダンス
が回路基板12上の節点対22を接続する各回路パスの
最小インピーダンスより小さくなるように選択される。
22及び28との間の接続性(例えば、電気接触)を確
認するための本発明の回路32が示されてイル。回路3
2はnチャネル・エンハンスメント型MO3FET34
からなり、このFET34は、抵抗38と直列に回路の
グランドと電圧v 1典型的には−4ボルトの直流電圧
を提供する電圧源(図示せず)との間に接続されるドレ
イン・ソース端を有する。小電流(直流)阻止コンデン
サ38がFET34のゲートとソース間に接続されてい
る。実際には、コンデンサ38は、そのインピーダンス
が回路基板12上の節点対22を接続する各回路パスの
最小インピーダンスより小さくなるように選択される。
スイッチ40(図示されているような手動単極単投スイ
ッチ、あるいは例えば、リレーのような電気的に制御さ
れたデバイスのどちらでも良い)はFET34のゲート
を選択的に、ビン18の1つを介して回路基板12上の
対応する節点22に接続される移動基板14上の節点2
8に接続する。他のビン18を介して回路基板12上の
節点22の異なるものに接続される移動基板14上の節
点28は第1電位(例えば、グランド)に接続される。
ッチ、あるいは例えば、リレーのような電気的に制御さ
れたデバイスのどちらでも良い)はFET34のゲート
を選択的に、ビン18の1つを介して回路基板12上の
対応する節点22に接続される移動基板14上の節点2
8に接続する。他のビン18を介して回路基板12上の
節点22の異なるものに接続される移動基板14上の節
点28は第1電位(例えば、グランド)に接続される。
前述のように、回路基板12上の節点22は典型的には
基板上の電子部品24によって相互接続されている。こ
のように、スイッチ40を閉じことにより、節点22の
6対が別々のビン18を介してそれぞれFETのゲート
と回路のグランドに接続されている場合、FET34の
ゲートを電子部品24を介して接地させることになる。
基板上の電子部品24によって相互接続されている。こ
のように、スイッチ40を閉じことにより、節点22の
6対が別々のビン18を介してそれぞれFETのゲート
と回路のグランドに接続されている場合、FET34の
ゲートを電子部品24を介して接地させることになる。
FET34のゲートが接地されているとき、FET34
のしきい値電圧を超える電圧がコンデンサ38の両端、
つまりFETのゲート・ソース間に現れる。このときF
ET34は導通となり、抵抗36の両端に電圧V。を生
じさせる。もしスイッチ40が閉じられ、FET34の
ゲートおよび回路のグランドにそれぞれ接続されている
2つの節点28のいずれかが、対応する導電ピン18を
通じて節点22に接続されていなければ、FETのゲー
トは接地されない。コンデンサ38がほとんど瞬時に放
電すると仮定すると、回路基板12と移動基板14との
間に接続がない場合、FET84のゲート・ソース間の
電圧はFETを導通させるのに不十分となる。従って、
抵抗36両端の電圧はVoからほとんど零ボルトへと落
ちる。このように、抵抗36両端の電圧のレベルは、選
択された試験治具ビン18が対応する節点対22と28
に接触しているかどうかの兆候を提供する。抵抗36両
端の電圧がいつVoに到達するかを示すために、電圧計
37、あるいは他の電圧表示装置が抵抗36に接続され
る。
のしきい値電圧を超える電圧がコンデンサ38の両端、
つまりFETのゲート・ソース間に現れる。このときF
ET34は導通となり、抵抗36の両端に電圧V。を生
じさせる。もしスイッチ40が閉じられ、FET34の
ゲートおよび回路のグランドにそれぞれ接続されている
2つの節点28のいずれかが、対応する導電ピン18を
通じて節点22に接続されていなければ、FETのゲー
トは接地されない。コンデンサ38がほとんど瞬時に放
電すると仮定すると、回路基板12と移動基板14との
間に接続がない場合、FET84のゲート・ソース間の
電圧はFETを導通させるのに不十分となる。従って、
抵抗36両端の電圧はVoからほとんど零ボルトへと落
ちる。このように、抵抗36両端の電圧のレベルは、選
択された試験治具ビン18が対応する節点対22と28
に接触しているかどうかの兆候を提供する。抵抗36両
端の電圧がいつVoに到達するかを示すために、電圧計
37、あるいは他の電圧表示装置が抵抗36に接続され
る。
導電ビン対18と各節点対22および28との間の接続
性が上述の方法で一度確認されたら、次にスイッチ40
は切断される。次に移動基板14上の節点の他の対の1
つ2Bはスイッチ40を介してFET34のゲートに接
続され、このとき他の節点のペアは前のように接地され
ている。導電ビン対18を介して、節点対28と回路基
板■2上のそれに対応する節点対22との間に接続性が
存在するかどうかを決めるため、抵抗36両端の電圧が
再びモニターされる。このプロセスは、すべての節点2
8の対と対応するすべての節点22のペアとの間に接続
性が確認されるまで繰り返される。
性が上述の方法で一度確認されたら、次にスイッチ40
は切断される。次に移動基板14上の節点の他の対の1
つ2Bはスイッチ40を介してFET34のゲートに接
続され、このとき他の節点のペアは前のように接地され
ている。導電ビン対18を介して、節点対28と回路基
板■2上のそれに対応する節点対22との間に接続性が
存在するかどうかを決めるため、抵抗36両端の電圧が
再びモニターされる。このプロセスは、すべての節点2
8の対と対応するすべての節点22のペアとの間に接続
性が確認されるまで繰り返される。
回路32の動作を記述するとき、コンデンサ38が瞬時
に放電すると仮定した。しかし実際には、コンデンサ3
8の放電時定数は一般に大きい。その結果、FETのゲ
ートと回路グランドとの間の接続がスイッチ40を開く
ことによって切断された後でも、コンデンサ38にはF
ET34を導通させるのに十分な電荷が残っている可能
性がある。従って、FET34が節点28の1つに接続
され、この節点が電気的には節点22に接続されていな
くても、FETはやはり導通になり得る。従って、この
接続性が存在しなくても、抵抗36の両端には電圧Vo
が現れる可能性がある。
に放電すると仮定した。しかし実際には、コンデンサ3
8の放電時定数は一般に大きい。その結果、FETのゲ
ートと回路グランドとの間の接続がスイッチ40を開く
ことによって切断された後でも、コンデンサ38にはF
ET34を導通させるのに十分な電荷が残っている可能
性がある。従って、FET34が節点28の1つに接続
され、この節点が電気的には節点22に接続されていな
くても、FETはやはり導通になり得る。従って、この
接続性が存在しなくても、抵抗36の両端には電圧Vo
が現れる可能性がある。
コンデンサ38に電荷が残る問題は、第3図に示される
ようにコンデンサを放電させるための放電回路44を組
込む方法で第2図の回路32を改良することによって解
決できる。第3図かられかるように、放電回路44は第
1のPNPバイポーラトランジスタ46を含み、このト
ランジスタ46は、抵抗48を介してFET34のドレ
インと抵抗38との接合に接続されるベースを有する。
ようにコンデンサを放電させるための放電回路44を組
込む方法で第2図の回路32を改良することによって解
決できる。第3図かられかるように、放電回路44は第
1のPNPバイポーラトランジスタ46を含み、このト
ランジスタ46は、抵抗48を介してFET34のドレ
インと抵抗38との接合に接続されるベースを有する。
バイポーラトランジスタ46のエミッタとコレクタ部分
は、抵抗50と直列に回路のグランドと一7ボルトの直
流電圧を提供する電圧源(図示せず)との間に接続され
る。
は、抵抗50と直列に回路のグランドと一7ボルトの直
流電圧を提供する電圧源(図示せず)との間に接続され
る。
バイポーラトランジスタ46は、ANDゲート52の第
1入力に接続されるコレクタを有する。抵抗54はAN
Dゲート52の第2入力端と、トランジスタ46のコレ
クタに一7ボルトの電圧を提供するのと同じ電圧源とに
接続される。ANDゲート52の出力は、抵抗5Bとコ
ンデンサ58との直列結合を介してFET34のゲート
に接続されている。またANDゲート52の出力は、抵
抗60を介して回路のグランドにも接続されている。A
NDゲート52は、第2のPNPバイポーラトランジス
タB2のコレクタに接続される第2入力端を有する。ト
ランジスタ62のベースは回路グランドに接続されてい
る。
1入力に接続されるコレクタを有する。抵抗54はAN
Dゲート52の第2入力端と、トランジスタ46のコレ
クタに一7ボルトの電圧を提供するのと同じ電圧源とに
接続される。ANDゲート52の出力は、抵抗5Bとコ
ンデンサ58との直列結合を介してFET34のゲート
に接続されている。またANDゲート52の出力は、抵
抗60を介して回路のグランドにも接続されている。A
NDゲート52は、第2のPNPバイポーラトランジス
タB2のコレクタに接続される第2入力端を有する。ト
ランジスタ62のベースは回路グランドに接続されてい
る。
抵抗64を介して、トランジスタ62のエミッタは信号
発生器(図示せず)に接続され、この信号発生器は信号
Rを発生し、そのロジックレベルはスイッチ40の導通
状態に従う。
発生器(図示せず)に接続され、この信号発生器は信号
Rを発生し、そのロジックレベルはスイッチ40の導通
状態に従う。
第3図に示される放電回路は、回路32と共に次のよう
に動作する。もしスイッチ40が閉じられた後に、節点
22の対と節点28の対との間に接続性がなければ(第
2図参照)、コンデンサ38両端の電圧はFET34の
しきい値電圧よりかなり小さいままである。従って、F
ET34は実質上非導通で、コンデンサ38の放電は必
要とされない。
に動作する。もしスイッチ40が閉じられた後に、節点
22の対と節点28の対との間に接続性がなければ(第
2図参照)、コンデンサ38両端の電圧はFET34の
しきい値電圧よりかなり小さいままである。従って、F
ET34は実質上非導通で、コンデンサ38の放電は必
要とされない。
しかし、スイッチ40が閉じられた後に、接続性がある
なら、コンデンサ38両端の電圧はFETのしきい値電
圧よりかなり大きくなる。この条件では、スイッチ40
が切断されたとき、コンデンサ38を放電させる必要が
ある。このような放電は、スイッチ40が切断されたと
きに自動的に現れる。これは、スイッチ40の導通状態
に従う信号Rのロジックレベルはロジックの“ハイ(h
lgh)”からロジックの“ロー(low)″に変化す
るからである。
なら、コンデンサ38両端の電圧はFETのしきい値電
圧よりかなり大きくなる。この条件では、スイッチ40
が切断されたとき、コンデンサ38を放電させる必要が
ある。このような放電は、スイッチ40が切断されたと
きに自動的に現れる。これは、スイッチ40の導通状態
に従う信号Rのロジックレベルはロジックの“ハイ(h
lgh)”からロジックの“ロー(low)″に変化す
るからである。
その結果、トランジスタ62はカットオフとなる。
トランジスタ62がカットオフになると、ANDゲート
52の第2入力での信号はロジックの“ロー”レベルに
変る。従って、ANDゲート52の出力信号はロジック
の“ロー2レベルに変わる。ANDゲート52の出力信
号のレベルでのこの変化は、抵抗5Bとコンデンサ58
を介してコンデンサ38を放電させる。コンデンサ38
が放電した後、FET34のゲートとソース間電圧はも
はやしきい値電圧を超えなくなり、従って、FET34
は実質上非導通となる。放電回路44の上述の動作は、
FET34がスイッチングデバイス40が切断されたと
きに実質上非導通になることを保証する。
52の第2入力での信号はロジックの“ロー”レベルに
変る。従って、ANDゲート52の出力信号はロジック
の“ロー2レベルに変わる。ANDゲート52の出力信
号のレベルでのこの変化は、抵抗5Bとコンデンサ58
を介してコンデンサ38を放電させる。コンデンサ38
が放電した後、FET34のゲートとソース間電圧はも
はやしきい値電圧を超えなくなり、従って、FET34
は実質上非導通となる。放電回路44の上述の動作は、
FET34がスイッチングデバイス40が切断されたと
きに実質上非導通になることを保証する。
放電回路44は、コンデンサ38に放電パスを提供する
問題を有利に解決するだけではなく、この放電回路はF
ET34の動作をも劣化させない。トランジスタ46が
実質上非導通であるとき、ANDゲート52は高いイン
ピーダンスを有し、従って、実質上FET34のドレイ
ンインピーダンスを減少させない。
問題を有利に解決するだけではなく、この放電回路はF
ET34の動作をも劣化させない。トランジスタ46が
実質上非導通であるとき、ANDゲート52は高いイン
ピーダンスを有し、従って、実質上FET34のドレイ
ンインピーダンスを減少させない。
上述の実施例は単に本発明の詳細な説明である。
様々な改良や変更が当業者によって行なわれることがで
き、それらは本発明の原理を含み、本発明の精神や範囲
に含まれる。
き、それらは本発明の原理を含み、本発明の精神や範囲
に含まれる。
第1図は回路基板を移動基板に接続するための従来の釘
ベット型試験治具の断面図、 第2図は第1図の試験治具と回路基板を示す図で、さら
に試験治具と回路基板間の接続性を確認するための回路
を示す図、 第3図は第2図の確認回路の他の実施例の概略図である
。 10・・・試験治具 I2・・・回路基板14・・
・移動基板 1B・・・絶縁基板18・・・導電
ピン 20・・・導電ピンの第1端22.28
・・・節点 24・・・電子部品26・・・導
電ピンの第2端 30・・・導線32・・・本発明の回
路 34・・・電界効果トランジスタ 8B、4B、50.54.5B、BO,B4・・・抵抗
37・・・電圧計 38.58・・・コンデ
ンサ40・・・スイッチングデバイス 44・・・放電回路 48.62・・・バイポーラトランジスタ52・・・A
NDゲート 出 願 人:アメリカン テレフォン アンドFIG、
1 白1カテスI−’i呪乍 FIG、 2 FIG、 3 4V
ベット型試験治具の断面図、 第2図は第1図の試験治具と回路基板を示す図で、さら
に試験治具と回路基板間の接続性を確認するための回路
を示す図、 第3図は第2図の確認回路の他の実施例の概略図である
。 10・・・試験治具 I2・・・回路基板14・・
・移動基板 1B・・・絶縁基板18・・・導電
ピン 20・・・導電ピンの第1端22.28
・・・節点 24・・・電子部品26・・・導
電ピンの第2端 30・・・導線32・・・本発明の回
路 34・・・電界効果トランジスタ 8B、4B、50.54.5B、BO,B4・・・抵抗
37・・・電圧計 38.58・・・コンデ
ンサ40・・・スイッチングデバイス 44・・・放電回路 48.62・・・バイポーラトランジスタ52・・・A
NDゲート 出 願 人:アメリカン テレフォン アンドFIG、
1 白1カテスI−’i呪乍 FIG、 2 FIG、 3 4V
Claims (8)
- (1)導電部材(18,18)の各対が回路基板(12
)上の各相互接続された節点対(22,22)に電気的
に接触しているかどうかを確認する回路ボードと試験治
具間の接続性を確認する方法において (a)導電部材(18)の1つは第1電位に接続され、 (b)導電部材(18)の他の1つは選択的に電界効果
トランジスタ(34)のゲートに接続され、この電界効
果トランジスタのソースとゲート間はコンデンサ(38
)で分路接続され、ドレインとソース間は電圧モニター
(36)と直列にグランドと第1電位より小さい電圧源
(−V_S)との間に接続され、 (c)電圧モニター手段(36)の両端の電圧はモニタ
ーされ、回路基板(12)上の相互接続された節点対(
22,22)に接触している導電部材の対間に電気的な
パスが存在しているとき、電界効果トランジスタ(34
)が導通しているかどうかを決定することを特徴とする
回路ボードと試験治具間の接続性を確認する方法。 - (2)導電部材(18,18)の各対が回路基板(12
)上の相互接続された節点(22,22)の別の対に電
気的に接触しているかどうかを確認するために、前記ス
テップ(a)、(b)、(c)が繰り返されることを特
徴とする請求項1に記載の方法。 - (3)ステップ(a)、(b)、(c)のそれぞれを継
続的に繰り返す前に、コンデンサ(38)は放電される
ことを特徴とする請求項2に記載の方法。 - (4)導電部材(18,18)複数の対のそれぞれが回
路基板(12)上の各相互接続された節点(22,22
)の複数の対のそれぞれに接触しているかどうかを継続
的に確認する回路ボードと試験治具間の接続性を確認す
る方法において、 (a)導電部材(18)の第1対の第1のものは第1電
位に接続され、 (b)導電部材(18)の第1対の第2のものは選択的
に電界効果トランジスタ(34)のゲートに接続され、
この電界効果トランジスタのソース間はコンデンサ(3
8)で分路接続され、ドレインとソース間は抵抗(36
)と直列にグランドと第1電位より小さい電圧源(−V
_S)との間に接続され、 (c)抵抗(36)の両端の電圧はモニターされ、導電
部材の第1対間に電気的なパスが存在するように、導電
部材(18,18)の第1対のそれぞれが相互接続され
た節点(22,22)の第1対のそれぞれに接触してい
るとき、電界効果トランジスタが導通しているかどうか
を決定し、 (d)電界効果トランジスタが導通状態になった後、コ
ンデンサ(38)は放電され、 (e)導電部材(18,18)の別の対と回路基板(1
2)上の節点(22,22)の別の対との接続性を確認
するために、前記ステップ(a)、(b)と(c)が継
続的に繰り返されることを特徴とする回路ボードと試験
治具間の接続性を確認する方法。 - (5)ドレイン、ゲート、ソースを有する電界効果トラ
ンジスタ(34)、 電界効果トランジスタのゲートとソース間に接続されて
いるコンデンサ(38)、 導電部材の別の対が第1電位に接続されているとき、電
界効果トランジスタのゲートを選択的に導電部材の1つ
の対に接続させる手段(40)、および 回路のグランドと第1電位より小さい電圧源(−V_S
)との間に、電界効果トランジスタのドレインとソース
部分と直列に接続される抵抗(36)からなり、 この抵抗の両端の電圧の値は、導電部材の1つが相互接
続されている節点の1つに電気的に接触し、電界効果ト
ランジスタが導通になったときに、変化することを特徴
とする回路ボードと試験治具間の接続性を確認する装置
。 - (6)電界効果トランジスタが導通になった後、コンデ
ンサを放電させる手段(44)を具備することを特徴と
する請求項5に記載の装置。 - (7)前記放電手段は、1対の入力および1つの出力を
有し、その出力がコンデンサに接続されるANDゲート
(52)、 抵抗両端の電圧がしきい値を越えたときに、ANDゲー
トの第1入力を所定電圧の第2電圧源に接続する手段(
54,84,62)、およびANDゲートの第2入力を
第2電圧源に選択的に接続する手段(46,48)を有
し、 2つの入力を共に第2の電圧源に接続することによって
、コンデンサを放電させるパスを形成することを特徴と
する請求項6に記載の装置。 - (8)抵抗に、その両端の電圧を示すための手段が接続
されることを特徴とする請求項5に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US149829 | 1988-01-29 | ||
| US07/149,829 US4841240A (en) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | Method and apparatus for verifying the continuity between a circuit board and a test fixture |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01250077A true JPH01250077A (ja) | 1989-10-05 |
| JPH0625800B2 JPH0625800B2 (ja) | 1994-04-06 |
Family
ID=22531966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63319718A Expired - Lifetime JPH0625800B2 (ja) | 1988-01-29 | 1988-12-20 | 回路ボードと試験治具間の接続性を確認する方法およびその装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4841240A (ja) |
| JP (1) | JPH0625800B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5291129A (en) * | 1988-10-24 | 1994-03-01 | Nhk Spring Co., Ltd. | Contact probe |
| US5004977A (en) * | 1988-10-24 | 1991-04-02 | Nhk Spring Co., Ltd. | Contact probe |
| US5202640A (en) * | 1991-06-03 | 1993-04-13 | International Business Machines Corporation | Capacitance and leakage test method and apparatus |
| US5982187A (en) * | 1993-07-01 | 1999-11-09 | Alphatest Corporation | Resilient connector having a tubular spring |
| US6034532A (en) * | 1993-07-01 | 2000-03-07 | Alphatest Corporation | Resilient connector having a tubular spring |
| US5504432A (en) * | 1993-08-31 | 1996-04-02 | Hewlett-Packard Company | System and method for detecting short, opens and connected pins on a printed circuit board using automatic test equipment |
| US7064566B2 (en) * | 1993-11-16 | 2006-06-20 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit |
| US5736862A (en) * | 1995-06-22 | 1998-04-07 | Genrad, Inc. | System for detecting faults in connections between integrated circuits and circuit board traces |
| IT1285299B1 (it) * | 1996-03-06 | 1998-06-03 | Cselt Centro Studi Lab Telecom | Sonda per dispositivi attuatori di guasto |
| US5966020A (en) * | 1996-10-30 | 1999-10-12 | Intel Corporation | Method and apparatus for facilitating detection of solder opens of SMT components |
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| JP4060919B2 (ja) * | 1997-11-28 | 2008-03-12 | 富士通株式会社 | 電気的接続装置、接触子製造方法、及び半導体試験方法 |
| US6683449B1 (en) * | 2000-10-06 | 2004-01-27 | Dell Products, L.P. | Apparatus and method for detecting a mechanical component on a computer system substrate |
| CN100360944C (zh) * | 2006-03-01 | 2008-01-09 | 友达光电股份有限公司 | 电压检测电路以及电压检测系统 |
| US20090144970A1 (en) * | 2007-12-06 | 2009-06-11 | Winmems Technologies Holdings Co., Ltd. | Fabricating an array of mems parts on a substrate |
| US8089294B2 (en) * | 2008-08-05 | 2012-01-03 | WinMENS Technologies Co., Ltd. | MEMS probe fabrication on a reusable substrate for probe card application |
| US7928751B2 (en) * | 2009-02-18 | 2011-04-19 | Winmems Technologies Holdings Co., Ltd. | MEMS interconnection pins fabrication on a reusable substrate for probe card application |
| CN103018497A (zh) * | 2012-12-21 | 2013-04-03 | 桂林电力电容器有限责任公司 | 一种电容式电压互感器试验用中压接地端子结构 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS528870A (en) * | 1975-07-09 | 1977-01-24 | Nippon Denso Co Ltd | Power source terminal defect detection equipment |
| US4025850A (en) * | 1975-10-01 | 1977-05-24 | Joseph Spiteri | Passive, solid state wide range voltage checker |
| US4101826A (en) * | 1977-06-13 | 1978-07-18 | Hendrik Horsitmann | Fault indicator including a reed relay responsive to above normal current flow in a conductor |
| SU661412A1 (ru) * | 1977-12-02 | 1979-05-05 | Предприятие П/Я А-3870 | Мегомметр с дискретным выходом |
| GB1599069A (en) * | 1978-05-31 | 1981-09-30 | Ferranti Ltd | Testing of circuit arrangements |
| US4289975A (en) * | 1979-07-20 | 1981-09-15 | Waters Associates, Inc. | Dissipating electrical charge |
| JPS5612562A (en) * | 1979-07-13 | 1981-02-06 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Circuit for discriminating connection state of terminal |
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| US4508405A (en) * | 1982-04-29 | 1985-04-02 | Augat Inc. | Electronic socket having spring probe contacts |
-
1988
- 1988-01-29 US US07/149,829 patent/US4841240A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-12-20 JP JP63319718A patent/JPH0625800B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0625800B2 (ja) | 1994-04-06 |
| US4841240A (en) | 1989-06-20 |
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